Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78522) > Сторінка 1189 з 1309
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DGD21814S14-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A Supply voltage: 10...20V Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO14 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2181MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2181S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Supply voltage: 10...20V Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2184MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A Supply voltage: 10...20V Output current: -2.3...1.9A Type of integrated circuit: driver Impulse rise time: 60ns Pulse fall time: 35ns Number of channels: 1 Kind of package: reel; tape Kind of integrated circuit: gate driver; high-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DGD21904MS14-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A Mounting: SMD Case: SO14 Operating temperature: -40...125°C Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge Supply voltage: 10...20V Output current: -4.5...4.5A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 2 Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DGD2190MS8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DGD2304S8-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DGTD120T25S1PT | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3 Turn-off time: 367ns Type of transistor: IGBT Pulsed collector current: 100A Collector current: 25A Power dissipation: 174W Gate-emitter voltage: ±20V Collector-emitter voltage: 1.2kV Kind of package: tube Case: TO247-3 Gate charge: 204nC Turn-on time: 110ns Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DGTD65T15H2TF | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 574 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DLD101-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DLD101Q-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1 Case: DFN8 Output current: 0.8A Type of integrated circuit: driver Number of channels: 1 Application: automotive industry Integrated circuit features: linear dimming; PWM Kind of integrated circuit: LED driver Topology: single transistor Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Operating voltage: 5...50V DC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2984 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DLLFSD01LP3-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DLP05LC-7-F | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1 Type of diode: TVS Peak pulse power dissipation: 0.3kW Max. off-state voltage: 5V Breakdown voltage: 6V Max. forward impulse current: 17A Semiconductor structure: unidirectional Case: SOT23 Mounting: SMD Leakage current: 20µA Kind of package: reel; tape Number of channels: 1 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 323 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DLPA006-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DM1231-02SO-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC1029UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC1030UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC1030UFDBQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2021 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMC2004LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Case: X1-DFN1612-6 Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.6/-0.75A On-state resistance: 0.55/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2004VK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2020USD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 789 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMC2038LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-4.5A Power dissipation: 1.1W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.035/0.074Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2778 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC2038LVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3/-2.1A On-state resistance: 0.056/0.168Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: TSOT26 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2897 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.8/-0.55A On-state resistance: 0.5/1Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.45W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Case: SOT563 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 620 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC2450UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Polarisation: unipolar Power dissipation: 1W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Drain current: 1.3/-0.7A Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 1/0.5Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Drain-source voltage: 20/-20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC2700UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.14/-1.34A Power dissipation: 1.12W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2835 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC2990UDJ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC2990UDJQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC3016LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 610 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
DMC3021LK4-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 6.8/-9.4A Power dissipation: 2.75W Case: TO252-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMC3021LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.021/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 136 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC3025LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 5.5/-8.5A On-state resistance: 0.02/0.045Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC3025LSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC3028LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 385 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMC3028LSDX-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMC3032LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 7/-8.1A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.032/0.039Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2232 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC3400SDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V Mounting: SMD Power dissipation: 0.39W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: SOT363 Drain-source voltage: 30/-30V Drain current: 0.5/-0.36A On-state resistance: 0.4/0.9Ω Type of transistor: N/P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC4015SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 9.5/-12.2A On-state resistance: 0.015/0.029Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1687 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMC4028SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.5/-4.2A On-state resistance: 0.028/0.05Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SO8 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMC4029SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 6.5/-9A Power dissipation: 1.3W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.024/0.045Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMC4040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 630 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMC4040SSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC4047LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMC4050SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V Case: SO8 Drain-source voltage: 40/-40V Drain current: 5.8/-5.5A On-state resistance: 0.045/0.045Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.8W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC4050SSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMC6040SSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V Case: SO8 Drain-source voltage: 60/-60V Drain current: 5.1/-3.9A On-state resistance: 0.04/0.11Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 1.56W Polarisation: unipolar Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2089 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMC6040SSDQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMC67D8UFDBQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1012T-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.28W Case: SOT523 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 736.6pC Pulsed drain current: 3A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMG1012T-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4801 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1012TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.45A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.28W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1012UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 1A On-state resistance: 0.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.29W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1012UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323 Mounting: SMD Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.75A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.61W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 6A Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2494 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1013T-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -0.33A On-state resistance: 0.7Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.27W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: -6A Case: SOT523 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1670 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1013TQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1013UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16785 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMG1013UWQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMG1013UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD Mounting: SMD Drain-source voltage: -20V Drain current: -540mA On-state resistance: 1.5Ω Type of transistor: P-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.31W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT323 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3074 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DMG1016UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 0.85/-1.07A On-state resistance: 0.45/0.75Ω Type of transistor: N/P-MOSFET Power dissipation: 0.53W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of transistor: complementary pair Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Case: SOT363 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
DGD21814S14-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO14
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2181MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2181MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2181MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2181S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2184MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -2.3÷1.9A
Supply voltage: 10...20V
Output current: -2.3...1.9A
Type of integrated circuit: driver
Impulse rise time: 60ns
Pulse fall time: 35ns
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD21904MS14-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V
Output current: -4.5...4.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO14; -4.5÷4.5A
Mounting: SMD
Case: SO14
Operating temperature: -40...125°C
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Supply voltage: 10...20V
Output current: -4.5...4.5A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2190MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2190MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2190MS8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGD2304S8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGD2304S8-13 MOSFET/IGBT drivers
DGD2304S8-13 MOSFET/IGBT drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGTD120T25S1PT |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Turn-off time: 367ns
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 204nC
Turn-on time: 110ns
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 174W; TO247-3
Turn-off time: 367ns
Type of transistor: IGBT
Pulsed collector current: 100A
Collector current: 25A
Power dissipation: 174W
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Kind of package: tube
Case: TO247-3
Gate charge: 204nC
Turn-on time: 110ns
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DGTD65T15H2TF |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DGTD65T15H2TF THT IGBT transistors
DGTD65T15H2TF THT IGBT transistors
на замовлення 574 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 128.94 грн |
13+ | 84.36 грн |
35+ | 79.82 грн |
DLD101-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DLD101-7 LED drivers
DLD101-7 LED drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DLD101Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1
Case: DFN8
Output current: 0.8A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Application: automotive industry
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of integrated circuit: LED driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 5...50V DC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: LED drivers
Description: IC: driver; single transistor; LED driver; DFN8; 800mA; Ch: 1
Case: DFN8
Output current: 0.8A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 1
Application: automotive industry
Integrated circuit features: linear dimming; PWM
Kind of integrated circuit: LED driver
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Operating voltage: 5...50V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2984 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 73.26 грн |
11+ | 27.69 грн |
25+ | 23.58 грн |
47+ | 23.04 грн |
100+ | 21.23 грн |
500+ | 20.95 грн |
DLLFSD01LP3-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DLLFSD01LP3-7 SMD universal diodes
DLLFSD01LP3-7 SMD universal diodes
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DLP05LC-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 17A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 300W; 6V; 17A; unidirectional; SOT23; reel,tape; Ch: 1
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.3kW
Max. off-state voltage: 5V
Breakdown voltage: 6V
Max. forward impulse current: 17A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 20µA
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 323 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.31 грн |
15+ | 19.97 грн |
50+ | 14.24 грн |
100+ | 12.61 грн |
121+ | 8.86 грн |
331+ | 8.38 грн |
3000+ | 8.07 грн |
DLPA006-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DLPA006-7 Protection diodes - arrays
DLPA006-7 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DM1231-02SO-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DM1231-02SO-7 Protection diodes - arrays
DM1231-02SO-7 Protection diodes - arrays
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC1029UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC1029UFDB-7 Multi channel transistors
DMC1029UFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC1030UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC1030UFDB-7 SMD N channel transistors
DMC1030UFDB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC1030UFDBQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC1030UFDBQ-7 SMD N channel transistors
DMC1030UFDBQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2004DWK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2004DWK-7 Multi channel transistors
DMC2004DWK-7 Multi channel transistors
на замовлення 2021 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 29.70 грн |
77+ | 13.97 грн |
210+ | 13.15 грн |
DMC2004LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1612-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.6/-0.75A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1612-6
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.6/-0.75A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2004VK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2004VK-7 Multi channel transistors
DMC2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2020USD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2020USD-13 Multi channel transistors
DMC2020USD-13 Multi channel transistors
на замовлення 789 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.64 грн |
42+ | 25.67 грн |
114+ | 24.31 грн |
DMC2038LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 30.28 грн |
15+ | 18.84 грн |
50+ | 13.06 грн |
100+ | 11.25 грн |
143+ | 7.53 грн |
391+ | 7.08 грн |
DMC2038LVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.1A
On-state resistance: 0.056/0.168Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: TSOT26
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3/-2.1A
On-state resistance: 0.056/0.168Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: TSOT26
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 47.67 грн |
10+ | 29.95 грн |
25+ | 22.40 грн |
96+ | 11.34 грн |
263+ | 10.70 грн |
1000+ | 10.34 грн |
DMC2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.8/-0.55A
On-state resistance: 0.5/1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.8/-0.55A
On-state resistance: 0.5/1Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.45W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Case: SOT563
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 620 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.33 грн |
15+ | 18.84 грн |
20+ | 14.06 грн |
100+ | 6.25 грн |
249+ | 4.30 грн |
684+ | 4.06 грн |
3000+ | 3.91 грн |
DMC2450UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Drain current: 1.3/-0.7A
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1/0.5Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 1W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Drain current: 1.3/-0.7A
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 1/0.5Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Drain-source voltage: 20/-20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.07 грн |
11+ | 25.81 грн |
14+ | 20.05 грн |
50+ | 12.34 грн |
100+ | 10.16 грн |
154+ | 6.98 грн |
424+ | 6.53 грн |
DMC2700UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.51 грн |
19+ | 14.98 грн |
25+ | 11.54 грн |
100+ | 7.66 грн |
199+ | 5.36 грн |
500+ | 5.08 грн |
546+ | 5.07 грн |
DMC2990UDJ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2990UDJ-7 Multi channel transistors
DMC2990UDJ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC2990UDJQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
DMC2990UDJQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3016LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors
DMC3016LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.30 грн |
66+ | 16.24 грн |
181+ | 15.33 грн |
DMC3021LK4-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.8/-9.4A
Power dissipation: 2.75W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3021LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.5A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.021/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 48.84 грн |
10+ | 34.57 грн |
64+ | 16.78 грн |
174+ | 15.87 грн |
1000+ | 15.78 грн |
2500+ | 15.33 грн |
DMC3025LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 5.5/-8.5A
On-state resistance: 0.02/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.77 грн |
10+ | 32.97 грн |
80+ | 13.61 грн |
219+ | 12.88 грн |
2500+ | 12.43 грн |
DMC3025LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
DMC3025LSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3028LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3028LSD-13 Multi channel transistors
DMC3028LSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.72 грн |
61+ | 17.44 грн |
168+ | 16.49 грн |
DMC3028LSDX-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC3028LSDX-13 Multi channel transistors
DMC3028LSDX-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC3032LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 7/-8.1A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.032/0.039Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2232 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 51.77 грн |
10+ | 33.53 грн |
76+ | 14.15 грн |
208+ | 13.33 грн |
2500+ | 12.97 грн |
DMC3400SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 30/-30V
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT363
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 0.5/-0.36A
On-state resistance: 0.4/0.9Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 20.51 грн |
25+ | 11.68 грн |
30+ | 9.34 грн |
100+ | 5.69 грн |
207+ | 5.15 грн |
500+ | 4.68 грн |
DMC4015SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 9.5/-12.2A
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 9.5/-12.2A
On-state resistance: 0.015/0.029Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 60.56 грн |
10+ | 49.74 грн |
28+ | 38.82 грн |
76+ | 36.74 грн |
500+ | 35.29 грн |
DMC4028SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.5/-4.2A
On-state resistance: 0.028/0.05Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.5/-4.2A
On-state resistance: 0.028/0.05Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC4029SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.5/-9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 6.5/-9A
Power dissipation: 1.3W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.024/0.045Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC4040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC4040SSD-13 Multi channel transistors
DMC4040SSD-13 Multi channel transistors
на замовлення 630 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 81.08 грн |
36+ | 30.02 грн |
98+ | 28.39 грн |
DMC4040SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC4040SSDQ-13 SMD N channel transistors
DMC4040SSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC4047LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC4047LSD-13 Multi channel transistors
DMC4047LSD-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC4050SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 0.045/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Case: SO8
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 5.8/-5.5A
On-state resistance: 0.045/0.045Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 37.12 грн |
10+ | 31.27 грн |
25+ | 28.77 грн |
44+ | 24.94 грн |
120+ | 23.58 грн |
DMC4050SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC4050SSDQ-13 SMD N channel transistors
DMC4050SSDQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC6040SSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 60/-60V
Case: SO8
Drain-source voltage: 60/-60V
Drain current: 5.1/-3.9A
On-state resistance: 0.04/0.11Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 1.56W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2089 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 74.24 грн |
10+ | 49.83 грн |
47+ | 22.59 грн |
130+ | 21.32 грн |
2500+ | 20.68 грн |
DMC6040SSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC6040SSDQ-13 Multi channel transistors
DMC6040SSDQ-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMC67D8UFDBQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
DMC67D8UFDBQ-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1012T-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 450mA; Idm: 3A; 280mW; SOT523
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT523
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 736.6pC
Pulsed drain current: 3A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1012T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
42+ | 7.02 грн |
55+ | 5.18 грн |
499+ | 2.13 грн |
1370+ | 2.01 грн |
DMG1012TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.45A; 0.28W; SOT523; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.45A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
28+ | 10.75 грн |
40+ | 7.06 грн |
56+ | 4.86 грн |
100+ | 4.22 грн |
312+ | 3.41 грн |
500+ | 3.11 грн |
856+ | 3.10 грн |
DMG1012UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1A; 0.29W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.63 грн |
25+ | 11.43 грн |
50+ | 8.87 грн |
75+ | 8.15 грн |
355+ | 2.99 грн |
976+ | 2.83 грн |
DMG1012UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 750mA; Idm: 6A; 610mW; SOT323
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.75A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.61W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 6A
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
12+ | 26.38 грн |
18+ | 16.01 грн |
50+ | 11.48 грн |
100+ | 10.09 грн |
240+ | 4.43 грн |
660+ | 4.19 грн |
1000+ | 4.18 грн |
DMG1013T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.33A; Idm: -6A; 0.27W; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.33A
On-state resistance: 0.7Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.27W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: -6A
Case: SOT523
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1670 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 15.63 грн |
28+ | 10.17 грн |
36+ | 7.71 грн |
60+ | 4.55 грн |
100+ | 3.87 грн |
361+ | 2.94 грн |
993+ | 2.78 грн |
DMG1013TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1013TQ-7 SMD P channel transistors
DMG1013TQ-7 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1013UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
14+ | 22.47 грн |
29+ | 10.08 грн |
100+ | 6.20 грн |
302+ | 3.52 грн |
830+ | 3.33 грн |
3000+ | 3.20 грн |
DMG1013UWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMG1013UWQ-13 SMD P channel transistors
DMG1013UWQ-13 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMG1013UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.54A; 0.31W; SOT323; ESD
Mounting: SMD
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -540mA
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT323
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3074 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 19.54 грн |
24+ | 12.15 грн |
50+ | 8.58 грн |
100+ | 7.41 грн |
237+ | 4.49 грн |
651+ | 4.24 грн |
1000+ | 4.23 грн |
DMG1016UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.85/-1.07A
On-state resistance: 0.45/0.75Ω
Type of transistor: N/P-MOSFET
Power dissipation: 0.53W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Case: SOT363
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.33 грн |
16+ | 18.46 грн |
50+ | 12.32 грн |
100+ | 10.33 грн |
203+ | 5.23 грн |
558+ | 4.95 грн |