Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5472) > Сторінка 14 з 92

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 27 36 45 54 63 72 81 90 92  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ACT108-600D,412 ACT108-600D,412 WeEn Semiconductors PHGLS21889-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 8.8A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 900 mV
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 19820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1227+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 1227
В кошику  од. на суму  грн.
BT136B-600E118 BT136B-600E118 WeEn Semiconductors WEEN-S-A0001703740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NOW WEEN - BT136B-600E - 4 QUADR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127 NXPS20H100C,127 WeEn Semiconductors PHGLS24723-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 757
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0127 BT137-600G0127 WeEn Semiconductors BT137-600G0.pdf Description: NOW WEEN - BT137-600G0 - 4 QUADR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410-800CT,127 BTA410-800CT,127 WeEn Semiconductors PHGLS24409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRIAC 800V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A, 110A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
422+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 422
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT2X-800E/DGQ ACTT2X-800E/DGQ WeEn Semiconductors actt2x-800e.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 14A, 15.4A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.24 грн
50+33.05 грн
100+29.29 грн
500+21.27 грн
1000+19.26 грн
2000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29-600,127 BYR29-600,127 WeEn Semiconductors PHGLS23446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
534+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 534
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29D-600PJ BYV29D-600PJ WeEn Semiconductors BYV29D-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29D-600PJ BYV29D-600PJ WeEn Semiconductors BYV29D-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.91 грн
10+35.97 грн
100+27.23 грн
500+19.71 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ BT153B-1200T-AJ WeEn Semiconductors BT153B-1200T-A.pdf Description: SCR 1.2KV 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A, 385A
Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.3 V
Current - Off State (Max): 2 mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 47 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-800G,118 BT137B-800G,118 WeEn Semiconductors bt137b-800g.pdf Description: TRIAC 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-800G,118 BT137B-800G,118 WeEn Semiconductors bt137b-800g.pdf Description: TRIAC 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR125W-125MX NCR125W-125MX WeEn Semiconductors NCR125W-125M.pdf Description: SCR 1.25KV 1.25A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 1.25 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6J NXPSC10650B6J WeEn Semiconductors nxpsc10650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+185.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008W-800D,135 BTA2008W-800D,135 WeEn Semiconductors bta2008-800d_0.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9A, 9.9A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008W-800D,135 BTA2008W-800D,135 WeEn Semiconductors bta2008-800d_0.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9A, 9.9A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 7167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.49 грн
10+32.55 грн
100+21.07 грн
500+15.11 грн
1000+13.61 грн
2000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-800C/L03Q BTA204X-800C/L03Q WeEn Semiconductors bta204x-800c.pdf Description: TRIAC 800V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L03Q BTA206X-800CT/L03Q WeEn Semiconductors bta206x-800ct.pdf Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.55 грн
50+32.70 грн
100+29.40 грн
500+22.02 грн
1000+20.19 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BYC405X-400PQ BYC405X-400PQ WeEn Semiconductors BYC405X-400P.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT132-600D,116 BT132-600D,116 WeEn Semiconductors BT132-600D%2C116.pdf Description: NOW WEEN - BT132-600D - 4 QUADRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1584+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 1584
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors nxpsc04650d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors nxpsc04650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+86.43 грн
1600+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6J NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors nxpsc06650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6J NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors nxpsc08650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506Q NXPSC046506Q WeEn Semiconductors nxpsc04650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.02 грн
50+111.87 грн
100+102.15 грн
500+79.64 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6Q NXPSC04650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc04650x.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.02 грн
50+111.87 грн
100+102.15 грн
500+79.64 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors nxpsc10650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors nxpsc08650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+204.27 грн
1600+168.43 грн
2400+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200Q WeEn Semiconductors WNSC021200.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q NXPSC066506Q WeEn Semiconductors nxpsc06650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.78 грн
10+241.31 грн
100+197.71 грн
500+157.95 грн
1000+133.21 грн
2000+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6Q NXPSC06650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc06650x.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.16 грн
10+256.36 грн
100+210.03 грн
500+167.79 грн
1000+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506Q NXPSC086506Q WeEn Semiconductors nxpsc08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.06 грн
10+270.13 грн
100+218.57 грн
500+182.32 грн
1000+156.11 грн
2000+147.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.08 грн
50+270.14 грн
100+248.08 грн
500+198.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1WX WeEn Semiconductors ec103d1w.pdf Description: SCR 400V 800MA SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+10.00 грн
2000+8.67 грн
3000+8.18 грн
5000+7.16 грн
7000+6.86 грн
10000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1WX WeEn Semiconductors ec103d1w.pdf Description: SCR 400V 800MA SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 15558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.91 грн
14+22.43 грн
100+14.29 грн
500+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYC60W-600PQ BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors byc60w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.23 грн
30+121.32 грн
120+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC20D-600PQ BYC20D-600PQ WeEn Semiconductors byc20d-600p.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800EF WeEn Semiconductors ACT108W-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800EF WeEn Semiconductors ACT108W-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+56.07 грн
10+33.31 грн
100+21.53 грн
500+15.45 грн
1000+13.91 грн
2000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CTJ WeEn Semiconductors TYN16S-600CT.pdf Description: SCR 600V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 6 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 198A
Current - On State (It (AV)) (Max): 10.2 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L02,112 NUR460/L02,112 WeEn Semiconductors NUR460.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 1297
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8LR NCR100-8LR WeEn Semiconductors NCR100-8L.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8MR NCR100-8MR WeEn Semiconductors NCR100-8M.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q NXPSC126506Q WeEn Semiconductors en Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T6J WeEn Semiconductors WNSC10650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800BT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
50+45.42 грн
100+40.44 грн
500+29.74 грн
1000+27.09 грн
2000+24.87 грн
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800CT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.30 грн
50+45.42 грн
100+40.44 грн
500+29.74 грн
1000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P,127 WeEn Semiconductors byc30-600p.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.66 грн
50+117.13 грн
100+105.93 грн
500+80.97 грн
1000+75.05 грн
2000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors byc30-1200p.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors byc30w-1200p.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+282.73 грн
30+149.08 грн
120+121.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ WeEn Semiconductors byc30dw-600p.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors byc30w-600pt2.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.81 грн
10+134.53 грн
450+76.46 грн
900+66.28 грн
1350+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12LX NCR100W-12LX WeEn Semiconductors ncr100w-12l.pdf Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12MX NCR100W-12MX WeEn Semiconductors ncr100w-12m.pdf Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV10ED-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors nxpsc04650d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.81 грн
10+185.64 грн
100+149.19 грн
500+115.03 грн
1000+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors nxpsc04650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.55 грн
10+145.03 грн
100+104.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors nxpsc10650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.58 грн
10+290.89 грн
100+211.10 грн
500+166.21 грн
1000+164.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108-600D,412 PHGLS21889-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ACT108-600D,412
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 600V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 8.8A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 900 mV
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
на замовлення 19820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1227+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 1227
В кошику  од. на суму  грн.
BT136B-600E118 WEEN-S-A0001703740-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BT136B-600E118
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - BT136B-600E - 4 QUADR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPS20H100C,127 PHGLS24723-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NXPS20H100C,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARR SCHOT 100V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220AB
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 770 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4.5 µA @ 100 V
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
757+27.28 грн
Мінімальне замовлення: 757
В кошику  од. на суму  грн.
BT137-600G0127 BT137-600G0.pdf
BT137-600G0127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - BT137-600G0 - 4 QUADR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA410-800CT,127 PHGLS24409-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BTA410-800CT,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 10A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 100A, 110A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 10 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
422+48.26 грн
Мінімальне замовлення: 422
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT2X-800E/DGQ actt2x-800e.pdf
ACTT2X-800E/DGQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 25 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 14A, 15.4A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 2 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.24 грн
50+33.05 грн
100+29.29 грн
500+21.27 грн
1000+19.26 грн
2000+17.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BYR29-600,127 PHGLS23446-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BYR29-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 8A TO220AC
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
534+37.69 грн
Мінімальне замовлення: 534
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29D-600PJ BYV29D-600P.pdf
BYV29D-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV29D-600PJ BYV29D-600P.pdf
BYV29D-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 9A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.91 грн
10+35.97 грн
100+27.23 грн
500+19.71 грн
1000+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BT153B-1200T-AJ BT153B-1200T-A.pdf
BT153B-1200T-AJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1.2KV 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 80 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 350A, 385A
Current - On State (It (AV)) (Max): 30 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.3 V
Current - Off State (Max): 2 mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 47 A
Voltage - Off State: 1.2 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-800G,118 bt137b-800g.pdf
BT137B-800G,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT137B-800G,118 bt137b-800g.pdf
BT137B-800G,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 8A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 65A, 71A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.5 V
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR125W-125MX NCR125W-125M.pdf
NCR125W-125MX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1.25KV 1.25A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 20A, 22A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.5 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Voltage - Off State: 1.25 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6J nxpsc10650b.pdf
NXPSC10650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+185.16 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008W-800D,135 bta2008-800d_0.pdf
BTA2008W-800D,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9A, 9.9A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+12.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
BTA2008W-800D,135 bta2008-800d_0.pdf
BTA2008W-800D,135
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 10 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 5 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 9A, 9.9A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 7167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+54.49 грн
10+32.55 грн
100+21.07 грн
500+15.11 грн
1000+13.61 грн
2000+12.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BTA204X-800C/L03Q bta204x-800c.pdf
BTA204X-800C/L03Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 25A, 27A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L03Q bta206x-800ct.pdf
BTA206X-800CT/L03Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.55 грн
50+32.70 грн
100+29.40 грн
500+22.02 грн
1000+20.19 грн
2000+18.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BYC405X-400PQ BYC405X-400P.pdf
BYC405X-400PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BT132-600D,116 BT132-600D%2C116.pdf
BT132-600D,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - BT132-600D - 4 QUADRA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 16749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1584+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 1584
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J nxpsc04650d.pdf
NXPSC04650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J nxpsc04650b.pdf
NXPSC04650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+86.43 грн
1600+82.27 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6J nxpsc06650d.pdf
NXPSC06650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+155.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6J nxpsc08650d.pdf
NXPSC08650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+148.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506Q nxpsc04650.pdf
NXPSC046506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.02 грн
50+111.87 грн
100+102.15 грн
500+79.64 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6Q nxpsc04650x.pdf
NXPSC04650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.02 грн
50+111.87 грн
100+102.15 грн
500+79.64 грн
1000+74.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J nxpsc10650d.pdf
NXPSC10650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+181.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J nxpsc08650b.pdf
NXPSC08650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+204.27 грн
1600+168.43 грн
2400+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200Q WNSC021200.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q nxpsc06650.pdf
NXPSC066506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.78 грн
10+241.31 грн
100+197.71 грн
500+157.95 грн
1000+133.21 грн
2000+126.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6Q nxpsc06650x.pdf
NXPSC06650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.16 грн
10+256.36 грн
100+210.03 грн
500+167.79 грн
1000+147.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506Q nxpsc08650.pdf
NXPSC086506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+334.06 грн
10+270.13 грн
100+218.57 грн
500+182.32 грн
1000+156.11 грн
2000+147.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q.pdf
NXPSC166506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.08 грн
50+270.14 грн
100+248.08 грн
500+198.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX ec103d1w.pdf
EC103D1WX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 400V 800MA SC-73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+10.00 грн
2000+8.67 грн
3000+8.18 грн
5000+7.16 грн
7000+6.86 грн
10000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX ec103d1w.pdf
EC103D1WX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 400V 800MA SC-73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 400 V
на замовлення 15558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.91 грн
14+22.43 грн
100+14.29 грн
500+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
BYC60W-600PQ byc60w-600p.pdf
BYC60W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 60A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.23 грн
30+121.32 грн
120+106.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC20D-600PQ byc20d-600p.pdf
BYC20D-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800E.pdf
ACT108W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800E.pdf
ACT108W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+56.07 грн
10+33.31 грн
100+21.53 грн
500+15.45 грн
1000+13.91 грн
2000+12.62 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CT.pdf
TYN16S-600CTJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 6 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 198A
Current - On State (It (AV)) (Max): 10.2 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L02,112 NUR460.pdf
NUR460/L02,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1297+15.33 грн
Мінімальне замовлення: 1297
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8LR NCR100-8L.pdf
NCR100-8LR
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8MR NCR100-8M.pdf
NCR100-8MR
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q en
NXPSC126506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T.pdf
WNSC06650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 6A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T.pdf
WNSC08650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T.pdf
WNSC10650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BT.pdf
BTA416X-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
50+45.42 грн
100+40.44 грн
500+29.74 грн
1000+27.09 грн
2000+24.87 грн
5000+22.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CT.pdf
BTA416X-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.30 грн
50+45.42 грн
100+40.44 грн
500+29.74 грн
1000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 byc30-600p.pdf
BYC30-600P,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.66 грн
50+117.13 грн
100+105.93 грн
500+80.97 грн
1000+75.05 грн
2000+70.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ byc30-1200p.pdf
BYC30-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ byc30w-1200p.pdf
BYC30W-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.73 грн
30+149.08 грн
120+121.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ byc30dw-600p.pdf
BYC30DW-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q byc30w-600pt2.pdf
BYC30W-600PT2Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.81 грн
10+134.53 грн
450+76.46 грн
900+66.28 грн
1350+63.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12LX ncr100w-12l.pdf
NCR100W-12LX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12MX ncr100w-12m.pdf
NCR100W-12MX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600P.pdf
BYV10ED-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+18.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J nxpsc04650d.pdf
NXPSC04650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.81 грн
10+185.64 грн
100+149.19 грн
500+115.03 грн
1000+95.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J nxpsc04650b.pdf
NXPSC04650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.55 грн
10+145.03 грн
100+104.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J nxpsc10650d.pdf
NXPSC10650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.58 грн
10+290.89 грн
100+211.10 грн
500+166.21 грн
1000+164.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 27 36 45 54 63 72 81 90 92  [ Наступна Сторінка >> ]