Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11884) > Сторінка 45 з 199

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4436DY-T1-GE3 SI4436DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4436dy.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 SI4559ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4559ady.pdf Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-GE3 SI4630DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 73685.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.49 грн
10+143.27 грн
100+115.12 грн
500+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-GE3 SI4686DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4686dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 6009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.07 грн
10+103.16 грн
50+78.02 грн
100+65.59 грн
500+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 SI4800BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.77 грн
10+60.54 грн
100+40.07 грн
500+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 SI4816BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4816bd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.95 грн
10+109.19 грн
100+75.37 грн
500+56.61 грн
1000+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3 SI5435BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73137.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410DQ-T1-GE3 SI6410DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70661.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3 SI6415DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6415dq.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.85 грн
10+103.54 грн
100+82.42 грн
500+65.45 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3 SI6423DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72257.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 9379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.74 грн
10+123.37 грн
50+93.86 грн
100+79.16 грн
500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3 SI6433BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72511.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6435ADQ-T1-GE3 SI6435ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71104.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-GE3 SI6459BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72518.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-GE3 SI6463BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72018.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562DQ-T1-GE3 SI6562DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6925ADQ-T1-GE3 SI6925ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72623.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 SI6926ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72754.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.89 грн
10+54.21 грн
100+42.15 грн
500+33.53 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6928DQ-T1-GE3 SI6928DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 70663.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 SI6954ADQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 71130.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.52 грн
10+63.67 грн
100+42.16 грн
500+30.93 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6963BDQ-T1-GE3 SI6963BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3 SI7106DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7106dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.15 грн
10+104.76 грн
100+81.70 грн
500+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3 SI7107DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7107dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3 SI7108DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7108dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 42079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+134.58 грн
100+108.19 грн
500+83.42 грн
1000+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 SI7112DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7112dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 11302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.24 грн
10+129.62 грн
50+99.09 грн
100+83.74 грн
500+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 SI7113DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7113dn.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.07 грн
10+103.01 грн
100+69.94 грн
500+52.35 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 SI7114DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7114dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 SI7116DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7116dn.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.58 грн
10+146.32 грн
100+101.28 грн
500+76.98 грн
1000+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120DN-T1-GE3 Si7120DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7216dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.94 грн
10+98.59 грн
50+74.65 грн
100+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3 SI7220DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7220dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 SI7308DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7308dn.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.97 грн
10+64.43 грн
100+45.08 грн
500+34.17 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3 SI7366DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72296.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 SI7386DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7386dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 28706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.39 грн
10+61.53 грн
100+47.88 грн
500+38.09 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-GE3 SI7411DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72399.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 SI7414DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 71738.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.02 грн
10+87.07 грн
100+61.66 грн
500+47.27 грн
1000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 SI7415DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7415dn.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.07 грн
10+115.13 грн
100+78.73 грн
500+59.27 грн
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 SI7430DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7430dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+289.01 грн
10+182.84 грн
50+141.68 грн
100+120.48 грн
500+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3 SI7434DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7434dp.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 13089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+223.29 грн
10+180.48 грн
100+145.98 грн
500+121.77 грн
1000+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 SI7450DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7450dp.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+273.17 грн
10+172.47 грн
100+120.65 грн
500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 SI7456DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7456dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7459DP-T1-GE3 SI7459DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7459dp.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 SI7461DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7461dp.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 SI7463DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7463dp.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 SI7465DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73113.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.48 грн
10+78.00 грн
100+52.45 грн
500+38.96 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-GE3 SI7485DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72275.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 SI7489DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7489dp.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-GE3 SI7501DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72173.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3 SI7540DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7540dp.pdf Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 SI7818DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7818dn.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.60 грн
10+90.96 грн
100+70.77 грн
500+56.30 грн
1000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 SI7820DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7820dn.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+167.07 грн
10+103.09 грн
100+70.15 грн
500+52.58 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-GE3 SI7842DP-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7844DP-T1-GE3 SI7844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71328.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3 SI7858ADP-T1-GE3 Vishay Siliconix 73164.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.20 грн
10+199.92 грн
100+160.67 грн
500+123.88 грн
1000+106.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3 SI7892BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7892bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.98 грн
10+102.17 грн
100+72.88 грн
500+56.21 грн
1000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 SI7898DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7898dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.58 грн
10+134.04 грн
50+102.69 грн
100+86.87 грн
500+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 SI7922DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72031.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 29392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.32 грн
10+112.24 грн
50+85.41 грн
100+72.03 грн
500+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3 SI7942DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72118.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-GE3 SI7945DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72090.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3 SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7958dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-GE3 SI7960DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7960dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4436DY-T1-GE3 si4436dy.pdf
SI4436DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 8A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4559ADY-T1-GE3 si4559ady.pdf
SI4559ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W, 3.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A, 3.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 15V, 650pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V, 22nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4630DY-T1-GE3 73685.pdf
SI4630DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A 8-SOIC
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.49 грн
10+143.27 грн
100+115.12 грн
500+88.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4686DY-T1-GE3 si4686dy.pdf
SI4686DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 18.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 5.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1220 pF @ 15 V
на замовлення 6009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.07 грн
10+103.16 грн
50+78.02 грн
100+65.59 грн
500+52.20 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-GE3 si4800bd.pdf
SI4800BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.77 грн
10+60.54 грн
100+40.07 грн
500+29.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4816BDY-T1-GE3 si4816bd.pdf
SI4816BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A/8.2A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W, 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A, 8.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 6.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 3390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.95 грн
10+109.19 грн
100+75.37 грн
500+56.61 грн
1000+52.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI5435BDC-T1-GE3 73137.pdf
SI5435BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.3A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6410DQ-T1-GE3 70661.pdf
SI6410DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6415DQ-T1-GE3 si6415dq.pdf
SI6415DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 6.5A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
на замовлення 5069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.85 грн
10+103.54 грн
100+82.42 грн
500+65.45 грн
1000+55.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6423DQ-T1-GE3 72257.pdf
SI6423DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.05W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 400µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 5 V
на замовлення 9379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+198.74 грн
10+123.37 грн
50+93.86 грн
100+79.16 грн
500+63.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6433BDQ-T1-GE3 72511.pdf
SI6433BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6435ADQ-T1-GE3 71104.pdf
SI6435ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6459BDQ-T1-GE3 72518.pdf
SI6459BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6463BDQ-T1-GE3 72018.pdf
SI6463BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6562DQ-T1-GE3
SI6562DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6925ADQ-T1-GE3 72623.pdf
SI6925ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 3.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6926ADQ-T1-GE3 72754.pdf
SI6926ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 4.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
на замовлення 8906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.89 грн
10+54.21 грн
100+42.15 грн
500+33.53 грн
1000+27.31 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6928DQ-T1-GE3 70663.pdf
SI6928DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6954ADQ-T1-GE3 71130.pdf
SI6954ADQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 3.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-TSSOP
на замовлення 9919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.52 грн
10+63.67 грн
100+42.16 грн
500+30.93 грн
1000+28.14 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI6963BDQ-T1-GE3
SI6963BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.4A 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 830mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7106DN-T1-GE3 si7106dn.pdf
SI7106DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+121.15 грн
10+104.76 грн
100+81.70 грн
500+63.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7107DN-T1-GE3 si7107dn.pdf
SI7107DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7108DN-T1-GE3 si7108dn.pdf
SI7108DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8
на замовлення 42079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.98 грн
10+134.58 грн
100+108.19 грн
500+83.42 грн
1000+69.12 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7112DN-T1-GE3 si7112dn.pdf
SI7112DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 17.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2610 pF @ 15 V
на замовлення 11302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+208.24 грн
10+129.62 грн
50+99.09 грн
100+83.74 грн
500+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7113DN-T1-GE3 si7113dn.pdf
SI7113DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 134mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 50 V
на замовлення 8099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.07 грн
10+103.01 грн
100+69.94 грн
500+52.35 грн
1000+48.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7114DN-T1-GE3 si7114dn.pdf
SI7114DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 11.7A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7116DN-T1-GE3 si7116dn.pdf
SI7116DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 10.5A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 16.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
на замовлення 5043 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+233.58 грн
10+146.32 грн
100+101.28 грн
500+76.98 грн
1000+71.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si7120DN-T1-GE3
Si7120DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6.3A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7216DN-T1-GE3 si7216dn.pdf
SI7216DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 20.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.94 грн
10+98.59 грн
50+74.65 грн
100+62.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7220DN-T1-GE3 si7220dn.pdf
SI7220DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7308DN-T1-GE3 si7308dn.pdf
SI7308DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 19.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 15 V
на замовлення 8027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.97 грн
10+64.43 грн
100+45.08 грн
500+34.17 грн
1000+31.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7366DP-T1-GE3 72296.pdf
SI7366DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7386DP-T1-GE3 si7386dp.pdf
SI7386DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 4.5 V
на замовлення 28706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+78.39 грн
10+61.53 грн
100+47.88 грн
500+38.09 грн
1000+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7411DN-T1-GE3 72399.pdf
SI7411DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 7.5A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7414DN-T1-GE3 71738.pdf
SI7414DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 5.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 5689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+133.02 грн
10+87.07 грн
100+61.66 грн
500+47.27 грн
1000+43.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7415DN-T1-GE3 si7415dn.pdf
SI7415DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.6A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
на замовлення 10967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.07 грн
10+115.13 грн
100+78.73 грн
500+59.27 грн
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7430DP-T1-GE3 si7430dp.pdf
SI7430DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 26A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 64W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
на замовлення 4665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+289.01 грн
10+182.84 грн
50+141.68 грн
100+120.48 грн
500+100.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7434DP-T1-GE3 si7434dp.pdf
SI7434DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 2.3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
на замовлення 13089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+223.29 грн
10+180.48 грн
100+145.98 грн
500+121.77 грн
1000+104.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7450DP-T1-GE3 si7450dp.pdf
SI7450DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
на замовлення 3002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+273.17 грн
10+172.47 грн
100+120.65 грн
500+93.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DP-T1-GE3 si7456dp.pdf
SI7456DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 9.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7459DP-T1-GE3 si7459dp.pdf
SI7459DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7461DP-T1-GE3 si7461dp.pdf
SI7461DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.6A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 14.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7463DP-T1-GE3 si7463dp.pdf
SI7463DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.2mOhm @ 18.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7465DP-T1-GE3 73113.pdf
SI7465DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
на замовлення 5056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.48 грн
10+78.00 грн
100+52.45 грн
500+38.96 грн
1000+35.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7485DP-T1-GE3 72275.pdf
SI7485DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12.5A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7489DP-T1-GE3 si7489dp.pdf
SI7489DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 28A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7501DN-T1-GE3 72173.pdf
SI7501DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A, 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7540DP-T1-GE3 si7540dp.pdf
SI7540DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7818DN-T1-GE3 si7818dn.pdf
SI7818DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 2.2A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.60 грн
10+90.96 грн
100+70.77 грн
500+56.30 грн
1000+45.86 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7820DN-T1-GE3 si7820dn.pdf
SI7820DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 1.7A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 2.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+167.07 грн
10+103.09 грн
100+70.15 грн
500+52.58 грн
1000+48.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7842DP-T1-GE3
SI7842DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 7.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7844DP-T1-GE3 71328.pdf
SI7844DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7858ADP-T1-GE3 73164.pdf
SI7858ADP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 20A PPAK SO-8
на замовлення 2959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.20 грн
10+199.92 грн
100+160.67 грн
500+123.88 грн
1000+106.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7892BDP-T1-GE3 si7892bd.pdf
SI7892BDP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3775 pF @ 15 V
на замовлення 1251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+155.98 грн
10+102.17 грн
100+72.88 грн
500+56.21 грн
1000+52.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7898DP-T1-GE3 si7898dp.pdf
SI7898DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 3A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
на замовлення 1184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.58 грн
10+134.04 грн
50+102.69 грн
100+86.87 грн
500+70.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7922DN-T1-GE3 72031.pdf
SI7922DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.8A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 2.5A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
Part Status: Active
на замовлення 29392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+181.32 грн
10+112.24 грн
50+85.41 грн
100+72.03 грн
500+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI7942DP-T1-GE3 72118.pdf
SI7942DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7945DP-T1-GE3 72090.pdf
SI7945DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7958DP-T1-GE3 si7958dp.pdf
SI7958DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7960DP-T1-GE3 si7960dp.pdf
SI7960DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 6.2A PPAK SO8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21mOhm @ 9.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.