Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5986) > Сторінка 16 з 100

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 30 40 50 60 70 80 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BTA425Z-800BTQ BTA425Z-800BTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800BT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors byv30jt-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.99 грн
10+119.68 грн
480+80.58 грн
960+64.17 грн
2400+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30W-600PQ WeEn Semiconductors byv30w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30X-600PQ WeEn Semiconductors byv30x-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-1000C0/L01127 BTA208X-1000C0/L01127 WeEn Semiconductors BTA208X-1000C0.pdf Description: NOW WEEN - BTA208X-1000C0 - 3 QU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WDMF75M16T WeEn Semiconductors WDMF75M16.pdf Description: THREE PHASE RECTIFIER BRIDGE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2717.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYV40W-600PQ BYV40W-600PQ WeEn Semiconductors byv40w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WeEn Semiconductors WNSC12650T_0.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WeEn Semiconductors WNSC12650T_0.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.56 грн
10+185.31 грн
100+135.99 грн
500+107.29 грн
1000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors byv430j-600p.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.19 грн
10+141.82 грн
100+112.86 грн
500+89.62 грн
1000+76.04 грн
2000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYV415J-600PQ WeEn Semiconductors BYV415J-600P.pdf Description: DIODE ARRAYTO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-3PF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHW.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.28 грн
30+172.85 грн
120+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L02Q BTA206X-800CT/L02Q WeEn Semiconductors bta206x-800ct.pdf Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.23 грн
50+34.49 грн
100+31.01 грн
500+23.23 грн
1000+21.30 грн
2000+19.66 грн
5000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800CTQ BTA425Z-800CTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800CT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4X WeEn Semiconductors ESDALD05UD4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.09 грн
6000+3.53 грн
9000+3.33 грн
15000+2.91 грн
21000+2.56 грн
75000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4X WeEn Semiconductors ESDALD05UD4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 99011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.25 грн
21+15.71 грн
100+7.67 грн
500+6.01 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2X WeEn Semiconductors ESDALD05UE2_0.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.13 грн
6000+3.59 грн
9000+3.38 грн
15000+2.96 грн
21000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2X WeEn Semiconductors ESDALD05UE2_0.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 69775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17.31 грн
29+11.27 грн
100+4.17 грн
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4X WeEn Semiconductors ESDALD05UG4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.05 грн
6000+4.43 грн
9000+4.21 грн
15000+3.71 грн
21000+3.57 грн
30000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4X WeEn Semiconductors ESDALD05UG4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 40173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.95 грн
26+12.30 грн
100+6.40 грн
500+5.68 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors NXPSC20650W-A.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+572.77 грн
30+319.98 грн
120+269.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650Q WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.10 грн
50+136.99 грн
100+125.89 грн
500+97.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQ WNSC16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC16650CW_0.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800C0,127 BTA308X-800C0,127 WeEn Semiconductors BTA308X-800C0.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 65A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.70 грн
50+32.00 грн
100+28.30 грн
500+20.49 грн
1000+18.53 грн
2000+16.88 грн
5000+14.85 грн
10000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA330-800BTQ BTA330-800BTQ WeEn Semiconductors bta330-800bt.pdf Description: TRIAC 800V 30A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6Q NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxpsc20650w.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+718.64 грн
10+474.65 грн
240+320.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200Q WeEn Semiconductors WNSC051200.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+456.57 грн
10+394.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors nxpsc08650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.73 грн
10+285.46 грн
100+230.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCR100W-10MF MCR100W-10MF WeEn Semiconductors MCR100W-10M_0.pdf Description: MCR100W-10M/SC-73/REEL 13" Q1/T1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 90 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 23A @ 50Hz, 25A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR100W-10MF MCR100W-10MF WeEn Semiconductors MCR100W-10M_0.pdf Description: MCR100W-10M/SC-73/REEL 13" Q1/T1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 90 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 23A @ 50Hz, 25A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30X-600PSQ BYC30X-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30X-600PS.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 21084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.22 грн
50+49.44 грн
100+46.40 грн
500+36.42 грн
1000+36.12 грн
2000+35.85 грн
5000+33.85 грн
10000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30JT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30JT-600PS.PDF Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UJ2X ESDALD05UJ2X WeEn Semiconductors ESDALD05UJ2.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 17VC SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 1.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-143
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 136W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.20 грн
6000+7.17 грн
9000+6.80 грн
15000+5.99 грн
21000+5.76 грн
30000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UJ2X ESDALD05UJ2X WeEn Semiconductors ESDALD05UJ2.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 17VC SOT143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 1.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-143
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 136W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 81323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.09 грн
15+22.06 грн
100+13.98 грн
500+9.83 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT4S-800E,118 ACTT4S-800E,118 WeEn Semiconductors actt4s-800e.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 35A, 39A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 58832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.03 грн
10+34.84 грн
100+24.13 грн
500+18.91 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MUR560J MUR560J WeEn Semiconductors mur560.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 5A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 13483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.10 грн
11+30.55 грн
100+19.67 грн
500+14.02 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10MX-600PQ BYV10MX-600PQ WeEn Semiconductors BYV10MX-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDHD05UFX ESDHD05UFX WeEn Semiconductors ESDHD05UF%20%281%29.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.55 грн
20000+1.36 грн
30000+1.29 грн
50000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDHD05UFX ESDHD05UFX WeEn Semiconductors ESDHD05UF%20%281%29.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 296652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+14.01 грн
41+7.86 грн
100+4.86 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
2000+2.57 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQ WNSC2D16650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+327.18 грн
30+188.64 грн
120+159.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-650LTFQ BT151-650LTFQ WeEn Semiconductors BT151-650LTF.pdf Description: SCR 650V 12A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 132A
Current - On State (It (AV)) (Max): 7.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 650 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.75 грн
50+29.78 грн
100+26.32 грн
500+19.00 грн
1000+17.16 грн
2000+15.62 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT151Y-650LTFQ BT151Y-650LTFQ WeEn Semiconductors BT151Y-650LTF.pdf Description: SCR 650V 12A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 132A
Current - On State (It (AV)) (Max): 7.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 650 V
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+79.94 грн
50+35.62 грн
100+31.57 грн
500+22.95 грн
1000+20.80 грн
2000+18.99 грн
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT134W-800EF BT134W-800EF WeEn Semiconductors BT134W-800E.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 2A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 8 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27.5A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BT134W-800EF BT134W-800EF WeEn Semiconductors BT134W-800E.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 2A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 8 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27.5A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 6555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+46.15 грн
12+27.38 грн
100+17.55 грн
500+12.48 грн
1000+11.19 грн
2000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-600,127 BYR29X-600,127 WeEn Semiconductors PHGLS22105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
456+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800,127 BYR29X-800,127 WeEn Semiconductors byr29x-800.pdf Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.46 грн
50+36.19 грн
100+36.10 грн
500+32.70 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ WeEn Semiconductors byr29x-800p.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQ WNSC2D30650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.42 грн
30+321.62 грн
120+270.73 грн
510+223.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650WQ WeEn Semiconductors WNSC2D30650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.46 грн
30+309.80 грн
120+260.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6J NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors nxpsc06650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.86 грн
10+256.18 грн
100+209.85 грн
500+167.65 грн
1000+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650X6Q NXPSC08650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc08650x.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.61 грн
10+281.89 грн
100+228.08 грн
500+190.26 грн
1000+162.91 грн
2000+153.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6J NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors nxpsc08650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+344.49 грн
10+278.40 грн
100+225.22 грн
500+187.88 грн
1000+160.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6J NXPSC06650B6J WeEn Semiconductors nxpsc06650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+305.75 грн
10+264.83 грн
100+216.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6J NXPSC12650B6J WeEn Semiconductors NXPSC12650B6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+178.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B6J WeEn Semiconductors WNSC6D20650B.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+388.99 грн
10+261.81 грн
100+195.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800BTQ BTA425Z-800BT.pdf
BTA425Z-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30JT-600PQ byv30jt-600p.pdf
BYV30JT-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.99 грн
10+119.68 грн
480+80.58 грн
960+64.17 грн
2400+60.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30W-600PQ byv30w-600p.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30X-600PQ byv30x-600p.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-1000C0/L01127 BTA208X-1000C0.pdf
BTA208X-1000C0/L01127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - BTA208X-1000C0 - 3 QU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WDMF75M16T WDMF75M16.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: THREE PHASE RECTIFIER BRIDGE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2717.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYV40W-600PQ byv40w-600p.pdf
BYV40W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 40A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T_0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T_0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.56 грн
10+185.31 грн
100+135.99 грн
500+107.29 грн
1000+106.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYV430J-600PQ byv430j-600p.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.19 грн
10+141.82 грн
100+112.86 грн
500+89.62 грн
1000+76.04 грн
2000+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYV415J-600PQ BYV415J-600P.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAYTO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: TO-3PF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHW.pdf
WG50N65DHWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 278 W
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+303.28 грн
30+172.85 грн
120+145.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L02Q bta206x-800ct.pdf
BTA206X-800CT/L02Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.23 грн
50+34.49 грн
100+31.01 грн
500+23.23 грн
1000+21.30 грн
2000+19.66 грн
5000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800CTQ BTA425Z-800CT.pdf
BTA425Z-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4.pdf
ESDALD05UD4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.09 грн
6000+3.53 грн
9000+3.33 грн
15000+2.91 грн
21000+2.56 грн
75000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4.pdf
ESDALD05UD4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 99011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+22.25 грн
21+15.71 грн
100+7.67 грн
500+6.01 грн
1000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2_0.pdf
ESDALD05UE2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.13 грн
6000+3.59 грн
9000+3.38 грн
15000+2.96 грн
21000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2_0.pdf
ESDALD05UE2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 69775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+17.31 грн
29+11.27 грн
100+4.17 грн
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4.pdf
ESDALD05UG4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.05 грн
6000+4.43 грн
9000+4.21 грн
15000+3.71 грн
21000+3.57 грн
30000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4.pdf
ESDALD05UG4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 40173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.95 грн
26+12.30 грн
100+6.40 грн
500+5.68 грн
1000+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-A.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+572.77 грн
30+319.98 грн
120+269.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650Q WNSC6D10650.pdf
WNSC6D10650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.10 грн
50+136.99 грн
100+125.89 грн
500+97.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQ WNSC16650CW_0.pdf
WNSC16650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CW.pdf
WNSC2D16650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800C0,127 BTA308X-800C0.pdf
BTA308X-800C0,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 65A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.70 грн
50+32.00 грн
100+28.30 грн
500+20.49 грн
1000+18.53 грн
2000+16.88 грн
5000+14.85 грн
10000+13.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTA330-800BTQ bta330-800bt.pdf
BTA330-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 30A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6Q nxpsc20650w.pdf
NXPSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+718.64 грн
10+474.65 грн
240+320.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200Q WNSC051200.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.57 грн
10+394.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J nxpsc08650b.pdf
NXPSC08650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.73 грн
10+285.46 грн
100+230.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCR100W-10MF MCR100W-10M_0.pdf
MCR100W-10MF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: MCR100W-10M/SC-73/REEL 13" Q1/T1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 90 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 23A @ 50Hz, 25A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MCR100W-10MF MCR100W-10M_0.pdf
MCR100W-10MF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: MCR100W-10M/SC-73/REEL 13" Q1/T1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 90 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 23A @ 50Hz, 25A @ 60Hz
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
Current - Off State (Max): 1 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30X-600PSQ BYC30X-600PS.pdf
BYC30X-600PSQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 21084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.22 грн
50+49.44 грн
100+46.40 грн
500+36.42 грн
1000+36.12 грн
2000+35.85 грн
5000+33.85 грн
10000+33.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30JT-600PSQ BYC30JT-600PS.PDF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UJ2X ESDALD05UJ2.pdf
ESDALD05UJ2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 17VC SOT143
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 1.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-143
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 136W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.20 грн
6000+7.17 грн
9000+6.80 грн
15000+5.99 грн
21000+5.76 грн
30000+5.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UJ2X ESDALD05UJ2.pdf
ESDALD05UJ2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 17VC SOT143
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: USB
Capacitance @ Frequency: 1.35pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-143
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 136W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 81323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
15+22.06 грн
100+13.98 грн
500+9.83 грн
1000+8.77 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT4S-800E,118 actt4s-800e.pdf
ACTT4S-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 35A, 39A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 58832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.03 грн
10+34.84 грн
100+24.13 грн
500+18.91 грн
1000+17.71 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
MUR560J mur560.pdf
MUR560J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 5A SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 64 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 600 V
на замовлення 13483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.10 грн
11+30.55 грн
100+19.67 грн
500+14.02 грн
1000+12.60 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10MX-600PQ BYV10MX-600P.pdf
BYV10MX-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ESDHD05UFX ESDHD05UF%20%281%29.pdf
ESDHD05UFX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC DFN10062
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 270000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+1.55 грн
20000+1.36 грн
30000+1.29 грн
50000+1.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
ESDHD05UFX ESDHD05UF%20%281%29.pdf
ESDHD05UFX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC DFN10062
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 0402 (1006 Metric)
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 150pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN1006-2
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 320W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 296652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.01 грн
41+7.86 грн
100+4.86 грн
500+3.31 грн
1000+2.91 грн
2000+2.57 грн
5000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CJQ WNSC2D16650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D16650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO-3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+327.18 грн
30+188.64 грн
120+159.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BT151-650LTFQ BT151-650LTF.pdf
BT151-650LTFQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 650V 12A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 132A
Current - On State (It (AV)) (Max): 7.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 650 V
на замовлення 5462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.75 грн
50+29.78 грн
100+26.32 грн
500+19.00 грн
1000+17.16 грн
2000+15.62 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT151Y-650LTFQ BT151Y-650LTF.pdf
BT151Y-650LTFQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 650V 12A TO-220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 120A, 132A
Current - On State (It (AV)) (Max): 7.5 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Voltage - Off State: 650 V
на замовлення 5972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.94 грн
50+35.62 грн
100+31.57 грн
500+22.95 грн
1000+20.80 грн
2000+18.99 грн
5000+16.75 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BT134W-800EF BT134W-800E.pdf
BT134W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 2A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 8 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27.5A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BT134W-800EF BT134W-800E.pdf
BT134W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 2A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 8 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27.5A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 6555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+46.15 грн
12+27.38 грн
100+17.55 грн
500+12.48 грн
1000+11.19 грн
2000+10.11 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D20650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CJQ WNSC2D20650CJ%20%281%29.pdf
WNSC2D20650CJQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO-3PF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-3PF
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-600,127 PHGLS22105-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BYR29X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220FP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
456+46.66 грн
Мінімальне замовлення: 456
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800,127 byr29x-800.pdf
BYR29X-800,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 800V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.46 грн
50+36.19 грн
100+36.10 грн
500+32.70 грн
1000+32.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29X-800PQ byr29x-800p.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650CWQ WNSC2D30650CW.pdf
WNSC2D30650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.42 грн
30+321.62 грн
120+270.73 грн
510+223.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D30650WQ WNSC2D30650W.pdf
WNSC2D30650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 980pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+555.46 грн
30+309.80 грн
120+260.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6J nxpsc06650d.pdf
NXPSC06650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 6834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+295.86 грн
10+256.18 грн
100+209.85 грн
500+167.65 грн
1000+147.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650X6Q nxpsc08650x.pdf
NXPSC08650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.61 грн
10+281.89 грн
100+228.08 грн
500+190.26 грн
1000+162.91 грн
2000+153.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6J nxpsc08650d.pdf
NXPSC08650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+344.49 грн
10+278.40 грн
100+225.22 грн
500+187.88 грн
1000+160.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6J nxpsc06650b.pdf
NXPSC06650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 3190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+305.75 грн
10+264.83 грн
100+216.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC12650B6J NXPSC12650B6J.pdf
NXPSC12650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B.pdf
WNSC6D20650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+178.94 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650B6J WNSC6D20650B.pdf
WNSC6D20650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 780pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
на замовлення 4518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+388.99 грн
10+261.81 грн
100+195.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 30 40 50 60 70 80 90 100  [ Наступна Сторінка >> ]