Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11819) > Сторінка 59 з 197
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SI5456DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SI5920DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
SI5933CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8 |
на замовлення 3753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI5947DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI5980DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI6443DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI6467BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI6544BDQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI6981DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI6993DQ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7222DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7236DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 3014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7703EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7774DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8 |
на замовлення 4517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7911DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7913DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8 |
на замовлення 7489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7946DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI7949DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8 |
на замовлення 16869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| Si8451DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
SI8467DB-T2-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI8475EDB-T1-E1 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT |
на замовлення 2750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIA425EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6 |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIA778DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6 |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIB488DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6 |
на замовлення 6038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIE832DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIE836DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIE854DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIE860DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIE864DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIE868DF-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK |
на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIJ420DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR838DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR844DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SIR862DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8 |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SI1072X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
SI1033X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
SI1058X-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA Power Dissipation (Max): 236mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N7002K-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V |
на замовлення 535730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
2N7002-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
2N7002-T1-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DG2001DV-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6TSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 7Ohm Supplier Device Package: 6-TSOP Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Charge Injection: 7pC Crosstalk: -70dB @ 1MHz Switch Circuit: SPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 10ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 17pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 900pA Part Status: Obsolete Number of Circuits: 1 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2002DL-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7.8OHM SC70-6 Number of Circuits: 1 Part Status: Obsolete Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 6ns Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Circuit: SPDT Crosstalk: -69dB @ 1MHz Charge Injection: 5pC Supplier Device Package: SC-70-6 On-State Resistance (Max): 7.8Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2003DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SW SPST-NOX2 2.5OHM 10MSOPMultiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Circuit: SPST - NO Crosstalk: -67dB @ 1MHz Charge Injection: 1pC Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Supplier Device Package: 10-MSOP On-State Resistance (Max): 2.5Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Number of Circuits: 2 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2004DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2005DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG200BDJ-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DUAL SPST 14DIP |
на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DG2011DXA-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPDT SC89-6 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2012DL-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.8OHM SC70-6 Number of Circuits: 1 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 20pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 32ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max) Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1 Switch Circuit: SPDT Crosstalk: -64dB @ 1MHz Charge Injection: 20pC Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Supplier Device Package: SC-70-6 On-State Resistance (Max): 1.8Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2015DN-T1-E4 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2016DQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2017DN-T1-E4 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DPDT X 2 3.7OHM 16QFNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 3.7Ohm Supplier Device Package: 16-QFN (4x4) Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V Charge Injection: 2pC Crosstalk: -69dB @ 1MHz Switch Circuit: DPDT Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm (Max) Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 35ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 43pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA Number of Circuits: 2 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2018DN-T1-E4 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DPDT X 2 8OHM 16QFNPackaging: Tape & Reel (TR) Number of Circuits: 2 Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 48ns, 33ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2 Switch Circuit: DPDT Crosstalk: -72dB @ 1MHz Charge Injection: -2.46pC Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V Supplier Device Package: 16-QFN (3x3) -3db Bandwidth: 180MHz On-State Resistance (Max): 8Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG2019DN-T1-E4 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG201BDJ-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIPSwitch Circuit: SPST - NC Crosstalk: -95dB @ 100kHz Charge Injection: 1pC Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V Supplier Device Package: 16-PDIP On-State Resistance (Max): 85Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube Number of Circuits: 4 Part Status: Active Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 |
на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DG201BDQ-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP Number of Circuits: 4 Part Status: Active Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Circuit: SPST - NC Crosstalk: -95dB @ 100kHz Charge Injection: 1pC Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V Supplier Device Package: 16-TSSOP On-State Resistance (Max): 85Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG201HSDJ-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16DIPSwitch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Switch Circuit: SPST - NC Crosstalk: -100dB @ 100kHz Charge Injection: -5pC Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V Supplier Device Package: 16-PDIP On-State Resistance (Max): 50Ohm Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Mounting Type: Through Hole Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm) Packaging: Tube Number of Circuits: 4 Part Status: Active Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DG201HSDQ-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 360 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
DG201HSDQ-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SW SPST-NCX4 50OHM 16TSSOPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 50Ohm Supplier Device Package: 16-TSSOP Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V Charge Injection: -5pC Crosstalk: -100dB @ 100kHz Switch Circuit: SPST - NC Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
DG201HSDY-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOICPackaging: Tube Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 50Ohm Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V Charge Injection: -5pC Crosstalk: -100dB @ 100kHz Switch Circuit: SPST - NC Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 |
на замовлення 477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
DG201HSDY-T1-E3 | Vishay Siliconix |
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) On-State Resistance (Max): 50Ohm Supplier Device Package: 16-SOIC Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V Charge Injection: -5pC Crosstalk: -100dB @ 100kHz Switch Circuit: SPST - NC Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1 Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA Part Status: Active Number of Circuits: 4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. |
| SI5456DU-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI5920DC-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI5933CDC-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI5947DU-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI5980DU-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI6443DQ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI6467BDQ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI6544BDQ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI6981DQ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI6993DQ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7222DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7236DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7703EDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7774DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7911DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7913DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI7946DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI7949DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
на замовлення 16869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Si8451DB-T2-E1 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
Description: MOSFET P-CH 20V 10.8A MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI8467DB-T2-E1 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI8475EDB-T1-E1 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Description: MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIA425EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
Description: MOSFET P-CH 20V 4.5A SC-70-6
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIA778DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
Description: MOSFET 2N-CH 12V/20V SC70-6
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIB488DK-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
Description: MOSFET N-CH 12V 9A SC75-6
на замовлення 6038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIE832DF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIE836DF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIE854DF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIE860DF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIE864DF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIE868DF-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIJ420DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR838DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SIR844DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SIR862DP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| SI1072X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 30V SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 93mOhm @ 1.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SI1033X-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.145A SC89
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SI1058X-T1-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: MOSFET N-CH 20V SC89-6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.55V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7002K-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 25 V
на замовлення 535730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.37 грн |
| 9000+ | 3.57 грн |
| 2N7002-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| 2N7002-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Description: MOSFET N-CH 60V 115MA TO236
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-236
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 11.26 грн |
| DG2001DV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 10ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 900pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7OHM 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 7Ohm
Supplier Device Package: 6-TSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Charge Injection: 7pC
Crosstalk: -70dB @ 1MHz
Switch Circuit: SPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 20ns, 10ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 17pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 900pA
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DG2002DL-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7.8OHM SC70-6
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 6ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -69dB @ 1MHz
Charge Injection: 5pC
Supplier Device Package: SC-70-6
On-State Resistance (Max): 7.8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Description: IC SWITCH SPDT X 1 7.8OHM SC70-6
Number of Circuits: 1
Part Status: Obsolete
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 8ns, 6ns
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -69dB @ 1MHz
Charge Injection: 5pC
Supplier Device Package: SC-70-6
On-State Resistance (Max): 7.8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DG2003DQ-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NOX2 2.5OHM 10MSOP
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -67dB @ 1MHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns
Description: IC SW SPST-NOX2 2.5OHM 10MSOP
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NO
Crosstalk: -67dB @ 1MHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 10-MSOP
On-State Resistance (Max): 2.5Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-TFSOP, 10-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 51pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 28ns, 22ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG2004DQ-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG2005DQ-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
Description: IC SWITCH 2 X SPST 2.5 OHM 8MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG200BDJ-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPST 14DIP
Description: IC SWITCH DUAL SPST 14DIP
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DG2011DXA-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT SC89-6
Description: IC SWITCH SPDT SC89-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG2012DL-T1-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.8OHM SC70-6
Number of Circuits: 1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 20pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 32ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Charge Injection: 20pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC SWITCH SPDT X 1 1.8OHM SC70-6
Number of Circuits: 1
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 20pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 38ns, 32ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 250mOhm (Max)
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:1
Switch Circuit: SPDT
Crosstalk: -64dB @ 1MHz
Charge Injection: 20pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: SC-70-6
On-State Resistance (Max): 1.8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DG2015DN-T1-E4 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
Description: IC SWITCH DUAL DPDT 16QFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG2016DQ-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG2017DN-T1-E4 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT X 2 3.7OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.7Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 2pC
Crosstalk: -69dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 43pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 2
Description: IC SWITCH DPDT X 2 3.7OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-VQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 3.7Ohm
Supplier Device Package: 16-QFN (4x4)
Voltage - Supply, Single (V+): 2V ~ 5.5V
Charge Injection: 2pC
Crosstalk: -69dB @ 1MHz
Switch Circuit: DPDT
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 300mOhm (Max)
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 85ns, 35ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 43pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG2018DN-T1-E4 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DPDT X 2 8OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 48ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Circuit: DPDT
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Charge Injection: -2.46pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 180MHz
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
Description: IC SWITCH DPDT X 2 8OHM 16QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Number of Circuits: 2
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 7.5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 48ns, 33ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 600mOhm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 2:2
Switch Circuit: DPDT
Crosstalk: -72dB @ 1MHz
Charge Injection: -2.46pC
Voltage - Supply, Single (V+): 1.8V ~ 5.5V
Supplier Device Package: 16-QFN (3x3)
-3db Bandwidth: 180MHz
On-State Resistance (Max): 8Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-VFQFN Exposed Pad
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DG2019DN-T1-E4 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
Description: IC SWITCH DUAL SPDT 16QFN
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG201BDJ-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIP
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-PDIP
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 85OHM 16DIP
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-PDIP
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.31 грн |
| 10+ | 120.86 грн |
| 25+ | 110.36 грн |
| 100+ | 92.72 грн |
| 250+ | 87.55 грн |
| DG201BDQ-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: IC SW SPST-NCX4 85OHM 16TSSOP
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 500pA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF, 5pF
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 300ns, 200ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 2Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -95dB @ 100kHz
Charge Injection: 1pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±4.5V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 4.5V ~ 25V
Supplier Device Package: 16-TSSOP
On-State Resistance (Max): 85Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DG201HSDJ-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16DIP
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Charge Injection: -5pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-PDIP
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16DIP
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Switch Circuit: SPST - NC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Charge Injection: -5pC
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Supplier Device Package: 16-PDIP
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
Number of Circuits: 4
Part Status: Active
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG201HSDQ-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
Description: IC SWITCH QUAD SPST 16TSSOP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 360 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG201HSDQ-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SW SPST-NCX4 50OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Description: IC SW SPST-NCX4 50OHM 16TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-TSSOP
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DG201HSDY-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOIC
Packaging: Tube
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 372.01 грн |
| 10+ | 274.09 грн |
| 50+ | 240.20 грн |
| 100+ | 215.58 грн |
| 250+ | 205.19 грн |
| DG201HSDY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
Description: IC SWITCH SPST-NCX4 50OHM 16SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
On-State Resistance (Max): 50Ohm
Supplier Device Package: 16-SOIC
Voltage - Supply, Single (V+): 13V ~ 36V
Voltage - Supply, Dual (V±): ±7V ~ 22V
Charge Injection: -5pC
Crosstalk: -100dB @ 100kHz
Switch Circuit: SPST - NC
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 1:1
Channel-to-Channel Matching (ΔRon): 1.5Ohm
Switch Time (Ton, Toff) (Max): 60ns, 50ns
Channel Capacitance (CS(off), CD(off)): 5pF
Current - Leakage (IS(off)) (Max): 1nA
Part Status: Active
Number of Circuits: 4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.




















