Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11065) > Сторінка 55 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI1012X-T1-GE3 SI1012X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1012rx.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.73 грн
10+30.81 грн
100+19.76 грн
500+14.09 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 SI1021R-T1-GE3 Vishay Siliconix Si1021R.PDF Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.36 грн
11+28.97 грн
100+19.74 грн
500+14.57 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 SI1025X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1025x.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+21.48 грн
500+16.02 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 SI1031R-T1-GE3 Vishay Siliconix si1031r.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.99 грн
11+30.04 грн
100+20.48 грн
500+14.41 грн
1000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3 SI1035X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1035x.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
12+26.75 грн
100+18.58 грн
500+13.61 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 SI1040X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1040x.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.14 грн
10+34.26 грн
25+30.75 грн
100+25.22 грн
250+23.48 грн
500+22.43 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 SI1050X-T1-GE3 Vishay Siliconix si1050x.pdf Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.50 грн
10+33.72 грн
100+21.74 грн
500+15.55 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1300bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 SI1302DL-T1-GE3 Vishay Siliconix 71249.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 29771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
13+25.44 грн
100+18.97 грн
500+13.98 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1304bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-GE3 SI1305DL-T1-GE3 Vishay Siliconix 71076.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1307ed.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1400dl.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 SI1401EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1401edh.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 16681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.18 грн
12+26.06 грн
100+17.72 грн
500+13.01 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 SI1403CDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1403cd.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-GE3 SI1405BDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1405bdh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-GE3 SI1413EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1413ed.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3 SI1417EDH-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3 SI1422DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1422dh.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3 SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1426dh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 SI1467DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1467dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+47.51 грн
100+31.07 грн
500+22.51 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 SI1469DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1469dh.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.28 грн
10+38.93 грн
100+26.81 грн
500+21.11 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-GE3 SI1470DH-T1-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3 SI1473DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1473dh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 SI1499DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1499dh.pdf Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.79 грн
10+47.51 грн
100+31.07 грн
500+22.51 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DL-T1-GE3 SI1539DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1539dl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1551DL-T1-GE3 SI1551DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1551dl.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553DL-T1-GE3 SI1553DL-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1553DL.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1563DH-T1-GE3 SI1563DH-T1-GE3 Vishay Siliconix 71963.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3 SI1869DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1869DH.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.40 грн
13+25.21 грн
25+22.53 грн
100+18.37 грн
250+17.05 грн
500+16.25 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 SI1902DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1902dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.89 грн
10+35.48 грн
100+22.88 грн
500+16.38 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3 SI1903DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1903dl.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix si1926dl.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 17184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
13+24.60 грн
100+17.14 грн
500+13.31 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 SI1965DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1965dh.pdf Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.77 грн
10+31.19 грн
100+22.39 грн
500+16.02 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-GE3 SI1972DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1972dh.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1988DH-T1-GE3 SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1988DH.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 Si2300DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2300ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
19+16.78 грн
100+13.88 грн
500+12.57 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 SI2312CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2312cd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 76749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.79 грн
13+25.21 грн
100+16.77 грн
500+13.11 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2318ds.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+60.48 грн
10+35.86 грн
100+23.16 грн
500+16.59 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 SI2319CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2319cd.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 43304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.71 грн
10+36.71 грн
100+23.78 грн
500+17.07 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 SI2323CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2323cds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.95 грн
10+33.57 грн
100+24.41 грн
500+19.65 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 SI2325DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 73238.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+65.14 грн
100+43.40 грн
500+31.96 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3 SI2327DS-T1-GE3 Vishay Siliconix 73240.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 SI2333CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2333cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 14294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.05 грн
10+46.90 грн
100+31.99 грн
500+23.83 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3 SI2334DS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2334ds.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 SI2343CDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2343cd.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.52 грн
10+32.34 грн
100+23.86 грн
500+18.76 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 SI2377EDS-T1-GE3 Vishay Siliconix si2377eds.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.52 грн
10+31.19 грн
100+20.03 грн
500+14.28 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 Si3410DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3410dv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 12997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.85 грн
10+40.46 грн
100+32.85 грн
500+24.62 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 Si3430DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3430dv.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 SI3437DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3437dv.pdf Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 8126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.46 грн
10+32.49 грн
100+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 SI3438DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3438dv.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.03 грн
10+50.27 грн
100+39.38 грн
500+34.18 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 SI3440DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3440dv.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.77 грн
10+96.48 грн
100+65.26 грн
500+48.71 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447CDV-T1-GE3 SI3447CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3447cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 SI3456DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3456ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 78389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
15+21.23 грн
100+12.52 грн
500+11.20 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 SI3459BDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3459bd.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 18695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+45.36 грн
10+36.63 грн
100+28.35 грн
500+22.36 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 SI3460DDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3460ddv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
14+22.84 грн
100+15.35 грн
500+12.53 грн
1000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-GE3 SI3464DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3464dv.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+35.02 грн
13+24.75 грн
100+21.09 грн
500+18.76 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 SI3469DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3469dv.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.15 грн
10+73.57 грн
100+57.37 грн
500+44.48 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 SI3473CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3473cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.76 грн
10+49.81 грн
100+32.63 грн
500+23.69 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI1012X-T1-GE3 si1012rx.pdf
SI1012X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 500MA SC89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 600mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75 nC @ 4.5 V
на замовлення 6469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.73 грн
10+30.81 грн
100+19.76 грн
500+14.09 грн
1000+12.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1021R-T1-GE3 Si1021R.PDF
SI1021R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 190MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23 pF @ 25 V
на замовлення 20539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.36 грн
11+28.97 грн
100+19.74 грн
500+14.57 грн
1000+13.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1025X-T1-GE3 si1025x.pdf
SI1025X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.7nC @ 15V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
на замовлення 16543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.09 грн
10+34.71 грн
100+21.48 грн
500+16.02 грн
1000+13.97 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1031R-T1-GE3 si1031r.pdf
SI1031R-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 140MA SC75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 250mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-75A
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 4.5 V
на замовлення 20366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.99 грн
11+30.04 грн
100+20.48 грн
500+14.41 грн
1000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1035X-T1-GE3 si1035x.pdf
SI1035X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA, 145mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 200mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.75nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 400mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 5365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.63 грн
12+26.75 грн
100+18.58 грн
500+13.61 грн
1000+11.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI1040X-T1-GE3 si1040x.pdf
SI1040X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 500mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 8V
Current - Output (Max): 430mA
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Part Status: Active
на замовлення 6566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.14 грн
10+34.26 грн
25+30.75 грн
100+25.22 грн
250+23.48 грн
500+22.43 грн
1000+21.22 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI1050X-T1-GE3 si1050x.pdf
SI1050X-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 8V 1.34A SC89-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 1.34A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 236mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-89 (SOT-563F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 585 pF @ 4 V
на замовлення 34821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.50 грн
10+33.72 грн
100+21.74 грн
500+15.55 грн
1000+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 si1300bd.pdf
SI1300BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1302DL-T1-GE3 71249.pdf
SI1302DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 600MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 280mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
на замовлення 29771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.04 грн
13+25.44 грн
100+18.97 грн
500+13.98 грн
1000+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI1304BDL-T1-GE3 si1304bd.pdf
SI1304BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 900MA SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 900mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 340mW (Ta), 370mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1305DL-T1-GE3 71076.pdf
SI1305DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 0.86A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 si1307ed.pdf
SI1307EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 si1400dl.pdf
SI1400DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1401EDH-T1-GE3 si1401edh.pdf
SI1401EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 5.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 8 V
на замовлення 16681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.18 грн
12+26.06 грн
100+17.72 грн
500+13.01 грн
1000+11.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1403CDL-T1-GE3 si1403cd.pdf
SI1403CDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1405BDH-T1-GE3 si1405bdh.pdf
SI1405BDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1413EDH-T1-GE3 si1413ed.pdf
SI1413EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1417EDH-T1-GE3
SI1417EDH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 3.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 450mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1422DH-T1-GE3 si1422dh.pdf
SI1422DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 4A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 725 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3 si1426dh.pdf
SI1426DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1467DH-T1-GE3 si1467dh.pdf
SI1467DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 561 pF @ 10 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+47.51 грн
100+31.07 грн
500+22.51 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1469DH-T1-GE3 si1469dh.pdf
SI1469DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 2.7A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 10 V
на замовлення 14210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.28 грн
10+38.93 грн
100+26.81 грн
500+21.11 грн
1000+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1470DH-T1-GE3
SI1470DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 5.1A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3 si1473dh.pdf
SI1473DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1499DH-T1-GE3 si1499dh.pdf
SI1499DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 2.78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
Vgs (Max): ±5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 4 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.79 грн
10+47.51 грн
100+31.07 грн
500+22.51 грн
1000+20.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI1539DL-T1-GE3 si1539dl.pdf
SI1539DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 0.54A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 420mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 590mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1551DL-T1-GE3 si1551dl.pdf
SI1551DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1553DL-T1-GE3 SI1553DL.pdf
SI1553DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA, 410mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 600mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1563DH-T1-GE3 71963.pdf
SI1563DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.13A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1869DH-T1-GE3 SI1869DH.pdf
SI1869DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Slew Rate Controlled
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 132mOhm
Voltage - Load: 1.8V ~ 20V
Current - Output (Max): 1.2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 3380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.40 грн
13+25.21 грн
25+22.53 грн
100+18.37 грн
250+17.05 грн
500+16.25 грн
1000+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI1902DL-T1-GE3 si1902dl.pdf
SI1902DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 270mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 385mOhm @ 660mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 13403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.89 грн
10+35.48 грн
100+22.88 грн
500+16.38 грн
1000+14.74 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3 si1903dl.pdf
SI1903DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1926DL-T1-E3 si1926dl.pdf
SI1926DL-T1-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 510mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 370mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 18.5pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 340mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
на замовлення 17184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.59 грн
13+24.60 грн
100+17.14 грн
500+13.31 грн
1000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1965DH-T1-GE3 si1965dh.pdf
SI1965DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 12V 1.3A SC70-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120pF @ 6V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.2nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SC-70-6
Part Status: Active
на замовлення 3805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.77 грн
10+31.19 грн
100+22.39 грн
500+16.02 грн
1000+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI1972DH-T1-GE3 si1972dh.pdf
SI1972DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1988DH-T1-GE3 SI1988DH.pdf
SI1988DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Si2300DS-T1-GE3 si2300ds.pdf
Si2300DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 68mOhm @ 2.9A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 19870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+26.26 грн
19+16.78 грн
100+13.88 грн
500+12.57 грн
1000+11.27 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SI2312CDS-T1-GE3 si2312cd.pdf
SI2312CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31.8mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 10 V
на замовлення 76749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+39.79 грн
13+25.21 грн
100+16.77 грн
500+13.11 грн
1000+11.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI2318DS-T1-GE3 si2318ds.pdf
SI2318DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 20 V
на замовлення 8752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.48 грн
10+35.86 грн
100+23.16 грн
500+16.59 грн
1000+14.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2319CDS-T1-GE3 si2319cd.pdf
SI2319CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 595 pF @ 20 V
на замовлення 43304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.71 грн
10+36.71 грн
100+23.78 грн
500+17.07 грн
1000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI2323CDS-T1-GE3 si2323cds.pdf
SI2323CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 10 V
на замовлення 3175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.95 грн
10+33.57 грн
100+24.41 грн
500+19.65 грн
1000+18.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2325DS-T1-GE3 73238.pdf
SI2325DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 530MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 530mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 5241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
10+65.14 грн
100+43.40 грн
500+31.96 грн
1000+29.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI2327DS-T1-GE3 73240.pdf
SI2327DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2333CDS-T1-GE3 si2333cd.pdf
SI2333CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 6 V
на замовлення 14294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.05 грн
10+46.90 грн
100+31.99 грн
500+23.83 грн
1000+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI2334DS-T1-GE3 si2334ds.pdf
SI2334DS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 4.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 634 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2343CDS-T1-GE3 si2343cd.pdf
SI2343CDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 15 V
на замовлення 7849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+32.34 грн
100+23.86 грн
500+18.76 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2377EDS-T1-GE3 si2377eds.pdf
SI2377EDS-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 1.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 8 V
на замовлення 16891 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.52 грн
10+31.19 грн
100+20.03 грн
500+14.28 грн
1000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
Si3410DV-T1-GE3 si3410dv.pdf
Si3410DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1295 pF @ 15 V
на замовлення 12997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.85 грн
10+40.46 грн
100+32.85 грн
500+24.62 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Si3430DV-T1-GE3 si3430dv.pdf
Si3430DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1.8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.6 nC @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3437DV-T1-GE3 si3437dv.pdf
SI3437DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 150V 1.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 50 V
на замовлення 8126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+64.46 грн
10+32.49 грн
100+24.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3438DV-T1-GE3 si3438dv.pdf
SI3438DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 7.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35.5mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 20 V
на замовлення 13245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.03 грн
10+50.27 грн
100+39.38 грн
500+34.18 грн
1000+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI3440DV-T1-GE3 si3440dv.pdf
SI3440DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 375mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
на замовлення 24103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.77 грн
10+96.48 грн
100+65.26 грн
500+48.71 грн
1000+44.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447CDV-T1-GE3 si3447cd.pdf
SI3447CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3456DDV-T1-GE3 si3456ddv.pdf
SI3456DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 6.3A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 15 V
на замовлення 78389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.42 грн
15+21.23 грн
100+12.52 грн
500+11.20 грн
1000+9.94 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3459BDV-T1-GE3 si3459bd.pdf
SI3459BDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 2.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
на замовлення 18695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+45.36 грн
10+36.63 грн
100+28.35 грн
500+22.36 грн
1000+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SI3460DDV-T1-GE3 si3460ddv.pdf
SI3460DDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 10 V
на замовлення 5385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.61 грн
14+22.84 грн
100+15.35 грн
500+12.53 грн
1000+10.81 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SI3464DV-T1-GE3 si3464dv.pdf
SI3464DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1065 pF @ 10 V
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+35.02 грн
13+24.75 грн
100+21.09 грн
500+18.76 грн
1000+16.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI3469DV-T1-GE3 si3469dv.pdf
SI3469DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.14W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.15 грн
10+73.57 грн
100+57.37 грн
500+44.48 грн
1000+35.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SI3473CDV-T1-GE3 si3473cd.pdf
SI3473CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2010 pF @ 6 V
на замовлення 8176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.76 грн
10+49.81 грн
100+32.63 грн
500+23.69 грн
1000+21.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 50 51 52 53 54 55 56 57 58 59 60 72 90 108 126 144 162 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]