Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (72991) > Сторінка 1190 з 1217

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1210 1217  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DDTC123ECA-7-F DIODES INCORPORATED ds30329.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123EE-7-F DIODES INCORPORATED ds30313.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5510TA BCP5510TA DIODES INCORPORATED BCP54_55_56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS339MTR-G1 AS339MTR-G1 DIODES INCORPORATED AS339.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; precision; Cmp: 4; SMT; SO14; reel,tape; 200nA
Kind of output: open collector
Operating temperature: -40...85°C
Input offset current: 200nA
Input offset voltage: 7mV
Number of comparators: 4
Voltage supply range: ± 1...18V DC; 2...36V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: comparator
Case: SO14
Mounting: SMT
Kind of comparator: precision
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+31.91 грн
25+17.61 грн
30+14.39 грн
100+10.67 грн
250+8.89 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS331KTR-G1 AS331KTR-G1 DIODES INCORPORATED AS331.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; SMT; SOT25; reel,tape; 200nA
Kind of output: open collector
Operating temperature: -40...85°C
Input offset current: 200nA
Input offset voltage: 7mV
Number of comparators: 1
Voltage supply range: ± 1...18V DC; 2...36V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: comparator
Case: SOT25
Mounting: SMT
Kind of comparator: low-power
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.50 грн
36+11.85 грн
41+10.41 грн
48+8.97 грн
100+7.36 грн
250+6.69 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD718MCTA ZXTD718MCTA DIODES INCORPORATED ZXTD718MC.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 3.5A; 2.45W; DFN3020B-8
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 3.5A
Power dissipation: 2.45W
Case: DFN3020B-8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 15...475
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150...180MHz
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.26 грн
10+48.67 грн
100+34.45 грн
500+26.75 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9685-7 DIODES INCORPORATED ds30410.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9685Q-7 DIODES INCORPORATED ds30410.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7 DIODES INCORPORATED DMN3008SCP10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7W; X4-DSN3015-10
Drain-source voltage: 30V
Case: X4-DSN3015-10
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3009LFVQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-7 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 DIODES INCORPORATED DMN3069L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LTQ-7 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200mA; 300mW; SOT523
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
On-state resistance:
Power dissipation: 0.3W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 0.55nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX795A DIODES INCORPORATED ZTX795A.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30CAQ-13-F DIODES INCORPORATED ds40740.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷38.3V; 12.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC244AQ20-13 DIODES INCORPORATED 74LVC244A.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 8bit; Ch: 9; IN: 9; CMOS; SMD; V-QFN4525-20; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit
Mounting: SMD
Case: V-QFN4525-20
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Number of channels: 9
Kind of output: push-pull
Number of inputs: 9
Family: LVC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC244AT20-13 74LVC244AT20-13 DIODES INCORPORATED 74LVC244A.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
Manufacturer series: LVC
Technology: CMOS
Quiescent current: 40µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+32.82 грн
20+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400022 DIODES INCORPORATED FL.pdf Category: Resonators and Generators
Description: Resonator: ceramic; 10pF; SMD; ESR: 50Ω; 3.2x2.5mm; 24MHz; -25÷85°C
Operating temperature: -25...85°C
Frequency: 24MHz
Type of resonator: ceramic
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Body dimensions: 3.2x2.5mm
ESR value: 50Ω
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF04M DIODES INCORPORATED DF005_10M.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFM
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFM
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 GBU1006 DIODES INCORPORATED GBU10_ser.pdf description Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+140.39 грн
5+104.12 грн
10+90.58 грн
20+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP3015AKTR-G1 AP3015AKTR-G1 DIODES INCORPORATED AP3015x-DTE.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 1÷12VDC; Uout: 1.23÷34VDC; 0.1A; SOT25
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 1...12V DC
Output voltage: 1.23...34V DC
Output current: 0.1A
Case: SOT25
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Topology: boost
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 81%
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.11 грн
16+26.83 грн
25+23.96 грн
100+20.91 грн
250+19.55 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13 DIODES INCORPORATED DMN3032LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003G-T 1N4003G-T DIODES INCORPORATED 1N4001G_ser.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.76 грн
55+7.79 грн
100+5.34 грн
500+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7 DMP3050LVT-7 DIODES INCORPORATED DMP3050LVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMP3050LVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -25A; 1W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13 DMP3050LSS-13 DIODES INCORPORATED DMP3050LSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; Idm: -30A; 1.1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7 DIODES INCORPORATED DXTP03140BFG.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 1.07W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.07W
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP23140BFHTA DIODES INCORPORATED ZXTP23140BFH.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 2.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170T-7-F BAV170T-7-F DIODES INCORPORATED ds30258.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOT523; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.29 грн
72+5.93 грн
75+5.67 грн
100+4.44 грн
500+3.66 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170Q-13-F BAV170Q-13-F DIODES INCORPORATED BAV170.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.125A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 2pF
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Max. load current: 0.5A
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
200+2.18 грн
500+1.92 грн
2500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170-7-F BAV170-7-F DIODES INCORPORATED ds30234.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.5A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.12 грн
120+3.56 грн
151+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170Q-7-F DIODES INCORPORATED ds30234.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Max. load current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP304G DIODES INCORPORATED KBP304G-KBP310G.pdf KBP3005G%20THRU%20KBP310G%20N1917%20REV.A.pdf kbp302g.pdf Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 3A; Ifsm: 90A; flat
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: KBP
Features of semiconductor devices: glass passivated
Version: flat
Leads: flat pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6SQ-7-F BZT52C5V6SQ-7-F DIODES INCORPORATED BZT52CxxS_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6LP-7 DIODES INCORPORATED BZT52CxxLP_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 5.6V; SMD; reel,tape; X1-DFN1006-2
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: X1-DFN1006-2
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6TQ-7-F DIODES INCORPORATED ds30502.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G07W5-7 74LVC1G07W5-7 DIODES INCORPORATED 74LVC1G07.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT25; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Quiescent current: 200µA
Manufacturer series: LVC
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.12 грн
65+6.60 грн
72+5.93 грн
85+5.01 грн
105+4.04 грн
250+3.63 грн
500+3.40 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5949B-13 1SMB5949B-13 DIODES INCORPORATED 1SMB59xxB_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 100V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 100V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13 DIODES INCORPORATED DMHT10H032LFJ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13 DIODES INCORPORATED DMTH4005SPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDE-7 DMP4047LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMP4047LFDE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.9A; 0.7W; U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.9A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 0.7W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.05 грн
13+34.28 грн
50+24.13 грн
100+20.82 грн
500+15.24 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047SK3-13 DMP4047SK3-13 DIODES INCORPORATED DMP4047SK3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -18A; 1.6W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -18A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+63.81 грн
12+35.98 грн
100+23.79 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13 DIODES INCORPORATED DMC4047LSD-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.3/-6.3A
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDEQ-7 DIODES INCORPORATED DMP4047LFDEQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.2A; Idm: -36A; 2.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -36A
Drain current: -5.2A
Gate charge: 24.9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDEQ-13 DIODES INCORPORATED DMP4047LFDEQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.2A; Idm: -36A; 2.1W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -36A
Drain current: -5.2A
Gate charge: 24.9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CA-13-F SMCJ28CA-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.1÷34.4V; 33A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.73 грн
17+26.33 грн
100+19.22 грн
300+16.25 грн
500+15.07 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.1÷34.4V; 33A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 DMN3150L-7 DIODES INCORPORATED ds31126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
16+29.17 грн
22+19.55 грн
100+11.34 грн
500+7.87 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310FTA ZVN3310FTA DIODES INCORPORATED ZVN3310F.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.1A; Idm: 2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+52.87 грн
13+34.11 грн
100+23.53 грн
300+20.15 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.58 грн
14+30.47 грн
100+17.52 грн
500+12.53 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5210TA BCX5210TA DIODES INCORPORATED BCX51_52_53.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZLLS410TA ZLLS410TA DIODES INCORPORATED ZLLS410.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 1.35A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 1.35A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.38V
Max. forward impulse current: 17A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TA BCP5610TA DIODES INCORPORATED BCP54_55_56.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2240UDM-7 DMP2240UDM-7 DIODES INCORPORATED ds31197.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.5A; 0.6W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.35 грн
26+16.76 грн
100+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2240UW-7 DMP2240UW-7 DIODES INCORPORATED ds31372.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.11 грн
16+26.50 грн
100+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4148-7-F MMBD4148-7-F DIODES INCORPORATED BAS16-7-DTE.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 2pF
Max. load current: 0.3A
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.38 грн
97+4.40 грн
107+3.98 грн
141+3.01 грн
161+2.63 грн
500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4148TW-7-F DIODES INCORPORATED ds30154.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123ECA-7-F ds30329.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC123EE-7-F ds30313.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT523; 2.2kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 2.2kΩ
Current gain: 20
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5510TA BCP54_55_56.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 1000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS339MTR-G1 AS339.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; precision; Cmp: 4; SMT; SO14; reel,tape; 200nA
Kind of output: open collector
Operating temperature: -40...85°C
Input offset current: 200nA
Input offset voltage: 7mV
Number of comparators: 4
Voltage supply range: ± 1...18V DC; 2...36V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: comparator
Case: SO14
Mounting: SMT
Kind of comparator: precision
на замовлення 3337 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+31.91 грн
25+17.61 грн
30+14.39 грн
100+10.67 грн
250+8.89 грн
500+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS331KTR-G1 AS331.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; low-power; Cmp: 1; SMT; SOT25; reel,tape; 200nA
Kind of output: open collector
Operating temperature: -40...85°C
Input offset current: 200nA
Input offset voltage: 7mV
Number of comparators: 1
Voltage supply range: ± 1...18V DC; 2...36V DC
Kind of package: reel; tape
Type of integrated circuit: comparator
Case: SOT25
Mounting: SMT
Kind of comparator: low-power
на замовлення 2770 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.50 грн
36+11.85 грн
41+10.41 грн
48+8.97 грн
100+7.36 грн
250+6.69 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD718MCTA ZXTD718MC.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 20V; 3.5A; 2.45W; DFN3020B-8
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 3.5A
Power dissipation: 2.45W
Case: DFN3020B-8
Pulsed collector current: 6A
Current gain: 15...475
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150...180MHz
на замовлення 2673 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+59.26 грн
10+48.67 грн
100+34.45 грн
500+26.75 грн
1000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9685-7 ds30410.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDZ9685Q-7 ds30410.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.5W; 3.6V; SMD; reel,tape; SOD123; single diode
Mounting: SMD
Case: SOD123
Semiconductor structure: single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.5W
Zener voltage: 3.6V
Tolerance: ±5%
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3008SCP10-7 DMN3008SCP10.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7W; X4-DSN3015-10
Drain-source voltage: 30V
Case: X4-DSN3015-10
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.8mΩ
Power dissipation: 2.7W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 15.8nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3009LFVQ-13 DMN3009LFVQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 2W; PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3018SFGQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.5A; PowerDI3333-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.5A
Case: PowerDI3333-8
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 21mΩ
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3069L-7 DMN3069L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.3W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN33D8LTQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 200mA; 300mW; SOT523
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 0.2A
Case: SOT523
Polarisation: unipolar
On-state resistance:
Power dissipation: 0.3W
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Gate charge: 0.55nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX795A ZTX795A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 0.5A; 1W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Mounting: THT
Quantity in set/package: 4000pcs.
Kind of package: bulk
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ30CAQ-13-F ds40740.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 33.3÷38.3V; 12.4A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 30V
Breakdown voltage: 33.3...38.3V
Max. forward impulse current: 12.4A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC244AQ20-13 74LVC244A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 8bit; Ch: 9; IN: 9; CMOS; SMD; V-QFN4525-20; -40÷150°C
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit
Mounting: SMD
Case: V-QFN4525-20
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Number of channels: 9
Kind of output: push-pull
Number of inputs: 9
Family: LVC
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC244AT20-13 74LVC244A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting,line driver; Ch: 8; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; line driver; non-inverting
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Number of channels: 8
Kind of output: 3-state
Manufacturer series: LVC
Technology: CMOS
Quiescent current: 40µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -20A; 1.9W; SOT23
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -20A
Drain current: -3.6A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.134Ω
Power dissipation: 1.9W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.82 грн
20+22.18 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FL2400022 FL.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Resonators and Generators
Description: Resonator: ceramic; 10pF; SMD; ESR: 50Ω; 3.2x2.5mm; 24MHz; -25÷85°C
Operating temperature: -25...85°C
Frequency: 24MHz
Type of resonator: ceramic
Mounting: SMD
Capacitance: 10pF
Body dimensions: 3.2x2.5mm
ESR value: 50Ω
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+26.98 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DF04M DF005_10M.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 1A; Ifsm: 50A; DFM
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Max. forward impulse current: 50A
Case: DFM
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: glass passivated
Electrical mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 description GBU10_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.39 грн
5+104.12 грн
10+90.58 грн
20+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP3015AKTR-G1 AP3015x-DTE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 1÷12VDC; Uout: 1.23÷34VDC; 0.1A; SOT25
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 1...12V DC
Output voltage: 1.23...34V DC
Output current: 0.1A
Case: SOT25
Mounting: SMD
Frequency: 150kHz
Topology: boost
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Efficiency: 81%
на замовлення 1101 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.11 грн
16+26.83 грн
25+23.96 грн
100+20.91 грн
250+19.55 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-7 DMN3032LFDBQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3032LFDBQ-13 DMN3032LFDBQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 1.7W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4003G-T 1N4001G_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 1A; reel,tape; Ifsm: 30A; DO41; 2us
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 30A
Case: DO41
Max. forward voltage: 1V
Capacitance: 8pF
Reverse recovery time: 2µs
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.76 грн
55+7.79 грн
100+5.34 грн
500+4.11 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVT-7 DMP3050LVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.5A; Idm: -25A; 1.6W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1.6W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LVTQ-7 DMP3050LVTQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.5A; Idm: -25A; 1W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -25A
Power dissipation: 1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3050LSS-13 DMP3050LSS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.9A; Idm: -30A; 1.1W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 1.1W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DXTP03140BFG-7 DXTP03140BFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 4A; 1.07W; PowerDI®3333-8
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 4A
Power dissipation: 1.07W
Case: PowerDI®3333-8
Mounting: SMD
Frequency: 120MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP23140BFHTA ZXTP23140BFH.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 140V; 2.5A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2.5A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Pulsed collector current: 5A
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 130MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170T-7-F ds30258.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOT523; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.1V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.29 грн
72+5.93 грн
75+5.67 грн
100+4.44 грн
500+3.66 грн
1000+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170Q-13-F BAV170.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.125A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.125A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 2pF
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Max. load current: 0.5A
на замовлення 9750 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
200+2.18 грн
500+1.92 грн
2500+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170-7-F ds30234.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Max. load current: 0.5A
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.12 грн
120+3.56 грн
151+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAV170Q-7-F ds30234.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.215A; 3us; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.215A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
Max. load current: 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBP304G KBP304G-KBP310G.pdf KBP3005G%20THRU%20KBP310G%20N1917%20REV.A.pdf kbp302g.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 400V; If: 3A; Ifsm: 90A; flat
Electrical mounting: THT
Kind of package: tube
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. forward voltage: 1.1V
Load current: 3A
Max. forward impulse current: 90A
Max. off-state voltage: 0.4kV
Case: KBP
Features of semiconductor devices: glass passivated
Version: flat
Leads: flat pin
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6SQ-7-F BZT52CxxS_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD323; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6LP-7 BZT52CxxLP_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.25W; 5.6V; SMD; reel,tape; X1-DFN1006-2
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.25W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: X1-DFN1006-2
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52C5V6TQ-7-F ds30502.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.3W; 5.6V; SMD; reel,tape; SOD523; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.3W
Zener voltage: 5.6V
Mounting: SMD
Tolerance: ±7%
Kind of package: reel; tape
Case: SOD523
Semiconductor structure: single diode
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G07W5-7 74LVC1G07.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT25; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: open drain
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Quiescent current: 200µA
Manufacturer series: LVC
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.12 грн
65+6.60 грн
72+5.93 грн
85+5.01 грн
105+4.04 грн
250+3.63 грн
500+3.40 грн
1000+3.24 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5949B-13 1SMB59xxB_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 3W; 100V; SMD; reel,tape; SMB; single diode
Type of diode: Zener
Power dissipation: 3W
Zener voltage: 100V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMHT10H032LFJ-13 DMHT10H032LFJ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 6A
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6A
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.9nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4005SPS-13 DMTH4005SPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; Idm: 320A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 150W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDE-7 DMP4047LFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -4.9A; 0.7W; U-DFN2020-6
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -4.9A
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 0.7W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+51.05 грн
13+34.28 грн
50+24.13 грн
100+20.82 грн
500+15.24 грн
1000+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047SK3-13 DMP4047SK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -18A; 1.6W; TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -18A
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 1.6W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1651 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+63.81 грн
12+35.98 грн
100+23.79 грн
500+18.37 грн
1000+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4047LSD-13 DMC4047LSD-13.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.3/-6.3A
On-state resistance: 0.024/0.04Ω
Power dissipation: 1.3W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDEQ-7 DMP4047LFDEQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.2A; Idm: -36A; 2.1W
Kind of package: 7 inch reel; tape
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -36A
Drain current: -5.2A
Gate charge: 24.9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4047LFDEQ-13 DMP4047LFDEQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -5.2A; Idm: -36A; 2.1W
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Case: U-DFN2020-6
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Pulsed drain current: -36A
Drain current: -5.2A
Gate charge: 24.9nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.1W
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CA-13-F SMCJ_ser.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.1÷34.4V; 33A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+33.73 грн
17+26.33 грн
100+19.22 грн
300+16.25 грн
500+15.07 грн
1000+13.46 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ28CAQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 31.1÷34.4V; 33A; bidirectional; SMC; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 28V
Breakdown voltage: 31.1...34.4V
Max. forward impulse current: 33A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN3150L-7 ds31126.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 54mΩ
Power dissipation: 1.4W
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Drain-source voltage: 30V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2845 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+29.17 грн
22+19.55 грн
100+11.34 грн
500+7.87 грн
1000+6.94 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZVN3310FTA ZVN3310F.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.1A; Idm: 2A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.1A
Pulsed drain current: 2A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 680 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.87 грн
13+34.11 грн
100+23.53 грн
300+20.15 грн
500+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4.7A; Idm: 30A; 7.5W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 4.7A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 7.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1206 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+45.58 грн
14+30.47 грн
100+17.52 грн
500+12.53 грн
1000+11.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5210TA BCX51_52_53.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1A; 1W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: SOT89
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZLLS410TA ZLLS410.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOD323; SMD; 10V; 1.35A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SOD323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 10V
Load current: 1.35A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.38V
Max. forward impulse current: 17A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5610TA BCP54_55_56.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Current gain: 63...160
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2240UDM-7 ds31197.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -1.5A; 0.6W; SOT26
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.5A
Power dissipation: 0.6W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5802 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+27.35 грн
26+16.76 грн
100+12.87 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2240UW-7 ds31372.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -5A; 0.25W; SOT323
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
Case: SOT323
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Pulsed drain current: -5A
Drain current: -1A
On-state resistance: 0.15Ω
Power dissipation: 0.25W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.11 грн
16+26.50 грн
100+15.24 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4148-7-F BAS16-7-DTE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Capacitance: 2pF
Max. load current: 0.3A
на замовлення 739 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
72+6.38 грн
97+4.40 грн
107+3.98 грн
141+3.01 грн
161+2.63 грн
500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMBD4148TW-7-F ds30154.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; SOT363; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Features of semiconductor devices: small signal
Case: SOT363
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 121 242 363 484 605 726 847 968 1089 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1210 1217  Наступна Сторінка >> ]