Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78520) > Сторінка 1191 з 1309
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMG4800LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG4800LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8 Drain-source voltage: 30V Drain current: 8.4A On-state resistance: 22mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±25V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG4800LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG4822SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG4822SSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG5802LFX-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG6301UDW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG6301UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG6302UDW-7 | DIODES INCORPORATED | DMG6302UDW-7 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG6402LDM-7 | DIODES INCORPORATED | DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG6402LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26 Case: TSOT26 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2330 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6601LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 3/-2A Power dissipation: 0.54W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.065/0.142Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1573 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG6602SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2523 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMG6602SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 2.7/-2.4A Power dissipation: 0.84W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.06/0.095Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25...-20A Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2994 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG6602SVTX-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG6898LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG6898LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG6968U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6968UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.85W Case: SOT26 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Semiconductor structure: common drain On-state resistance: 24mΩ Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 5.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2837 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG6968UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.5A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 21mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMG7401SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG7401SFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG7408SFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.5A On-state resistance: 33mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 66A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG7430LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1989 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMG7430LFGQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG7430LFGQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG8601UFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW Power dissipation: 920mW Case: U-DFN3030-8 Polarisation: unipolar Drain current: 5.2A Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 8.8nC Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 27A On-state resistance: 34mΩ Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG8822UTS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.9A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 0.87W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 9.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG9926UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.98W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 40mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG9926USD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 6.7A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Gate charge: 8.8nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG9933USD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 1.15W Case: SO8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMGD7N45SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMHC10H170SFJ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMHC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Gate charge: 11.7/11.4nC Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Kind of package: 13 inch reel; tape Mounting: SMD Case: SO8 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6/-4.2A On-state resistance: 25/50mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMHC3025LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMHC4035LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMHC4035LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMHC6070LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMHT3006LFJ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMHT6016LFJ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W Drain-source voltage: 60V Drain current: 11.9A On-state resistance: 30mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 17nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 60A Mounting: SMD Case: V-DFN5045-12 кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMJ70H1D3SK3-13 | DIODES INCORPORATED | DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMJ70H600SH3 | DIODES INCORPORATED | DMJ70H600SH3 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMJT9435-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Power dissipation: 1.2W Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 160MHz Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 3A Pulsed collector current: 6A Quantity in set/package: 2500pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMMT2907A-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.28W Case: SOT26 Current gain: 50...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 307MHz Quantity in set/package: 3000pcs. Pulsed collector current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMMT3904W-13-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 10000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMMT3904W-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMMT3904WQ-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMMT3906-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.225W Case: SOT26 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Semiconductor structure: common base кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMMT3906W-7-f | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMMT3906WQ-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.2W Case: SOT363 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMMT5401-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Case: SOT26 Frequency: 100...300MHz Collector-emitter voltage: 150V Current gain: 30...250 Collector current: 0.2A Type of transistor: PNP x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Quantity in set/package: 3000pcs. кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 889 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMMT5551-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Case: SOT26 Frequency: 100...300MHz Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 50...250 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.3W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMMT5551S-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26 Type of transistor: NPN x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.3W Case: SOT26 Current gain: 50...250 Mounting: SMD Quantity in set/package: 3000pcs. Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN1001UCA10-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1004UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1004UFV-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 80A Mounting: SMD Case: PowerDI3333-8 Drain-source voltage: 12V Drain current: 50A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN1004UFV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD Drain-source voltage: 12V Drain current: 55A On-state resistance: 5.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: PowerDI®3333-8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 212 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN1006UCA6-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1008UFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1008UFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DMG4800LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG4800LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.4A; 1.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.4A
On-state resistance: 22mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.75 грн |
10+ | 35.70 грн |
62+ | 17.14 грн |
170+ | 16.15 грн |
1000+ | 15.51 грн |
DMG4800LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
DMG4800LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG4822SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
DMG4822SSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG4822SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
DMG4822SSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG5802LFX-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
DMG5802LFX-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6301UDW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
DMG6301UDW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6301UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
DMG6301UDW-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6302UDW-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
DMG6302UDW-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6402LDM-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
DMG6402LDM-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6402LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Case: TSOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.21 грн |
14+ | 20.25 грн |
25+ | 15.51 грн |
100+ | 10.98 грн |
169+ | 6.26 грн |
466+ | 5.90 грн |
DMG6601LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 3/-2A
Power dissipation: 0.54W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.065/0.142Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.28 грн |
14+ | 20.72 грн |
17+ | 16.24 грн |
50+ | 9.80 грн |
100+ | 8.25 грн |
155+ | 6.80 грн |
425+ | 6.53 грн |
DMG6602SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
DMG6602SVT-7 Multi channel transistors
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.43 грн |
161+ | 6.59 грн |
443+ | 6.24 грн |
DMG6602SVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 2.7/-2.4A; Idm: 25÷-20A
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 2.7/-2.4A
Power dissipation: 0.84W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.06/0.095Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25...-20A
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2994 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
16+ | 18.56 грн |
50+ | 12.43 грн |
100+ | 10.70 грн |
148+ | 7.26 грн |
405+ | 6.80 грн |
1500+ | 6.62 грн |
DMG6602SVTX-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6602SVTX-7 Multi channel transistors
DMG6602SVTX-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6898LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
DMG6898LSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6898LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
DMG6898LSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG6968U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.26 грн |
23+ | 12.81 грн |
100+ | 9.71 грн |
164+ | 6.44 грн |
450+ | 6.17 грн |
DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 24mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 5.2A; 0.85W; SOT26; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.85W
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Semiconductor structure: common drain
On-state resistance: 24mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2837 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 43.96 грн |
10+ | 32.31 грн |
78+ | 13.70 грн |
214+ | 12.88 грн |
3000+ | 12.52 грн |
DMG6968UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 1.3W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG7401SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
DMG7401SFG-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG7401SFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
DMG7401SFG-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG7408SFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.5A; Idm: 66A; 2.1W
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG7430LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
DMG7430LFG-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1989 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 32.72 грн |
94+ | 11.34 грн |
257+ | 10.79 грн |
DMG7430LFGQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFGQ-13 SMD N channel transistors
DMG7430LFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG7430LFGQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG7430LFGQ-7 SMD N channel transistors
DMG7430LFGQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG8601UFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Power dissipation: 920mW
Case: U-DFN3030-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5.2A; Idm: 27A; 920mW
Power dissipation: 920mW
Case: U-DFN3030-8
Polarisation: unipolar
Drain current: 5.2A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.8nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 27A
On-state resistance: 34mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG8822UTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 0.87W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.9A; Idm: 31A; 870mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.9A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 0.87W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG9926UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; Idm: 30A; 980mW; SOT26
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.98W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG9926USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.7A; Idm: 30A; 1.3W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.8nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG9933USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.15W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 1.15W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.15W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMGD7N45SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
DMGD7N45SSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHC10H170SFJ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
DMHC10H170SFJ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V; 1.5W
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 11.7/11.4nC
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6/-4.2A
On-state resistance: 25/50mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1818 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 71.31 грн |
10+ | 54.45 грн |
33+ | 32.47 грн |
90+ | 30.66 грн |
500+ | 29.48 грн |
DMHC3025LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
DMHC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHC4035LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
DMHC4035LSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHC4035LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
DMHC4035LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHC6070LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
DMHC6070LSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHT3006LFJ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
DMHT3006LFJ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMHT6016LFJ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.9A; Idm: 60A; 2.7W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 11.9A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Mounting: SMD
Case: V-DFN5045-12
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMJ70H1D3SK3-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
DMJ70H1D3SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMJ70H600SH3 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
DMJ70H600SH3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMJT9435-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 160MHz
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Quantity in set/package: 2500pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT2907A-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 60V; 0.6A; 1.28W; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.28W
Case: SOT26
Current gain: 50...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 307MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
Pulsed collector current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT3904W-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 10000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 10000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT3904W-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 24.42 грн |
19+ | 15.26 грн |
50+ | 11.61 грн |
100+ | 10.61 грн |
152+ | 6.98 грн |
419+ | 6.62 грн |
6000+ | 6.35 грн |
DMMT3904WQ-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT3906-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT3906W-7-f |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT3906WQ-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMMT5401-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 150V
Current gain: 30...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: PNP x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Quantity in set/package: 3000pcs.
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.26 грн |
18+ | 16.48 грн |
60+ | 11.97 грн |
100+ | 11.07 грн |
136+ | 7.89 грн |
372+ | 7.44 грн |
1000+ | 7.26 грн |
DMMT5551-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.14 грн |
16+ | 18.37 грн |
50+ | 12.34 грн |
100+ | 10.70 грн |
132+ | 8.07 грн |
363+ | 7.62 грн |
1000+ | 7.35 грн |
DMMT5551S-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1001UCA10-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1001UCA10-7 Multi channel transistors
DMN1001UCA10-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1004UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN1004UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1004UFV-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 80A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1004UFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
On-state resistance: 5.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: PowerDI®3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.14 грн |
57+ | 19.31 грн |
157+ | 17.60 грн |
1000+ | 16.96 грн |
2000+ | 16.87 грн |
DMN1006UCA6-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors
DMN1006UCA6-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1008UFDF-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1008UFDF-13 SMD N channel transistors
DMN1008UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1008UFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors
DMN1008UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.