Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78522) > Сторінка 1190 з 1309

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1300 1309  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMG1016UDWQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7 DMG1016V-7 DIODES INCORPORATED ds31767.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.35 грн
18+16.01 грн
50+10.07 грн
100+8.44 грн
147+7.26 грн
350+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13 DIODES INCORPORATED DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1016VQ.pdf DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7 DMG1023UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.26 грн
14+20.25 грн
100+12.43 грн
149+7.17 грн
411+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1023UVQ.pdf DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7 DMG1024UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1024UV-DTE.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+33.21 грн
13+21.76 грн
50+13.52 грн
100+11.43 грн
125+8.53 грн
344+7.98 грн
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UV.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+34.19 грн
14+21.29 грн
50+14.79 грн
100+12.79 грн
131+8.07 грн
361+7.62 грн
3000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7 DIODES INCORPORATED DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7 DIODES INCORPORATED DMG1029SV-7.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.24 грн
17+17.05 грн
100+12.70 грн
114+9.34 грн
312+8.89 грн
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7 DIODES INCORPORATED GS114.pdf DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10N60SCT DMG10N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L-13 DIODES INCORPORATED DMG2301L.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-13 DMG2301LK-13 DIODES INCORPORATED DMG2301LK.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U-7 DIODES INCORPORATED DMG2301U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UK.pdf DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
17+17.63 грн
243+4.38 грн
667+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UKQ.pdf DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2302UQ.pdf DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7 DMG2305UX-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UX.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+16.61 грн
28+10.27 грн
50+7.22 грн
100+6.32 грн
258+4.11 грн
709+3.89 грн
2500+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2305UXQ.pdf DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DIODES INCORPORATED DMG2307L.pdf DMG2307L-7 SMD P channel transistors
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.32 грн
251+4.24 грн
690+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.70 грн
161+6.62 грн
443+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13 DMG301NU-13 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.38 грн
18+16.30 грн
50+12.34 грн
100+11.25 грн
108+9.80 грн
297+9.25 грн
500+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU-7 DIODES INCORPORATED DMG301NU.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.38 грн
17+16.96 грн
25+13.52 грн
100+10.52 грн
145+7.35 грн
397+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13 DMG302PU-13 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7 DMG302PU-7 DIODES INCORPORATED DMG302PU.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3401LSNQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7 DMG3402L-7 DIODES INCORPORATED DMG3402L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.24 грн
14+21.48 грн
25+16.87 грн
50+14.51 грн
100+12.43 грн
155+6.80 грн
425+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3402LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13 DMG3404L-13 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7 DMG3404L-7 DIODES INCORPORATED DMG3404L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.12 грн
13+22.14 грн
25+16.87 грн
100+11.79 грн
150+7.26 грн
412+6.89 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13 DMG3406L-13 DIODES INCORPORATED DMG3406L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7 DMG3406L-7 DIODES INCORPORATED DMG3406L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+29.31 грн
21+13.47 грн
100+8.05 грн
219+4.87 грн
500+4.86 грн
601+4.60 грн
3000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7 DIODES INCORPORATED DMG3407SSN.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7 DIODES INCORPORATED DMG3413L.pdf DMG3413L-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DIODES INCORPORATED DMG3414U.pdf DMG3414U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.74 грн
111+9.62 грн
304+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3414UQ.pdf DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DIODES INCORPORATED DMG3415UFY4Q.pdf DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3415U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+40.05 грн
11+27.13 грн
100+18.60 грн
109+10.07 грн
298+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf DMG3418L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7 DIODES INCORPORATED DMG3418L.pdf DMG3418L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7 DIODES INCORPORATED DMG3420UQ.pdf DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
21+14.16 грн
160+6.71 грн
435+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCT DMG3N60SCT DIODES INCORPORATED Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS-13 DIODES INCORPORATED DMG4407SSS.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 DIODES INCORPORATED ds31754.pdf DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 DMG4466SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32137.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13 DMG4466SSSL-13 DIODES INCORPORATED ds32244.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31857.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13 DIODES INCORPORATED DMG4468LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 DIODES INCORPORATED ds32048.pdf DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13 DIODES INCORPORATED DMG4511SK4-13.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+74.24 грн
10+48.61 грн
37+28.85 грн
102+27.30 грн
500+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7 DIODES INCORPORATED ds31785.pdf DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13 DIODES INCORPORATED ds31959.pdf DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016UDWQ-7 DMG1016UDWQ_Rev1.3_Jan2022.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1016UDWQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016V-7 ds31767.pdf
DMG1016V-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 0.63/-0.46A; 0.53W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.63/-0.46A
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2473 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.35 грн
18+16.01 грн
50+10.07 грн
100+8.44 грн
147+7.26 грн
350+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1016VQ-7 DMG1016VQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1016VQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UV-7 DMG1023UV.pdf
DMG1023UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.68A; 0.53W; SOT563; ESD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -680mA
On-state resistance: 25Ω
Type of transistor: P-MOSFET x2
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 860 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.26 грн
14+20.25 грн
100+12.43 грн
149+7.17 грн
411+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1023UVQ-7 DMG1023UVQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1023UVQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1024UV-7 DMG1024UV-DTE.pdf
DMG1024UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.89A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.89A
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+33.21 грн
13+21.76 грн
50+13.52 грн
100+11.43 грн
125+8.53 грн
344+7.98 грн
3000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UV-7 DMG1026UV.pdf
DMG1026UV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1A; 0.58W; SOT563
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
On-state resistance: 1.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.58W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 823 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+34.19 грн
14+21.29 грн
50+14.79 грн
100+12.79 грн
131+8.07 грн
361+7.62 грн
3000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1026UVQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1026UVQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SV-7 DMG1029SV-7.pdf
DMG1029SV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 0.4/-0.28A
On-state resistance: 1.7/4Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.24 грн
17+17.05 грн
100+12.70 грн
114+9.34 грн
312+8.89 грн
3000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG1029SVQ-7 GS114.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1029SVQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG10N60SCT
DMG10N60SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.9A; Idm: 15A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301L-13 DMG2301L.pdf
DMG2301L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1A; Idm: -10A; 1.5W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1A
Pulsed drain current: -10A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301LK-13 DMG2301LK.pdf
DMG2301LK-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.9A; Idm: -8A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.9A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 298mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 3.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2301U-7 DMG2301U.pdf
DMG2301U-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -1.7A; Idm: -27A; 800mW; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.7A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.5nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-13 DMG2302UK.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UK-7 DMG2302UK.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3770 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
17+17.63 грн
243+4.38 грн
667+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-13 DMG2302UKQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UKQ-7 DMG2302UKQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2302UQ-7 DMG2302UQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2302UQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-13 DMG2305UX.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2305UX-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UX-7 DMG2305UX.pdf
DMG2305UX-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3.3A; 1.4W; SOT23
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+16.61 грн
28+10.27 грн
50+7.22 грн
100+6.32 грн
258+4.11 грн
709+3.89 грн
2500+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-13 DMG2305UXQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2305UXQ-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2305UXQ-7 DMG2305UXQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2305UXQ-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307L-7 DMG2307L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2307L-7 SMD P channel transistors
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.32 грн
251+4.24 грн
690+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG2307LQ-7 DMG2307LQ_Rev2.3_Feb2022.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG2307LQ-7 SMD P channel transistors
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.70 грн
161+6.62 грн
443+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-13 DMG301NU.pdf
DMG301NU-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.38 грн
18+16.30 грн
50+12.34 грн
100+11.25 грн
108+9.80 грн
297+9.25 грн
500+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG301NU-7 DMG301NU.pdf
DMG301NU-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 0.23A; 0.4W; SOT23; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 0.23A
On-state resistance: 5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.38 грн
17+16.96 грн
25+13.52 грн
100+10.52 грн
145+7.35 грн
397+6.98 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-13 DMG302PU.pdf
DMG302PU-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG302PU-7 DMG302PU.pdf
DMG302PU-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -140mA; Idm: -0.5A; 450mW
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: -25V
Drain current: -140mA
On-state resistance: 13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.35nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: -0.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSN-7 DMG3401LSN.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3401LSNQ-7 DMG3401LSNQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.9A; Idm: -30A; 1.2W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.9A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 25.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402L-7 DMG3402L.pdf
DMG3402L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 85mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.24 грн
14+21.48 грн
25+16.87 грн
50+14.51 грн
100+12.43 грн
155+6.80 грн
425+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-13 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3402LQ-7 DMG3402LQ.pdf
DMG3402LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
On-state resistance: 85mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 11.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-13 DMG3404L.pdf
DMG3404L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.9A; Idm: 30A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.9A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 13.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 30A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3404L-7 DMG3404L.pdf
DMG3404L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.8A; 1.33W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 35mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 422 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.12 грн
13+22.14 грн
25+16.87 грн
100+11.79 грн
150+7.26 грн
412+6.89 грн
3000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-13 DMG3406L.pdf
DMG3406L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Mounting: SMD
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3406L-7 DMG3406L.pdf
DMG3406L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.8A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.8A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+29.31 грн
21+13.47 грн
100+8.05 грн
219+4.87 грн
500+4.86 грн
601+4.60 грн
3000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3407SSN-7 DMG3407SSN.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; Idm: -30A; 1.1W; SC59
Mounting: SMD
Case: SC59
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
On-state resistance: 72mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 16nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -30A
кількість в упаковці: 5 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3413L-7 DMG3413L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3413L-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414U-7 DMG3414U.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3414U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.74 грн
111+9.62 грн
304+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-13 DMG3414UQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3414UQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UFY4Q-7 DMG3415UFY4Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3415UFY4Q-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3415UQ-7 DMG3415U.pdf
DMG3415UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2A; 0.9W; SOT23; ESD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.9W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 71mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1434 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.05 грн
11+27.13 грн
100+18.60 грн
109+10.07 грн
298+9.52 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-13 DMG3418L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3418L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3418L-7 DMG3418L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3418L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3420UQ-7 DMG3420UQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG3420UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2865 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
21+14.16 грн
160+6.71 грн
435+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3N60SCT
DMG3N60SCT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 2A; Idm: 3.7A; 42W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 3.7A
Power dissipation: 42W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12.6C
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4407SSS-13 DMG4407SSS.pdf
DMG4407SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; Idm: -80A; 1.82W; SO8
Case: SO8
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
On-state resistance: 17mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.82W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 41nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: -80A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4413LSS-13 ds31754.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4413LSS-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSS-13 ds32137.pdf
DMG4466SSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4466SSSL-13 ds32244.pdf
DMG4466SSSL-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6A; Idm: 60A; 1.42W; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6A
On-state resistance: 33mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.42W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 17nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LFG-7 ds31857.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.83A; Idm: 45.9A; 990mW
Mounting: SMD
Case: U-DFN3030-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.83A
On-state resistance: 23.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 45.9A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4468LK3-13 DMG4468LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.3A; Idm: 48A; 1.68W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.3A
On-state resistance: 25mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 18.85nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4496SSS-13 ds32048.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4496SSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4511SK4-13 DMG4511SK4-13.pdf
DMG4511SK4-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 35/-35V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 35/-35V
Drain current: 7.8/-8.6A
Power dissipation: 1.54W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.035/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2447 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+74.24 грн
10+48.61 грн
37+28.85 грн
102+27.30 грн
500+26.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LFG-7 ds31785.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4800LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMG4800LK3-13 ds31959.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG4800LK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 130 260 390 520 650 780 910 1040 1170 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1300 1309  [ Наступна Сторінка >> ]