Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11841) > Сторінка 42 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIB414DK-T1-GE3 SIB414DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib414dk.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3 SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib415dk.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3 SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib417dk.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3 SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib419dk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 SIB452DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib452dk.pdf Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.94 грн
10+57.67 грн
100+38.07 грн
500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB914DK-T1-GE3 SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib914dk.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 SIR402DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir402dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.63 грн
10+120.60 грн
50+91.94 грн
100+77.61 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 SIR440DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir440dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 7086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.37 грн
10+124.03 грн
100+85.25 грн
500+64.46 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 SIR462DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir462dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 29959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.00 грн
10+75.96 грн
50+57.05 грн
100+47.79 грн
500+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 SIR464DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir464dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.60 грн
10+79.92 грн
100+55.23 грн
500+41.13 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 SIR466DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir466dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.38 грн
10+77.79 грн
100+52.13 грн
500+38.59 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-GE3 SIR468DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir468dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 SIR470DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir470dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V
на замовлення 23467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.29 грн
10+163.65 грн
50+126.24 грн
100+107.15 грн
500+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3 SIR472DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir472dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR476DP-T1-GE3 SIR476DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir476dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR492DP-T1-GE3 SIR492DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir492dp.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR496DP-T1-GE3 SIR496DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir496dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3 SIR850DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir850dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3 SIR866DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir866dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3 SiR888DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir888dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3 SiR892DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir892dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 SIS402DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis402dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.63 грн
10+120.60 грн
50+91.94 грн
100+77.61 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS426DN-T1-GE3 SIS426DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis426dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-GE3 SI4108DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4108dy.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3 SI4110DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4110dy.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 SI4114DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4114dy.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.88 грн
10+56.07 грн
100+56.06 грн
500+52.45 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 SI4116DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4116dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+85.86 грн
50+64.54 грн
100+54.12 грн
500+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 SI4122DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4122dy.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.83 грн
10+137.59 грн
100+101.41 грн
500+77.21 грн
1000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 SI4126DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4126dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 9748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.26 грн
50+113.93 грн
100+96.54 грн
500+78.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 SI4164DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4164dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 12381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.61 грн
10+98.97 грн
50+74.94 грн
100+63.04 грн
500+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3 SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4170dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3 Si4226DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4226dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 SI4431CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4431cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.30 грн
10+70.93 грн
50+53.12 грн
100+44.44 грн
500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 SI4435DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4435ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 43675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.86 грн
10+50.36 грн
50+37.29 грн
100+31.02 грн
500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3 SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4448dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 SI4459ADY-T1-GE3 Vishay Siliconix Si4459ADY.PDF Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 31952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+206.49 грн
10+128.60 грн
100+88.60 грн
500+67.09 грн
1000+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-GE3 SI4561DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 69730.pdf Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 7.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W, 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-GE3 SI4634DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4634dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4660DY-T1-GE3 SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4660dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4668DY-T1-GE3 SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4668dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.79 грн
10+77.25 грн
100+51.96 грн
500+38.60 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3 SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4842bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.81 грн
10+145.21 грн
50+111.55 грн
100+94.51 грн
500+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3 SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.01 грн
10+110.09 грн
100+75.19 грн
500+56.54 грн
1000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 12217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.26 грн
10+73.21 грн
50+54.88 грн
100+45.94 грн
500+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 16674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.50 грн
10+82.66 грн
50+62.18 грн
100+52.16 грн
500+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 75464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.79 грн
10+43.43 грн
50+32.04 грн
100+26.61 грн
500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.38 грн
10+77.63 грн
50+58.27 грн
100+48.80 грн
500+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.39 грн
10+65.75 грн
50+49.11 грн
100+41.04 грн
500+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.81 грн
10+98.58 грн
100+66.92 грн
500+50.09 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.01 грн
10+156.71 грн
50+120.68 грн
100+102.36 грн
500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1069x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5432dc.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5519du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 SI7123DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7123dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 SI7160DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 SI7186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 SI7194DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7194dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB414DK-T1-GE3 sib414dk.pdf
SIB414DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3 sib415dk.pdf
SIB415DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3 sib417dk.pdf
SIB417DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3 sib419dk.pdf
SIB419DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB452DK-T1-GE3 sib452dk.pdf
SIB452DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 190V 1.5A PPAK SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 13W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 190 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 50 V
на замовлення 994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.94 грн
10+57.67 грн
100+38.07 грн
500+27.82 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIB914DK-T1-GE3 sib914dk.pdf
SIB914DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR402DP-T1-GE3 sir402dp.pdf
SIR402DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.63 грн
10+120.60 грн
50+91.94 грн
100+77.61 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR440DP-T1-GE3 sir440dp.pdf
SIR440DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 10 V
на замовлення 7086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+199.37 грн
10+124.03 грн
100+85.25 грн
500+64.46 грн
1000+60.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR462DP-T1-GE3 sir462dp.pdf
SIR462DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1155 pF @ 15 V
на замовлення 29959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.00 грн
10+75.96 грн
50+57.05 грн
100+47.79 грн
500+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR464DP-T1-GE3 sir464dp.pdf
SIR464DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+107.60 грн
10+79.92 грн
100+55.23 грн
500+41.13 грн
1000+38.45 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR466DP-T1-GE3 sir466dp.pdf
SIR466DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2730 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 54W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 21088 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.38 грн
10+77.79 грн
100+52.13 грн
500+38.59 грн
1000+35.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR468DP-T1-GE3 sir468dp.pdf
SIR468DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR470DP-T1-GE3 sir470dp.pdf
SIR470DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5660 pF @ 20 V
на замовлення 23467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+260.29 грн
10+163.65 грн
50+126.24 грн
100+107.15 грн
500+87.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR472DP-T1-GE3 sir472dp.pdf
SIR472DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 820 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 29.8W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR476DP-T1-GE3 sir476dp.pdf
SIR476DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR492DP-T1-GE3 sir492dp.pdf
SIR492DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 40A PPAK SO-8
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 36W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 15A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3720 pF @ 6 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 8 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR496DP-T1-GE3 sir496dp.pdf
SIR496DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR850DP-T1-GE3 sir850dp.pdf
SIR850DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 30A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1120 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR866DP-T1-GE3 sir866dp.pdf
SIR866DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR888DP-T1-GE3 sir888dp.pdf
SiR888DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 40A PPAK SO-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5065 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 48W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3 sir892dp.pdf
SiR892DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIS402DN-T1-GE3 sis402dn.pdf
SIS402DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK1212-8
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 19A, 10V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
на замовлення 5008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+194.63 грн
10+120.60 грн
50+91.94 грн
100+77.61 грн
500+62.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS426DN-T1-GE3 sis426dn.pdf
SIS426DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4108DY-T1-GE3 si4108dy.pdf
SI4108DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 20.5A 8-SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 38 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.8mOhm @ 13.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3 si4110dy.pdf
SI4110DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4114DY-T1-GE3 si4114dy.pdf
SI4114DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 276862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.88 грн
10+56.07 грн
100+56.06 грн
500+52.45 грн
1000+51.58 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4116DY-T1-GE3 si4116dy.pdf
SI4116DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 18A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 15 V
на замовлення 6356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.83 грн
10+85.86 грн
50+64.54 грн
100+54.12 грн
500+42.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4122DY-T1-GE3 si4122dy.pdf
SI4122DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 27.2A 8SO
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 4973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.83 грн
10+137.59 грн
100+101.41 грн
500+77.21 грн
1000+71.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4126DY-T1-GE3 si4126dy.pdf
SI4126DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 39A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4405 pF @ 15 V
на замовлення 9748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.56 грн
10+148.26 грн
50+113.93 грн
100+96.54 грн
500+78.31 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4164DY-T1-GE3 si4164dy.pdf
SI4164DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3545 pF @ 15 V
на замовлення 12381 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.61 грн
10+98.97 грн
50+74.94 грн
100+63.04 грн
500+50.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3 si4170dy.pdf
SI4170DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3 si4226dy.pdf
Si4226DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4431CDY-T1-GE3 si4431cd.pdf
SI4431CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1006 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 4.2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+116.30 грн
10+70.93 грн
50+53.12 грн
100+44.44 грн
500+34.95 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4435DDY-T1-GE3 si4435ddy.pdf
SI4435DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 9.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 15 V
на замовлення 43675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+83.86 грн
10+50.36 грн
50+37.29 грн
100+31.02 грн
500+24.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3 si4448dy.pdf
SI4448DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4459ADY-T1-GE3 Si4459ADY.PDF
SI4459ADY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
на замовлення 31952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+206.49 грн
10+128.60 грн
100+88.60 грн
500+67.09 грн
1000+63.84 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4561DY-T1-GE3 69730.pdf
SI4561DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A, 7.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Power - Max: 3W, 3.3W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4634DY-T1-GE3 si4634dy.pdf
SI4634DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 24.5A 8-SOIC
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4660DY-T1-GE3 si4660dy.pdf
SI4660DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4668DY-T1-GE3 si4668dy.pdf
SI4668DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.79 грн
10+77.25 грн
100+51.96 грн
500+38.60 грн
1000+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3 si4842bd.pdf
SI4842BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+231.81 грн
10+145.21 грн
50+111.55 грн
100+94.51 грн
500+76.67 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.01 грн
10+110.09 грн
100+75.19 грн
500+56.54 грн
1000+52.03 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 12217 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.26 грн
10+73.21 грн
50+54.88 грн
100+45.94 грн
500+36.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 16674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.50 грн
10+82.66 грн
50+62.18 грн
100+52.16 грн
500+41.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 75464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.79 грн
10+43.43 грн
50+32.04 грн
100+26.61 грн
500+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 1389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.38 грн
10+77.63 грн
50+58.27 грн
100+48.80 грн
500+38.50 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 sud23n06.pdf
SUD23N06-31-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 6278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.39 грн
10+65.75 грн
50+49.11 грн
100+41.04 грн
500+32.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+159.81 грн
10+98.58 грн
100+66.92 грн
500+50.09 грн
1000+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 sud50p06-15.pdf
SUD50P06-15-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 15902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+250.01 грн
10+156.71 грн
50+120.68 грн
100+102.36 грн
500+83.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 si1046r.pdf
SI1046R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 si1069x.pdf
SI1069X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 si5432dc.pdf
SI5432DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 si5519du.pdf
SI5519DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 si7123dn.pdf
SI7123DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 si7194dp.pdf
SI7194DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
SI7328DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]