Продукція > VISHAY SILICONIX > Всі товари виробника VISHAY SILICONIX (11808) > Сторінка 58 з 197

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SIR882DP-T1-GE3 SIR882DP-T1-GE3 Vishay Siliconix sir882dp.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 10196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.74 грн
10+151.47 грн
50+116.41 грн
100+98.66 грн
500+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 SiS406DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis406dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.65 грн
10+53.96 грн
50+39.97 грн
100+33.29 грн
500+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3 SIS407DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis407dn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 31538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.68 грн
100+45.72 грн
500+33.67 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 SIS412DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis412dn_new.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 44116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.24 грн
10+42.86 грн
50+31.54 грн
100+26.17 грн
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3 SIS452DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis452dn.pdf Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3 SIS454DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis454dn.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+68.68 грн
100+45.72 грн
500+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3 SIS456DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis456dn.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 SIS892DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis892dn.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 17472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.89 грн
10+98.74 грн
100+66.97 грн
500+50.06 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS902DN-T1-GE3 SIS902DN-T1-GE3 Vishay Siliconix sis902dn.pdf Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3 SIZ702DT-T1-GE3 Vishay Siliconix siz702dt.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3 SUD08P06-155L-E3 Vishay Siliconix SUD08P06-155L.pdf Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 SUD09P10-195-GE3 Vishay Siliconix sud09p10.pdf Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 73209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.26 грн
10+62.51 грн
50+46.53 грн
100+38.82 грн
500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 Vishay Siliconix sud19n20.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.10 грн
10+135.51 грн
100+112.68 грн
500+96.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 SUD35N10-26P-GE3 Vishay Siliconix sud35n10-26p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.73 грн
10+135.82 грн
50+103.94 грн
100+87.90 грн
500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3 SUD50N02-09P-E3 Vishay Siliconix 72034.pdf Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3 SUD50N06-07L-GE3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 Vishay Siliconix sud50p04-08.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.68 грн
10+92.58 грн
100+62.67 грн
500+46.75 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 SUD50P08-25L-E3 Vishay Siliconix sud50p08.pdf Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.95 грн
10+158.56 грн
50+122.10 грн
100+103.56 грн
500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3 SUM110N08-07P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3 SUM90N06-4M4P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6M2P-E3 SUM90N08-6M2P-E3 Vishay Siliconix Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 SUM90N10-8M2P-E3 Vishay Siliconix sum90n10-8m2p.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+450.66 грн
10+290.29 грн
100+208.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N03-5M1P-GE3 SUP50N03-5M1P-GE3 Vishay Siliconix sup50n03.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04-3M3P-GE3 SUP90N04-3M3P-GE3 Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 SI1300BDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1300bd.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 SI1307EDL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1307ed.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 SI1400DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1400dl.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 SI1406DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1406dh.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3 SI1426DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1426dh.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3 SI1473DH-T1-GE3 Vishay Siliconix si1473dh.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3 SI1903DL-T1-GE3 Vishay Siliconix si1903dl.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1988DH-T1-GE3 SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix SI1988DH.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447CDV-T1-GE3 SI3447CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3447cd.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3475DV-T1-GE3 SI3475DV-T1-GE3 Vishay Siliconix si3475dv.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-GE3 SI4276DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4276dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3 SI4396DY-T1-GE3 Vishay Siliconix 74252.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-GE3 SI4418DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4418dy.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4472DY-T1-GE3 SI4472DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4472dy.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3 SI4487DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4487dy.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4622DY-T1-GE3 SI4622DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4622dy.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4636DY-T1-GE3 SI4636DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4636dy.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4666DY-T1-GE3 SI4666DY-T1-GE3 Vishay Siliconix si4666dy.pdf Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
на замовлення 9639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3 SI5433BDC-T1-GE3 Vishay Siliconix 73208.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3 SI5456DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5456du.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5920dc.pdf Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3 SI5933CDC-T1-GE3 Vishay Siliconix si5933cd.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-GE3 SI5947DU-T1-GE3 Vishay Siliconix 73695.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5980DU-T1-GE3 SI5980DU-T1-GE3 Vishay Siliconix si5980du.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6443DQ-T1-GE3 SI6443DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72083.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-GE3 SI6467BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72087.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 SI6544BDQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72244.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-GE3 SI6981DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix si6981dq.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-GE3 SI6993DQ-T1-GE3 Vishay Siliconix 72369.pdf Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3 SI7222DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 73439.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3 SI7236DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7236dp.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-GE3 SI7703EDN-T1-GE3 Vishay Siliconix si7703edn.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7774DP-T1-GE3 SI7774DP-T1-GE3 Vishay Siliconix si7774dp.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3 SI7911DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72340.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3 SI7913DN-T1-GE3 Vishay Siliconix 72615.pdf Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3 SI7946DP-T1-GE3 Vishay Siliconix 72282.pdf Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIR882DP-T1-GE3 sir882dp.pdf
SIR882DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5.4W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1930 pF @ 50 V
на замовлення 10196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.74 грн
10+151.47 грн
50+116.41 грн
100+98.66 грн
500+80.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiS406DN-T1-GE3 sis406dn.pdf
SiS406DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 9A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.65 грн
10+53.96 грн
50+39.97 грн
100+33.29 грн
500+25.84 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS407DN-T1-GE3 sis407dn.pdf
SIS407DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 25A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93.8 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2760 pF @ 10 V
на замовлення 31538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+68.68 грн
100+45.72 грн
500+33.67 грн
1000+30.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS412DN-T1-GE3 sis412dn_new.pdf
SIS412DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 15.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 435 pF @ 15 V
на замовлення 44116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.24 грн
10+42.86 грн
50+31.54 грн
100+26.17 грн
500+20.13 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS452DN-T1-GE3 sis452dn.pdf
SIS452DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 12V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS454DN-T1-GE3 sis454dn.pdf
SIS454DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 35A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 10 V
на замовлення 679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+112.87 грн
10+68.68 грн
100+45.72 грн
500+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS456DN-T1-GE3 sis456dn.pdf
SIS456DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 35A PPAK 1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIS892DN-T1-GE3 sis892dn.pdf
SIS892DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 30A PPAK1212-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 611 pF @ 50 V
на замовлення 17472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+160.89 грн
10+98.74 грн
100+66.97 грн
500+50.06 грн
1000+45.95 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIS902DN-T1-GE3 sis902dn.pdf
SIS902DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® 1212-8 Dual
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 15.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 75V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 38V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 186mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 1212-8 Dual
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIZ702DT-T1-GE3 siz702dt.pdf
SIZ702DT-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD08P06-155L-E3 SUD08P06-155L.pdf
SUD08P06-155L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 60V 8.4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
SUD09P10-195-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 100V 8.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 32.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1055 pF @ 50 V
на замовлення 73209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+103.26 грн
10+62.51 грн
50+46.53 грн
100+38.82 грн
500+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD19N20-90-E3 sud19n20.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 19A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
на замовлення 4372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+172.10 грн
10+135.51 грн
100+112.68 грн
500+96.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD35N10-26P-GE3 sud35n10-26p.pdf
SUD35N10-26P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 35A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 12 V
на замовлення 1017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+217.73 грн
10+135.82 грн
50+103.94 грн
100+87.90 грн
500+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N02-09P-E3 72034.pdf
SUD50N02-09P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.5W (Ta), 39.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50N06-07L-GE3
SUD50N06-07L-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 96A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 144 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 40V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 73.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 159 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5380 pF @ 20 V
на замовлення 15786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.68 грн
10+92.58 грн
100+62.67 грн
500+46.75 грн
1000+42.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
SUD50P08-25L-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25.2mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 8.3W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 40 V
на замовлення 11806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.95 грн
10+158.56 грн
50+122.10 грн
100+103.56 грн
500+84.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SUM110N08-07P-E3
SUM110N08-07P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 110A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 208.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4250 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N06-4M4P-E3
SUM90N06-4M4P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6190 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N08-6M2P-E3
SUM90N08-6M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUM90N10-8M2P-E3 sum90n10-8m2p.pdf
SUM90N10-8M2P-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.75W (Ta), 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6290 pF @ 50 V
на замовлення 3472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+450.66 грн
10+290.29 грн
100+208.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUP50N03-5M1P-GE3 sup50n03.pdf
SUP50N03-5M1P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 50A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.7W (Ta), 59.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUP90N04-3M3P-GE3 irl620.pdf
SUP90N04-3M3P-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 40V 90A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5286 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1300BDL-T1-GE3 si1300bd.pdf
SI1300BDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 400MA SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1307EDL-T1-GE3 si1307ed.pdf
SI1307EDL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 0.85A SC-70-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1400DL-T1-GE3 si1400dl.pdf
SI1400DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 1.6A SC-70-6
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1406DH-T1-GE3 si1406dh.pdf
SI1406DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 3.1A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1426DH-T1-GE3 si1426dh.pdf
SI1426DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 2.8A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1473DH-T1-GE3 si1473dh.pdf
SI1473DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 2.7A SC-70-6
на замовлення 1081 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI1903DL-T1-GE3 si1903dl.pdf
SI1903DL-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.41A SC70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI1988DH-T1-GE3 SI1988DH.pdf
SI1988DH-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SC-70-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI3447CDV-T1-GE3 si3447cd.pdf
SI3447CDV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 7.8A 6-TSOP
на замовлення 1712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI3475DV-T1-GE3 si3475dv.pdf
SI3475DV-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4276DY-T1-GE3 si4276dy.pdf
SI4276DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4396DY-T1-GE3 74252.pdf
SI4396DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4418DY-T1-GE3 si4418dy.pdf
SI4418DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 2.3A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4472DY-T1-GE3 si4472dy.pdf
SI4472DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 150V 7.7A 8-SOIC
на замовлення 1692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4487DY-T1-GE3 si4487dy.pdf
SI4487DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 11.6A 8-SOIC
на замовлення 9523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4622DY-T1-GE3 si4622dy.pdf
SI4622DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4636DY-T1-GE3 si4636dy.pdf
SI4636DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI4666DY-T1-GE3 si4666dy.pdf
SI4666DY-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 25V 16.5A 8-SOIC
на замовлення 9639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5433BDC-T1-GE3 73208.pdf
SI5433BDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.8A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5456DU-T1-GE3 si5456du.pdf
SI5456DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5920DC-T1-GE3 si5920dc.pdf
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5933CDC-T1-GE3 si5933cd.pdf
SI5933CDC-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI5947DU-T1-GE3 73695.pdf
SI5947DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI5980DU-T1-GE3 si5980du.pdf
SI5980DU-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 100V 2.5A CHIPFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6443DQ-T1-GE3 72083.pdf
SI6443DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 30V 7.3A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6467BDQ-T1-GE3 72087.pdf
SI6467BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 12V 6.8A 8TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6544BDQ-T1-GE3 72244.pdf
SI6544BDQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N/P-CH 30V 3.7A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6981DQ-T1-GE3 si6981dq.pdf
SI6981DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.1A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI6993DQ-T1-GE3 72369.pdf
SI6993DQ-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7222DN-T1-GE3 73439.pdf
SI7222DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7236DP-T1-GE3 si7236dp.pdf
SI7236DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
на замовлення 3014 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7703EDN-T1-GE3 si7703edn.pdf
SI7703EDN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 PPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7774DP-T1-GE3 si7774dp.pdf
SI7774DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
на замовлення 4517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7911DN-T1-GE3 72340.pdf
SI7911DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 4.2A 1212-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI7913DN-T1-GE3 72615.pdf
SI7913DN-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
на замовлення 7489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI7946DP-T1-GE3 72282.pdf
SI7946DP-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 76 95 114 133 152 171 190 197  [ Наступна Сторінка >> ]