Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78523) > Сторінка 1192 з 1309
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN1008UFDFQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1019UFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1019USN-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 12V Drain current: 8.8A Pulsed drain current: 70A Power dissipation: 0.83W Case: SC59 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 41mΩ Mounting: SMD Gate charge: 50.6nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1019UVT-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1019UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN1025UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W Drain-source voltage: 12V Drain current: 5.5A On-state resistance: 38mΩ Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 1.7W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 23.1nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 35A Mounting: SMD Case: U-DFN2020-6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2558 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN1029UFDB-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1029UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1045UFR4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD Mounting: SMD Power dissipation: 1.26W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Case: X2-DFN1010-3 Drain-source voltage: 12V Drain current: 3.2A On-state resistance: 0.1Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1054UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H099SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H099SFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H099SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H100SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H120SE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H120SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H120SFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SFDE-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SK3Q-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SVT-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H170SVTQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H220L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN10H220L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 1.3A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 1.3W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.22Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 556 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN10H220LE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H220LFDF-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H220LFVW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H220LK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN10H220LPDW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H220LQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2669 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN10H220LVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H700S-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN10H700S-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1150UFB-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW Case: X1-DFN1006-3 Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.15A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.3W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 1.5nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Pulsed drain current: 7A Mounting: SMD кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1150UFL3-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6 Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 12V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.21Ω Type of transistor: N-MOSFET x2 Power dissipation: 0.9W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 1.4nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±6V Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1250UFEL-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN1260UFA-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN12M7UCA10-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN13H750S-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN13H750S-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN15H310SE-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223 Case: SOT223 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 1.6A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN15H310SK3-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Drain-source voltage: 150V Drain current: 5.2A On-state resistance: 0.35Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 12W Polarisation: unipolar Gate charge: 8.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 10A кількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2004DMK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2004DWK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2004DWKQ-7 | DIODES INCORPORATED | DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2004K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2415 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2004TK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2004VK-7 | DIODES INCORPORATED | DMN2004VK-7 Multi channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2004WK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A On-state resistance: 0.9Ω Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMN2004WKQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.39A On-state resistance: 0.9Ω Application: automotive industry Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 1.5A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN2005DLP4K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2005K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2005LP4K-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2005LPK-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2005UFG-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 40A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 1.05W Case: PowerDI®3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2005UFG-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 2.27W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2005UFGQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 14A Pulsed drain current: 130A Power dissipation: 2.27W Case: PowerDI3333-8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 8.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 164nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Application: automotive industry кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DMN1008UFDFQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1008UFDFQ-13 SMD N channel transistors
DMN1008UFDFQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1019UFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1019USN-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 8.8A; Idm: 70A; 830mW; SC59
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 8.8A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 0.83W
Case: SC59
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50.6nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1019UVT-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1019UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1025UFDB-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
13+ | 23.44 грн |
16+ | 18.18 грн |
50+ | 14.42 грн |
100+ | 12.97 грн |
119+ | 8.98 грн |
326+ | 8.53 грн |
1000+ | 8.44 грн |
DMN1029UFDB-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1029UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1045UFR4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1054UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1054UCB4-7 SMD N channel transistors
DMN1054UCB4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H099SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H099SFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H099SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H100SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H120SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H120SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H120SFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SFDE-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
DMN10H170SFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SK3Q-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SVT-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H170SVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H220L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H220L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 36.14 грн |
50+ | 16.11 грн |
100+ | 13.52 грн |
129+ | 8.44 грн |
355+ | 7.98 грн |
DMN10H220LE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H220LFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H220LFVW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H220LK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 36.63 грн |
81+ | 13.15 грн |
223+ | 12.43 грн |
DMN10H220LPDW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H220LQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors
DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 36.73 грн |
158+ | 6.72 грн |
435+ | 6.35 грн |
3000+ | 6.31 грн |
DMN10H220LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H700S-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN10H700S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1150UFB-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1150UFL3-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1250UFEL-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN1260UFA-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors
DMN1260UFA-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN12M7UCA10-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN13H750S-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN13H750S-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN15H310SE-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN15H310SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004DMK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004DWK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004DWKQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
DMN2004DWKQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
DMN2004K-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 28.91 грн |
180+ | 5.90 грн |
495+ | 5.62 грн |
DMN2004TK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
DMN2004TK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004VK-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
DMN2004VK-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004WK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2004WKQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 390mA; Idm: 1.5A; 200mW; SOT323
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.39A
On-state resistance: 0.9Ω
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005DLP4K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
DMN2005DLP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
DMN2005K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005LP4K-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
DMN2005LP4K-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005LPK-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
DMN2005LPK-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
27+ | 10.94 грн |
140+ | 7.62 грн |
384+ | 7.17 грн |
3000+ | 7.16 грн |
DMN2005UFG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 40A; Idm: 130A; 1.05W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 1.05W
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005UFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2005UFGQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 14A; Idm: 130A; 2.27W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 130A
Power dissipation: 2.27W
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 8.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 164nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.