Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78756) > Сторінка 1194 з 1313

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1310 1313  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN13H750S-7 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30937.pdf DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7 DIODES INCORPORATED ds30935.pdf DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DIODES INCORPORATED DMN2004K.pdf DMN2004K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.31 грн
180+5.98 грн
495+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7 DIODES INCORPORATED ds30936.pdf DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7 DIODES INCORPORATED DMN2004VK.pdf DMN2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7 DMN2004WK-7 DIODES INCORPORATED DMN2004WK.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2004WKQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7 DIODES INCORPORATED ds30801.pdf DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7 DIODES INCORPORATED ds30734.pdf DMN2005K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7 DIODES INCORPORATED ds30799.pdf DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7 DIODES INCORPORATED ds30836.pdf DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
27+11.09 грн
140+7.72 грн
384+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DIODES INCORPORATED DMN2005UFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UFGQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DIODES INCORPORATED DMN2005UPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 142nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13 DIODES INCORPORATED DMN2008LFU.pdf DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DIODES INCORPORATED DMN2008LFU.pdf DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN2009LSS.pdf DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DIODES INCORPORATED DMN2009USS.pdf DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN2011UFDE.pdf DMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf DMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2011UFDF.pdf DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7 DIODES INCORPORATED DMN2011UFX.pdf DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN2013UFDE.pdf DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7 DIODES INCORPORATED DMN2014LHAB.pdf DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN2015UFDE.pdf DMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2015UFDF.pdf DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7 DIODES INCORPORATED ds32053.pdf DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7 DIODES INCORPORATED DMN2016LHAB.pdf DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13 DIODES INCORPORATED ds31995.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13 DIODES INCORPORATED DMN2019UTS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 DIODES INCORPORATED ds31946.pdf DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.64 грн
129+8.37 грн
355+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7 DIODES INCORPORATED DMN2020UFCL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2022UFDF.pdf DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN2023UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Case: X1-WLB1818-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7 DIODES INCORPORATED DMN2024U.pdf DMN2024U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN2024UFDF.pdf DMN2024UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2024UFDF.pdf DMN2024UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7 DIODES INCORPORATED DMN2024UFU.pdf DMN2024UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13 DIODES INCORPORATED DMN2024UQ.pdf DMN2024UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13 DIODES INCORPORATED DMN2024UVT.pdf DMN2024UVT-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2024UVTQ.pdf DMN2024UVTQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN2025UFDB.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2025UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-13 DIODES INCORPORATED DMN2026UVT.pdf DMN2026UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7 DIODES INCORPORATED DMN2026UVT.pdf DMN2026UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13 DIODES INCORPORATED DMN2027UPS.pdf DMN2027UPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13 DIODES INCORPORATED DMN2027USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN2028UFDF.pdf DMN2028UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN2028UFDF.pdf DMN2028UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7 DIODES INCORPORATED DMN2028UFDH.pdf DMN2028UFDH-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DIODES INCORPORATED DMN2028UFU.pdf DMN2028UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DIODES INCORPORATED DMN2028USS.pdf DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+45.16 грн
60+18.02 грн
164+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7 DIODES INCORPORATED DMN2028UVT.pdf DMN2028UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DIODES INCORPORATED DMN2029USD.pdf DMN2029USD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN2036UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: X2-WLB1616-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DMN13H750S.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13 DMN15H310SK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7 ds30937.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7 ds30935.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWKQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004K-7 DMN2004K.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.31 грн
180+5.98 грн
495+5.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7 ds30936.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7 DMN2004VK.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WK-7 DMN2004WK.pdf
DMN2004WK-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004WKQ-7 DMN2004WKQ.pdf
DMN2004WKQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005DLP4K-7 ds30801.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005K-7 ds30734.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LP4K-7 ds30799.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005LPK-7 ds30836.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
27+11.09 грн
140+7.72 грн
384+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-13 DMN2005UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFG-7 DMN2005UFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UFGQ-13 DMN2005UFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2005UPS-13 DMN2005UPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 15A; Idm: 150A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 2.5W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 142nC
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-13 DMN2008LFU.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2008LFU-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2008LFU-7 DMN2008LFU.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2008LFU-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009LSS-13 DMN2009LSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2009LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2009USS-13 DMN2009USS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2009USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDE-7 DMN2011UFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-13 DMN2011UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFDF-7 DMN2011UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2011UFX-7 DMN2011UFX.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2011UFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2013UFDE-7 DMN2013UFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2013UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2014LHAB-7 DMN2014LHAB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2014LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDE-7 DMN2015UFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2015UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2015UFDF-7 DMN2015UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2015UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LFG-7 ds32053.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2016LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016LHAB-7 DMN2016LHAB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2016LHAB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2016UTS-13 ds31995.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.73A; Idm: 36A; 880mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.73A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 0.88W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 16.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2019UTS-13 DMN2019UTS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.3A; Idm: 30A; 780mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.3A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.78W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020LSN-7 ds31946.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2020LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
129+8.37 грн
355+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2020UFCL-7 DMN2020UFCL.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.1A; Idm: 45A; 610mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.1A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 0.61W
Case: X1-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 26mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 21.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2022UFDF-7 DMN2022UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2022UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2023UCB4-7 DMN2023UCB4.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4.8A; Idm: 20A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Case: X1-WLB1818-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024U-7 DMN2024U.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-13 DMN2024UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFDF-7 DMN2024UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UFU-7 DMN2024UFU.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UQ-13 DMN2024UQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVT-13 DMN2024UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UVT-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2024UVTQ-7 DMN2024UVTQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2024UVTQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDB-7 DMN2025UFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 4.8A; Idm: 35A; 1.4W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 31mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2025UFDF-7 DMN2025UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 30A; 1.6W
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.3nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 30A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-13 DMN2026UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2026UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2026UVT-7 DMN2026UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2026UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027UPS-13 DMN2027UPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2027UPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2027USS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2027USS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-13 DMN2028UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDF-7 DMN2028UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFDH-7 DMN2028UFDH.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFDH-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UFU-7 DMN2028UFU.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UFU-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028USS-13 DMN2028USS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028USS-13 SMD N channel transistors
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+45.16 грн
60+18.02 грн
164+17.10 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2028UVT-7 DMN2028UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2028UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2029USD-13 DMN2029USD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2029USD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2036UCB4-7 DMN2036UCB4.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 4A; Idm: 30A; 1.45W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 12.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 30A
Case: X2-WLB1616-4
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 4A
On-state resistance: 52mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1310 1313  Наступна Сторінка >> ]