Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5754) > Сторінка 14 з 96

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 27 36 45 54 63 72 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
BTA206X-800CT/L03Q BTA206X-800CT/L03Q WeEn Semiconductors bta206x-800ct.pdf Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.20 грн
50+32.53 грн
100+29.24 грн
500+21.91 грн
1000+20.09 грн
2000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC405X-400PQ BYC405X-400PQ WeEn Semiconductors BYC405X-400P.pdf Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT132-600D,116 BT132-600D,116 WeEn Semiconductors BT132-600D%2C116.pdf Description: NOW WEEN - BT132-600D - 4 QUADRA
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 16749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1584+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 1584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors nxpsc04650d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors nxpsc04650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+85.97 грн
1600+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6J NXPSC06650D6J WeEn Semiconductors nxpsc06650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6J NXPSC08650D6J WeEn Semiconductors nxpsc08650d.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+147.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506Q NXPSC046506Q WeEn Semiconductors nxpsc04650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.89 грн
50+111.28 грн
100+101.61 грн
500+79.22 грн
1000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6Q NXPSC04650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc04650x.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.89 грн
50+111.28 грн
100+101.61 грн
500+79.22 грн
1000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors NXPSC10650D6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors nxpsc08650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+203.19 грн
1600+167.54 грн
2400+157.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200Q WeEn Semiconductors WNSC021200.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q NXPSC066506Q WeEn Semiconductors nxpsc06650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+277.30 грн
10+240.03 грн
100+196.66 грн
500+157.11 грн
1000+132.50 грн
2000+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6Q NXPSC06650X6Q WeEn Semiconductors nxpsc06650x.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.59 грн
10+255.00 грн
100+208.91 грн
500+166.90 грн
1000+146.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506Q NXPSC086506Q WeEn Semiconductors nxpsc08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.29 грн
10+268.70 грн
100+217.41 грн
500+181.36 грн
1000+155.29 грн
2000+146.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.47 грн
50+270.56 грн
100+248.46 грн
500+199.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1WX WeEn Semiconductors ec103d1w.pdf Description: SCR 400V 800MA SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-73
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+9.95 грн
2000+8.63 грн
3000+8.14 грн
5000+7.13 грн
7000+6.82 грн
10000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1WX WeEn Semiconductors ec103d1w.pdf Description: SCR 400V 800MA SC-73
Supplier Device Package: SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
на замовлення 15558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.71 грн
14+22.32 грн
100+14.21 грн
500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC60W-600PQ BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors byc60w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.10 грн
30+120.68 грн
120+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC20D-600PQ BYC20D-600PQ WeEn Semiconductors byc20d-600p.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800EF WeEn Semiconductors ACT108W-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800EF WeEn Semiconductors ACT108W-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.35 грн
10+34.34 грн
100+22.21 грн
500+15.93 грн
1000+14.35 грн
2000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CTJ WeEn Semiconductors TYN16S-600CT.pdf Description: SCR 600V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 6 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 198A
Current - On State (It (AV)) (Max): 10.2 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L02,112 NUR460/L02,112 WeEn Semiconductors NUR460.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 1297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8LR NCR100-8LR WeEn Semiconductors NCR100-8L.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8MR NCR100-8MR WeEn Semiconductors NCR100-8M.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q NXPSC126506Q WeEn Semiconductors en Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T6J WeEn Semiconductors WNSC10650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800BT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800CT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.05 грн
10+64.68 грн
100+43.14 грн
500+31.82 грн
1000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P,127 WeEn Semiconductors BYC30-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.38 грн
10+158.33 грн
100+110.43 грн
500+84.41 грн
1000+78.24 грн
2000+73.05 грн
5000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30-1200P.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200P.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ WeEn Semiconductors BYC30DW-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.96 грн
10+130.94 грн
100+90.68 грн
600+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12LX NCR100W-12LX WeEn Semiconductors ncr100w-12l.pdf Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12MX NCR100W-12MX WeEn Semiconductors ncr100w-12m.pdf Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV10ED-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors nxpsc04650d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.67 грн
10+184.65 грн
100+148.40 грн
500+114.42 грн
1000+95.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors nxpsc04650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.39 грн
10+144.26 грн
100+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors NXPSC10650D6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+484.69 грн
10+314.61 грн
100+228.34 грн
500+179.78 грн
1000+168.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6J NXPSC10650B6J WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+491.76 грн
10+319.68 грн
100+232.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506Q NXPSC106506Q WeEn Semiconductors NXPSC106506Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.48 грн
50+232.79 грн
100+217.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6Q NXPSC10650X6Q WeEn Semiconductors NXPSC10650X6Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+385.71 грн
10+261.28 грн
100+195.86 грн
500+165.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650Q NXPSC10650Q WeEn Semiconductors NXPSC10650Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+421.06 грн
10+272.40 грн
100+196.89 грн
500+154.58 грн
1000+150.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650WQ WeEn Semiconductors WNSC10650W_0.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L03,112 NUR460/L03,112 WeEn Semiconductors NUR460.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P,133 NUR460P,133 WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L01U NUR460P/L01U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L02U NUR460P/L02U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L03U NUR460P/L03U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L04U NUR460P/L04U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L05U NUR460P/L05U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L06U NUR460P/L06U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L07U NUR460P/L07U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460PU NUR460PU WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors wns30h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.69 грн
1600+29.15 грн
2400+27.95 грн
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L03Q bta206x-800ct.pdf
BTA206X-800CT/L03Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 3593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+65.20 грн
50+32.53 грн
100+29.24 грн
500+21.91 грн
1000+20.09 грн
2000+18.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC405X-400PQ BYC405X-400P.pdf
BYC405X-400PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 400V 10A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 40 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT132-600D,116 BT132-600D%2C116.pdf
BT132-600D,116
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - BT132-600D - 4 QUADRA
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 16749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1584+12.89 грн
Мінімальне замовлення: 1584 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J nxpsc04650d.pdf
NXPSC04650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J nxpsc04650b.pdf
NXPSC04650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+85.97 грн
1600+81.83 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650D6J nxpsc06650d.pdf
NXPSC06650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A DPAK
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650D6J nxpsc08650d.pdf
NXPSC08650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: DPAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+147.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC046506Q nxpsc04650.pdf
NXPSC046506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 4A TO220AC
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
на замовлення 20200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.89 грн
50+111.28 грн
100+101.61 грн
500+79.22 грн
1000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650X6Q nxpsc04650x.pdf
NXPSC04650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 4A
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.89 грн
50+111.28 грн
100+101.61 грн
500+79.22 грн
1000+74.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J.pdf
NXPSC10650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+181.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J nxpsc08650b.pdf
NXPSC08650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+203.19 грн
1600+167.54 грн
2400+157.75 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200Q WNSC021200.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q nxpsc06650.pdf
NXPSC066506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+277.30 грн
10+240.03 грн
100+196.66 грн
500+157.11 грн
1000+132.50 грн
2000+125.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6Q nxpsc06650x.pdf
NXPSC06650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 2855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+294.59 грн
10+255.00 грн
100+208.91 грн
500+166.90 грн
1000+146.42 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506Q nxpsc08650.pdf
NXPSC086506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+332.29 грн
10+268.70 грн
100+217.41 грн
500+181.36 грн
1000+155.29 грн
2000+146.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q.pdf
NXPSC166506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+518.47 грн
50+270.56 грн
100+248.46 грн
500+199.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX ec103d1w.pdf
EC103D1WX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 400V 800MA SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-73
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+9.95 грн
2000+8.63 грн
3000+8.14 грн
5000+7.13 грн
7000+6.82 грн
10000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX ec103d1w.pdf
EC103D1WX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 400V 800MA SC-73
Supplier Device Package: SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
на замовлення 15558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9+37.71 грн
14+22.32 грн
100+14.21 грн
500+10.05 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC60W-600PQ byc60w-600p.pdf
BYC60W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+212.10 грн
30+120.68 грн
120+106.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC20D-600PQ byc20d-600p.pdf
BYC20D-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800E.pdf
ACT108W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800E.pdf
ACT108W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+57.35 грн
10+34.34 грн
100+22.21 грн
500+15.93 грн
1000+14.35 грн
2000+13.02 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CT.pdf
TYN16S-600CTJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 6 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 198A
Current - On State (It (AV)) (Max): 10.2 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L02,112 NUR460.pdf
NUR460/L02,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1297+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 1297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8LR NCR100-8L.pdf
NCR100-8LR
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8MR NCR100-8M.pdf
NCR100-8MR
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q en
NXPSC126506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T.pdf
WNSC06650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T6J.pdf
WNSC08650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T.pdf
WNSC10650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BT.pdf
BTA416X-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CT.pdf
BTA416X-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 1774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+106.05 грн
10+64.68 грн
100+43.14 грн
500+31.82 грн
1000+29.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P.pdf
BYC30-600P,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+251.38 грн
10+158.33 грн
100+110.43 грн
500+84.41 грн
1000+78.24 грн
2000+73.05 грн
5000+66.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200P.pdf
BYC30-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200P.pdf
BYC30W-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600P.pdf
BYC30DW-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2.pdf
BYC30W-600PT2Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+208.96 грн
10+130.94 грн
100+90.68 грн
600+72.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12LX ncr100w-12l.pdf
NCR100W-12LX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12MX ncr100w-12m.pdf
NCR100W-12MX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600P.pdf
BYV10ED-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J nxpsc04650d.pdf
NXPSC04650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+213.67 грн
10+184.65 грн
100+148.40 грн
500+114.42 грн
1000+95.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J nxpsc04650b.pdf
NXPSC04650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+218.39 грн
10+144.26 грн
100+104.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J.pdf
NXPSC10650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+484.69 грн
10+314.61 грн
100+228.34 грн
500+179.78 грн
1000+168.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6J NXPSC10650B6J.pdf
NXPSC10650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+491.76 грн
10+319.68 грн
100+232.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506Q NXPSC106506Q.pdf
NXPSC106506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+452.48 грн
50+232.79 грн
100+217.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6Q NXPSC10650X6Q.pdf
NXPSC10650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+385.71 грн
10+261.28 грн
100+195.86 грн
500+165.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650Q NXPSC10650Q.pdf
NXPSC10650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+421.06 грн
10+272.40 грн
100+196.89 грн
500+154.58 грн
1000+150.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650W_0.pdf
WNSC10650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L03,112 NUR460.pdf
NUR460/L03,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P,133 NUR460P.pdf
NUR460P,133
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L01U NUR460P.pdf
NUR460P/L01U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L02U NUR460P.pdf
NUR460P/L02U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L03U NUR460P.pdf
NUR460P/L03U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L04U NUR460P.pdf
NUR460P/L04U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L05U NUR460P.pdf
NUR460P/L05U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L06U NUR460P.pdf
NUR460P/L06U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L07U NUR460P.pdf
NUR460P/L07U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460PU NUR460P.pdf
NUR460PU
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J.pdf
NXPSC16650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ wns30h100cb.pdf
WNS30H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
800+32.69 грн
1600+29.15 грн
2400+27.95 грн
4000+25.29 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 27 36 45 54 63 72 81 90 96  [ Наступна Сторінка >> ]