Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78760) > Сторінка 1195 з 1313
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DMN2040LTS-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.9A Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 0.89W Case: TSSOP8 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 36mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.2nC Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2016 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN2040U-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2040U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2041L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2041LSD-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2041UFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2044UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W Mounting: SMD Power dissipation: 1.18W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 47nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 16A Case: U-WLB1010-4 Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A On-state resistance: 70mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2046U-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2046U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD Drain-source voltage: 20V Drain current: 2.7A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.76W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Mounting: SMD Case: SOT23 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN2050L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2050LFDB-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2050LFDB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2053U-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2053U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2053UVT-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2053UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2053UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2055U-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2055U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2056U-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2056U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2229 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2058U-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2058U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 2090 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2058UW-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2065UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2065UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2075UDW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2080UCB4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2100UDM-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD Power dissipation: 0.6W Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 0.13Ω Drain current: 2.5A Version: ESD Drain-source voltage: 20V Case: SOT26 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN21D2UFB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Power dissipation: 570mW Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 3Ω Drain current: 0.7A Drain-source voltage: 20V Case: X1-DFN1006-3 Gate charge: 930pC Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN21D2UFB-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW Power dissipation: 570mW Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 3Ω Drain current: 0.7A Drain-source voltage: 20V Case: X1-DFN1006-3 Gate charge: 930pC Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Pulsed drain current: 1A кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2230U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 1410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2230UQ-13 | DIODES INCORPORATED | DMN2230UQ-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2230UQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 966 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN2250UFB-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2300U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.01A Pulsed drain current: 11A Power dissipation: 0.55W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.6nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN2300UFB-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W Drain current: 0.94A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.2W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 0.89nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 8A Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-3 Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 10000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2300UFB4-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD Drain current: 0.96A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: X1-DFN1006-3 Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN2300UFD-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW Drain current: 1.34A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.47W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: X1-DFN1212-3 Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2300UFL4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W Drain current: 1.19A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.39W Polarisation: unipolar Kind of package: 7 inch reel; tape Gate charge: 3.2nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 6A Mounting: SMD Case: X2-DFN1310-6 Drain-source voltage: 20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2310U-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.2A On-state resistance: 0.36Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.68W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4.8A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMN2310UW-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.1A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.55W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4.4A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
DMN2310UWQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323 Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.1A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Application: automotive industry Power dissipation: 0.55W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.7nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±8V Pulsed drain current: 4.4A кількість в упаковці: 10 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
DMN2320UFB4-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2400UFB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2400UFDQ-7 | DIODES INCORPORATED | DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2400UV-13 | DIODES INCORPORATED | DMN2400UV-13 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
DMN2400UV-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.53W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape On-state resistance: 1.5Ω Version: ESD Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.84A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
DMN2450UFB4-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2450UFB4-7R | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2450UFD-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2451UFB4Q-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN24H11DS-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN24H11DSQ-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN24H11DSQ-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN24H3D5L-13 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN24H3D5L-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2501UFB4-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 1.4A Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 0.7W Case: X2-DFN1006-3 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Gate charge: 2nC Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2550UFA-7B | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
DMN2600UFB-7 | DIODES INCORPORATED |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
DMN2040LTS-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.9A; Idm: 30A; 890mW; TSSOP8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.9A
Pulsed drain current: 30A
Power dissipation: 0.89W
Case: TSSOP8
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.2nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2016 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 59.42 грн |
10+ | 35.14 грн |
76+ | 14.25 грн |
208+ | 13.43 грн |
2500+ | 12.87 грн |
DMN2040U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2040U-13 SMD N channel transistors
DMN2040U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2040U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2040U-7 SMD N channel transistors
DMN2040U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2041L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2041L-7 SMD N channel transistors
DMN2041L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2041LSD-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2041LSD-13 SMD N channel transistors
DMN2041LSD-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2041UFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2041UFDB-7 SMD N channel transistors
DMN2041UFDB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2044UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 16A
Case: U-WLB1010-4
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.6A; Idm: 16A; 1.18W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.18W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 16A
Case: U-WLB1010-4
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
On-state resistance: 70mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2046U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2046U-13 SMD N channel transistors
DMN2046U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2046U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.7A; 0.76W; SOT23; ESD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.76W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: SOT23
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
11+ | 27.73 грн |
16+ | 17.95 грн |
21+ | 13.61 грн |
100+ | 6.57 грн |
249+ | 4.35 грн |
684+ | 4.11 грн |
DMN2050L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2050L-7 SMD N channel transistors
DMN2050L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2050LFDB-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2050LFDB-13 SMD N channel transistors
DMN2050LFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2050LFDB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2050LFDB-7 Multi channel transistors
DMN2050LFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2053U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2053U-13 SMD N channel transistors
DMN2053U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2053U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2053U-7 SMD N channel transistors
DMN2053U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2053UVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2053UVT-7 SMD N channel transistors
DMN2053UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2053UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2053UW-7 SMD N channel transistors
DMN2053UW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2053UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2053UWQ-7 SMD N channel transistors
DMN2053UWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2055U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2055U-13 SMD N channel transistors
DMN2055U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2055U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2055U-7 SMD N channel transistors
DMN2055U-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2056U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2056U-13 SMD N channel transistors
DMN2056U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2056U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2056U-7 SMD N channel transistors
DMN2056U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.88 грн |
143+ | 7.58 грн |
391+ | 7.16 грн |
DMN2058U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2058U-13 SMD N channel transistors
DMN2058U-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2058U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
DMN2058U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 32.58 грн |
161+ | 6.71 грн |
443+ | 6.35 грн |
DMN2058UW-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2058UW-13 SMD N channel transistors
DMN2058UW-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2065UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2065UW-7 SMD N channel transistors
DMN2065UW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2065UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2065UWQ-7 SMD N channel transistors
DMN2065UWQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2075UDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2075UDW-7 SMD N channel transistors
DMN2075UDW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2080UCB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2080UCB4-7 SMD N channel transistors
DMN2080UCB4-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2100UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 2.5A
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 2.5A; 0.6W; SOT26; ESD
Power dissipation: 0.6W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 0.13Ω
Drain current: 2.5A
Version: ESD
Drain-source voltage: 20V
Case: SOT26
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN21D2UFB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN21D2UFB-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 700mA; Idm: 1A; 570mW
Power dissipation: 570mW
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 3Ω
Drain current: 0.7A
Drain-source voltage: 20V
Case: X1-DFN1006-3
Gate charge: 930pC
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Pulsed drain current: 1A
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2230U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2230U-7 SMD N channel transistors
DMN2230U-7 SMD N channel transistors
на замовлення 1410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
19+ | 16.14 грн |
115+ | 9.67 грн |
310+ | 9.15 грн |
DMN2230UQ-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2230UQ-13 SMD N channel transistors
DMN2230UQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2230UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
DMN2230UQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 966 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 31.99 грн |
114+ | 9.47 грн |
313+ | 8.92 грн |
DMN2250UFB-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2250UFB-7B SMD N channel transistors
DMN2250UFB-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2300U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.01A; Idm: 11A; 550mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.01A
Pulsed drain current: 11A
Power dissipation: 0.55W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.6nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2300UFB-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.89nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 10000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 940mA; Idm: 8A; 1.2W
Drain current: 0.94A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 0.89nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 8A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2300UFB4-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Drain current: 0.96A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.96A; 0.5W; X1-DFN1006-3; ESD
Drain current: 0.96A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2300UFD-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1212-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.34A; Idm: 6A; 470mW
Drain current: 1.34A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.47W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X1-DFN1212-3
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2300UFL4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.19A; Idm: 6A; 1.39W
Drain current: 1.19A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.39W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 3.2nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2310U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.2A; Idm: 4.8A; 680mW; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.2A
On-state resistance: 0.36Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.68W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.8A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2310UW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2310UWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 10 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.1A; Idm: 4.4A; 550mW; SOT323
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.1A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Application: automotive industry
Power dissipation: 0.55W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 4.4A
кількість в упаковці: 10 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2320UFB4-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
DMN2320UFB4-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2400UFB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
DMN2400UFB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2400UFDQ-7 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors
DMN2400UFDQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2400UV-13 |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2400UV-13 SMD N channel transistors
DMN2400UV-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2400UV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.84A; 0.53W; SOT563; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.53W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
On-state resistance: 1.5Ω
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.84A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 34.66 грн |
16+ | 18.05 грн |
50+ | 12.78 грн |
100+ | 11.13 грн |
152+ | 7.17 грн |
417+ | 6.71 грн |
3000+ | 6.44 грн |
DMN2450UFB4-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
DMN2450UFB4-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2450UFB4-7R |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
DMN2450UFB4-7R SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2450UFD-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
DMN2450UFD-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2451UFB4Q-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2451UFB4Q-7B SMD N channel transistors
DMN2451UFB4Q-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN24H11DS-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
DMN24H11DS-7 SMD N channel transistors
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
8+ | 39.51 грн |
93+ | 11.68 грн |
254+ | 11.04 грн |
DMN24H11DSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DSQ-13 SMD N channel transistors
DMN24H11DSQ-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN24H11DSQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H11DSQ-7 SMD N channel transistors
DMN24H11DSQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN24H3D5L-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H3D5L-13 SMD N channel transistors
DMN24H3D5L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN24H3D5L-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN24H3D5L-7 SMD N channel transistors
DMN24H3D5L-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2501UFB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.7W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; Idm: 6A; 700mW
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 0.7W
Case: X2-DFN1006-3
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2550UFA-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2550UFA-7B SMD N channel transistors
DMN2550UFA-7B SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
DMN2600UFB-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2600UFB-7 SMD N channel transistors
DMN2600UFB-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.