Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11817) > Сторінка 58 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
SIB912DK-T1-GE3 SIB912DK-T1-GE3 Vishay Siliconix sib912dk.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Dual
на замовлення 53107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.77 грн
10+33.28 грн
100+21.46 грн
500+15.35 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE818DF-T1-GE3 SIE818DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie818df.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-GE3 SIE820DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie820df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (S)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.39 грн
10+141.53 грн
100+118.60 грн
500+98.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-GE3 SIE822DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie822df.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.24 грн
10+205.38 грн
100+165.08 грн
500+127.28 грн
1000+109.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE832DF-T1-GE3 SIE832DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie832df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE836DF-T1-GE3 SIE836DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie836df.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE848DF-T1-GE3 SIE848DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie848df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE854DF-T1-GE3 SIE854DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie854df.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE860DF-T1-GE3 SIE860DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie860df.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE864DF-T1-GE3 SIE864DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE864DF.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE868DF-T1-GE3 SIE868DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie868df.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE874DF-T1-GE3 SIE874DF-T1-GE3 Vishay Siliconix SIE874DF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE878DF-T1-GE3 SIE878DF-T1-GE3 Vishay Siliconix sie878df.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3 SIJ420DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij420dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3 SIJ458DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sij458dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 SIR158DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir158dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 7626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.39 грн
10+108.55 грн
100+74.43 грн
500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 SIR164DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir164dp-new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.55 грн
10+81.85 грн
100+55.30 грн
500+41.21 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3 SIR412DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir412dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 SIR414DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir414dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.97 грн
10+108.78 грн
100+74.12 грн
500+55.65 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 SIR426DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir426dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 46056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.12 грн
10+68.76 грн
100+45.86 грн
500+33.81 грн
1000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 SIR800DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir800dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.75 грн
10+109.08 грн
100+74.35 грн
500+55.82 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3 SIR802DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir802dp.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 SIR804DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir804dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.18 грн
10+137.22 грн
100+102.04 грн
500+87.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3 SIR836DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir836dp.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3 SIR838DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir838dp.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3 SIR844DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir844dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3 SIR846DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir846dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3 SIR862DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir862dp.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876DP-T1-GE3 SIR876DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir876dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878DP-T1-GE3 SIR878DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir878dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 SIR880DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir880dp.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.53 грн
10+146.22 грн
100+101.84 грн
500+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir882dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.39 грн
10+136.69 грн
100+94.89 грн
500+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 SiS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis406dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.41 грн
10+52.04 грн
100+34.26 грн
500+24.96 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3 SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 31538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.40 грн
100+44.87 грн
500+33.05 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 50183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.34 грн
10+40.92 грн
100+26.60 грн
500+19.20 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3 SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis452dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis454dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.76 грн
10+67.40 грн
100+44.87 грн
500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3 SIS456DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis456dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.18 грн
10+94.03 грн
100+63.72 грн
500+47.64 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS902DN-T1-GE3 SIS902DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis902dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3 SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz702dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-E3 SUD06N10-225L-E3 Vishay Siliconix SUD06N10-225L.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3 SUD08P06-155L-E3 Vishay Siliconix SUD08P06-155L.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.20 грн
10+59.61 грн
100+39.46 грн
500+28.93 грн
1000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+168.90 грн
10+132.99 грн
100+110.58 грн
500+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 SUD35N10-26P-GE3 Vishay Siliconix sud35n10-26p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.25 грн
10+120.20 грн
100+82.92 грн
500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3 SUD50N02-09P-E3 Vishay Siliconix 72034.pdf Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3 SUD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix sud50p04-08.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.12 грн
10+90.85 грн
100+61.50 грн
500+45.88 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.17 грн
10+151.29 грн
100+105.26 грн
500+80.33 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3 SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3 SUM90N06-4M4P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6M2P-E3 SUM90N08-6M2P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n10-8m2p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.27 грн
10+284.88 грн
100+205.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N03-5M1P-GE3 SUP50N03-5M1P-GE3 Vishay Siliconix sup50n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04-3M3P-GE3 SUP90N04-3M3P-GE3 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1300bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1307ed.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1400dl.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIB912DK-T1-GE3 sib912dk.pdf
SIB912DK-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.5A PPAK8X8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SC-75-6L Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 95pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3nC @ 8V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SC-75-6L Dual
на замовлення 53107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+55.77 грн
10+33.28 грн
100+21.46 грн
500+15.35 грн
1000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE818DF-T1-GE3 sie818df.pdf
SIE818DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 60A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 38 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE820DF-T1-GE3 sie820df.pdf
SIE820DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (S)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 18A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (S)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 143 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 10 V
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.39 грн
10+141.53 грн
100+118.60 грн
500+98.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE822DF-T1-GE3 sie822df.pdf
SIE822DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A 10POLARPAK
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+237.24 грн
10+205.38 грн
100+165.08 грн
500+127.28 грн
1000+109.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIE832DF-T1-GE3 sie832df.pdf
SIE832DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 10-POLARPAK
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE836DF-T1-GE3 sie836df.pdf
SIE836DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 18.3A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE848DF-T1-GE3 sie848df.pdf
SIE848DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE854DF-T1-GE3 sie854df.pdf
SIE854DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE860DF-T1-GE3 sie860df.pdf
SIE860DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A POLARPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIE864DF-T1-GE3 SIE864DF.pdf
SIE864DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 45A POLARPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE868DF-T1-GE3 sie868df.pdf
SIE868DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE874DF-T1-GE3 SIE874DF.pdf
SIE874DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 10POLARPAK
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIE878DF-T1-GE3 sie878df.pdf
SIE878DF-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 45A 10POLARPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-PolarPAK® (L)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 10-PolarPAK® (L)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 12.5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ420DP-T1-GE3 sij420dp.pdf
SIJ420DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ458DP-T1-GE3 sij458dp.pdf
SIJ458DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 69.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4810 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-GE3 sir158dp.pdf
SIR158DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4980 pF @ 15 V
на замовлення 7626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+174.39 грн
10+108.55 грн
100+74.43 грн
500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR164DP-T1-GE3 sir164dp-new.pdf
SIR164DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950 pF @ 15 V
на замовлення 3273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+133.55 грн
10+81.85 грн
100+55.30 грн
500+41.21 грн
1000+38.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR412DP-T1-GE3 sir412dp.pdf
SIR412DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR414DP-T1-GE3 sir414dp.pdf
SIR414DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 117 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 20 V
на замовлення 5034 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.97 грн
10+108.78 грн
100+74.12 грн
500+55.65 грн
1000+51.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR426DP-T1-GE3 sir426dp.pdf
SIR426DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 30A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.8W (Ta), 41.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 20 V
на замовлення 46056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+113.12 грн
10+68.76 грн
100+45.86 грн
500+33.81 грн
1000+30.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR800DP-T1-GE3 sir800dp.pdf
SIR800DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.2W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 133 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5125 pF @ 10 V
на замовлення 3969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+176.75 грн
10+109.08 грн
100+74.35 грн
500+55.82 грн
1000+51.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR802DP-T1-GE3 sir802dp.pdf
SIR802DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 30A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR804DP-T1-GE3 sir804dp.pdf
SIR804DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 50 V
на замовлення 1138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+175.18 грн
10+137.22 грн
100+102.04 грн
500+87.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR836DP-T1-GE3 sir836dp.pdf
SIR836DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR838DP-T1-GE3 sir838dp.pdf
SIR838DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 35A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR844DP-T1-GE3 sir844dp.pdf
SIR844DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR846DP-T1-GE3 sir846dp.pdf
SIR846DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR862DP-T1-GE3 sir862dp.pdf
SIR862DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR876DP-T1-GE3 sir876dp.pdf
SIR876DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR878DP-T1-GE3 sir878dp.pdf
SIR878DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 44.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880DP-T1-GE3 sir880dp.pdf
SIR880DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2440 pF @ 40 V
на замовлення 7508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+232.53 грн
10+146.22 грн
100+101.84 грн
500+82.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 sir882dp.pdf
SIR882DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+218.39 грн
10+136.69 грн
100+94.89 грн
500+75.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
SiS406DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 12781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.41 грн
10+52.04 грн
100+34.26 грн
500+24.96 грн
1000+22.65 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3 sis407dn.pdf
SIS407DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 31538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.76 грн
10+67.40 грн
100+44.87 грн
500+33.05 грн
1000+30.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 50183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+68.34 грн
10+40.92 грн
100+26.60 грн
500+19.20 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3 sis452dn.pdf
SIS452DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3 sis454dn.pdf
SIS454DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+110.76 грн
10+67.40 грн
100+44.87 грн
500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3 sis456dn.pdf
SIS456DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 sis892dn.pdf
SIS892DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 17502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+153.18 грн
10+94.03 грн
100+63.72 грн
500+47.64 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS902DN-T1-GE3 sis902dn.pdf
SIS902DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3 siz702dt.pdf
SIZ702DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD06N10-225L-E3 SUD06N10-225L.pdf
SUD06N10-225L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3 SUD08P06-155L.pdf
SUD08P06-155L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 48694 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+98.20 грн
10+59.61 грн
100+39.46 грн
500+28.93 грн
1000+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+168.90 грн
10+132.99 грн
100+110.58 грн
500+94.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 sud35n10-26p.pdf
SUD35N10-26P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+193.25 грн
10+120.20 грн
100+82.92 грн
500+64.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3 72034.pdf
SUD50N02-09P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3
SUD50N06-07L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+135.12 грн
10+90.85 грн
100+61.50 грн
500+45.88 грн
1000+42.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 4726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.17 грн
10+151.29 грн
100+105.26 грн
500+80.33 грн
1000+79.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3
SUM110N08-07P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3
SUM90N06-4M4P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6M2P-E3
SUM90N08-6M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+442.27 грн
10+284.88 грн
100+205.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N03-5M1P-GE3 sup50n03.pdf
SUP50N03-5M1P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04-3M3P-GE3 irl620.pdf
SUP90N04-3M3P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 si1300bd.pdf
SI1300BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 si1307ed.pdf
SI1307EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 si1400dl.pdf
SI1400DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]