Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78756) > Сторінка 1190 з 1313
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DGD0506AFN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A Case: WDFN3030-10 Kind of package: reel; tape Supply voltage: 8...14V Output current: -2...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD0506AM10-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; MSOP10 Case: MSOP10 Kind of package: reel; tape Supply voltage: 8...14V Output current: -2...1.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD0507AFN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD05463FN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD05473FN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD05473FNQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD0590AFU-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD1503S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD1504S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DGD2003S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of integrated circuit: gate driver Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DGD2005S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Case: SO8 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Output current: -600...290mA Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 220ns Pulse fall time: 80ns Number of channels: 1 Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: MOSFET half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2101MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2103MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DGD2104MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2 Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -600...290mA Mounting: SMD Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape Topology: IGBT half-bridge Operating temperature: -40...125°C Supply voltage: 10...20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2406 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DGD2106MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2110S16-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1 Mounting: SMD Case: SO16 Operating temperature: -40...125°C Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Supply voltage: 3.3...20V Output current: -2.5...2.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2113S16-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1 Kind of package: reel; tape Operating temperature: -40...125°C Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Mounting: SMD Case: SO16 Supply voltage: 3.3...20V Output current: -2.5...2.5A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 35ns Pulse fall time: 25ns Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2117S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2136MS28-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; gate driver; SO28; -350÷200mA; Ch: 1; 10÷20V Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO28 Supply voltage: 10...20V Output current: -0.35...0.2A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver кількість в упаковці: 1500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD21814S14-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A Supply voltage: 10...20V Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO14 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2181S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Supply voltage: 10...20V Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Supply voltage: 10...20V Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DGD21904MS14-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A Mounting: SMD Case: SO14 Operating temperature: -40...125°C Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V Output current: -4.5...4.5A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2304S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DGTD120T25S1PT | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3 Turn-off time: 367ns Type of transistor: IGBT Pulsed collector current: 100A Collector current: 25A Power dissipation: 174W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 204nC Turn-on time: 110ns Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DGTD65T15H2TF | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 574 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DLD101-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: LED driver Case: DFN8 Output current: 0.8A Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming; PWM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 5...50V DC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DLD101Q-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1 Type of integrated circuit: driver Topology: single transistor Kind of integrated circuit: LED driver Case: DFN8 Output current: 0.8A Number of channels: 1 Integrated circuit features: linear dimming; PWM Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Application: automotive industry Operating voltage: 5...50V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2979 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DLLFSD01LP3-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DLP05LC-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 17A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOT23 Mounting: SMD Leakage current: 20µA Kind of package: reel; tape Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DLPA006-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DM1231-02SO-7 | DIODES INCORPORATED | DM1231-02SO-7 Protection diodes - arrays |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC1029UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC1030UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC1030UFDBQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMC2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.43/-0.54A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.25W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC2004LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: X1-DFN1612-6 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.6/-0.75A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2004VK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2020USD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMC2038LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-4.5A Power dissipation: 1.1W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.035/0.074Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC2038LVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMC2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.8/-0.55A On-state resistance: 0.5/1Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC2450UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Polarisation: unipolar Power dissipation: 1W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Drain current: 1.3/-0.7A Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1/0.5Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Drain-source voltage: 20/-20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC2700UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.14/-1.34A Power dissipation: 1.12W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2834 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC2990UDJ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2990UDJQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC3016LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMC3021LK4-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-9.4A Power dissipation: 2.75W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMC3021LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 5.5/-8.5A Power dissipation: 1.2W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.02/0.045Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2527 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC3025LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC3028LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMC3028LSDX-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMC3032LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.032/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Kind of transistor: complementary pair кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2202 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC3400SDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Version: ESD Power dissipation: 0.39W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT363 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.5/-0.36A On-state resistance: 0.4/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 553 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC4015SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 9.5/-12.2A On-state resistance: 0.015/0.029Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1673 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC4028SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.5/-4.2A On-state resistance: 0.028/0.05Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMC4029SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DGD0506AFN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A
Case: WDFN3030-10
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 8...14V
Output current: -2...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; -2÷1.5A
Case: WDFN3030-10
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 8...14V
Output current: -2...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD0506AM10-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; MSOP10
Case: MSOP10
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 8...14V
Output current: -2...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-side,gate driver; MSOP10
Case: MSOP10
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 8...14V
Output current: -2...1.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD0507AFN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD0507AFN-7 MOSFET/IGBT drivers
DGD0507AFN-7 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD05463FN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD05463FN-7 MOSFET/IGBT drivers
DGD05463FN-7 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD05473FN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD05473FN-7 MOSFET/IGBT drivers
DGD05473FN-7 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD05473FNQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD05473FNQ-7 MOSFET/IGBT drivers
DGD05473FNQ-7 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD0590AFU-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD0590AFU-7 MOSFET/IGBT drivers
DGD0590AFU-7 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD1503S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD1503S8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD1503S8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD1504S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD1504S8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD1504S8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2003S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of integrated circuit: gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2005S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 220ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Output current: -600...290mA
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 220ns
Pulse fall time: 80ns
Number of channels: 1
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2101MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2101MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2101MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2103MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2103MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2103MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2104MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Topology: IGBT half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; gate driver; SO8; -600÷290mA; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Mounting: SMD
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Topology: IGBT half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 139.64 грн |
10+ | 75.44 грн |
16+ | 68.05 грн |
44+ | 64.37 грн |
50+ | 61.61 грн |
DGD2106MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2106MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2106MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2110S16-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Supply voltage: 3.3...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1
Mounting: SMD
Case: SO16
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Supply voltage: 3.3...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2113S16-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 3.3...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; SO16; -2.5÷2.5A; Ch: 1
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Mounting: SMD
Case: SO16
Supply voltage: 3.3...20V
Output current: -2.5...2.5A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 35ns
Pulse fall time: 25ns
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2117S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2117S8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2117S8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2136MS28-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SO28; -350÷200mA; Ch: 1; 10÷20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28
Supply voltage: 10...20V
Output current: -0.35...0.2A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
кількість в упаковці: 1500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; gate driver; SO28; -350÷200mA; Ch: 1; 10÷20V
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28
Supply voltage: 10...20V
Output current: -0.35...0.2A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver
кількість в упаковці: 1500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD21814S14-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2181MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2181MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2181MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2181S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2184MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD21904MS14-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V
Output current: -4.5...4.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V
Output current: -4.5...4.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2190MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2190MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2190MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2304S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2304S8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2304S8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGTD120T25S1PT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Turn-off time: 367ns
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 204nC
Turn-on time: 110ns
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Turn-off time: 367ns
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 204nC
Turn-on time: 110ns
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGTD65T15H2TF |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGTD65T15H2TF THT IGBT transistors
DGTD65T15H2TF THT IGBT transistors
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 130.72 грн |
13+ | 85.52 грн |
35+ | 80.92 грн |
DLD101-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: DFN8
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 5...50V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: DFN8
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 5...50V DC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DLD101Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: DFN8
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: automotive industry
Operating voltage: 5...50V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: LED driver
Case: DFN8
Output current: 0.8A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Application: automotive industry
Operating voltage: 5...50V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 62.39 грн |
13+ | 23.68 грн |
25+ | 20.14 грн |
DLLFSD01LP3-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DLLFSD01LP3-7 SMD universal diodes
DLLFSD01LP3-7 SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DLP05LC-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 17A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 17A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.71 грн |
15+ | 20.25 грн |
50+ | 14.44 грн |
100+ | 12.78 грн |
121+ | 8.98 грн |
331+ | 8.50 грн |
3000+ | 8.18 грн |
DLPA006-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DLPA006-7 Protection diodes - arrays
DLPA006-7 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DM1231-02SO-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DM1231-02SO-7 Protection diodes - arrays
DM1231-02SO-7 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC1029UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC1029UFDB-7 Multi channel transistors
DMC1029UFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC1030UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC1030UFDB-7 SMD N channel transistors
DMC1030UFDB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC1030UFDBQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC1030UFDBQ-7 SMD N channel transistors
DMC1030UFDBQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2004DWK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.43/-0.54A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Case: SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.43/-0.54A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
11+ | 27.22 грн |
25+ | 20.60 грн |
80+ | 13.70 грн |
218+ | 12.97 грн |
500+ | 12.32 грн |
DMC2004LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1612-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.6/-0.75A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1612-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.6/-0.75A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2004VK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2004VK-7 Multi channel transistors
DMC2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2020USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2020USD-13 Multi channel transistors
DMC2020USD-13 Multi channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 66.55 грн |
42+ | 26.02 грн |
114+ | 24.65 грн |
DMC2038LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1258 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.70 грн |
15+ | 19.10 грн |
50+ | 13.24 грн |
100+ | 11.40 грн |
143+ | 7.63 грн |
393+ | 7.17 грн |
DMC2038LVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2038LVTQ-7 Multi channel transistors
DMC2038LVTQ-7 Multi channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.00 грн |
96+ | 11.31 грн |
263+ | 10.67 грн |
DMC2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.8/-0.55A
On-state resistance: 0.5/1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.8/-0.55A
On-state resistance: 0.5/1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
15+ | 19.10 грн |
20+ | 14.25 грн |
100+ | 6.34 грн |
249+ | 4.36 грн |
684+ | 4.12 грн |
3000+ | 3.96 грн |
DMC2450UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Drain current: 1.3/-0.7A
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1/0.5Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Drain current: 1.3/-0.7A
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1/0.5Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.61 грн |
11+ | 26.17 грн |
14+ | 20.32 грн |
50+ | 12.51 грн |
100+ | 10.30 грн |
154+ | 6.99 грн |
424+ | 6.62 грн |
DMC2700UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2834 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.80 грн |
19+ | 15.18 грн |
25+ | 11.70 грн |
100+ | 7.77 грн |
200+ | 5.43 грн |
500+ | 5.15 грн |
548+ | 5.14 грн |
DMC2990UDJ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2990UDJ-7 Multi channel transistors
DMC2990UDJ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2990UDJQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
DMC2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3016LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.94 грн |
66+ | 16.46 грн |
181+ | 15.54 грн |
DMC3021LK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3021LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 49.52 грн |
10+ | 35.05 грн |
64+ | 17.10 грн |
174+ | 16.18 грн |
1000+ | 16.00 грн |
2500+ | 15.54 грн |
DMC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
Power dissipation: 1.2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.49 грн |
10+ | 33.42 грн |
82+ | 13.24 грн |
225+ | 12.51 грн |
DMC3025LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
DMC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3028LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3028LSD-13 Multi channel transistors
DMC3028LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 29.12 грн |
61+ | 17.68 грн |
168+ | 16.72 грн |
DMC3028LSDX-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3028LSDX-13 Multi channel transistors
DMC3028LSDX-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3032LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2202 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 52.49 грн |
10+ | 34.00 грн |
76+ | 14.35 грн |
208+ | 13.61 грн |
2500+ | 13.15 грн |
DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Version: ESD
Power dissipation: 0.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Version: ESD
Power dissipation: 0.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.80 грн |
25+ | 11.84 грн |
30+ | 9.47 грн |
100+ | 5.77 грн |
207+ | 5.27 грн |
500+ | 4.79 грн |
DMC4015SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 9.5/-12.2A
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 9.5/-12.2A
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1673 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 61.40 грн |
10+ | 50.42 грн |
28+ | 39.36 грн |
76+ | 37.24 грн |
500+ | 35.77 грн |
DMC4028SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.5/-4.2A
On-state resistance: 0.028/0.05Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.5/-4.2A
On-state resistance: 0.028/0.05Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC4029SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC4029SSD-13 Multi channel transistors
DMC4029SSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.