Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11066) > Сторінка 55 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SUD50N02-09P-E3 SUD50N02-09P-E3 Vishay Siliconix 72034.pdf Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3 SUD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-GE3 SUD50N10-18P-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix sud50p04-08.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+43.47 грн
4000+38.96 грн
6000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-GE3 SUD50P04-13L-GE3 Vishay Siliconix sud50p04.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+81.39 грн
4000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3 SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-06P-E3 SUM85N03-06P-E3 Vishay Siliconix sum85n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3 SUM90N06-4M4P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n10-8m2p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+172.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.60 грн
10+30.73 грн
100+19.72 грн
500+14.06 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix Si1021R.PDF Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.25 грн
11+28.90 грн
100+19.69 грн
500+14.53 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.95 грн
10+34.63 грн
100+21.43 грн
500+15.98 грн
1000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1031r.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.90 грн
11+29.97 грн
100+20.43 грн
500+14.37 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3 SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1035x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
12+26.68 грн
100+18.53 грн
500+13.58 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 SI1040X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1040x.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.02 грн
10+34.17 грн
25+30.67 грн
100+25.16 грн
250+23.42 грн
500+22.38 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1050x.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.37 грн
10+33.64 грн
100+21.69 грн
500+15.52 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1300bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix 71249.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 29771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.96 грн
13+25.38 грн
100+18.92 грн
500+13.95 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1304bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-GE3 SI1305DL-T1-GE3 Vishay Siliconix 71076.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1307ed.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1400dl.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 16681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
12+25.99 грн
100+17.67 грн
500+12.98 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 SI1403CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-GE3 SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1405bdh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-GE3 SI1413EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1413ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3 SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3 SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1422dh.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3 SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1426dh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.60 грн
10+47.40 грн
100+30.99 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.13 грн
10+38.84 грн
100+26.74 грн
500+21.06 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-GE3 SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3 SI1473DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1473dh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1499dh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.60 грн
10+47.40 грн
100+30.99 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DL-T1-GE3 SI1539DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1539dl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1551DL-T1-GE3 SI1551DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1551dl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553DL-T1-GE3 SI1553DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1553DL.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1563DH-T1-GE3 SI1563DH-T1-GE3 Vishay Siliconix 71963.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3 SI1869DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1869DH.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.31 грн
13+25.15 грн
25+22.48 грн
100+18.33 грн
250+17.01 грн
500+16.21 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1902dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.75 грн
10+35.40 грн
100+22.82 грн
500+16.34 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3 SI1903DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1903dl.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 17184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.49 грн
13+24.54 грн
100+17.09 грн
500+13.28 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1965dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.66 грн
10+31.11 грн
100+22.34 грн
500+15.98 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-GE3 SI1972DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1972dh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1988DH-T1-GE3 SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1988DH.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 21376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.61 грн
20+15.37 грн
100+13.16 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 52914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.08 грн
12+26.37 грн
100+17.55 грн
500+13.72 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.34 грн
10+35.78 грн
100+23.10 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 43304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.57 грн
10+36.62 грн
100+23.72 грн
500+17.03 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.05 грн
10+32.57 грн
100+24.13 грн
500+19.46 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 73238.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 8241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.79 грн
10+66.28 грн
100+45.42 грн
500+33.45 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 73240.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 14294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.89 грн
10+46.79 грн
100+31.91 грн
500+23.77 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3 SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2334ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.40 грн
10+32.26 грн
100+23.81 грн
500+18.71 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2377eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.40 грн
10+31.11 грн
100+19.98 грн
500+14.24 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 Si3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3410dv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.66 грн
10+44.19 грн
100+34.39 грн
500+25.76 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 Si3430DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3430dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3 72034.pdf
SUD50N02-09P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3
SUD50N06-07L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N10-18P-GE3
SUD50N10-18P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 8.2A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+43.47 грн
4000+38.96 грн
6000+38.08 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-13L-GE3 sud50p04.pdf
SUD50P04-13L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 93.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3120 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+81.39 грн
4000+78.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3
SUM110N08-07P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM85N03-06P-E3 sum85n03.pdf
SUM85N03-06P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 85A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3
SUM90N06-4M4P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+172.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.60 грн
10+30.73 грн
100+19.72 грн
500+14.06 грн
1000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 Si1021R.PDF
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.25 грн
11+28.90 грн
100+19.69 грн
500+14.53 грн
1000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.95 грн
10+34.63 грн
100+21.43 грн
500+15.98 грн
1000+13.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 si1031r.pdf
SI1031R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.90 грн
11+29.97 грн
100+20.43 грн
500+14.37 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3 si1035x.pdf
SI1035X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.55 грн
12+26.68 грн
100+18.53 грн
500+13.58 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 si1040x.pdf
SI1040X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.02 грн
10+34.17 грн
25+30.67 грн
100+25.16 грн
250+23.42 грн
500+22.38 грн
1000+21.17 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 si1050x.pdf
SI1050X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.37 грн
10+33.64 грн
100+21.69 грн
500+15.52 грн
1000+13.96 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 si1300bd.pdf
SI1300BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 71249.pdf
SI1302DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 29771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.96 грн
13+25.38 грн
100+18.92 грн
500+13.95 грн
1000+10.78 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-GE3 si1304bd.pdf
SI1304BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-GE3 71076.pdf
SI1305DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 si1307ed.pdf
SI1307EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 si1400dl.pdf
SI1400DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
SI1401EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 16681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
12+25.99 грн
100+17.67 грн
500+12.98 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 si1403cd.pdf
SI1403CDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-GE3 si1405bdh.pdf
SI1405BDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-GE3 si1413ed.pdf
SI1413EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3
SI1417EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3 si1422dh.pdf
SI1422DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3 si1426dh.pdf
SI1426DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+47.40 грн
100+30.99 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.13 грн
10+38.84 грн
100+26.74 грн
500+21.06 грн
1000+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-GE3
SI1470DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3 si1473dh.pdf
SI1473DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 si1499dh.pdf
SI1499DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.60 грн
10+47.40 грн
100+30.99 грн
500+22.45 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DL-T1-GE3 si1539dl.pdf
SI1539DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1551DL-T1-GE3 si1551dl.pdf
SI1551DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553DL-T1-GE3 SI1553DL.pdf
SI1553DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1563DH-T1-GE3 71963.pdf
SI1563DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3 SI1869DH.pdf
SI1869DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.31 грн
13+25.15 грн
25+22.48 грн
100+18.33 грн
250+17.01 грн
500+16.21 грн
1000+15.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.75 грн
10+35.40 грн
100+22.82 грн
500+16.34 грн
1000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3 si1903dl.pdf
SI1903DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 17184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.49 грн
13+24.54 грн
100+17.09 грн
500+13.28 грн
1000+10.68 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 si1965dh.pdf
SI1965DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.66 грн
10+31.11 грн
100+22.34 грн
500+15.98 грн
1000+13.87 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-GE3 si1972dh.pdf
SI1972DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1988DH-T1-GE3 SI1988DH.pdf
SI1988DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 21376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+24.61 грн
20+15.37 грн
100+13.16 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 52914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.08 грн
12+26.37 грн
100+17.55 грн
500+13.72 грн
1000+12.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.34 грн
10+35.78 грн
100+23.10 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 43304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.57 грн
10+36.62 грн
100+23.72 грн
500+17.03 грн
1000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 3215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.05 грн
10+32.57 грн
100+24.13 грн
500+19.46 грн
1000+17.16 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 73238.pdf
SI2325DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 8241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.79 грн
10+66.28 грн
100+45.42 грн
500+33.45 грн
1000+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3 73240.pdf
SI2327DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 14294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.89 грн
10+46.79 грн
100+31.91 грн
500+23.77 грн
1000+21.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3 si2334ds.pdf
SI2334DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+32.26 грн
100+23.81 грн
500+18.71 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.40 грн
10+31.11 грн
100+19.98 грн
500+14.24 грн
1000+12.78 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 si3410dv.pdf
Si3410DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 13497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.66 грн
10+44.19 грн
100+34.39 грн
500+25.76 грн
1000+23.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 si3430dv.pdf
Si3430DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]