Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73314) > Сторінка 1189 з 1222

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1220 1222  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DMP2035UFCL-7 DIODES INCORPORATED DMP2035UFCL.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMP2035UFDF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7 DMP2035UQ-7 DIODES INCORPORATED DMP2035U.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13 DMP2035UVT-13 DIODES INCORPORATED DMP2035UVT.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ-13 DIODES INCORPORATED DMP2035UVTQ.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ16AQ-13-F SMAJ16AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 17.8÷19.7V; 15.3A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 15.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR43TA BSR43TA DIODES INCORPORATED BSR43.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+38.39 грн
19+22.05 грн
100+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13 DXT5551-13 DIODES INCORPORATED DXT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
25+17.08 грн
100+13.18 грн
250+11.69 грн
500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B280-13-F B280-13-F DIODES INCORPORATED b270-2100.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 80V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 75pF
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B280AE-13 B280AE-13 DIODES INCORPORATED B270%28A%2CB%29E%20-%20B2100%28A%2CB%29E.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 80V; 2A; reel,tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Capacitance: 70pF
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B280Q-13-F DIODES INCORPORATED Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 80V; 2A; reel,tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Capacitance: 75pF
Leakage current: 2mA
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600BTA FZT600BTA DIODES INCORPORATED FZT600A.pdf Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 140V; 2A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Pulsed collector current: 4A
Frequency: 150...250MHz
Collector-emitter voltage: 140V
Quantity in set/package: 1000pcs.
Current gain: 5000...100000
Polarisation: bipolar
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+60.72 грн
11+38.47 грн
50+32.17 грн
100+29.68 грн
250+26.28 грн
500+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450 ZTX450 DIODES INCORPORATED ZTX450.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 4000pcs.
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.47 грн
10+54.72 грн
50+39.47 грн
100+34.33 грн
200+29.85 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450STZ ZTX450STZ DIODES INCORPORATED ZTX450.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 2000pcs.
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+75.90 грн
10+45.44 грн
50+32.17 грн
100+28.02 грн
500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT689BTA FZT689BTA DIODES INCORPORATED FZT689B.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+74.11 грн
10+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT489QTA FZT489QTA DIODES INCORPORATED FZT489.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 20...300
на замовлення 922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.54 грн
100+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT789ATA FZT789ATA DIODES INCORPORATED FZT789A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 300...800
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+79.47 грн
10+46.10 грн
100+29.27 грн
250+25.21 грн
500+22.88 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX789ATA DIODES INCORPORATED FCX789A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 3A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 75...800
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT489TA DIODES INCORPORATED FZT489.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20...300
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT589TA DIODES INCORPORATED FZT589.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 3W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 40...300
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT789AQTA DIODES INCORPORATED FZT789A.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 3A; 3W; SOT223; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 100...800
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCX589TA DIODES INCORPORATED FCX589.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 2.3W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 40...300
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT589TA FMMT589TA DIODES INCORPORATED FMMT589.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 30V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT489TA DIODES INCORPORATED FMMT489.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20...300
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD-13 DIODES INCORPORATED DMN4031SSD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMN4031SSDQ.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP66300FVBW-13 DIODES INCORPORATED AP66300.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3.8÷60VDC; Uout: 0.8÷50VDC; 3A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3.8...60V DC
Output voltage: 0.8...50V DC
Output current: 3A
Case: U-QDFN4040-16SWP Type UXB
Mounting: SMD
Frequency: 0.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP66300QFVBW-13 DIODES INCORPORATED AP66300Q.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3.8÷60VDC; Uout: 0.8÷50VDC; 3A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3.8...60V DC
Output voltage: 0.8...50V DC
Output current: 3A
Case: U-QDFN4040-16SWP Type UXB
Mounting: SMD
Frequency: 0.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ48CAQ-13-F SMAJ48CAQ-13-F DIODES INCORPORATED SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 53.3÷58.9V; 5.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 5.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ64A-13-F SMCJ64A-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 71.1÷78.6V; 14.6A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.1...78.6V
Max. forward impulse current: 14.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ64AQ-13-F DIODES INCORPORATED SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 71.1V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMCJ
Number of channels: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDS1045-13 DIODES INCORPORATED ds30539.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Leakage current: 150mA
Max. forward impulse current: 275A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0LFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.44A; 0.63W; U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.44A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.63W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H14DLY-13 DIODES INCORPORATED DMN30H14DLY.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 2.2W
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13 DMN30H4D0L-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13 DIODES INCORPORATED DMN30H4D0LFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 430mA; Idm: 2A; 1.98W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.43A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 1.98W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7 DIODES INCORPORATED Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B350B-13-F DIODES INCORPORATED B320B-B360B_Rev10-2.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 50V; 3A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.2nF
Leakage current: 20mA
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC573AQ20-13 DIODES INCORPORATED 74LVC573A.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; 8bit,buffer; AND; Ch: 10; IN: 8; CMOS; 1.65÷3.6VDC; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; buffer
Number of channels: 10
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: V-QFN4525-20
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Kind of output: push-pull
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 8
Kind of gate: AND
Technology: CMOS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC573AT20-13 DIODES INCORPORATED 74LVC573A.pdf Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; IN: 1; CMOS; 1.65÷3.6VDC; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA-13-F SMBJ40CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
53+7.96 грн
58+7.21 грн
63+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ45CA-13-F SMBJ45CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 50÷57.5V; 8.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 45V
Breakdown voltage: 50...57.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.07 грн
38+11.11 грн
43+9.87 грн
100+7.05 грн
500+5.89 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ43CA-13-F SMBJ43CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8÷54.9V; 8.6A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...54.9V
Max. forward impulse current: 8.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
23+19.64 грн
29+14.59 грн
33+12.77 грн
100+8.21 грн
500+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ48CA-13-F SMBJ48CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷61.3V; 7.7A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...61.3V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ43A-13-F SMBJ43A-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8÷54.9V; 8.6A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...54.9V
Max. forward impulse current: 8.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
Pulsed drain current: 6.6A
Power dissipation: 1.07W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LQ-7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13 DMN10H220L-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13 DMN10H220LE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13 DMN10H220LQ-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFVW.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4015SK3Q-13-01 DMP4015SK3Q-13-01 DIODES INCORPORATED Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226BS-7-F MMSZ5226BS-7-F DIODES INCORPORATED mmsz52xxbs_ser.pdf Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.3V; SMD; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+8.93 грн
71+5.89 грн
87+4.77 грн
142+2.93 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B130-13-F B130-13-F DIODES INCORPORATED b120-160b.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.11nF
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
42+10.71 грн
54+7.71 грн
100+5.59 грн
500+4.29 грн
1000+3.83 грн
2000+3.39 грн
2500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13 DIODES INCORPORATED ds32033.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 20.8A; 3.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20.8A
Power dissipation: 3.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP8801SG-13 AP8801SG-13 DIODES INCORPORATED AP8801.pdf Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 0.8÷48VDC; 0.5A; SO8; SMD; 700kHz; 92%
Topology: buck
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Output current: 0.5A
Input voltage: 0.8...48V DC
Efficiency: 92%
Frequency: 700kHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFCL-7 DMP2035UFCL.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.3A; Idm: -40A; 1.6W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.3A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.6W
Case: U-DFN1616-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 44nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UFDF-13 DMP2035UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.5A; Idm: -40A; 1.31W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.5A
Pulsed drain current: -40A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20.5nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UQ-7 DMP2035U.pdf
DMP2035UQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4A; Idm: -24A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVT-13 DMP2035UVT.pdf
DMP2035UVT-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2035UVTQ-13 DMP2035UVTQ.pdf
DMP2035UVTQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.7A; Idm: -24A; 2W; TSOT26
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.7A
Pulsed drain current: -24A
Power dissipation: 2W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.1nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ16AQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
SMAJ16AQ-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 17.8÷19.7V; 15.3A; unidirectional; SMA
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 16V
Breakdown voltage: 17.8...19.7V
Max. forward impulse current: 15.3A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSR43TA BSR43.pdf
BSR43TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 1W; SOT89
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Case: SOT89
Mounting: SMD
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+38.39 грн
19+22.05 грн
100+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DXT5551-13 DXT5551.pdf
DXT5551-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 1.2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT89
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
Manufacturer standard package: 2500pcs.
на замовлення 597 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+39.29 грн
25+17.08 грн
100+13.18 грн
250+11.69 грн
500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B280-13-F b270-2100.pdf
B280-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 80V; 2A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Max. off-state voltage: 80V
Semiconductor structure: single diode
Case: SMB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Capacitance: 75pF
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
на замовлення 650 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B280AE-13 B270%28A%2CB%29E%20-%20B2100%28A%2CB%29E.pdf
B280AE-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 80V; 2A; reel,tape
Case: SMA
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Capacitance: 70pF
Leakage current: 0.4mA
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 80V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B280Q-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 80V; 2A; reel,tape
Case: SMB
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Capacitance: 75pF
Leakage current: 2mA
Max. forward voltage: 0.79V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 50A
Max. off-state voltage: 80V
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600BTA FZT600A.pdf
FZT600BTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 140V; 2A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Case: SOT223
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Pulsed collector current: 4A
Frequency: 150...250MHz
Collector-emitter voltage: 140V
Quantity in set/package: 1000pcs.
Current gain: 5000...100000
Polarisation: bipolar
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+60.72 грн
11+38.47 грн
50+32.17 грн
100+29.68 грн
250+26.28 грн
500+22.88 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450 description ZTX450.pdf
ZTX450
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 4000pcs.
на замовлення 698 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.47 грн
10+54.72 грн
50+39.47 грн
100+34.33 грн
200+29.85 грн
500+25.45 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZTX450STZ ZTX450.pdf
ZTX450STZ
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1W; TO92
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1W
Case: TO92
Current gain: 15...300
Mounting: THT
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 2000pcs.
на замовлення 544 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+75.90 грн
10+45.44 грн
50+32.17 грн
100+28.02 грн
500+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT689BTA FZT689B.pdf
FZT689BTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 4A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 4A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+74.11 грн
10+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT489QTA FZT489.pdf
FZT489QTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 150MHz
Manufacturer standard package: 1000pcs.
Application: automotive industry
Current gain: 20...300
на замовлення 922 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.54 грн
100+23.30 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZT789ATA FZT789A.pdf
FZT789ATA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 3A; 1.2W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 300...800
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+79.47 грн
10+46.10 грн
100+29.27 грн
250+25.21 грн
500+22.88 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCX789ATA FCX789A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 3A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 8A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 75...800
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT489TA FZT489.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20...300
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT589TA FZT589.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 3W; SOT223
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 40...300
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FZT789AQTA FZT789A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 25V; 3A; 3W; SOT223; automotive industry
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Collector current: 3A
Pulsed collector current: 6A
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 100...800
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCX589TA FCX589.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 2.3W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 2.3W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 2A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 40...300
Quantity in set/package: 1000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT589TA FMMT589.pdf
FMMT589TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Collector-emitter voltage: 30V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT489TA FMMT489.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 1A; 500mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 1A
Pulsed collector current: 4A
Collector-emitter voltage: 30V
Current gain: 20...300
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 150MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSD-13 DMN4031SSD.pdf
DMN4031SSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN4031SSDQ-13 DMN4031SSDQ.pdf
DMN4031SSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 40V; 5.6A; Idm: 40A; 2.6W; SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Gate charge: 18.6nC
On-state resistance: 50mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 5.6A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 40A
Drain-source voltage: 40V
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET x2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP66300FVBW-13 AP66300.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3.8÷60VDC; Uout: 0.8÷50VDC; 3A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3.8...60V DC
Output voltage: 0.8...50V DC
Output current: 3A
Case: U-QDFN4040-16SWP Type UXB
Mounting: SMD
Frequency: 0.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP66300QFVBW-13 AP66300Q.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 3.8÷60VDC; Uout: 0.8÷50VDC; 3A; SMD
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Input voltage: 3.8...60V DC
Output voltage: 0.8...50V DC
Output current: 3A
Case: U-QDFN4040-16SWP Type UXB
Mounting: SMD
Frequency: 0.5MHz
Topology: buck
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ48CAQ-13-F SMAJ5.0CAQ-SMAJ200CAQ.pdf
SMAJ48CAQ-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 53.3÷58.9V; 5.2A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...58.9V
Max. forward impulse current: 5.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ64A-13-F SMCJ_ser.pdf
SMCJ64A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 71.1÷78.6V; 14.6A; unidirectional; SMC
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.1...78.6V
Max. forward impulse current: 14.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Features of semiconductor devices: glass passivated
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ64AQ-13-F SMCJ5.0CAQ_SMCJ110CAQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 1.5kW; 71.1V; unidirectional; DO214AB,SMC; Ch: 1; SMCJ
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 1.5kW
Max. off-state voltage: 64V
Breakdown voltage: 71.1V
Semiconductor structure: unidirectional
Case: DO214AB; SMC
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Manufacturer series: SMCJ
Number of channels: 1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+20.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDS1045-13 ds30539.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; PowerDI®5; SMD; 45V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: PowerDI®5
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 45V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.51V
Leakage current: 150mA
Max. forward impulse current: 275A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-7 DMN30H4D0L.pdf
DMN30H4D0L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-7 DMN30H4D0LFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 0.44A; 0.63W; U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 0.44A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.63W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H14DLY-13 DMN30H14DLY.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 160mA; Idm: 1A; 2.2W; SOT89
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 4nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT89
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.16A
On-state resistance: 20Ω
Power dissipation: 2.2W
Pulsed drain current: 1A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0L-13 DMN30H4D0L.pdf
DMN30H4D0L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 200mA; Idm: 2A; 470mW; SOT23
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 0.47W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D0LFDE-13 DMN30H4D0LFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 430mA; Idm: 2A; 1.98W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 300V
Gate charge: 7.6nC
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 0.43A
On-state resistance: 6Ω
Power dissipation: 1.98W
Pulsed drain current: 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN30H4D1S-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 6A; 1.69W; SOT223
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain current: 2A
On-state resistance: 0.25Ω
Power dissipation: 1.69W
Pulsed drain current: 6A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B350B-13-F B320B-B360B_Rev10-2.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMB; SMD; 50V; 3A; reel,tape
Case: SMB
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.2nF
Leakage current: 20mA
Max. forward voltage: 0.7V
Load current: 3A
Max. off-state voltage: 50V
Max. forward impulse current: 100A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC573AQ20-13 74LVC573A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Latches
Description: IC: digital; 8bit,buffer; AND; Ch: 10; IN: 8; CMOS; 1.65÷3.6VDC; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 8bit; buffer
Number of channels: 10
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: V-QFN4525-20
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Kind of output: push-pull
Kind of package: reel; tape
Number of inputs: 8
Kind of gate: AND
Technology: CMOS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC573AT20-13 74LVC573A.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Latches
Description: IC: digital; D latch; Ch: 8; IN: 1; CMOS; 1.65÷3.6VDC; SMD; TSSOP20
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: D latch
Number of channels: 8
Supply voltage: 1.65...3.6V DC
Mounting: SMD
Case: TSSOP20
Operating temperature: -40...150°C
Family: LVC
Kind of output: 3-state
Kind of package: reel; tape
Kind of input: with Schmitt trigger
Number of inputs: 1
Technology: CMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ40CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ40CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 44.4÷51.1V; 9.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 40V
Breakdown voltage: 44.4...51.1V
Max. forward impulse current: 9.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.71 грн
53+7.96 грн
58+7.21 грн
63+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ45CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ45CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 50÷57.5V; 8.3A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 45V
Breakdown voltage: 50...57.5V
Max. forward impulse current: 8.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1794 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+16.07 грн
38+11.11 грн
43+9.87 грн
100+7.05 грн
500+5.89 грн
1000+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ43CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ43CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8÷54.9V; 8.6A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...54.9V
Max. forward impulse current: 8.6A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 955 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+19.64 грн
29+14.59 грн
33+12.77 грн
100+8.21 грн
500+6.30 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ48CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ48CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 53.3÷61.3V; 7.7A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 48V
Breakdown voltage: 53.3...61.3V
Max. forward impulse current: 7.7A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ43A-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ43A-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 47.8÷54.9V; 8.6A; unidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 43V
Breakdown voltage: 47.8...54.9V
Max. forward impulse current: 8.6A
Semiconductor structure: unidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT.pdf
DMN10H220LVT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.79A; Idm: 6.6A; 1.07W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.79A
Pulsed drain current: 6.6A
Power dissipation: 1.07W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ-7.pdf
DMN10H220LQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13 DMN10H220LE.pdf
DMN10H220LE-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.8A; Idm: 8A; 1.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.8A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-13 DMN10H220LQ.pdf
DMN10H220LQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.1nC
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.7A; Idm: 8.8A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.7A
Pulsed drain current: 8.8A
Power dissipation: 1W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 44A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 2.4W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.4A; Idm: 32A; 2.2W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.4A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.27Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.7nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4015SK3Q-13-01
DMP4015SK3Q-13-01
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -14A; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -14A
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMSZ5226BS-7-F mmsz52xxbs_ser.pdf
MMSZ5226BS-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Zener diodes
Description: Diode: Zener; 0.2W; 3.3V; SMD; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: Zener
Power dissipation: 0.2W
Zener voltage: 3.3V
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Case: SOD323
Semiconductor structure: single diode
Kind of package: reel; tape
на замовлення 4455 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+8.93 грн
71+5.89 грн
87+4.77 грн
142+2.93 грн
3000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
B130-13-F b120-160b.pdf
B130-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMA; SMD; 30V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: SMA
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 0.11nF
Max. forward voltage: 0.5V
Max. forward impulse current: 30A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 3506 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+10.71 грн
54+7.71 грн
100+5.59 грн
500+4.29 грн
1000+3.83 грн
2000+3.39 грн
2500+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMN6068SEQ-13 ds32033.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4.5A; Idm: 20.8A; 3.7W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 20.8A
Power dissipation: 3.7W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 10.3nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AP8801SG-13 AP8801.pdf
AP8801SG-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: PMIC; DC/DC converter; Uin: 0.8÷48VDC; 0.5A; SO8; SMD; 700kHz; 92%
Topology: buck
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: DC/DC converter
Type of integrated circuit: PMIC
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Output current: 0.5A
Input voltage: 0.8...48V DC
Efficiency: 92%
Frequency: 700kHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 122 244 366 488 610 732 854 976 1098 1184 1185 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1220 1222  [ Наступна Сторінка >> ]