Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (78751) > Сторінка 1193 з 1313

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1310 1313  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMMT3906-7-F DMMT3906-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3906.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906W-7-f DMMT3906W-7-f DIODES INCORPORATED DMMT3906W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906WQ-7-F DMMT3906WQ-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3906W.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5401-7-F DMMT5401-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.61 грн
18+16.67 грн
60+12.11 грн
100+11.19 грн
136+7.98 грн
374+7.52 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F DMMT5551-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.55 грн
16+18.58 грн
50+12.48 грн
100+10.83 грн
132+8.16 грн
363+7.80 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551S-7-F DIODES INCORPORATED DMMT5551.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN1001UCA10.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Case: X2-TSN1820-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1004UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13 DIODES INCORPORATED DMN1004UFV.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.9W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 DMN1004UFV-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.55 грн
57+19.82 грн
157+17.98 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7 DIODES INCORPORATED DMN1006UCA6.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMN1008UFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UFDE.pdf DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13 DIODES INCORPORATED DMN1019USN.pdf DMN1019USN-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7 DIODES INCORPORATED DMN1019UVT.pdf DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7 DMN1025UFDB-7 DIODES INCORPORATED Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+19.76 грн
19+15.43 грн
50+12.29 грн
100+11.10 грн
124+8.72 грн
340+8.26 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DIODES INCORPORATED DMN1029UFDB.pdf DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7 DIODES INCORPORATED DMN1045UFR4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7 DIODES INCORPORATED DMN1054UCB4.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H099SFG.pdf DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H099SK3.pdf DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H100SK3.pdf DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SE.pdf DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H120SFG.pdf DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFDE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SFG.pdf DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3.pdf DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SK3Q2.pdf DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVT.pdf DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H170SVTQ.pdf DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7 DMN10H220L-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220L.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+36.55 грн
50+16.29 грн
100+13.67 грн
129+8.53 грн
355+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LE.pdf DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFDF.pdf DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LFVW.pdf DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LK3.pdf DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.05 грн
81+13.30 грн
223+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DIODES INCORPORATED DMN10H220LPDW.pdf DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LQ.pdf DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+37.15 грн
158+6.80 грн
435+6.43 грн
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7 DIODES INCORPORATED DMN10H220LVT.pdf DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DIODES INCORPORATED DMN10H700S.pdf DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7B DIODES INCORPORATED DMN1150UFB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7 DIODES INCORPORATED DMN1150UFL3.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7 DIODES INCORPORATED DMN1250UFEL.pdf DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7B DIODES INCORPORATED DMN1260UFA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DIODES INCORPORATED DMN12M7UCA10.pdf DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DIODES INCORPORATED DMN13H750S.pdf DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13 DIODES INCORPORATED DMN15H310SK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7 DIODES INCORPORATED ds30937.pdf DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7 DIODES INCORPORATED ds30935.pdf DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906-7-F DMMT3906.pdf
DMMT3906-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 225mW; SOT26; common base
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT26
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Semiconductor structure: common base
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906W-7-f DMMT3906W.pdf
DMMT3906W-7-f
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3906WQ-7-F DMMT3906W.pdf
DMMT3906WQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5401-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7BED80B73A4DBAA18&compId=DMMT5401.pdf?ci_sign=1460747be56341cf773f1a5c32bd683ecd48fc1f
DMMT5401-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 30...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 889 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.61 грн
18+16.67 грн
60+12.11 грн
100+11.19 грн
136+7.98 грн
374+7.52 грн
1000+7.34 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC5E03E61C78BF&compId=DMMT5551.pdf?ci_sign=f60cd0e5a12f975d11403171edbc245cb1734cb2
DMMT5551-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Case: SOT26
Frequency: 100...300MHz
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 50...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 396 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.55 грн
16+18.58 грн
50+12.48 грн
100+10.83 грн
132+8.16 грн
363+7.80 грн
1000+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT5551S-7-F DMMT5551.pdf
DMMT5551S-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 300mW; SOT26
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT26
Current gain: 50...250
Mounting: SMD
Quantity in set/package: 3000pcs.
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1001UCA10-7 DMN1001UCA10.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 16A; Idm: 90A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 90A
Case: X2-TSN1820-10
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 6.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFDF-7 DMN1004UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 12A; Idm: 70A; 2.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 70A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-13 DMN1004UFV.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 50A; Idm: 80A; 1.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 80A
Case: PowerDI3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1.9W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1004UFV-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986C82BFAEDEB58BF&compId=DMN1004UFV.pdf?ci_sign=80f39a6efc5433254e7cd1da6aa7ec985baf13f1
DMN1004UFV-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 55A; 0.9W; PowerDI®3333-8; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 55A
Case: PowerDI®3333-8
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 0.9W
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 852 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.55 грн
57+19.82 грн
157+17.98 грн
1000+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1006UCA6-7 DMN1006UCA6.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 13.2A; Idm: 80A; 2.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 13.2A
Pulsed drain current: 80A
Case: X3-DSN2718-6
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35.2nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.4W
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-13 DMN1008UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDF-7 DMN1008UFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1008UFDFQ-13 DMN1008UFDFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 9.8A; Idm: 60A; 1W; U-DFN2020-6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 9.8A
Pulsed drain current: 60A
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 12.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23.4nC
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 1W
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UFDE-7 DMN1019UFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019UFDE-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019USN-13 DMN1019USN.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019USN-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-13 DMN1019UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1019UVT-7 DMN1019UVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1019UVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1025UFDB-7
DMN1025UFDB-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 5.5A; Idm: 35A; 1.7W
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 38mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 1.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 23.1nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 35A
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+19.76 грн
19+15.43 грн
50+12.29 грн
100+11.10 грн
124+8.72 грн
340+8.26 грн
1000+7.89 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-13 DMN1029UFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1029UFDB-7 DMN1029UFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1029UFDB-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1045UFR4-7 DMN1045UFR4.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 3.2A; 1.26W; X2-DFN1010-3; ESD
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.26W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Version: ESD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Case: X2-DFN1010-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1054UCB4-7 DMN1054UCB4.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 8V; 3.2A; Idm: 8A; 1.34W
Mounting: SMD
Power dissipation: 1.34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±5V
Pulsed drain current: 8A
Case: X1-WLB0808-4
Drain-source voltage: 8V
Drain current: 3.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-13 DMN10H099SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SFG-7 DMN10H099SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H099SK3-13 DMN10H099SK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H099SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H100SK3-13 DMN10H100SK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H100SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SE-13 DMN10H120SE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-13 DMN10H120SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H120SFG-7 DMN10H120SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H120SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFDE-7 DMN10H170SFDE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 10A; 1.31W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 1.31W
Case: U-DFN2020-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.7nC
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-13 DMN10H170SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SFG-7 DMN10H170SFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SFG-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3-13 DMN10H170SK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SK3Q-13 DMN10H170SK3Q2.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SK3Q-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-13 DMN10H170SVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVT-7 DMN10H170SVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H170SVTQ-7 DMN10H170SVTQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H170SVTQ-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-13 DMN10H220L.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220L-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220L-7 DMN10H220L.pdf
DMN10H220L-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.3A; Idm: 8A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.3A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 556 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.55 грн
50+16.29 грн
100+13.67 грн
129+8.53 грн
355+8.07 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LE-13 DMN10H220LE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LE-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFDF-7 DMN10H220LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFDF-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LFVW-7 DMN10H220LFVW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LFVW-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LK3-13 DMN10H220LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LK3-13 SMD N channel transistors
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.05 грн
81+13.30 грн
223+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LPDW-13 DMN10H220LPDW.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LPDW-13 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LQ-7 DMN10H220LQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LQ-7 SMD N channel transistors
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+37.15 грн
158+6.80 грн
435+6.43 грн
3000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H220LVT-7 DMN10H220LVT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H220LVT-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-13 DMN10H700S.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN10H700S-7 DMN10H700S.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN10H700S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFB-7B DMN1150UFB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 1.15A; Idm: 7A; 300mW
Case: X1-DFN1006-3
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.15A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Pulsed drain current: 7A
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1150UFL3-7 DMN1150UFL3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 12V; 1.6A; 900mW; X2-DFN1310-6
Case: X2-DFN1310-6
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.21Ω
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 0.9W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 1.4nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±6V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1250UFEL-7 DMN1250UFEL.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN1250UFEL-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN1260UFA-7B DMN1260UFA.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 12V; 500mA; Idm: 1.5A; 360mW
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 12V
Drain current: 0.5A
On-state resistance: 1.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: 7 inch reel; tape
Gate charge: 960pC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Pulsed drain current: 1.5A
Case: X2-DFN0806-3
кількість в упаковці: 10000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN12M7UCA10-7 DMN12M7UCA10.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN12M7UCA10-7 Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-13 DMN13H750S.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN13H750S-7 DMN13H750S.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN13H750S-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SE-13 DMN15H310SE.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 1.6A; Idm: 10A; 1.2W; SOT223
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN15H310SK3-13 DMN15H310SK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 5.2A; Idm: 10A; 12W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 5.2A
On-state resistance: 0.35Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 12W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 8.7nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 10A
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DMK-7 ds30937.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DMK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004DWK-7 ds30935.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
DMN2004DWK-7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 131 262 393 524 655 786 917 1048 1179 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1310 1313  [ Наступна Сторінка >> ]