Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4513) > Сторінка 75 з 76
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJL3401AL | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.5A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 96mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJL3401AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJL3404A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJL3404A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.5A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJL3404AQ | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJL3407A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJL3407A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.2W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJL3407AL | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJL3407AL | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.2A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 68mΩ Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJM04N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJM04N10A | Yangjie Technology | Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJM04N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJM05N06A | Yangjie Technology | Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE |
на замовлення 250000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJP25N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 25A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 52W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 11.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJP25N15B | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 25A Pulsed drain current: 90A Power dissipation: 52W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 75mΩ Mounting: THT Gate charge: 11.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJQ13N03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ15GP10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A Type of transistor: P-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -9.5A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 17.2W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 120mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 9372 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ15GP10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A Type of transistor: P-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -9.5A Pulsed drain current: -45A Power dissipation: 17.2W Case: DFN3.3x3.3 EP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 120mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.98nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9372 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ2012A | Yangjie Technology |
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ20N04A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ20P03A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ2301A | Yangjie Technology | Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ3400A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ3400A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 6.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 2W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 45mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.8nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2760 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ3407A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 1.4W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJQ3407A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W Type of transistor: P-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4.4A Pulsed drain current: -22A Power dissipation: 1.4W Case: DFN2020-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 64mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJQ35G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 54W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJQ35G10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 54W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 20mΩ Mounting: SMD Gate charge: 20nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJQ35N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ35N04A | Yangjie Technology | Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ35N04A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 40W Case: DFN3.3x3.3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10mΩ Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2660 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ4606A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ4666B | YANGJIE TECHNOLOGY | YJQ4666B-YAN SMD P channel transistors |
на замовлення 3220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ50N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ50P03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQ60N03A | Yangjie Technology |
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJQD12N03A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJQD25N04A | Yangjie Technology | Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si |
на замовлення 500000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJR20N06A | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 495000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS03N10A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS03N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER HV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 2.4A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS05N06A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS05N15B | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS05N15B-YAN SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS12G06A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS12G06A-YAN SMD N channel transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS12G06D | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS12G10A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS12N03A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS12N10A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A Type of transistor: N-MOSFET Technology: SPLIT GATE TRENCH Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 7.6A Pulsed drain current: 120A Power dissipation: 3.3W Case: SOP8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 80nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
YJS18N03A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET |
на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS2022A | YANGJIE TECHNOLOGY | YJS2022A-YAN SMD P channel transistors |
на замовлення 11278 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS2301A | Yangjie Technology |
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS2301A | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A Type of transistor: P-MOSFET x2 Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -16A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 95mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.3nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 2540 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS3404A | Yangjie Technology |
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS4407J | Yangjie Technology |
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS4409A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS4435A | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F |
на замовлення 400000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
YJS4447B | Yangjie Technology | Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
YJL3401AL |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 7.53 грн |
100+ | 3.2 грн |
370+ | 2.6 грн |
1020+ | 2.46 грн |
3000+ | 2.45 грн |
YJL3401AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.61 грн |
15000+ | 4.16 грн |
30000+ | 3.95 грн |
60000+ | 3.45 грн |
120000+ | 3.12 грн |
300000+ | 2.86 грн |
YJL3404A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3404A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL3404AQ |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.75 грн |
15000+ | 4.37 грн |
30000+ | 4.09 грн |
60000+ | 3.58 грн |
120000+ | 3.25 грн |
300000+ | 2.99 грн |
YJL3407A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3407A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJL3407AL |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3407AL |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.2A; 1.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.2A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 68mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJM04N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJM04N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
Description: SOT-223 N 100V 4A Transistors F
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 6.8 грн |
YJM04N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJM05N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
Description: SOT-223 N 60V 5A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 8.13 грн |
12500+ | 7.43 грн |
25000+ | 6.96 грн |
50000+ | 6.15 грн |
100000+ | 5.53 грн |
250000+ | 5.09 грн |
YJP25N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJP25N15B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJQ13N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.01 грн |
15000+ | 5.46 грн |
30000+ | 5.14 грн |
60000+ | 4.52 грн |
120000+ | 4.09 грн |
300000+ | 3.79 грн |
YJQ15GP10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 21.5 грн |
25+ | 14.51 грн |
72+ | 10.85 грн |
198+ | 10.26 грн |
YJQ15GP10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; -100V; -9.5A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9.5A
Pulsed drain current: -45A
Power dissipation: 17.2W
Case: DFN3.3x3.3 EP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 120mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.98nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 25.79 грн |
25+ | 18.08 грн |
72+ | 13.02 грн |
198+ | 12.31 грн |
YJQ2012A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN2020-6L N 20V 12A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.83 грн |
15000+ | 4.37 грн |
30000+ | 4.09 грн |
60000+ | 3.65 грн |
120000+ | 3.25 грн |
300000+ | 2.99 грн |
YJQ20N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 20A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 9.29 грн |
25000+ | 8.46 грн |
50000+ | 7.98 грн |
100000+ | 7.03 грн |
200000+ | 6.31 грн |
500000+ | 5.86 грн |
YJQ20P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 10.2 грн |
25000+ | 9.24 грн |
50000+ | 8.72 грн |
100000+ | 7.63 грн |
200000+ | 6.9 грн |
500000+ | 6.41 грн |
YJQ2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
Description: DFN2020-6L P -20V -4A Transisto
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.99 грн |
15000+ | 5.42 грн |
30000+ | 5.14 грн |
60000+ | 4.49 грн |
120000+ | 4.09 грн |
300000+ | 3.76 грн |
YJQ3400A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 7.99 грн |
100+ | 4.2 грн |
240+ | 3.4 грн |
500+ | 3.39 грн |
660+ | 3.21 грн |
YJQ3400A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 6.2A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 2W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 9.59 грн |
100+ | 5.24 грн |
240+ | 4.08 грн |
500+ | 4.07 грн |
660+ | 3.85 грн |
YJQ3407A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ3407A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -4.4A; 1.4W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.4A
Pulsed drain current: -22A
Power dissipation: 1.4W
Case: DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJQ35G10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJQ35G10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 120A; 54W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 54W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJQ35N04A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 10.27 грн |
100+ | 8.19 грн |
270+ | 7.74 грн |
YJQ35N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
Description: DFN(3.3x3.3) N 40V 35A Transist
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 12.78 грн |
25000+ | 11.64 грн |
50000+ | 10.97 грн |
100000+ | 9.61 грн |
200000+ | 8.66 грн |
500000+ | 8.04 грн |
YJQ35N04A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 23A; 40W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 40W
Case: DFN3.3x3.3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 14.61 грн |
25+ | 12.79 грн |
100+ | 9.83 грн |
270+ | 9.29 грн |
5000+ | 9.07 грн |
YJQ4606A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 8.35 грн |
25000+ | 7.58 грн |
50000+ | 7.12 грн |
100000+ | 6.26 грн |
200000+ | 5.64 грн |
500000+ | 5.21 грн |
YJQ4666B |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
YJQ4666B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 3220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
41+ | 6.62 грн |
270+ | 3.65 грн |
730+ | 3.45 грн |
YJQ50N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 50A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 12.46 грн |
25000+ | 11.31 грн |
50000+ | 10.68 грн |
100000+ | 9.37 грн |
200000+ | 8.46 грн |
500000+ | 7.81 грн |
YJQ50P03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) P -30V -50A Transi
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 24.49 грн |
25000+ | 22.27 грн |
50000+ | 20.95 грн |
100000+ | 18.42 грн |
200000+ | 16.6 грн |
500000+ | 15.36 грн |
YJQ60N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: DFN(3.3x3.3) N 30V 60A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 19.88 грн |
25000+ | 18.11 грн |
50000+ | 17 грн |
100000+ | 14.97 грн |
200000+ | 13.48 грн |
500000+ | 12.5 грн |
YJQD12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
товар відсутній
YJQD25N04A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 12.78 грн |
25000+ | 11.64 грн |
50000+ | 10.97 грн |
100000+ | 9.61 грн |
200000+ | 8.66 грн |
500000+ | 8.04 грн |
YJR20N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 495000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4950+ | 10.3 грн |
24750+ | 9.36 грн |
49500+ | 8.81 грн |
99000+ | 7.75 грн |
198000+ | 7.03 грн |
495000+ | 6.51 грн |
YJS03N10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L N 100V 3A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.63 грн |
15000+ | 6.04 грн |
30000+ | 5.69 грн |
60000+ | 5.01 грн |
120000+ | 4.49 грн |
300000+ | 4.17 грн |
YJS03N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJS03N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER HV; unipolar; 100V; 2.4A; 1.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER HV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJS05N06A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
Description: SOP-8 N 60V 5A Transistors FETs
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 10.63 грн |
20000+ | 9.7 грн |
40000+ | 9.1 грн |
80000+ | 8.04 грн |
160000+ | 7.22 грн |
400000+ | 6.72 грн |
YJS12G06D |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 60V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 19.31 грн |
20000+ | 17.55 грн |
40000+ | 16.51 грн |
80000+ | 14.52 грн |
160000+ | 13.08 грн |
400000+ | 12.11 грн |
YJS12G10A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 100V 12A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 17.65 грн |
20000+ | 16.09 грн |
40000+ | 15.12 грн |
80000+ | 13.28 грн |
160000+ | 11.98 грн |
400000+ | 11.07 грн |
YJS12N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 12A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.06 грн |
20000+ | 6.38 грн |
40000+ | 6.04 грн |
80000+ | 5.27 грн |
160000+ | 4.75 грн |
400000+ | 4.43 грн |
YJS12N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJS12N10A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 100V; 7.6A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 7.6A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOP8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJS18N03A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
Description: SOP-8 N 30V 18A Transistors FET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 7.96 грн |
YJS2022A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJS2022A-YAN SMD P channel transistors
YJS2022A-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 11278 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 40.97 грн |
173+ | 5.66 грн |
475+ | 5.33 грн |
YJS2301A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOT-23-6L P -20V -3.7A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.83 грн |
15000+ | 4.37 грн |
30000+ | 4.09 грн |
60000+ | 3.65 грн |
120000+ | 3.25 грн |
300000+ | 2.99 грн |
YJS2301A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 4.78 грн |
100+ | 4 грн |
270+ | 3.06 грн |
730+ | 2.89 грн |
YJS2301A |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -3A
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -16A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 5.74 грн |
100+ | 4.98 грн |
270+ | 3.67 грн |
730+ | 3.47 грн |
YJS3404A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: SOP-8 N 30V 8.5A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 6.05 грн |
20000+ | 5.48 грн |
40000+ | 5.13 грн |
80000+ | 4.56 грн |
160000+ | 4.1 грн |
400000+ | 3.78 грн |
YJS4407J |
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 10.88 грн |
20000+ | 9.85 грн |
40000+ | 9.3 грн |
80000+ | 8.14 грн |
160000+ | 7.36 грн |
400000+ | 6.84 грн |
YJS4409A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 20.39 грн |
20000+ | 18.5 грн |
40000+ | 17.45 грн |
80000+ | 15.32 грн |
160000+ | 13.8 грн |
400000+ | 12.81 грн |
YJS4435A |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -10A Transistors F
на замовлення 400000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 6.81 грн |
20000+ | 6.16 грн |
40000+ | 5.82 грн |
80000+ | 5.09 грн |
160000+ | 4.58 грн |
400000+ | 4.27 грн |
YJS4447B |
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
Description: SOP-8 P -30V -18A Transistors F
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 18.34 грн |