Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78760) > Сторінка 1196 з 1313

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1310 1313  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN26D0UFB4-7 DIODES INCORPORATED DMN26D0UFB4.pdf DMN26D0UFB4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 DIODES INCORPORATED ds31854.pdf DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.63 грн
341+3.15 грн
938+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-7 DMN2710UT-7 DIODES INCORPORATED DMN2710UT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5.6A; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 5.6A
Case: SOT523
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJ.pdf DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJQ-7 DIODES INCORPORATED DMN2990UDJQ.pdf DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFA.pdf DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFB.pdf DMN2990UFB-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2990UFZ.pdf DMN2990UFZ-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UDA-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UDA.pdf DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UDJ-7 DIODES INCORPORATED DMN2991UDJ.pdf DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UFO-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UFZ-7B DIODES INCORPORATED DMN2991UFZ.pdf DMN2991UFZ-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSS-13 DMN3007LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3007LSSQ_Web.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3008SFG.pdf DMN3008SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3008SFGQ.pdf DMN3008SFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFV.pdf DMN3009LFV-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVW.pdf DMN3009LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVWQ.pdf DMN3009LFVWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFG.pdf DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3009SFGQ.pdf DMN3009SFGQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.36 грн
10+40.01 грн
53+20.42 грн
146+19.31 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3009SSS.pdf DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3010LFG.pdf DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3010LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31259.pdf DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3013LDG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3013LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3015LSD.pdf DMN3015LSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDN.pdf DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDV-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDV-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LDV.pdf DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDE.pdf DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3016LFDF.pdf DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LK3.pdf DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LPS.pdf DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3016LSS.pdf DMN3016LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13 DMN3018SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+59.42 грн
10+37.72 грн
63+17.29 грн
172+16.37 грн
1000+16.09 грн
2500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3018SSS.pdf DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3020UFDF.pdf DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3021LFDF.pdf DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf DMN3023L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L-7 DIODES INCORPORATED DMN3023L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.64 грн
15+20.34 грн
50+14.25 грн
100+12.41 грн
129+8.37 грн
354+7.91 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LK3.pdf DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSD.pdf DMN3024LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+51.60 грн
54+19.96 грн
148+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 DIODES INCORPORATED DMN3024LSS.pdf DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024SFG-13 DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3024SFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+30.70 грн
11+26.64 грн
70+15.63 грн
191+14.81 грн
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFDF.pdf DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7 DIODES INCORPORATED DMN3025LFG.pdf DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13 DIODES INCORPORATED DMN3025LFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UFB4-7 DMN26D0UFB4.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN26D0UFB4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN26D0UT-7 ds31854.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN26D0UT-7 SMD N channel transistors
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.63 грн
341+3.15 грн
938+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-7 DMN2710UT.pdf
DMN2710UT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 5.6A; 520mW; SOT523
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 5.6A
Case: SOT523
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.7A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.52W
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJ-7 DMN2990UDJ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2990UDJ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UDJQ-7 DMN2990UDJQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFA-7B DMN2990UFA.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFA-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFB-7B DMN2990UFB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFB-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2990UFZ-7B DMN2990UFZ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2990UFZ-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UDA-7B DMN2991UDA.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2991UDA-7B Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UDJ-7 DMN2991UDJ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2991UDJ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UFO-7B
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2991UFO-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UFZ-7B DMN2991UFZ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2991UFZ-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSS-13 DMN3007LSS.pdf
DMN3007LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3007LSSQ-13 DMN3007LSSQ_Web.pdf
DMN3007LSSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 64A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 64A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-13 DMN3008SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3008SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFG-7 DMN3008SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3008SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SFGQ-13 DMN3008SFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3008SFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFV-7 DMN3009LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009LFV-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVW-7 DMN3009LFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVWQ-7 DMN3009LFVWQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009LFVWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-13 DMN3009SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFG-7 DMN3009SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SFGQ-7 DMN3009SFGQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009SFGQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SK3-13 DMN3009SK3.pdf
DMN3009SK3-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 100A; 3.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 3.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1850 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.36 грн
10+40.01 грн
53+20.42 грн
146+19.31 грн
1000+18.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009SSS-13 DMN3009SSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3009SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-13 DMN3010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3010LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LFG-7 DMN3010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3010LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LK3-13 DMN3010LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 10.5A; Idm: 90A; 2.4W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 2.4W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 37nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3010LSS-13 ds31259.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3010LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3013LDG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3013LDG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3013LFG-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3013LFG-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3015LSD-13 DMN3015LSD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3015LSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-13 DMN3016LDN.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDN-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDN-7 DMN3016LDN.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDN-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDV-13 DMN3016LDV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDV-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LDV-7 DMN3016LDV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LDV-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-13 DMN3016LFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDE-7 DMN3016LFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LFDF-7 DMN3016LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LK3-13 DMN3016LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LPS-13 DMN3016LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3016LSS-13 DMN3016LSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3016LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3018SFGQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSD-13 DMN3018SSD.pdf
DMN3018SSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; 1.5W; SO8; ESD
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+59.42 грн
10+37.72 грн
63+17.29 грн
172+16.37 грн
1000+16.09 грн
2500+15.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SSS-13 DMN3018SSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3018SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-13 DMN3020UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3020UFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3020UFDF-7 DMN3020UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3020UFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3021LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3021LFDF-7 DMN3021LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3021LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-13 DMN3023L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3023L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3023L-7 DMN3023L.pdf
DMN3023L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.8A; 0.6W; SOT23; ESD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.8A
On-state resistance: 28mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4438 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.64 грн
15+20.34 грн
50+14.25 грн
100+12.41 грн
129+8.37 грн
354+7.91 грн
1000+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LK3-13 DMN3024LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3024LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSD-13 DMN3024LSD.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3024LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+51.60 грн
54+19.96 грн
148+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024LSS-13 DMN3024LSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3024LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3024SFG-13 DMN3024SFG.pdf
DMN3024SFG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; Idm: 60A; 1.4W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 10.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
Case: PowerDI3333-8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2348 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+30.70 грн
11+26.64 грн
70+15.63 грн
191+14.81 грн
3000+14.25 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFDF-7 DMN3025LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-13 DMN3025LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFG-7 DMN3025LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3025LFV-13 DMN3025LFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; Idm: 55A; 2.2W
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 9.8nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 55A
Mounting: SMD
Case: PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1199 1200 1201 1310 1313  [ Наступна Сторінка >> ]