Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72992) > Сторінка 1194 з 1217

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTB143EC-7-F DDTB143EC-7-F DIODES INCORPORATED DDTB_XXXX_C.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 0.5A
Current gain: 100...600
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB143EU-7-F DDTB143EU-7-F DIODES INCORPORATED DDTB_XXXX_U.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT323; R1: 4.7kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 0.5A
Current gain: 100...600
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33-7-F BZX84C33-7-F DIODES INCORPORATED BZX84Cxx_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 33V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.38 грн
167+2.54 грн
235+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33Q-7-F DIODES INCORPORATED ds18001.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 33V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33-13-F BZX84C33-13-F DIODES INCORPORATED BZX84Cxx_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 33V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33T-7-F BZX84C33T-7-F DIODES INCORPORATED BZX84CxxT_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 33V; SMD; SOT523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33Q-13-F DIODES INCORPORATED ds18001.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 350mW; 33V; SMD; SOT23
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.1%
Case: SOT23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2303MPTR-G1 DIODES INCORPORATED AP2303.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.6÷3.3V; PSOP8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 0.6...3.3V
Output current: 1.75A
Operating voltage: 1.2...5.5/3...5.5V DC
Number of channels: 1
Application: for DDR memories
Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator
Case: PSOP8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2303MTR-G1 AP2303MTR-G1 DIODES INCORPORATED AP2303.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.6÷3.3V; SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 0.6...3.3V
Output current: 1.75A
Operating voltage: 1.2...5.5/3...5.5V DC
Number of channels: 1
Application: for DDR memories
Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator
Case: SO8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13 DIODES INCORPORATED ds31609.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 0.75A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 10MHz
Case: DPAK; TO252
Polarisation: bipolar
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+58.34 грн
12+36.82 грн
100+22.77 грн
500+16.34 грн
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7 DIODES INCORPORATED DMP2078LCA3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -13A; 1.4W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: X4-DSN1006-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40CA-13-F SMAJ40CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.94 грн
50+8.47 грн
57+7.45 грн
100+5.25 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116WS-7 DIODES INCORPORATED BAV116WS.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116WSQ-7 BAV116WSQ-7 DIODES INCORPORATED BAV116WSQ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC86AT14-13 74LVC86AT14-13 DIODES INCORPORATED 74LVC86A.pdf Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 1.65÷5.5VDC; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: LVC
Kind of output: push-pull
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.64 грн
23+19.13 грн
100+12.11 грн
250+10.24 грн
500+8.97 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-13-F S1M-13-F DIODES INCORPORATED s1ab-s1mb.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
на замовлення 13713 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.85 грн
59+7.28 грн
100+4.42 грн
500+3.12 грн
1000+2.69 грн
2500+2.23 грн
5000+1.92 грн
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7Q-7-F BZX84C2V7Q-7-F DIODES INCORPORATED BZX84Cxx_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7.5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7T-7-F DIODES INCORPORATED ds30262.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOT523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7TS-7-F BZX84C2V7TS-7-F DIODES INCORPORATED BZX84CxxTS_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT363
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7.5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7W-7-F BZX84C2V7W-7-F DIODES INCORPORATED BZX84CxxW_SER.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7.5%
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ60CA-13-F SMAJ60CA-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 66.7÷73.7V; 4.1A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...73.7V
Max. forward impulse current: 4.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ60CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 66.7÷73.7V; 4.1A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...73.7V
Max. forward impulse current: 4.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0A-13-F SMCJ5.0A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.4÷7.07V; 163A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 163A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.4÷7.07V; 163A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 163A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ5.0A-13 DIODES INCORPORATED 3.0SMCJxx.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 6.4÷7.07V; 326.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 326.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDS835L-13 DIODES INCORPORATED ds30488.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 35mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDS835L-7 DIODES INCORPORATED ds30488.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 35mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ6V8-13-F SMAZ6V8-13-F DIODES INCORPORATED SMAZx-13-F.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; SMD; SMA; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH10H4M6SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPSWQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7W; PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 4.7W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH6006SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 400A; 2.94W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 400A
Drain current: 12.6A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.94W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMP4006SPSWQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -92A; Idm: -460A; 3.4W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -460A
Drain current: -92A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 162nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.4W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70W-04-7-F BAS70W-04-7-F DIODES INCORPORATED BAS70W_-04_-05_-06.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+18.23 грн
33+12.87 грн
40+10.84 грн
100+5.99 грн
500+4.72 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H-7 2N7002H-7 DIODES INCORPORATED 2N7002H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.50 грн
48+8.97 грн
55+7.70 грн
100+4.86 грн
500+3.63 грн
1000+3.23 грн
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7 2N7002A-7 DIODES INCORPORATED ds31360.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.76 грн
55+7.79 грн
78+5.43 грн
100+4.66 грн
500+3.32 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7 2N7002AQ-7 DIODES INCORPORATED 2N7002AQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H-13 DIODES INCORPORATED 2N7002H.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; 510mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.51W
Case: SOT23
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-F DIODES INCORPORATED 2N7002EQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 292mA; Idm: 1A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 292mA
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ408G KBJ408G DIODES INCORPORATED KBJ4005G_ser.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 120A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Version: flat
Case: KBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+96.63 грн
10+50.28 грн
20+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP408G DIODES INCORPORATED KBP4005G%20THRU%20KBP410G%20N1918%20REV.A.pdf KBP404G-KBP410G.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 130A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 130A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D1213A-01T-7 DIODES INCORPORATED D1213A-01T.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; unidirectional; SOD523; Ch: 1; reel,tape
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 6V
Case: SOD523
Semiconductor structure: unidirectional
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1.2pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600TA FZT600TA DIODES INCORPORATED FZT600A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+70.20 грн
12+35.55 грн
100+24.21 грн
250+21.33 грн
500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT32M5LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT32M5LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13 DIODES INCORPORATED DMT32M5LPSW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2W; PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LCG-7 DIODES INCORPORATED DMT69M5LCG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 208A; 2.64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
Power dissipation: 2.64W
Case: V-DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 208A
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LFVWQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 160A; 2.74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Power dissipation: 2.74W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LH3 DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPSWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH45M5LPSWQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 86A; Idm: 344A; 72W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 86A
Power dissipation: 72W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 344A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT10H4M5LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH32M5LPSQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPDWQ-13 DIODES INCORPORATED DMTH45M5LPDWQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 316A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH63M5LFGQ-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90.3A; 3.4W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90.3A
Power dissipation: 3.4W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.2nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M5LPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH10H4M5LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-F MMBT6427-7-F DIODES INCORPORATED MMBT6427-7-F.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.41 грн
100+4.23 грн
123+3.45 грн
500+2.76 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7 DIODES INCORPORATED DMG7408SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 66A
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP07040DFFTA DIODES INCORPORATED ZXTP07040DFF.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP8803WTG-7 AP8803WTG-7 DIODES INCORPORATED AP8803.pdf Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; LED driver; TSOT25; 1A; Ch: 1; PWM,linear dimming
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSOT25
Output current: 1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8...30V DC
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+88.43 грн
10+60.10 грн
25+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AZ1117D-ADJTRE1 DIODES INCORPORATED AZ1117_Rev5.3_Jan2019_DS.pdf Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷15V; 1A; DPAK
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.25V
Output voltage: 1.25...15V
Output current: 1A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: AZ1117
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.5...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB143EC-7-F DDTB_XXXX_C.pdf
DDTB143EC-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 0.5A
Current gain: 100...600
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDTB143EU-7-F DDTB_XXXX_U.pdf
DDTB143EU-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 500mA; 200mW; SOT323; R1: 4.7kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SOT323
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.2W
Collector current: 0.5A
Current gain: 100...600
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Quantity in set/package: 3000pcs.
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33-7-F BZX84Cxx_SER.pdf
BZX84C33-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 33V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.38 грн
167+2.54 грн
235+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33Q-7-F ds18001.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 33V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33-13-F BZX84Cxx_SER.pdf
BZX84C33-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 33V; SMD; SOT23; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33T-7-F BZX84CxxT_SER.pdf
BZX84C33T-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 33V; SMD; SOT523; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6%
Case: SOT523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C33Q-13-F ds18001.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 350mW; 33V; SMD; SOT23
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 33V
Mounting: SMD
Tolerance: ±6.1%
Case: SOT23
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2303MPTR-G1 AP2303.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.6÷3.3V; PSOP8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 0.6...3.3V
Output current: 1.75A
Operating voltage: 1.2...5.5/3...5.5V DC
Number of channels: 1
Application: for DDR memories
Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator
Case: PSOP8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP2303MTR-G1 AP2303.pdf
AP2303MTR-G1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC; DDR memory termination regulator; Uout: 0.6÷3.3V; SO8
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Output voltage: 0.6...3.3V
Output current: 1.75A
Operating voltage: 1.2...5.5/3...5.5V DC
Number of channels: 1
Application: for DDR memories
Kind of integrated circuit: DDR memory termination regulator
Case: SO8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MJD340-13 ds31609.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 15W; DPAK,TO252
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.5A
Pulsed collector current: 0.75A
Power dissipation: 15W
Current gain: 30...240
Collector-emitter voltage: 300V
Quantity in set/package: 2500pcs.
Frequency: 10MHz
Case: DPAK; TO252
Polarisation: bipolar
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.34 грн
12+36.82 грн
100+22.77 грн
500+16.34 грн
1000+14.14 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2078LCA3-7 DMP2078LCA3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; Idm: -13A; 1.4W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Case: X4-DSN1006-3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -13A
Drain current: -2.7A
Gate charge: 1.6nC
On-state resistance: 0.6Ω
Power dissipation: 1.4W
Gate-source voltage: ±12V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ40CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.94 грн
50+8.47 грн
57+7.45 грн
100+5.25 грн
500+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ40CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 44.4÷49.1V; 6.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...49.1V
Max. forward impulse current: 6.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116WS-7 BAV116WS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV116WSQ-7 BAV116WSQ.pdf
BAV116WSQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOD323; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC86AT14-13 74LVC86A.pdf
74LVC86AT14-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; XOR; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD; TSSOP14; 1.65÷5.5VDC; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of gate: XOR
Number of channels: 4
Number of inputs: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: TSSOP14
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Family: LVC
Kind of output: push-pull
на замовлення 2222 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.64 грн
23+19.13 грн
100+12.11 грн
250+10.24 грн
500+8.97 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S1M-13-F s1ab-s1mb.pdf
S1M-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 1kV; 1A; 1.8us; SMA; Ufmax: 1.1V; Ifsm: 30A
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 1A
Reverse recovery time: 1.8µs
Semiconductor structure: single diode
Case: SMA
Max. forward voltage: 1.1V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 10pF
на замовлення 13713 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.85 грн
59+7.28 грн
100+4.42 грн
500+3.12 грн
1000+2.69 грн
2500+2.23 грн
5000+1.92 грн
10000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7Q-7-F BZX84Cxx_SER.pdf
BZX84C2V7Q-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.35W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT23; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.35W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7.5%
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7T-7-F ds30262.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.15W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.15W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Case: SOT523
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7TS-7-F BZX84CxxTS_SER.pdf
BZX84C2V7TS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT363
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7.5%
Case: SOT363
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: triple independent
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C2V7W-7-F BZX84CxxW_SER.pdf
BZX84C2V7W-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 2.7V; SMD; reel,tape; SOT323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 2.7V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7.5%
Case: SOT323
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ60CA-13-F SMAJ_ser.pdf
SMAJ60CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 66.7÷73.7V; 4.1A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...73.7V
Max. forward impulse current: 4.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ60CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 66.7÷73.7V; 4.1A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 60V
Breakdown voltage: 66.7...73.7V
Max. forward impulse current: 4.1A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ5.0A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.4÷7.07V; 163A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 163A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ5.0AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 6.4÷7.07V; 163A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 163A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
3.0SMCJ5.0A-13 3.0SMCJxx.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 3kW; 6.4÷7.07V; 326.1A; unidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6.4...7.07V
Max. forward impulse current: 326.1A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 1mA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDS835L-13 ds30488.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 35mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDS835L-7 ds30488.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 35V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Max. forward impulse current: 120A
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 35mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAZ6V8-13-F SMAZx-13-F.pdf
SMAZ6V8-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 1W; 6.8V; SMD; SMA; reel,tape; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 1W
Zener voltage: 6.8V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SMA
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPS-13 DMTH10H4M6SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Pulsed drain current: 400A
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M6SPSWQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7W; PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 4.7W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6006SPS-13 DMTH6006SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12.6A; Idm: 400A; 2.94W
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 400A
Drain current: 12.6A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 27.9nC
On-state resistance: 6.2mΩ
Power dissipation: 2.94W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4006SPSWQ-13 DMP4006SPSWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -92A; Idm: -460A; 3.4W
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: -460A
Drain current: -92A
Drain-source voltage: -40V
Gate charge: 162nC
On-state resistance: 7.9mΩ
Power dissipation: 3.4W
Gate-source voltage: ±20V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70W-04-7-F BAS70W_-04_-05_-06.pdf
BAS70W-04-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 70V; 70mA; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.23 грн
33+12.87 грн
40+10.84 грн
100+5.99 грн
500+4.72 грн
1000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H-7 2N7002H.pdf
2N7002H-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.21A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8092 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.50 грн
48+8.97 грн
55+7.70 грн
100+4.86 грн
500+3.63 грн
1000+3.23 грн
3000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002A-7 ds31360.pdf
2N7002A-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.14A; Idm: 0.8A; 0.37W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.14A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 0.8A
Version: ESD
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.76 грн
55+7.79 грн
78+5.43 грн
100+4.66 грн
500+3.32 грн
1000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002AQ-7 2N7002AQ.pdf
2N7002AQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.37W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.37W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H-13 2N7002H.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210mA; 510mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.21A
Power dissipation: 0.51W
Case: SOT23
On-state resistance: 7.5Ω
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002EQ-7-F 2N7002EQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 292mA; Idm: 1A; 700mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 292mA
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBJ408G KBJ4005G_ser.pdf
KBJ408G
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 120A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 120A
Version: flat
Case: KBJ
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.63 грн
10+50.28 грн
20+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KBP408G KBP4005G%20THRU%20KBP410G%20N1918%20REV.A.pdf KBP404G-KBP410G.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 800V; If: 4A; Ifsm: 130A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.8kV
Load current: 4A
Max. forward impulse current: 130A
Version: flat
Case: KBP
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D1213A-01T-7 D1213A-01T.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 6V; unidirectional; SOD523; Ch: 1; reel,tape
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Number of channels: 1
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 6V
Case: SOD523
Semiconductor structure: unidirectional
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS array
Capacitance: 1.2pF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600TA FZT600A.pdf
FZT600TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.20 грн
12+35.55 грн
100+24.21 грн
250+21.33 грн
500+20.82 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LFG-7 DMT32M5LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 24A; Idm: 350A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 24A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67.7nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPS-13 DMT32M5LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT32M5LPSW-13 DMT32M5LPSW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2W; PowerDI5060-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LCG-7 DMT69M5LCG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.7A; Idm: 208A; 2.64W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.7A
Power dissipation: 2.64W
Case: V-DFN3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 208A
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LFVWQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 160A; 2.74W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
Power dissipation: 2.74W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 160A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMT69M5LH3
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 60A; Idm: 300A; 3.3W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 60A
Power dissipation: 3.3W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 28.4nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPSWQ-13 DMTH45M5LPSWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 86A; Idm: 344A; 72W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 86A
Power dissipation: 72W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 344A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT10H4M5LPS-13 DMT10H4M5LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; Idm: 400A; 2.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH32M5LPSQ-13 DMTH32M5LPSQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 350A; 3.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 3.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 68nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 350A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH45M5LPDWQ-13 DMTH45M5LPDWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 55A; Idm: 316A; 3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Power dissipation: 3W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.9nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 316A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH63M5LFGQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90.3A; 3.4W; PowerDI3333-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90.3A
Power dissipation: 3.4W
Case: PowerDI3333-8
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 41.2nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H4M5LPS-13 DMTH10H4M5LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 14A; Idm: 400A; 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 14A
Power dissipation: 2.7W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBT6427-7-F MMBT6427-7-F.pdf
MMBT6427-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 40V; 0.5A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+16.41 грн
100+4.23 грн
123+3.45 грн
500+2.76 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMG7408SFG-7 DMG7408SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Case: PowerDI3333-8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 33mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 7.5A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 66A
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP07040DFFTA ZXTP07040DFF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 3A; 1.5W; SOT23F
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 3A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23F
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP8803WTG-7 AP8803.pdf
AP8803WTG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; buck; LED driver; TSOT25; 1A; Ch: 1; PWM,linear dimming
Type of integrated circuit: driver
Topology: buck
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: TSOT25
Output current: 1A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 8...30V DC
Kind of package: reel; tape
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
на замовлення 743 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+88.43 грн
10+60.10 грн
25+57.56 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AZ1117D-ADJTRE1 AZ1117_Rev5.3_Jan2019_DS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.25÷15V; 1A; DPAK
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 1.25V
Output voltage: 1.25...15V
Output current: 1A
Case: DPAK
Mounting: SMD
Manufacturer series: AZ1117
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Tolerance: ±1%
Number of channels: 1
Input voltage: 1.5...10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1210 1217  [ Наступна Сторінка >> ]