Сторінка 46 з 198

Name: SI7116DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 1995644-3
Price: 458.22 UAH
Availability: InStock

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 19 38 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 57 76 95 114 133 152 171 190 198 [ Наступна Сторінка >> ]

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна без ПДВ

SI7116DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V

на замовлення 5043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	229.11 грн
10+	143.52 грн
100+	99.34 грн
500+	75.50 грн
1000+	69.81 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Si7120DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7216DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	158.43 грн
10+	98.12 грн
100+	66.61 грн
500+	49.86 грн
1000+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7220DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 64267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	179.40 грн
10+	110.83 грн
100+	75.80 грн
500+	57.07 грн
1000+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7308DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V

на замовлення 8027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

4+	97.08 грн
10+	63.19 грн
100+	44.21 грн
500+	33.52 грн
1000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7386DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V

на замовлення 28706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

5+	76.89 грн
10+	60.35 грн
100+	46.96 грн
500+	37.36 грн
1000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7411DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7414DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	130.47 грн
10+	85.41 грн
100+	60.48 грн
500+	46.36 грн
1000+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7415DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

на замовлення 10967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	182.51 грн
10+	112.93 грн
100+	77.22 грн
500+	58.14 грн
1000+	53.78 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	275.70 грн
10+	174.33 грн
100+	122.40 грн
500+	95.83 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7434DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 13089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	219.01 грн
10+	177.02 грн
100+	143.18 грн
500+	119.44 грн
1000+	102.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7450DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	267.94 грн
10+	169.17 грн
100+	118.34 грн
500+	91.30 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7456DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.09 грн
10+	141.05 грн
100+	113.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7459DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7461DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

на замовлення 22843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.85 грн
10+	157.80 грн
100+	109.79 грн
500+	83.79 грн
1000+	77.60 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7463DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7465DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	125.04 грн
10+	76.51 грн
100+	51.45 грн
500+	38.22 грн
1000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7483ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7485DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7489DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 11417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	250.08 грн
10+	157.05 грн
100+	109.26 грн
500+	83.37 грн
1000+	77.22 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7501DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7540DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7818DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	113.39 грн
10+	89.22 грн
100+	69.42 грн
500+	55.22 грн
1000+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7820DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 11681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	163.87 грн
10+	101.11 грн
100+	68.80 грн
500+	51.57 грн
1000+	47.40 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7842DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7858ADP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

на замовлення 2959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	226.78 грн
10+	196.09 грн
100+	157.59 грн
500+	121.51 грн
1000+	104.15 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7892BDP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

3+	153.00 грн
10+	100.21 грн
100+	71.49 грн
500+	55.14 грн
1000+	51.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7898DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 10659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	194.94 грн
10+	121.75 грн
100+	84.07 грн
500+	65.57 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7922DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 34240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

2+	167.75 грн
10+	103.80 грн
100+	70.98 грн
500+	53.43 грн
1000+	52.87 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7942DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

на замовлення 4991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7945DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7960DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI1065X-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4378DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

на замовлення 6620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI5435BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI6433BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI6459BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI6463BDQ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7107DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7114DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7366DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7958DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUB75P03-07-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

SIHP18N50C-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHG20N50C-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHP22N60S-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIHG22N60S-E3

Vishay Siliconix

Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2522DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DG2706DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH QUAD SPDT 16-MINIQFN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2714DL-T1-E3

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.5V ~ 3.6V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 33ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DG2720DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2722DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2735DN-T1-E4

Vishay Siliconix

Description: IC SWITCH 2XSPDT 500MOHM MINIQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7116DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V

на замовлення 5043 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	229.11 грн
10+	143.52 грн
100+	99.34 грн
500+	75.50 грн
1000+	69.81 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

Si7120DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7216DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 20.8W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 4539 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	158.43 грн
10+	98.12 грн
100+	66.61 грн
500+	49.86 грн
1000+	45.79 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7220DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 64267 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	179.40 грн
10+	110.83 грн
100+	75.80 грн
500+	57.07 грн
1000+	52.54 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7308DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V

на замовлення 8027 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
4+	97.08 грн
10+	63.19 грн
100+	44.21 грн
500+	33.52 грн
1000+	30.91 грн

Мінімальне замовлення: 4 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7366DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7386DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V

на замовлення 28706 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
5+	76.89 грн
10+	60.35 грн
100+	46.96 грн
500+	37.36 грн
1000+	36.95 грн

Мінімальне замовлення: 5 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7411DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7414DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

на замовлення 5689 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	130.47 грн
10+	85.41 грн
100+	60.48 грн
500+	46.36 грн
1000+	42.97 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7415DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V

на замовлення 10967 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	182.51 грн
10+	112.93 грн
100+	77.22 грн
500+	58.14 грн
1000+	53.78 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7430DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V

на замовлення 5727 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	275.70 грн
10+	174.33 грн
100+	122.40 грн
500+	95.83 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7434DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 13089 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	219.01 грн
10+	177.02 грн
100+	143.18 грн
500+	119.44 грн
1000+	102.27 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7450DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 3002 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	267.94 грн
10+	169.17 грн
100+	118.34 грн
500+	91.30 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7456DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	163.09 грн
10+	141.05 грн
100+	113.37 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7459DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7461DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V

на замовлення 22843 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	250.85 грн
10+	157.80 грн
100+	109.79 грн
500+	83.79 грн
1000+	77.60 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7463DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7465DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5056 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	125.04 грн
10+	76.51 грн
100+	51.45 грн
500+	38.22 грн
1000+	35.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7483ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 14A PPAK SO-8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7485DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7489DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 11417 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	250.08 грн
10+	157.05 грн
100+	109.26 грн
500+	83.37 грн
1000+	77.22 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7501DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.6W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Mounting Type: Surface Mount
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7540DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7818DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 5709 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	113.39 грн
10+	89.22 грн
100+	69.42 грн
500+	55.22 грн
1000+	44.98 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7820DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 11681 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	163.87 грн
10+	101.11 грн
100+	68.80 грн
500+	51.57 грн
1000+	47.40 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7842DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7844DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7858ADP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8

на замовлення 2959 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	226.78 грн
10+	196.09 грн
100+	157.59 грн
500+	121.51 грн
1000+	104.15 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7892BDP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 1251 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3+	153.00 грн
10+	100.21 грн
100+	71.49 грн
500+	55.14 грн
1000+	51.24 грн

Мінімальне замовлення: 3 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7898DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V

на замовлення 10659 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	194.94 грн
10+	121.75 грн
100+	84.07 грн
500+	65.57 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7922DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Power - Max: 1.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

на замовлення 34240 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
2+	167.75 грн
10+	103.80 грн
100+	70.98 грн
500+	53.43 грн
1000+	52.87 грн

Мінімальне замовлення: 2 шт

В кошику од. на суму грн.

SI7942DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8

на замовлення 4991 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI7945DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7958DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7960DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Packaging: Cut Tape (CT)

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI1065X-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 1.18A SC89-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI4378DY-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

на замовлення 6620 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

SI5435BDC-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI6433BDQ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI6459BDQ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI6463BDQ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7107DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7114DN-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7366DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SI7958DP-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA411DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIA914DJ-T1-GE3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SUB75P03-07-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 75A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9000 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 800 шт

В кошику од. на суму грн.

SIHP18N50C-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 223W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHG20N50C-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 20A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2942 pF @ 25 V

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

SIHP22N60S-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2810 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 1000 шт

В кошику од. на суму грн.

SIHG22N60S-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 22A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5620 pF @ 25 V

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 500 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2522DN-T1-E4

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SP3TX1 1.1OHM 8MINIQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.1Ohm
-3db Bandwidth: 105MHz
Supplier Device Package: 8-miniQFN (1.4x1.4)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.6V ~ 5.5V
Charge Injection: 27pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SP3T
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 100mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 75ns, 60ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 20nA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DG2706DN-T1-E4

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPDT 16-MINIQFN

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2714DL-T1-E3

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.2OHM SC70-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 1.2Ohm
Supplier Device Package: SC-70-6
Voltage - Supply, Single (V+): 1.5V ~ 3.6V
Charge Injection: 9pC
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 60mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 51ns, 33ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 30pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Number of Circuits: 1

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

DG2720DN-T1-E4

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2722DN-T1-E4

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT USB2.0 10-MINIQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 3000 шт

В кошику од. на суму грн.

DG2735DN-T1-E4

Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2XSPDT 500MOHM MINIQFN

товару немає в наявності

Мінімальне замовлення: 6000 шт

В кошику од. на суму грн.

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 19 38 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 57 76 95 114 133 152 171 190 198 [ Наступна Сторінка >> ]