Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78751) > Сторінка 1191 з 1313
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMC6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 5.1/-3.9A Power dissipation: 1.56W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.04/0.11Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC6040SSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC67D8UFDBQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1012T-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 736.6pC Pulsed drain current: 3A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG1012T-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4801 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1012UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Gate charge: 1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 6A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Version: ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 580pC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A Drain-source voltage: -20V Drain current: -330mA On-state resistance: 1.3Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Version: ESD Mounting: SMD Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013UWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 622.4pC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -3A Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Version: ESD Mounting: SMD Application: automotive industry Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A On-state resistance: 0.45/0.75Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1016UDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1016V-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.63/-0.46A Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2473 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1016VQ-13 | DIODES INCORPORATED | DMG1016VQ-13 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG1016VQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1023UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -680mA On-state resistance: 25Ω Type of transistor: P-MOSFET x2 Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 860 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1023UVQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1024UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.89A On-state resistance: 0.45Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2985 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1026UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 1.8Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.58W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 823 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1026UVQ-7 | DIODES INCORPORATED | DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1029SV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Mounting: SMD Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 0.4/-0.28A On-state resistance: 1.7/4Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.66W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2967 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1029SVQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG10N60SCT | DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 7.9A Pulsed drain current: 15A Power dissipation: 71W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.6Ω Mounting: THT Gate charge: 35nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG2301L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1A Pulsed drain current: -10A Power dissipation: 1.5W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 5.5nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG2301LK-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.9A Pulsed drain current: -8A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 298mΩ Mounting: SMD Gate charge: 3.4nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG2301U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -1.7A Pulsed drain current: -27A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.5nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMG2302UK-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() +1 |
DMG2302UK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.2A Pulsed drain current: 12A Power dissipation: 0.66W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1850 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG2302UKQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG2302UKQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG2302UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG2305UX-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23 Drain-source voltage: -20V Drain current: -3.3A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2742 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG2305UXQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG2305UXQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 10.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG2307L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2A On-state resistance: 0.134Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.76W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG2307LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23 Application: automotive industry Case: SOT23 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A On-state resistance: 0.134Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 8.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2766 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG301NU-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG301NU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 25V Drain current: 0.23A On-state resistance: 5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG302PU-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: -25V Drain current: -140mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG302PU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: -25V Drain current: -140mA On-state resistance: 13Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.35nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: -0.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMG3401LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG3401LSNQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: -30V Drain current: -2.9A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 25.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: -30A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG3402L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 641 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG3402LQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG3402LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A On-state resistance: 85mΩ Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 11.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG3404L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.9A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 13.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 30A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG3404L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.8A On-state resistance: 35mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.33W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 412 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG3406L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG3406L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23 Mounting: SMD Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.8A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2963 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG3407SSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59 Mounting: SMD Case: SC59 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3.6A On-state resistance: 72mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 16nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -30A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG3413L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG3414U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.2A Power dissipation: 0.78W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 37mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2042 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG3414UQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG3414UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMG3415UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2056 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DMC6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
Power dissipation: 1.56W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.23 грн |
10+ | 42.49 грн |
49+ | 22.02 грн |
135+ | 20.82 грн |
1000+ | 20.00 грн |
DMC6040SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC6040SSDQ-13 Multi channel transistors
DMC6040SSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC67D8UFDBQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1012T-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1012T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 7.10 грн |
55+ | 5.24 грн |
499+ | 2.16 грн |
1370+ | 2.04 грн |
DMG1012TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.87 грн |
40+ | 7.15 грн |
56+ | 4.92 грн |
100+ | 4.27 грн |
312+ | 3.45 грн |
500+ | 3.15 грн |
856+ | 3.14 грн |
DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.81 грн |
25+ | 11.56 грн |
50+ | 8.97 грн |
75+ | 8.25 грн |
355+ | 3.03 грн |
974+ | 2.86 грн |
DMG1012UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.67 грн |
18+ | 16.20 грн |
50+ | 11.61 грн |
100+ | 10.20 грн |
241+ | 4.50 грн |
661+ | 4.25 грн |
21000+ | 4.08 грн |
DMG1013T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.81 грн |
28+ | 10.29 грн |
36+ | 7.80 грн |
60+ | 4.61 грн |
100+ | 3.92 грн |
364+ | 2.97 грн |
1001+ | 2.82 грн |
DMG1013TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -330mA; Idm: -6A; 270mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 580pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -330mA
On-state resistance: 1.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1013UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.72 грн |
29+ | 10.19 грн |
100+ | 6.27 грн |
302+ | 3.59 грн |
830+ | 3.39 грн |
3000+ | 3.27 грн |
DMG1013UWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -540mA; Idm: -3A; 310mW
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 622.4pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -3A
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1013UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Version: ESD
Mounting: SMD
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.76 грн |
24+ | 12.29 грн |
50+ | 8.68 грн |
100+ | 7.50 грн |
237+ | 4.58 грн |
651+ | 4.33 грн |
1000+ | 4.28 грн |
DMG1016UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
16+ | 18.67 грн |
50+ | 12.46 грн |
100+ | 10.45 грн |
203+ | 5.29 грн |
558+ | 5.01 грн |
DMG1016UDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1016V-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
18+ | 16.20 грн |
50+ | 10.18 грн |
100+ | 8.53 грн |
147+ | 7.34 грн |
350+ | 6.79 грн |
DMG1016VQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1016VQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1023UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.61 грн |
14+ | 20.48 грн |
100+ | 12.57 грн |
151+ | 7.16 грн |
413+ | 6.79 грн |
DMG1023UVQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1024UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
On-state resistance: 0.45Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.59 грн |
13+ | 22.01 грн |
50+ | 13.67 грн |
100+ | 11.56 грн |
126+ | 8.53 грн |
346+ | 8.07 грн |
3000+ | 7.98 грн |
DMG1026UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.58 грн |
14+ | 21.53 грн |
50+ | 14.95 грн |
100+ | 12.94 грн |
132+ | 8.16 грн |
363+ | 7.71 грн |
3000+ | 7.43 грн |
DMG1026UVQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1029SV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
17+ | 17.24 грн |
100+ | 12.84 грн |
114+ | 9.45 грн |
314+ | 8.99 грн |
3000+ | 8.62 грн |
DMG1029SVQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors
DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG10N60SCT |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2301L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2301LK-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2301U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2302UK-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2302UK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.2A; Idm: 12A; 0.66W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.2A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 0.66W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
19+ | 15.43 грн |
50+ | 10.02 грн |
100+ | 8.36 грн |
245+ | 4.41 грн |
672+ | 4.17 грн |
2000+ | 4.15 грн |
DMG2302UKQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2302UKQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2302UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2305UX-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2305UX-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2742 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
18+ | 16.80 грн |
28+ | 10.38 грн |
50+ | 7.30 грн |
100+ | 6.39 грн |
260+ | 4.16 грн |
713+ | 3.94 грн |
2500+ | 3.79 грн |
DMG2305UXQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2305UXQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG2307L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.76W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
18+ | 16.29 грн |
50+ | 12.31 грн |
100+ | 10.99 грн |
252+ | 4.28 грн |
692+ | 4.05 грн |
DMG2307LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Case: SOT23
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 0.134Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 8.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2766 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.66 грн |
18+ | 16.48 грн |
100+ | 9.91 грн |
162+ | 6.70 грн |
444+ | 6.33 грн |
DMG301NU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.67 грн |
18+ | 16.48 грн |
50+ | 12.48 грн |
100+ | 11.38 грн |
108+ | 9.91 грн |
297+ | 9.36 грн |
500+ | 9.17 грн |
DMG301NU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.67 грн |
17+ | 17.15 грн |
25+ | 13.67 грн |
100+ | 10.64 грн |
145+ | 7.43 грн |
397+ | 7.06 грн |
DMG302PU-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG302PU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3401LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3401LSNQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3402L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.60 грн |
14+ | 21.72 грн |
25+ | 17.06 грн |
50+ | 14.68 грн |
100+ | 12.57 грн |
157+ | 6.97 грн |
430+ | 6.61 грн |
DMG3402LQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3402LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3404L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3404L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 412 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.54 грн |
13+ | 22.39 грн |
25+ | 17.06 грн |
100+ | 11.93 грн |
148+ | 7.34 грн |
407+ | 6.97 грн |
3000+ | 6.70 грн |
DMG3406L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3406L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2963 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.64 грн |
21+ | 13.62 грн |
100+ | 8.14 грн |
221+ | 4.92 грн |
606+ | 4.65 грн |
3000+ | 4.58 грн |
DMG3407SSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3413L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3414U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 0.78W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 0.78W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 42.48 грн |
10+ | 30.49 грн |
100+ | 21.10 грн |
112+ | 9.72 грн |
306+ | 9.17 грн |
3000+ | 8.81 грн |
DMG3414UQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3414UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3415UFY4Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG3415UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors
DMG3415UQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 35.27 грн |
109+ | 9.91 грн |
298+ | 9.36 грн |