Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (6043) > Сторінка 14 з 101

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 30 40 50 60 70 80 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors NXPSC10650D6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+188.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors nxpsc08650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+205.10 грн
1600+169.11 грн
2400+159.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200Q WeEn Semiconductors WNSC021200.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q NXPSC066506Q WeEn Semiconductors nxpsc06650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.90 грн
10+242.28 грн
100+198.50 грн
500+158.59 грн
1000+133.75 грн
2000+127.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6Q NXPSC06650X6Q WeEn Semiconductors NXPSC066506Q.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+357.61 грн
50+178.37 грн
100+162.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506Q NXPSC086506Q WeEn Semiconductors nxpsc08650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.41 грн
10+271.22 грн
100+219.45 грн
500+183.06 грн
1000+156.74 грн
2000+147.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.01 грн
50+303.45 грн
100+278.67 грн
500+220.81 грн
1000+207.75 грн
2000+206.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1WX WeEn Semiconductors EC103D1W.pdf Description: SCR 400V 800MA SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-73
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+11.14 грн
2000+9.67 грн
3000+9.13 грн
5000+8.00 грн
7000+7.67 грн
10000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1WX WeEn Semiconductors EC103D1W.pdf Description: SCR 400V 800MA SC-73
Supplier Device Package: SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.61 грн
12+26.11 грн
100+16.65 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC60W-600PQ BYC60W-600PQ WeEn Semiconductors byc60w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.09 грн
30+121.81 грн
120+107.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC20D-600PQ BYC20D-600PQ WeEn Semiconductors byc20d-600p.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800EF WeEn Semiconductors ACT108W-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800EF WeEn Semiconductors ACT108W-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+35.66 грн
100+23.06 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
2000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CTJ WeEn Semiconductors TYN16S-600CT.pdf Description: SCR 600V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 6 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 198A
Current - On State (It (AV)) (Max): 10.2 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L02,112 NUR460/L02,112 WeEn Semiconductors NUR460.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1297+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 1297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8LR NCR100-8LR WeEn Semiconductors NCR100-8L.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8MR NCR100-8MR WeEn Semiconductors NCR100-8M.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q NXPSC126506Q WeEn Semiconductors en Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T6J WeEn Semiconductors WNSC10650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800BT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800CT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P,127 WeEn Semiconductors BYC30-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.74 грн
10+159.81 грн
100+111.46 грн
500+85.21 грн
1000+78.97 грн
2000+73.73 грн
5000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30-1200P.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC30W-1200P.pdf Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600PQ WeEn Semiconductors BYC30DW-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2Q WeEn Semiconductors BYC30W-600PT2.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.47 грн
10+135.23 грн
100+93.64 грн
600+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12LX NCR100W-12LX WeEn Semiconductors ncr100w-12l.pdf Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12MX NCR100W-12MX WeEn Semiconductors ncr100w-12m.pdf Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV10ED-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J NXPSC04650D6J WeEn Semiconductors nxpsc04650d.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.68 грн
10+186.39 грн
100+149.80 грн
500+115.50 грн
1000+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J NXPSC04650B6J WeEn Semiconductors nxpsc04650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.43 грн
10+145.61 грн
100+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J WeEn Semiconductors NXPSC10650D6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+503.51 грн
10+326.73 грн
100+237.12 грн
500+186.70 грн
1000+175.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6J NXPSC10650B6J WeEn Semiconductors NXPSC10650B6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+510.65 грн
10+332.00 грн
100+241.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506Q NXPSC106506Q WeEn Semiconductors NXPSC106506Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+470.21 грн
50+241.74 грн
100+226.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6Q NXPSC10650X6Q WeEn Semiconductors NXPSC10650X6Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+400.43 грн
10+271.37 грн
100+203.40 грн
500+172.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650Q NXPSC10650Q WeEn Semiconductors NXPSC10650Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.70 грн
10+282.90 грн
100+204.47 грн
500+160.53 грн
1000+156.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650WQ WeEn Semiconductors WNSC10650W_0.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L03,112 NUR460/L03,112 WeEn Semiconductors NUR460.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P,133 NUR460P,133 WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L01U NUR460P/L01U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L02U NUR460P/L02U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L03U NUR460P/L03U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L04U NUR460P/L04U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L05U NUR460P/L05U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L06U NUR460P/L06U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L07U NUR460P/L07U WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460PU NUR460PU WeEn Semiconductors NUR460P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors wns30h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+32.99 грн
1600+29.42 грн
2400+28.22 грн
4000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ WNS30H100CBJ WeEn Semiconductors wns30h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+70.25 грн
100+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650D.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.40 грн
10+125.91 грн
100+86.95 грн
500+65.96 грн
1000+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OT415Q OT415Q WeEn Semiconductors Description: OT415/SIL3P/STANDARD MARKING *
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors wns20s100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+23.19 грн
1600+20.53 грн
2400+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors wns20s100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.43 грн
10+52.00 грн
100+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors wns20h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J.pdf
NXPSC10650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+188.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J nxpsc08650b.pdf
NXPSC08650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+205.10 грн
1600+169.11 грн
2400+159.23 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC021200Q WNSC021200.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC066506Q nxpsc06650.pdf
NXPSC066506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 6A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+279.90 грн
10+242.28 грн
100+198.50 грн
500+158.59 грн
1000+133.75 грн
2000+127.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650X6Q NXPSC066506Q.pdf
NXPSC06650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A TO220F
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Packaging: Tube
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+357.61 грн
50+178.37 грн
100+162.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC086506Q nxpsc08650.pdf
NXPSC086506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.41 грн
10+271.22 грн
100+219.45 грн
500+183.06 грн
1000+156.74 грн
2000+147.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC166506Q NXPSC166506Q.pdf
NXPSC166506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 16A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+582.01 грн
50+303.45 грн
100+278.67 грн
500+220.81 грн
1000+207.75 грн
2000+206.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1W.pdf
EC103D1WX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 400V 800MA SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-73
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+11.14 грн
2000+9.67 грн
3000+9.13 грн
5000+8.00 грн
7000+7.67 грн
10000+7.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EC103D1WX EC103D1W.pdf
EC103D1WX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 400V 800MA SC-73
Supplier Device Package: SC-73
Current - Off State (Max): 100 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.35 V
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 12 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Off State: 400 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Part Status: Active
на замовлення 12284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.61 грн
12+26.11 грн
100+16.65 грн
500+11.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC60W-600PQ byc60w-600p.pdf
BYC60W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 60A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 60A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.09 грн
30+121.81 грн
120+107.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC20D-600PQ byc20d-600p.pdf
BYC20D-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 20A TO220AC
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.9 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220AC
Current - Average Rectified (Io): 20A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 20 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800E.pdf
ACT108W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACT108W-800EF ACT108W-800E.pdf
ACT108W-800EF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 0.8A SC73
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 13A, 14.3A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: SC-73
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 5927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.47 грн
10+35.66 грн
100+23.06 грн
500+16.55 грн
1000+14.90 грн
2000+13.52 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TYN16S-600CTJ TYN16S-600CT.pdf
TYN16S-600CTJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 16A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 6 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 180A, 198A
Current - On State (It (AV)) (Max): 10.2 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: DPAK
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 7500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L02,112 NUR460.pdf
NUR460/L02,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1297+15.39 грн
Мінімальне замовлення: 1297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8LR NCR100-8L.pdf
NCR100-8LR
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100-8MR NCR100-8M.pdf
NCR100-8MR
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT-23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 500 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 µA
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC126506Q en
NXPSC126506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 380pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 80 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T.pdf
WNSC06650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T6J.pdf
WNSC08650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 267pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650T6J WNSC10650T.pdf
WNSC10650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800BTQ BTA416X-800BT.pdf
BTA416X-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 60 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA416X-800CTQ BTA416X-800CT.pdf
BTA416X-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 160A, 176A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 16 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-600P,127 BYC30-600P.pdf
BYC30-600P,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 30
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 600
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 7864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.74 грн
10+159.81 грн
100+111.46 грн
500+85.21 грн
1000+78.97 грн
2000+73.73 грн
5000+67.54 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30-1200PQ BYC30-1200P.pdf
BYC30-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-1200PQ BYC30W-1200P.pdf
BYC30W-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 1200V 30A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30DW-600PQ BYC30DW-600P.pdf
BYC30DW-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 33 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC30W-600PT2Q BYC30W-600PT2.pdf
BYC30W-600PT2Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO2472
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 34 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+216.47 грн
10+135.23 грн
100+93.64 грн
600+74.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12LX ncr100w-12l.pdf
NCR100W-12LX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100W-12MX ncr100w-12m.pdf
NCR100W-12MX
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1KV 1.1A SC73
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 11A, 12.1A
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 1 mA
Supplier Device Package: SC-73
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.1 A
Voltage - Off State: 1 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600P.pdf
BYV10ED-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+18.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650D6J nxpsc04650d.pdf
NXPSC04650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SCHOTTKY 650V 4A DPAK
на замовлення 16439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+215.68 грн
10+186.39 грн
100+149.80 грн
500+115.50 грн
1000+96.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC04650B6J nxpsc04650b.pdf
NXPSC04650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 4A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 130pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 170 µA @ 650 V
на замовлення 3090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+220.43 грн
10+145.61 грн
100+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650D6J NXPSC10650D6J.pdf
NXPSC10650D6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 7204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+503.51 грн
10+326.73 грн
100+237.12 грн
500+186.70 грн
1000+175.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650B6J NXPSC10650B6J.pdf
NXPSC10650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+510.65 грн
10+332.00 грн
100+241.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC106506Q NXPSC106506Q.pdf
NXPSC106506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+470.21 грн
50+241.74 грн
100+226.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650X6Q NXPSC10650X6Q.pdf
NXPSC10650X6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220F
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+400.43 грн
10+271.37 грн
100+203.40 грн
500+172.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC10650Q NXPSC10650Q.pdf
NXPSC10650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+437.70 грн
10+282.90 грн
100+204.47 грн
500+160.53 грн
1000+156.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC10650WQ WNSC10650W_0.pdf
WNSC10650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Last Time Buy
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460/L03,112 NUR460.pdf
NUR460/L03,112
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P,133 NUR460P.pdf
NUR460P,133
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L01U NUR460P.pdf
NUR460P/L01U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L02U NUR460P.pdf
NUR460P/L02U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L03U NUR460P.pdf
NUR460P/L03U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L04U NUR460P.pdf
NUR460P/L04U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L05U NUR460P.pdf
NUR460P/L05U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1.5 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L06U NUR460P.pdf
NUR460P/L06U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460P/L07U NUR460P.pdf
NUR460P/L07U
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NUR460PU NUR460P.pdf
NUR460PU
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 4A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC16650B6J NXPSC16650B6J.pdf
NXPSC16650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 16A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Zero Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 534pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 16 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ wns30h100cb.pdf
WNS30H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+32.99 грн
1600+29.42 грн
2400+28.22 грн
4000+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS30H100CBJ wns30h100cb.pdf
WNS30H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 15A D2PAK
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 15A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
на замовлення 5532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.97 грн
10+70.25 грн
100+47.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650D.pdf
WNSC2D08650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+61.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650DJ WNSC2D08650D.pdf
WNSC2D08650DJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
на замовлення 7463 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+201.40 грн
10+125.91 грн
100+86.95 грн
500+65.96 грн
1000+60.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650T.pdf
WNSC2D08650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650T.pdf
WNSC2D08650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OT415Q
OT415Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: OT415/SIL3P/STANDARD MARKING *
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ wns20s100cb.pdf
WNS20S100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+23.19 грн
1600+20.53 грн
2400+19.61 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ wns20s100cb.pdf
WNS20S100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.43 грн
10+52.00 грн
100+34.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ wns20h100cb.pdf
WNS20H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 30 40 50 60 70 80 90 100 101  [ Наступна Сторінка >> ]