Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78756) > Сторінка 1194 з 1313
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN13H750S-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN15H310SE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN15H310SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 5.2A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2004DMK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2004DWKQ-7 | DIODES INCORPORATED | DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
DMN2004TK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2004VK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
DMN2004WK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A On-state resistance: 0.9Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
DMN2004WKQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A On-state resistance: 0.9Ω Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
DMN2005DLP4K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2005K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2005LP4K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
DMN2005UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 1.05W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2005UFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 2.27W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2005UFGQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 2.27W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2005UPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 15A Pulsed drain current: 150A Power dissipation: 2.5W Case: PowerDI5060-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 142nC кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2008LFU-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2008LFU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2009LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2009USS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2011UFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2011UFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2011UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2011UFX-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2013UFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2014LHAB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2015UFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2015UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2016LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2016LHAB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2016UTS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.73A Pulsed drain current: 36A Power dissipation: 0.88W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 16.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 16.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2019UTS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.3A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.78W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 31mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2020LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2644 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
DMN2020UFCL-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 7.1A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 0.61W Case: X1-DFN1616-6 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 26mΩ Mounting: SMD Gate charge: 21.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2022UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2023UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W Mounting: SMD Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 37nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Case: X1-WLB1818-4 Drain-source voltage: 24V Drain current: 4.8A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024UFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024UFU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024UQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024UVT-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2024UVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.8A On-state resistance: 31mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2025UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.3nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 30A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2026UVT-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2026UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2027UPS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2027USS-13 | DIODES INCORPORATED | DMN2027USS-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2028UFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2028UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2028UFDH-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2028UFU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2028USS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2499 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||
DMN2028UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2029USD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
DMN2036UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W Mounting: SMD Power dissipation: 1.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 12.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 30A Case: X2-WLB1616-4 Drain-source voltage: 24V Drain current: 4A On-state resistance: 52mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DMN13H750S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN15H310SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN15H310SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004DMK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004DWK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004DWKQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.31 грн |
180+ | 5.98 грн |
495+ | 5.70 грн |
DMN2004TK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004VK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004WK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004WKQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005DLP4K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005LP4K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 11.09 грн |
140+ | 7.72 грн |
384+ | 7.26 грн |
DMN2005UFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005UFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005UFGQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005UPS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 142nC
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 142nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2008LFU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2008LFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2009LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2009USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2011UFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
DMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2011UFDF-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
DMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2011UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2011UFX-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2013UFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2014LHAB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2015UFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
DMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2015UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2016LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2016LHAB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2016UTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2019UTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2020LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.64 грн |
129+ | 8.37 грн |
355+ | 7.91 грн |
DMN2020UFCL-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2022UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2023UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Case: X1-WLB1818-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Case: X1-WLB1818-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024U-7 SMD N channel transistors
DMN2024U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024UFDF-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UFDF-13 SMD N channel transistors
DMN2024UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN2024UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024UFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UFU-7 Multi channel transistors
DMN2024UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024UQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UQ-13 SMD N channel transistors
DMN2024UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024UVT-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UVT-13 Multi channel transistors
DMN2024UVT-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2024UVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UVTQ-7 Multi channel transistors
DMN2024UVTQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2025UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2025UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2026UVT-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2026UVT-13 SMD N channel transistors
DMN2026UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2026UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2026UVT-7 SMD N channel transistors
DMN2026UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2027UPS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2027UPS-13 SMD N channel transistors
DMN2027UPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2027USS-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2027USS-13 SMD N channel transistors
DMN2027USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2028UFDF-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFDF-13 SMD N channel transistors
DMN2028UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2028UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN2028UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2028UFDH-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFDH-7 SMD N channel transistors
DMN2028UFDH-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2028UFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFU-7 Multi channel transistors
DMN2028UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2028USS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 45.16 грн |
60+ | 18.02 грн |
164+ | 17.10 грн |
DMN2028UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UVT-7 SMD N channel transistors
DMN2028UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2029USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2029USD-13 Multi channel transistors
DMN2029USD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2036UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: X2-WLB1616-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: X2-WLB1616-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.