Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11835) > Сторінка 43 з 198

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SI4660DY-T1-GE3 SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4660dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4668DY-T1-GE3 SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4668dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 SI4835DDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4835ddy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.48 грн
10+75.83 грн
100+51.00 грн
500+37.89 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3 SI4842BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4842bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.71 грн
10+144.04 грн
100+103.42 грн
500+83.90 грн
1000+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3 SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 SI4943CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4943cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.74 грн
10+108.07 грн
100+73.81 грн
500+55.50 грн
1000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 SI9407BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9407bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.38 грн
10+73.44 грн
50+55.03 грн
100+46.06 грн
500+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 SI9926CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9926cd.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 19415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.13 грн
10+82.86 грн
50+62.34 грн
100+52.30 грн
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 SI9933CDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si9933cdy.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 88147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.86 грн
500+20.14 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 Vishay Siliconix sud19p06-60.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.36 грн
100+51.18 грн
500+37.88 грн
1000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 Vishay Siliconix sud23n06.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.86 грн
10+59.46 грн
100+39.56 грн
500+29.10 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 Vishay Siliconix sud50n04.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.88 грн
10+96.77 грн
100+65.69 грн
500+49.17 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 Vishay Siliconix sud50p06-15.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 40017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.42 грн
10+154.21 грн
100+107.32 грн
500+81.90 грн
1000+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 SI1046R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046r.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3 SI1046X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1046x.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 SI1069X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1069x.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 SI5432DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5432dc.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 SI5519DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5519du.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 SI7123DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7123dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 SI7160DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7160dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 SI7186DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7186dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 SI7194DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7194dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 SI7328DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7328dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3 SI7718DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7718dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3 SI7720DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7720dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3 SI7758DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7758dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3 SI7784DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7784dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3 SI7788DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7788dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3 SI7790DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7790dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3 SI7802DN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7802dn.pdf Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7882DP-T1-GE3 SI7882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 71858.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3 SI7948DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7948dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3 Si7980DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7980dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3 SIA408DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia408dj.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3 SIA415DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia415dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3 SIA417DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia417dj.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3 SIA419DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia419dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3 SIA426DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia426dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3 SIA430DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia430dj.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3 SIA813DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia813dj.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3 SIA917DJ-T1-GE3 Vishay Siliconix sia917dj.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3 SIB415DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib415dk.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3 SIB417DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib417dk.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3 SIB419DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib419dk.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB914DK-T1-GE3 SIB914DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib914dk.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3 SiR892DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir892dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3 SI4110DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4110dy.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3 SI4170DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4170dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3 Si4226DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4226dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3 SI4448DY-T1-E3 Vishay Siliconix si4448dy.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4660DY-T1-GE3 SI4660DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4660dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4668DY-T1-GE3 SI4668DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4668dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3 SI4866BDY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4866bd.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 SI1012R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.97 грн
6000+10.55 грн
9000+10.05 грн
15000+8.90 грн
21000+8.59 грн
30000+8.29 грн
75000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 SI1013R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.97 грн
6000+10.54 грн
9000+10.04 грн
15000+8.90 грн
21000+8.59 грн
30000+8.28 грн
75000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3 SI1013X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1013rx.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.49 грн
6000+10.12 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3 SI1016X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1016x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.66 грн
6000+10.27 грн
9000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 SI1022R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1022r.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.89 грн
6000+12.22 грн
9000+11.83 грн
15000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3 SI1023X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1023x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 SI1024X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1024x.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.18 грн
6000+10.68 грн
9000+10.64 грн
15000+9.86 грн
21000+9.53 грн
30000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4660DY-T1-GE3 si4660dy.pdf
SI4660DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4668DY-T1-GE3 si4668dy.pdf
SI4668DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4835DDY-T1-GE3 si4835ddy.pdf
SI4835DDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 5.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 15 V
на замовлення 2215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+123.48 грн
10+75.83 грн
100+51.00 грн
500+37.89 грн
1000+34.94 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4842BDY-T1-GE3 si4842bd.pdf
SI4842BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 28A 8SO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.71 грн
10+144.04 грн
100+103.42 грн
500+83.90 грн
1000+72.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4943CDY-T1-GE3 si4943cdy.pdf
SI4943CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1945pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.2mOhm @ 8.3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.74 грн
10+108.07 грн
100+73.81 грн
500+55.50 грн
1000+51.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9407BDY-T1-GE3 si9407bd.pdf
SI9407BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 4.7A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 30 V
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.38 грн
10+73.44 грн
50+55.03 грн
100+46.06 грн
500+36.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9926CDY-T1-GE3 si9926cd.pdf
SI9926CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
на замовлення 19415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.13 грн
10+82.86 грн
50+62.34 грн
100+52.30 грн
500+41.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI9933CDY-T1-GE3 si9933cdy.pdf
SI9933CDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.8A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 3.1W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26nC @ 10V
на замовлення 88147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.45 грн
10+42.70 грн
100+27.86 грн
500+20.14 грн
1000+18.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19P06-60-GE3 sud19p06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 18.3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 1489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.04 грн
10+76.36 грн
100+51.18 грн
500+37.88 грн
1000+34.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD23N06-31-GE3 sud23n06.pdf
SUD23N06-31-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.7W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+97.86 грн
10+59.46 грн
100+39.56 грн
500+29.10 грн
1000+26.52 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 14A/50A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 48.1W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+156.88 грн
10+96.77 грн
100+65.69 грн
500+49.17 грн
1000+45.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P06-15-GE3 sud50p06-15.pdf
SUD50P06-15-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 113W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4950 pF @ 25 V
на замовлення 40017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+245.42 грн
10+154.21 грн
100+107.32 грн
500+81.90 грн
1000+80.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046R-T1-GE3 si1046r.pdf
SI1046R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC75-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1046X-T1-GE3 si1046x.pdf
SI1046X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 0.606A SC89-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1069X-T1-GE3 si1069x.pdf
SI1069X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 0.94A SC89-6
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5432DC-T1-GE3 si5432dc.pdf
SI5432DC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A 1206-8
на замовлення 3048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5519DU-T1-GE3 si5519du.pdf
SI5519DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7123DN-T1-GE3 si7123dn.pdf
SI7123DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.2A 1212-8
на замовлення 17508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7160DP-T1-GE3 si7160dp.pdf
SI7160DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 20A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7186DP-T1-GE3 si7186dp.pdf
SI7186DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7194DP-T1-GE3 si7194dp.pdf
SI7194DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7328DN-T1-GE3 si7328dn.pdf
SI7328DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7718DN-T1-GE3 si7718dn.pdf
SI7718DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7720DN-T1-GE3 si7720dn.pdf
SI7720DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7758DP-T1-GE3 si7758dp.pdf
SI7758DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7784DP-T1-GE3 si7784dp.pdf
SI7784DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7788DP-T1-GE3 si7788dp.pdf
SI7788DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7790DP-T1-GE3 si7790dp.pdf
SI7790DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7802DN-T1-GE3 si7802dn.pdf
SI7802DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 250V 1.24A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7882DP-T1-GE3 71858.pdf
SI7882DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7948DP-T1-GE3 si7948dp.pdf
SI7948DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si7980DP-T1-GE3 si7980dp.pdf
Si7980DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK SO-8
на замовлення 8085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA408DJ-T1-GE3 sia408dj.pdf
SIA408DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
на замовлення 2757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA415DJ-T1-GE3 sia415dj.pdf
SIA415DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 5849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA417DJ-T1-GE3 sia417dj.pdf
SIA417DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA419DJ-T1-GE3 sia419dj.pdf
SIA419DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 12A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA426DJ-T1-GE3 sia426dj.pdf
SIA426DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70-6
на замовлення 8006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA430DJ-T1-GE3 sia430dj.pdf
SIA430DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A SC70-6
на замовлення 3605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIA813DJ-T1-GE3 sia813dj.pdf
SIA813DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIA917DJ-T1-GE3 sia917dj.pdf
SIA917DJ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB415DK-T1-GE3 sib415dk.pdf
SIB415DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB417DK-T1-GE3 sib417dk.pdf
SIB417DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB419DK-T1-GE3 sib419dk.pdf
SIB419DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 9A SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB914DK-T1-GE3 sib914dk.pdf
SIB914DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 1.5A PPAK SC75-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiR892DP-T1-GE3 sir892dp.pdf
SiR892DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 5163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4110DY-T1-GE3 si4110dy.pdf
SI4110DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 17.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4170DY-T1-GE3 si4170dy.pdf
SI4170DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si4226DY-T1-GE3 si4226dy.pdf
Si4226DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4448DY-T1-E3 si4448dy.pdf
SI4448DY-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 50A 8-SOIC
на замовлення 2347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4660DY-T1-GE3 si4660dy.pdf
SI4660DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 23.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4668DY-T1-GE3 si4668dy.pdf
SI4668DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4866BDY-T1-GE3 si4866bd.pdf
SI4866BDY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
на замовлення 7138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012R-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75A
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.97 грн
6000+10.55 грн
9000+10.05 грн
15000+8.90 грн
21000+8.59 грн
30000+8.29 грн
75000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013R-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC75A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.97 грн
6000+10.54 грн
9000+10.04 грн
15000+8.90 грн
21000+8.59 грн
30000+8.28 грн
75000+7.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1013X-T1-GE3 si1013rx.pdf
SI1013X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 350MA SC89-3
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±6V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-89, SOT-490
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.49 грн
6000+10.12 грн
9000+9.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1016X-T1-GE3 si1016x.pdf
SI1016X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.485A SC89
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA, 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.66 грн
6000+10.27 грн
9000+9.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1022R-T1-GE3 si1022r.pdf
SI1022R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 330MA SC75A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-75A
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+12.89 грн
6000+12.22 грн
9000+11.83 грн
15000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1023X-T1-GE3 si1023x.pdf
SI1023X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.37A SC89
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 350mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI1024X-T1-GE3 si1024x.pdf
SI1024X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.485A SC89
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 485mA
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.18 грн
6000+10.68 грн
9000+10.64 грн
15000+9.86 грн
21000+9.53 грн
30000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 57 76 95 114 133 152 171 190 198  [ Наступна Сторінка >> ]