Продукція > WEEN SEMICONDUCTORS > Всі товари виробника WEEN SEMICONDUCTORS (5886) > Сторінка 15 з 99

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 27 36 45 54 63 72 81 90 99  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OT415Q OT415Q WeEn Semiconductors Description: OT415/SIL3P/STANDARD MARKING *
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors wns20s100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+22.87 грн
1600+20.25 грн
2400+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ WNS20S100CBJ WeEn Semiconductors wns20s100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.25 грн
10+51.29 грн
100+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors wns20h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ WNS20H100CBJ WeEn Semiconductors wns20h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.85 грн
10+56.78 грн
100+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQ WNS20S100CQ WeEn Semiconductors wns20s100c.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220E
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.87 грн
50+28.63 грн
100+25.70 грн
500+19.17 грн
1000+17.54 грн
2000+16.16 грн
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJ WNS40H100CBJ WeEn Semiconductors wns40h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.10 грн
1600+42.74 грн
2400+40.93 грн
4000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJ WNS40H100CBJ WeEn Semiconductors wns40h100cb.pdf Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.03 грн
10+90.82 грн
100+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV410X-600,127 BYV410X-600,127 WeEn Semiconductors BYV410X-600.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.35 грн
10+114.85 грн
100+78.56 грн
500+59.14 грн
1000+54.46 грн
2000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT4S-800E,118 ACTT4S-800E,118 WeEn Semiconductors ACTT4S-800E.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 35A, 39A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC75W-1200PQ BYC75W-1200PQ WeEn Semiconductors byc75w-1200p.pdf Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TOPT12-800C0,127 TOPT12-800C0,127 WeEn Semiconductors topt12-800c0.pdf Description: TRIAC 800V 12A TO220AB
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.3 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 95A, 104A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Single
Triac Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TOPT16-800C0,127 TOPT16-800C0,127 WeEn Semiconductors topt16-800c0.pdf Description: TOPT16-800C0,127 SIL3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT6-800CNQ ACTT6-800CNQ WeEn Semiconductors actt6-800cn.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 66A @ 50Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6J WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506Q NXPSC206506Q WeEn Semiconductors nxpsc20650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.68 грн
50+311.08 грн
100+286.31 грн
500+235.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6J NXPSC06650B6J WeEn Semiconductors nxpsc06650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+182.02 грн
1600+153.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT155W-1400TQ BT155W-1400TQ WeEn Semiconductors BT155W-1400T.pdf Description: SCR 1.4KV 79A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 650A, 715A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA330X-800BTQ BTA330X-800BTQ WeEn Semiconductors bta330x-800bt.pdf Description: TRIAC 800V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 270A, 297A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 30 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.70 грн
50+88.64 грн
100+79.66 грн
500+59.98 грн
1000+55.23 грн
2000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100Q-6MX WeEn Semiconductors NCR100Q-6M_0.pdf Description: SCR 600V 800MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-89
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+343.33 грн
30+199.37 грн
120+168.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQ WNSC2D201200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200W.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+646.77 грн
10+427.31 грн
100+346.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQ WNSC2D201200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6J WNSC04650T6J WeEn Semiconductors WNSC04650T.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.80 грн
10+143.39 грн
100+115.22 грн
500+88.84 грн
1000+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T.pdf Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.13 грн
10+214.18 грн
100+175.52 грн
500+140.22 грн
1000+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQ WNSC12650WQ WeEn Semiconductors WNSC12650W_2.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600PJ WeEn Semiconductors BYV10ED-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.94 грн
10+54.45 грн
100+35.91 грн
500+26.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800BTQ BTA425Z-800BTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800BT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600PQ WeEn Semiconductors BYV30JT-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.91 грн
10+116.43 грн
480+64.89 грн
960+56.16 грн
1440+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30W-600PQ WeEn Semiconductors byv30w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30X-600PQ BYV30X-600PQ WeEn Semiconductors BYV30X-600P.pdf Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-1000C0/L01127 BTA208X-1000C0/L01127 WeEn Semiconductors BTA208X-1000C0.pdf Description: NOW WEEN - BTA208X-1000C0 - 3 QU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WDMF75M16T WeEn Semiconductors WDMF75M16.pdf Description: THREE PHASE RECTIFIER BRIDGE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2579.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYV40W-600PQ BYV40W-600PQ WeEn Semiconductors byv40w-600p.pdf Description: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T6J WeEn Semiconductors WNSC12650T_0.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T6J WeEn Semiconductors WNSC12650T_0.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.88 грн
10+192.04 грн
100+136.10 грн
500+105.32 грн
1000+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV430J-600PQ BYV430J-600PQ WeEn Semiconductors BYV430J-600P.pdf Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.20 грн
10+136.24 грн
480+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV415J-600PQ WeEn Semiconductors BYV415J-600P.pdf Description: DIODE ARRAYTO3PF
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-3PF
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHW.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Part Status: Active
Gate Charge: 160 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.80 грн
30+164.03 грн
120+137.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L02Q BTA206X-800CT/L02Q WeEn Semiconductors BTA206X-800CT%20Product%20Rev.04.pdf Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.50 грн
10+55.80 грн
100+36.92 грн
600+26.35 грн
1200+24.01 грн
2400+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800CTQ BTA425Z-800CTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800CT.pdf Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.36 грн
10+143.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4X WeEn Semiconductors ESDALD05UD4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 82200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.87 грн
6000+3.35 грн
9000+3.16 грн
15000+2.76 грн
21000+2.42 грн
30000+2.37 грн
75000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4X WeEn Semiconductors ESDALD05UD4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 82841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.33 грн
22+14.23 грн
100+7.02 грн
500+5.57 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2X WeEn Semiconductors ESDALD05UE2_0.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.59 грн
6000+3.98 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
21000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2X WeEn Semiconductors ESDALD05UE2_0.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 42270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.64 грн
31+10.02 грн
100+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4X WeEn Semiconductors ESDALD05UG4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.75 грн
6000+3.39 грн
9000+3.16 грн
15000+2.82 грн
21000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4X WeEn Semiconductors ESDALD05UG4.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 36618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.42 грн
29+10.47 грн
100+4.91 грн
500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-AQ WeEn Semiconductors NXPSC20650W-A.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650W.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+543.54 грн
30+303.65 грн
120+255.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650Q WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+288.58 грн
50+130.00 грн
100+119.46 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQ WNSC16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC16650CWQ.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D16650CW.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800C0,127 BTA308X-800C0,127 WeEn Semiconductors BTA308X-800C0.pdf Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 65A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.04 грн
50+30.37 грн
100+26.86 грн
500+19.44 грн
1000+17.59 грн
2000+16.02 грн
5000+14.10 грн
10000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA330-800BTQ BTA330-800BTQ WeEn Semiconductors bta330-800bt.pdf Description: TRIAC 800V 30A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6Q NXPSC20650W6Q WeEn Semiconductors nxpsc20650w.pdf Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.17 грн
10+421.74 грн
240+285.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200Q WNSC051200Q WeEn Semiconductors WNSC051200Q.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J NXPSC08650B6J WeEn Semiconductors nxpsc08650b.pdf Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+334.73 грн
10+270.89 грн
100+219.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCR100W-10MF MCR100W-10MF WeEn Semiconductors MCR100W-10M_0.pdf Description: MCR100W-10M/SC-73/REEL 13" Q1/T1
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 23A @ 50Hz, 25A @ 60Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 90 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Off State: 1 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-73
Current - Off State (Max): 1 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D08650TJ WNSC2D08650T.pdf
WNSC2D08650TJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
OT415Q
OT415Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: OT415/SIL3P/STANDARD MARKING *
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ wns20s100cb.pdf
WNS20S100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+22.87 грн
1600+20.25 грн
2400+19.34 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CBJ wns20s100cb.pdf
WNS20S100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.25 грн
10+51.29 грн
100+33.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ wns20h100cb.pdf
WNS20H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20H100CBJ wns20h100cb.pdf
WNS20H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 10A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.85 грн
10+56.78 грн
100+37.45 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS20S100CQ wns20s100c.pdf
WNS20S100CQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARR SCHOTT 100V 10A TO220E
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: TO-220E
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 5861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+57.87 грн
50+28.63 грн
100+25.70 грн
500+19.17 грн
1000+17.54 грн
2000+16.16 грн
5000+14.41 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJ wns40h100cb.pdf
WNS40H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+48.10 грн
1600+42.74 грн
2400+40.93 грн
4000+36.49 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNS40H100CBJ wns40h100cb.pdf
WNS40H100CBJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SCHOT 100V 20A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: D2PAK
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 710 mV @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
на замовлення 4693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.03 грн
10+90.82 грн
100+61.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV410X-600,127 BYV410X-600.pdf
BYV410X-600,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 600V 10A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.1 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 2789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.35 грн
10+114.85 грн
100+78.56 грн
500+59.14 грн
1000+54.46 грн
2000+50.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT4S-800E,118 ACTT4S-800E.pdf
ACTT4S-800E,118
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 20 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 10 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 35A, 39A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 4 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYC75W-1200PQ byc75w-1200p.pdf
BYC75W-1200PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 75A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 1200 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TOPT12-800C0,127 topt12-800c0.pdf
TOPT12-800C0,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 12A TO220AB
Voltage - Off State: 800 V
Current - On State (It (RMS)) (Max): 12 A
Supplier Device Package: TO-220AB
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 2.3 V
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 95A, 104A
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Configuration: Single
Triac Type: Standard
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TOPT16-800C0,127 topt16-800c0.pdf
TOPT16-800C0,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TOPT16-800C0,127 SIL3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ACTT6-800CNQ actt6-800cn.pdf
ACTT6-800CNQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 40 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 66A @ 50Hz
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6J WNSC04650T.pdf
WNSC04650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC206506Q nxpsc20650.pdf
NXPSC206506Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 600pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 650 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+589.68 грн
50+311.08 грн
100+286.31 грн
500+235.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC06650B6J nxpsc06650b.pdf
NXPSC06650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A D2PAK
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+182.02 грн
1600+153.77 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BT155W-1400TQ BT155W-1400T.pdf
BT155W-1400TQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 1.4KV 79A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
SCR Type: Standard Recovery
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 200 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 650A, 715A
Current - On State (It (AV)) (Max): 50 A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.6 V
Current - Off State (Max): 10 µA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 79 A
Voltage - Off State: 1.4 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 960 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA330X-800BTQ bta330x-800bt.pdf
BTA330X-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 30A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 270A, 297A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 30 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+187.70 грн
50+88.64 грн
100+79.66 грн
500+59.98 грн
1000+55.23 грн
2000+51.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NCR100Q-6MX NCR100Q-6M_0.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SCR 600V 800MA SOT89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
SCR Type: Sensitive Gate
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 5 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 µA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 8A, 9A
Current - On State (It (AV)) (Max): 510 mA
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.7 V
Current - Off State (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SOT-89
Current - On State (It (RMS)) (Max): 800 mA
Voltage - Off State: 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D20650CWQ WNSC2D20650CW.pdf
WNSC2D20650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+343.33 грн
30+199.37 грн
120+168.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200WQ WNSC2D201200W.pdf
WNSC2D201200WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 20A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 20A
Capacitance @ Vr, F: 845pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 2391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+646.77 грн
10+427.31 грн
100+346.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D201200CWQ WNSC2D201200CW.pdf
WNSC2D201200CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARR SIC 1200V 20A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 110 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.65 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC04650T6J WNSC04650T.pdf
WNSC04650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.80 грн
10+143.39 грн
100+115.22 грн
500+88.84 грн
1000+73.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC06650T6J WNSC06650T.pdf
WNSC06650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 6 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Current - Average Rectified (Io): 6A
Capacitance @ Vr, F: 190pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC08650T6J WNSC08650T.pdf
WNSC08650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: SILICON CARBIDE POWER DIODE
на замовлення 2876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+247.13 грн
10+214.18 грн
100+175.52 грн
500+140.22 грн
1000+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650WQ WNSC12650W_2.pdf
WNSC12650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 12A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BYV10ED-600PJ BYV10ED-600P.pdf
BYV10ED-600PJ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 4527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.94 грн
10+54.45 грн
100+35.91 грн
500+26.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800BTQ BTA425Z-800BT.pdf
BTA425Z-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 75 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 50 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30JT-600PQ BYV30JT-600P.pdf
BYV30JT-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+186.91 грн
10+116.43 грн
480+64.89 грн
960+56.16 грн
1440+53.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30W-600PQ byv30w-600p.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 30A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 30A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV30X-600PQ BYV30X-600P.pdf
BYV30X-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE STANDARD 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220FP
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA208X-1000C0/L01127 BTA208X-1000C0.pdf
BTA208X-1000C0/L01127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: NOW WEEN - BTA208X-1000C0 - 3 QU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WDMF75M16T WDMF75M16.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: THREE PHASE RECTIFIER BRIDGE
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2579.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BYV40W-600PQ byv40w-600p.pdf
BYV40W-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE GEN PURP 600V 40A TO247-2
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 40 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 40A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 79 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T_0.pdf
WNSC12650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC12650T6J WNSC12650T_0.pdf
WNSC12650T6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 328pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: 5-DFN (8x8)
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+301.88 грн
10+192.04 грн
100+136.10 грн
500+105.32 грн
1000+98.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV430J-600PQ BYV430J-600P.pdf
BYV430J-600PQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY GP 600V 30A TO-3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A
Supplier Device Package: TO-3P
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3565 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.20 грн
10+136.24 грн
480+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BYV415J-600PQ BYV415J-600P.pdf
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAYTO3PF
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3PFM, SC-93-3
Packaging: Tube
Supplier Device Package: TO-3PF
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1920 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WG50N65DHWQ WG50N65DHW.pdf
WG50N65DHWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: IGBT TRENCH FS 650V 91A TO-247-3
Power - Max: 278 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 91 A
Part Status: Active
Gate Charge: 160 nC
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.7mJ (on), 600µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 66ns/163ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247-3
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Reverse Recovery Time (trr): 105 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+287.80 грн
30+164.03 грн
120+137.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA206X-800CT/L02Q BTA206X-800CT%20Product%20Rev.04.pdf
BTA206X-800CT/L02Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 35 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 66A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 6 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 7197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.50 грн
10+55.80 грн
100+36.92 грн
600+26.35 грн
1200+24.01 грн
2400+23.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA425Z-800CTQ BTA425Z-800CT.pdf
BTA425Z-800CTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC SENS GATE 800V 25A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Logic - Sensitive Gate
Configuration: Single
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 250A, 275A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1.3 V
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 25 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.36 грн
10+143.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4.pdf
ESDALD05UD4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 82200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.87 грн
6000+3.35 грн
9000+3.16 грн
15000+2.76 грн
21000+2.42 грн
30000+2.37 грн
75000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UD4X ESDALD05UD4.pdf
ESDALD05UD4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 16VC SOT236L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 5.5A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-6L
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 16V
Power - Peak Pulse: 88W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 82841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
16+20.33 грн
22+14.23 грн
100+7.02 грн
500+5.57 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2_0.pdf
ESDALD05UE2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.59 грн
6000+3.98 грн
9000+3.76 грн
15000+3.29 грн
21000+2.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UE2X ESDALD05UE2_0.pdf
ESDALD05UE2X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC SOT233L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.5pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: SOT-23-3L
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: Yes
Part Status: Active
на замовлення 42270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+15.64 грн
31+10.02 грн
100+3.71 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4.pdf
ESDALD05UG4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+3.75 грн
6000+3.39 грн
9000+3.16 грн
15000+2.82 грн
21000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESDALD05UG4X ESDALD05UG4.pdf
ESDALD05UG4X
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TVS DIODE 5VWM 15VC DFN2510
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: DVI, HDMI, USB
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Supplier Device Package: DFN2510
Unidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 15V
Power - Peak Pulse: 60W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 36618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.42 грн
29+10.47 грн
100+4.91 грн
500+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W-AQ NXPSC20650W-A.pdf
NXPSC20650W-AQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 60 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D20650WQ WNSC6D20650W.pdf
WNSC6D20650WQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 20A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1200pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 20A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.4 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 650 V
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+543.54 грн
30+303.65 грн
120+255.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC6D10650Q WNSC6D10650.pdf
WNSC6D10650Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 500pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-220AC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+288.58 грн
50+130.00 грн
100+119.46 грн
500+92.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC16650CWQ WNSC16650CWQ.pdf
WNSC16650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Last Time Buy
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC2D16650CWQ WNSC2D16650CW.pdf
WNSC2D16650CWQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 16A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 480 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA308X-800C0,127 BTA308X-800C0.pdf
BTA308X-800C0,127
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC ALTERNISTOR 800V 8A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Triac Type: Alternistor - Snubberless
Configuration: Single
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Current - Hold (Ih) (Max): 50 mA
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 35 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 60A, 65A
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A
Voltage - Off State: 800 V
на замовлення 15596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+68.04 грн
50+30.37 грн
100+26.86 грн
500+19.44 грн
1000+17.59 грн
2000+16.02 грн
5000+14.10 грн
10000+13.07 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTA330-800BTQ bta330-800bt.pdf
BTA330-800BTQ
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: TRIAC 800V 30A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC20650W6Q nxpsc20650w.pdf
NXPSC20650W6Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE ARRAY SIC 650V 20A TO247-3
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 250 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+638.17 грн
10+421.74 грн
240+285.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
WNSC051200Q WNSC051200Q.pdf
WNSC051200Q
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARB 1200V 5A TO220AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXPSC08650B6J nxpsc08650b.pdf
NXPSC08650B6J
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Current - Reverse Leakage @ Vr: 230 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 8 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: D2PAK
Current - Average Rectified (Io): 8A
Capacitance @ Vr, F: 260pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+334.73 грн
10+270.89 грн
100+219.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MCR100W-10MF MCR100W-10M_0.pdf
MCR100W-10MF
Виробник: WeEn Semiconductors
Description: MCR100W-10M/SC-73/REEL 13" Q1/T1
Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 800 mV
Current - On State (It (AV)) (Max): 800 mA
Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm): 23A @ 50Hz, 25A @ 60Hz
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 90 µA
Current - Hold (Ih) (Max): 3 mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
SCR Type: Sensitive Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Off State: 1 kV
Current - On State (It (RMS)) (Max): 1.25 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-73
Current - Off State (Max): 1 µA
Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.45 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 27 36 45 54 63 72 81 90 99  [ Наступна Сторінка >> ]