Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78760) > Сторінка 1197 з 1313
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN3025LFV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3025LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3026LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3027LFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3027LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3028LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3029LFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3030LSS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN3032LE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223 Mounting: SMD Case: SOT223 Drain-source voltage: 30V Drain current: 4.1A On-state resistance: 29mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1264 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN3032LFDB-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3032LFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3032LFDBQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6 Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 Kind of package: 13 inch reel; tape Application: automotive industry Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 25A Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 42mΩ кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3032LFDBQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3033LDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3033LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3033LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3033LSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3033LSNQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3035LWN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3042L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN3042L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 5A On-state resistance: 32mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.72W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1244 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN3042LFDF-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3042LFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3051L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3051LDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN3053L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 55mΩ Gate charge: 17.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 35A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMN3053L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.48W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 50mΩ Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1098 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN3055LFDB-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.87W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3055LFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 4A Power dissipation: 0.87W Case: U-DFN2020-6 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 75mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11.2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 25A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3060LCA3-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3060LW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3060LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3060LWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3060LWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3061LCA3-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W Case: X4-DSN1006-3 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.5A On-state resistance: 0.16Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.88W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 20A Mounting: SMD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3061SWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323 Case: SOT323 Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.7A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.65W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 3.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 22A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3065LW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3065LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3066LQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN3067LW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323 Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 98mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.1W Polarisation: unipolar Gate charge: 4.6nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMN3067LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323 Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 30V Drain current: 2.1A On-state resistance: 67mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 10A Mounting: SMD Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1849 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN3070SSN-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3071LFR4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H14DLY-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89 On-state resistance: 20Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 2.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Gate charge: 4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1A Mounting: SMD Case: SOT89 Drain-source voltage: 300V Drain current: 0.16A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H4D0L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H4D0L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H4D0LFDE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H4D0LFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H4D1S-13 | DIODES INCORPORATED | DMN30H4D1S-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN30H4D1S-7 | DIODES INCORPORATED | DMN30H4D1S-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3110S-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN3115UDMQ-13 | DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26 Case: SOT26 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.13Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 12.8A Mounting: SMD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN3135LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3135LVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN313DLT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN3150L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23 Case: SOT23 Drain-source voltage: 30V Drain current: 3.1A On-state resistance: 54mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.4W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 15A Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN3150LW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3190LDW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN3190LDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 619 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN3190LDWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DMN3025LFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3025LFV-7 SMD N channel transistors
DMN3025LFV-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3025LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3025LSS-13 SMD N channel transistors
DMN3025LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3026LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3026LVT-7 SMD N channel transistors
DMN3026LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3027LFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3027LFG-13 SMD N channel transistors
DMN3027LFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3027LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
DMN3027LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3028LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3028LQ-7 SMD N channel transistors
DMN3028LQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3029LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3029LFG-7 SMD N channel transistors
DMN3029LFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3030LSS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3030LSS-13 SMD N channel transistors
DMN3030LSS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3032LE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4.1A; Idm: 25A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Case: SOT223
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.1A
On-state resistance: 29mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 57.44 грн |
10+ | 39.34 грн |
71+ | 15.27 грн |
194+ | 14.44 грн |
2500+ | 14.25 грн |
DMN3032LFDB-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
DMN3032LFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3032LFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3032LFDB-7 SMD N channel transistors
DMN3032LFDB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3032LFDBQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; Idm: 25A; 1.7W; U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3032LFDBQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
DMN3032LFDBQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3033LDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LDM-7 SMD N channel transistors
DMN3033LDM-7 SMD N channel transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.54 грн |
109+ | 9.84 грн |
300+ | 9.38 грн |
DMN3033LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSD-13 SMD N channel transistors
DMN3033LSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3033LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
DMN3033LSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3033LSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
DMN3033LSN-7 SMD N channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.18 грн |
87+ | 12.51 грн |
237+ | 11.86 грн |
DMN3033LSNQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
DMN3033LSNQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3035LWN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
DMN3035LWN-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3042L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3042L-13 SMD N channel transistors
DMN3042L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3042L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.72W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 0.72W; SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.72W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.78 грн |
21+ | 13.75 грн |
50+ | 10.12 грн |
100+ | 9.10 грн |
168+ | 6.44 грн |
461+ | 6.07 грн |
3000+ | 5.89 грн |
DMN3042LFDF-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3042LFDF-13 SMD N channel transistors
DMN3042LFDF-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3042LFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3042LFDF-7 SMD N channel transistors
DMN3042LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3051L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3051L-7 SMD N channel transistors
DMN3051L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3051LDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
DMN3051LDM-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3053L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 17.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 35A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 55mΩ
Gate charge: 17.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 35A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3053L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; 0.48W; SOT23; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.48W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 50mΩ
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
16+ | 19.00 грн |
50+ | 15.63 грн |
100+ | 12.32 грн |
111+ | 9.66 грн |
304+ | 9.20 грн |
1000+ | 8.83 грн |
DMN3055LFDB-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3055LFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 4A; Idm: 25A; 870mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4A
Power dissipation: 0.87W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 25A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3060LCA3-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
DMN3060LCA3-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3060LW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
DMN3060LW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3060LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
DMN3060LW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3060LWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
DMN3060LWQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3060LWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
DMN3060LWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3061LCA3-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Case: X4-DSN1006-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.5A; Idm: 20A; 1.88W
Case: X4-DSN1006-3
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.5A
On-state resistance: 0.16Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.88W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 20A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3061SWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 22A; 650mW; SOT323
Case: SOT323
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 3.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 22A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3065LW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
DMN3065LW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3065LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3065LW-7 SMD N channel transistors
DMN3065LW-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.12 грн |
155+ | 6.95 грн |
426+ | 6.58 грн |
DMN3066LQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
DMN3066LQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3067LW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 1.1W; SOT323
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 98mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.1W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3067LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.1A; Idm: 10A; 0.5W; SOT323
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.1A
On-state resistance: 67mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 10A
Mounting: SMD
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.69 грн |
15+ | 19.48 грн |
50+ | 13.61 грн |
100+ | 11.77 грн |
161+ | 6.71 грн |
441+ | 6.35 грн |
1500+ | 6.25 грн |
DMN3070SSN-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
DMN3070SSN-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3071LFR4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3071LFR4-7 SMD N channel transistors
DMN3071LFR4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H14DLY-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Mounting: SMD
Case: SOT89
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 0.16A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89
On-state resistance: 20Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 1A
Mounting: SMD
Case: SOT89
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 0.16A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H4D0L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0L-13 SMD N channel transistors
DMN30H4D0L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H4D0L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0L-7 SMD N channel transistors
DMN30H4D0L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H4D0LFDE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0LFDE-13 SMD N channel transistors
DMN30H4D0LFDE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H4D0LFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D0LFDE-7 SMD N channel transistors
DMN30H4D0LFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H4D1S-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D1S-13 SMD N channel transistors
DMN30H4D1S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN30H4D1S-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN30H4D1S-7 SMD N channel transistors
DMN30H4D1S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3110S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3110S-7 SMD N channel transistors
DMN3110S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3115UDMQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.2A; Idm: 12.8A; 900mW; SOT26
Case: SOT26
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 12.8A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3135LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
DMN3135LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3135LVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3135LVTQ-7 SMD N channel transistors
DMN3135LVTQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN313DLT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN313DLT-7 SMD N channel transistors
DMN313DLT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3150L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.1A; Idm: 15A; 1.4W; SOT23
Case: SOT23
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 54mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 15A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.66 грн |
14+ | 20.82 грн |
25+ | 15.45 грн |
100+ | 10.76 грн |
161+ | 6.71 грн |
441+ | 6.35 грн |
3000+ | 6.07 грн |
DMN3150LW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3150LW-7 SMD N channel transistors
DMN3150LW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3190LDW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
DMN3190LDW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN3190LDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDW-7 Multi channel transistors
DMN3190LDW-7 Multi channel transistors
на замовлення 619 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.61 грн |
188+ | 5.73 грн |
517+ | 5.42 грн |
75000+ | 5.41 грн |
DMN3190LDWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN3190LDWQ-7 Multi channel transistors
DMN3190LDWQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.