Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (73930) > Сторінка 1193 з 1233

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1230 1233  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BAT54AW-7-F BAT54AW-7-F DIODES INCORPORATED BAT54W_AW_CW_SW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21Q-13-F BAS21Q-13-F DIODES INCORPORATED Ds12004.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 0.4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.83 грн
225+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 29.8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 2.08W
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6011LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.84W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQ-7-F BC847CQ-7-F DIODES INCORPORATED ds11108.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CT-7-F BC847CT-7-F DIODES INCORPORATED BC847xT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.36 грн
44+9.51 грн
50+8.28 грн
100+4.66 грн
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-13-F BC847CW-13-F DIODES INCORPORATED BC846_7_8W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-7-F BC847CW-7-F DIODES INCORPORATED BC846_7_8W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.95 грн
61+6.72 грн
65+6.40 грн
102+4.06 грн
500+2.64 грн
1000+2.23 грн
3000+1.77 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54STQ-7-F BAT54STQ-7-F DIODES INCORPORATED BAT54TQ-STQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-13-F BAT54SW-13-F DIODES INCORPORATED BAT54W_AW_CW_SW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-7-F
+1
 		BAT54SW-7-F DIODES INCORPORATED BAT54W_AW_CW_SW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.25 грн
51+8.12 грн
65+6.40 грн
100+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SWQ-7-F BAT54SWQ-7-F DIODES INCORPORATED SWQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.71 грн
57+7.22 грн
72+5.74 грн
100+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BT-7-F BC847BT-7-F DIODES INCORPORATED BC847xT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
65+6.31 грн
95+4.35 грн
114+3.62 грн
500+2.12 грн
1000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 DIODES INCORPORATED DMTH6004SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 3.9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.08 грн
6+74.63 грн
10+68.88 грн
25+59.86 грн
100+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8620TR DIODES INCORPORATED PAM8620.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 15W; Ch: 2; Amp.class: D; QFN32; 8÷26VDC
Operating temperature: -40...125°C
Output power: 15W
Voltage supply range: 8...26V DC
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Integrated circuit features: low distortion THD; low noise; stereo
Case: QFN32
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99Q-13-F BAV99Q-13-F DIODES INCORPORATED BAV99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99T-7-F BAV99T-7-F DIODES INCORPORATED BAS16T_BAW56T_BAV70T_BAV99T.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.155A; 4ns; SOT523; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.155A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.60 грн
53+7.87 грн
57+7.22 грн
100+5.26 грн
500+3.94 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LSD-13 DMP3098LSD-13 DIODES INCORPORATED ds31448.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.3A; Idm: -15A; 1.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD20100CT-13 DIODES INCORPORATED MBRD20100CT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252/DPAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252/DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12CA-13-F SMBJ12CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3÷15.3V; 30.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...15.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.96 грн
24+17.22 грн
28+15.09 грн
100+9.27 грн
500+6.72 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HD01-T HD01-T DIODES INCORPORATED HD01.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 0.8A; Ifsm: 30A; MiniDIP
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MiniDIP
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+35.33 грн
16+26.90 грн
18+23.29 грн
100+12.79 грн
500+8.86 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AWQ-7-F BAT54AWQ-7-F DIODES INCORPORATED SWQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL431AQFTA ZTL431AQFTA DIODES INCORPORATED ZTL431,432.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
Application: automotive industry
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.43 грн
35+12.05 грн
39+10.66 грн
100+9.18 грн
250+8.53 грн
500+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
LMV358M8G-13 LMV358M8G-13 DIODES INCORPORATED LMV321_358.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; Uoper: 2.7÷5.5V; MSOP8; 10dB
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: 2
Operating voltage: 2.7...5.5V
Mounting: SMT
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Open-loop gain: 10dB
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.61 грн
21+19.68 грн
24+17.39 грн
28+14.93 грн
100+12.30 грн
125+12.05 грн
250+11.23 грн
500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600TA FZT600TA DIODES INCORPORATED FZT600A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+69.77 грн
10+43.14 грн
100+27.23 грн
250+23.13 грн
500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.49 грн
20+20.67 грн
24+17.63 грн
32+13.12 грн
100+8.04 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL432AFTA ZTL432AFTA DIODES INCORPORATED ZTL431,432.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.43 грн
35+11.97 грн
39+10.66 грн
100+9.02 грн
250+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ58CA-13-F SMAJ58CA-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.4÷71.2V; 4.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.31 грн
32+13.20 грн
37+11.15 грн
100+8.61 грн
500+6.72 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMT3020UFDB.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 35A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT30M9LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BT-7-F BC857BT-7-F DIODES INCORPORATED BC857T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 7175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.83 грн
56+7.38 грн
61+6.81 грн
100+4.24 грн
500+2.84 грн
1000+2.43 грн
3000+1.96 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW-7-F BC857BW-7-F DIODES INCORPORATED BC856AW-BC858CW.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.71 грн
66+6.23 грн
113+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114EUAQ-7 ADTC114EUAQ-7 DIODES INCORPORATED ADTC114EUAQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 330mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Quantity in set/package: 3000pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114EUA-7-F DDTC114EUA-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC464C6C3878BF&compId=DDTCxxxUA.pdf?ci_sign=1d714a1f0503ba48b6e9b2d985323bd175e64060 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+8.65 грн
80+5.17 грн
96+4.31 грн
133+3.10 грн
1000+1.98 грн
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
AP2138N-3.0TRG1 AP2138N-3.0TRG1 DIODES INCORPORATED AP2138-9.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.25A; SOT23; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3V
Output current: 0.25A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Manufacturer series: AP2138
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...6V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.66 грн
31+13.45 грн
35+11.73 грн
42+9.92 грн
100+8.12 грн
250+7.38 грн
500+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3904W-7-F DMMT3904W-7-F DIODES INCORPORATED DMMT3904W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.96 грн
26+15.91 грн
50+10.99 грн
100+9.27 грн
500+6.48 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G14FW4-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E7109D54D660D3&compId=74LVC2G14.pdf?ci_sign=b2c5b34b14927108c691646a7918768d7f670217 Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 2; CMOS; SMD; X2-DFN1010-6; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-6
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Family: LVC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4015SK3Q-13 DMP4015SK3Q-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E157D432E438BF&compId=DMP4015SK3.pdf?ci_sign=d4d43dd2bbb53e25bea0b4fb33be2b85122b2a03 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; 3.5W; TO252
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.61 грн
10+58.80 грн
100+40.02 грн
500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4015SSSQ-13 DMP4015SSSQ-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E179DA5E35D8BF&compId=DMP4015SSSQ.pdf?ci_sign=b45071a0a31ccaaf69bdc91704a01479b23abf72 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.8A; 1.45W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 1.45W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.21 грн
10+72.08 грн
100+47.07 грн
250+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17SE-7 74LVC1G17SE-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BDEEA5BA8DC19E28&compId=74LVC1G17.pdf?ci_sign=46d4ae9fc815d3ce11b688792da35333882a178d Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT353; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Manufacturer series: LVC
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Kind of input: with Schmitt trigger
Quiescent current: 200µA
Kind of output: push-pull
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+7.07 грн
81+5.08 грн
97+4.26 грн
118+3.48 грн
153+2.68 грн
250+2.40 грн
500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17W5-7 74LVC1G17W5-7 DIODES INCORPORATED 74LVC1G17.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT25; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Manufacturer series: LVC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Quiescent current: 200µA
Kind of input: with Schmitt trigger
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.95 грн
72+5.74 грн
81+5.08 грн
96+4.30 грн
120+3.42 грн
250+3.08 грн
500+2.89 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 GBU1006 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809D63C8C54540D2&compId=GBU10_ser.pdf?ci_sign=b9a1f996361247aa84cfaeee4665d74058677991 description Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+138.65 грн
10+77.91 грн
20+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2863ECR PAM2863ECR DIODES INCORPORATED PAM2863.pdf Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; 2A; SOP8; SMD; Ch: 1; reel,tape
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Output current: 2A
Case: SOP8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 4.5...40V DC
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+61.82 грн
9+50.84 грн
10+46.50 грн
25+40.59 грн
50+36.16 грн
100+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10U300CT SBR10U300CT DIODES INCORPORATED SBR10U300.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SBR®; THT; 300V; 10A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 150A
Technology: SBR®
Kind of package: tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.42 грн
10+101.69 грн
50+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AW-7-F BAT54W_AW_CW_SW.pdf
BAT54AW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21Q-13-F Ds12004.pdf
BAS21Q-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 0.4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
175+2.83 грн
225+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 29.8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 2.08W
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-7 DMT6010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LPS-13 DMT6010LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS.pdf
DMT6011LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS.pdf
DMT6012LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.84W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQ-7-F ds11108.pdf
BC847CQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CT-7-F BC847xT.pdf
BC847CT-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.36 грн
44+9.51 грн
50+8.28 грн
100+4.66 грн
500+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-13-F BC846_7_8W.pdf
BC847CW-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-7-F BC846_7_8W.pdf
BC847CW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.95 грн
61+6.72 грн
65+6.40 грн
102+4.06 грн
500+2.64 грн
1000+2.23 грн
3000+1.77 грн
6000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54STQ-7-F BAT54TQ-STQ.pdf
BAT54STQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-13-F BAT54W_AW_CW_SW.pdf
BAT54SW-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-7-F BAT54W_AW_CW_SW.pdf
BAT54SW-7-F
+1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.25 грн
51+8.12 грн
65+6.40 грн
100+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SWQ-7-F SWQ.pdf
BAT54SWQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.71 грн
57+7.22 грн
72+5.74 грн
100+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BT-7-F BC847xT.pdf
BC847BT-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
65+6.31 грн
95+4.35 грн
114+3.62 грн
500+2.12 грн
1000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q.pdf
DMTH6004SK3Q-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 3.9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.08 грн
6+74.63 грн
10+68.88 грн
25+59.86 грн
100+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8620TR PAM8620.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 15W; Ch: 2; Amp.class: D; QFN32; 8÷26VDC
Operating temperature: -40...125°C
Output power: 15W
Voltage supply range: 8...26V DC
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Integrated circuit features: low distortion THD; low noise; stereo
Case: QFN32
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99Q-13-F BAV99.pdf
BAV99Q-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99T-7-F BAS16T_BAW56T_BAV70T_BAV99T.pdf
BAV99T-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.155A; 4ns; SOT523; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.155A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.60 грн
53+7.87 грн
57+7.22 грн
100+5.26 грн
500+3.94 грн
1000+3.40 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LSD-13 ds31448.pdf
DMP3098LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.3A; Idm: -15A; 1.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD20100CT-13 MBRD20100CT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252/DPAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252/DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ12CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3÷15.3V; 30.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...15.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.96 грн
24+17.22 грн
28+15.09 грн
100+9.27 грн
500+6.72 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HD01-T HD01.pdf
HD01-T
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 0.8A; Ifsm: 30A; MiniDIP
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Case: MiniDIP
Electrical mounting: SMT
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+35.33 грн
16+26.90 грн
18+23.29 грн
100+12.79 грн
500+8.86 грн
1000+8.53 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AWQ-7-F SWQ.pdf
BAT54AWQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL431AQFTA ZTL431,432.pdf
ZTL431AQFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
Application: automotive industry
на замовлення 3040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.43 грн
35+12.05 грн
39+10.66 грн
100+9.18 грн
250+8.53 грн
500+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
LMV358M8G-13 LMV321_358.pdf
LMV358M8G-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; Uoper: 2.7÷5.5V; MSOP8; 10dB
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: 2
Operating voltage: 2.7...5.5V
Mounting: SMT
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Open-loop gain: 10dB
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.61 грн
21+19.68 грн
24+17.39 грн
28+14.93 грн
100+12.30 грн
125+12.05 грн
250+11.23 грн
500+10.74 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600TA FZT600A.pdf
FZT600TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+69.77 грн
10+43.14 грн
100+27.23 грн
250+23.13 грн
500+20.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.49 грн
20+20.67 грн
24+17.63 грн
32+13.12 грн
100+8.04 грн
500+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL432AFTA ZTL431,432.pdf
ZTL432AFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.43 грн
35+11.97 грн
39+10.66 грн
100+9.02 грн
250+8.94 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ58CA-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386
SMAJ58CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.4÷71.2V; 4.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.31 грн
32+13.20 грн
37+11.15 грн
100+8.61 грн
500+6.72 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13 DMT3020LFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 50A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.2A
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13 DMT3020LFDBQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13 DMT3020LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7 DMT3020LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13 DMT3020LFDFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7 DMT3020LFDFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ.pdf
DMT3020LSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13 DMT3020UFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Mounting: SMD
Case: U-DFN2020-6
Kind of package: 13 inch reel; tape
Polarisation: unipolar
Pulsed drain current: 35A
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.2A
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13 DMT30M9LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BT-7-F BC857T.pdf
BC857BT-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 7175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.83 грн
56+7.38 грн
61+6.81 грн
100+4.24 грн
500+2.84 грн
1000+2.43 грн
3000+1.96 грн
6000+1.75 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW-7-F BC856AW-BC858CW.pdf
BC857BW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.71 грн
66+6.23 грн
113+3.28 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114EUAQ-7 ADTC114EUAQ.pdf
ADTC114EUAQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 330mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Quantity in set/package: 3000pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114EUA-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC464C6C3878BF&compId=DDTCxxxUA.pdf?ci_sign=1d714a1f0503ba48b6e9b2d985323bd175e64060
DDTC114EUA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.65 грн
80+5.17 грн
96+4.31 грн
133+3.10 грн
1000+1.98 грн
3000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
AP2138N-3.0TRG1 AP2138-9.pdf
AP2138N-3.0TRG1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.25A; SOT23; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3V
Output current: 0.25A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Manufacturer series: AP2138
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...6V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.66 грн
31+13.45 грн
35+11.73 грн
42+9.92 грн
100+8.12 грн
250+7.38 грн
500+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
DMMT3904W-7-F DMMT3904W.pdf
DMMT3904W-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 40V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN x2
Case: SOT363
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30...300
Collector-emitter voltage: 40V
Frequency: 300MHz
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.96 грн
26+15.91 грн
50+10.99 грн
100+9.27 грн
500+6.48 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G14FW4-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDDA4E7109D54D660D3&compId=74LVC2G14.pdf?ci_sign=b2c5b34b14927108c691646a7918768d7f670217
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Gates, inverters
Description: IC: digital; inverter; Ch: 2; CMOS; SMD; X2-DFN1010-6; 1.65÷5.5VDC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: inverter
Number of channels: 2
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: X2-DFN1010-6
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Family: LVC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4015SK3Q-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E157D432E438BF&compId=DMP4015SK3.pdf?ci_sign=d4d43dd2bbb53e25bea0b4fb33be2b85122b2a03
DMP4015SK3Q-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -30A; 3.5W; TO252
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -30A
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 3.5W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.61 грн
10+58.80 грн
100+40.02 грн
500+31.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMP4015SSSQ-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986E179DA5E35D8BF&compId=DMP4015SSSQ.pdf?ci_sign=b45071a0a31ccaaf69bdc91704a01479b23abf72
DMP4015SSSQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -8.8A; 1.45W; SO8
Case: SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -8.8A
On-state resistance: 15mΩ
Power dissipation: 1.45W
Gate-source voltage: ±25V
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+104.21 грн
10+72.08 грн
100+47.07 грн
250+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17SE-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BDEEA5BA8DC19E28&compId=74LVC1G17.pdf?ci_sign=46d4ae9fc815d3ce11b688792da35333882a178d
74LVC1G17SE-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT353; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT353
Manufacturer series: LVC
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Number of channels: 1
Kind of input: with Schmitt trigger
Quiescent current: 200µA
Kind of output: push-pull
на замовлення 1986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.07 грн
81+5.08 грн
97+4.26 грн
118+3.48 грн
153+2.68 грн
250+2.40 грн
500+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G17W5-7 74LVC1G17.pdf
74LVC1G17W5-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; buffer,non-inverting; Ch: 1; CMOS; SMD; SOT25; LVC
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: buffer; non-inverting
Number of channels: 1
Technology: CMOS
Mounting: SMD
Case: SOT25
Manufacturer series: LVC
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: push-pull
Supply voltage: 1.65...5.5V DC
Quiescent current: 200µA
Kind of input: with Schmitt trigger
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.95 грн
72+5.74 грн
81+5.08 грн
96+4.30 грн
120+3.42 грн
250+3.08 грн
500+2.89 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
GBU1006 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD809D63C8C54540D2&compId=GBU10_ser.pdf?ci_sign=b9a1f996361247aa84cfaeee4665d74058677991
GBU1006
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Flat single phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 10A; Ifsm: 220A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 220A
Version: flat
Case: GBU
Electrical mounting: THT
Leads: flat pin
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.65 грн
10+77.91 грн
20+71.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PAM2863ECR PAM2863.pdf
PAM2863ECR
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: Driver; DC/DC converter,LED driver; 2A; SOP8; SMD; Ch: 1; reel,tape
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: DC/DC converter; LED driver
Output current: 2A
Case: SOP8
Mounting: SMD
Number of channels: 1
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 4.5...40V DC
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.82 грн
9+50.84 грн
10+46.50 грн
25+40.59 грн
50+36.16 грн
100+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10U300CT SBR10U300.pdf
SBR10U300CT
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SBR®; THT; 300V; 10A; TO220AB; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 300V
Load current: 10A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO220AB
Max. forward voltage: 0.92V
Max. forward impulse current: 150A
Technology: SBR®
Kind of package: tube
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.42 грн
10+101.69 грн
50+61.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 123 246 369 492 615 738 861 984 1107 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1230 1233  [ Наступна Сторінка >> ]