Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74621) > Сторінка 1193 з 1244

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1240 1244  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FMMT620TA FMMT620TA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDF0651C037D820&compId=FMMT620.pdf?ci_sign=2c617d69f79f8aa09ce5c6a1d446f0f0df43a9a1 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 625mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 10...900
Collector-emitter voltage: 80V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.25 грн
19+21.59 грн
50+18.28 грн
100+16.98 грн
500+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT634TA FMMT634TA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDF14AB1922F820&compId=FMMT634.pdf?ci_sign=aa3c94e409f11812273fe9d20d00a2e4dd115584 Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.9A; 625mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 0.9A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 0.6k...60k
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 140MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+53.12 грн
11+40.11 грн
12+34.61 грн
50+22.64 грн
100+19.00 грн
500+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT722TA FMMT722TA DIODES INCORPORATED FMMT722.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 1.5A; 625mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 300...470
Collector-emitter voltage: 70V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
23+17.95 грн
26+16.01 грн
100+11.73 грн
500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LP-7 BAS16LP-7 DIODES INCORPORATED BAS16LP.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; DFN2; Ufmax: 1.25V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN2
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16Q-7-F BAS16Q-7-F DIODES INCORPORATED BAS16_MMBD4148_MMBD914.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.75 грн
225+1.88 грн
500+1.78 грн
650+1.47 грн
1800+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
AL5801W6-7 AL5801W6-7 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEFB04372C15A143&compId=AL5801.pdf?ci_sign=dc9cf076da6c16d6766433467bdf6b49eb24ffab Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOT26; 350mA; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT26
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 5...100V DC
Integrated circuit features: PWM
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.84 грн
18+22.89 грн
25+20.38 грн
100+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BW-7-F BC846BW-7-F DIODES INCORPORATED BC846_7_8W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.84 грн
63+6.47 грн
100+4.25 грн
500+2.74 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903QS-13 LM2903QS-13 DIODES INCORPORATED LM290xxQ.pdf Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; SMT; SO8; reel,tape; 200nA
Input offset current: 200nA
Input offset voltage: 15mV
Voltage supply range: ± 1...18V DC; 2...36V DC
Number of comparators: 2
Kind of output: open collector
Type of integrated circuit: comparator
Case: SO8
Kind of comparator: universal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+30.48 грн
24+17.22 грн
30+13.83 грн
100+9.95 грн
250+8.17 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199WQ-7 BAV199WQ-7 DIODES INCORPORATED BAV199WQ.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.16A; 3us; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.16A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 2pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 0.5A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
57+7.12 грн
84+4.84 грн
100+4.25 грн
500+3.10 грн
1000+2.68 грн
1500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AW-7-F BAT54AW-7-F DIODES INCORPORATED BAT54W_AW_CW_SW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21Q-13-F BAS21Q-13-F DIODES INCORPORATED Ds12004.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 0.4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
175+2.79 грн
225+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DIODES INCORPORATED DMT6009LCT.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 29.8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 2.08W
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LK3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6009LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-7 DIODES INCORPORATED DMT6010LFG.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT6010LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6011LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 DIODES INCORPORATED DMT6012LSS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.84W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQ-7-F BC847CQ-7-F DIODES INCORPORATED ds11108.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CT-7-F BC847CT-7-F DIODES INCORPORATED BC847xT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.19 грн
44+9.38 грн
50+8.17 грн
100+4.59 грн
500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-13-F BC847CW-13-F DIODES INCORPORATED BC846_7_8W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-7-F BC847CW-7-F DIODES INCORPORATED BC846_7_8W.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
56+7.84 грн
61+6.63 грн
65+6.31 грн
102+4.00 грн
500+2.60 грн
1000+2.20 грн
3000+1.75 грн
6000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54STQ-7-F BAT54STQ-7-F DIODES INCORPORATED BAT54TQ-STQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-13-F BAT54SW-13-F DIODES INCORPORATED BAT54W_AW_CW_SW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-7-F
+1
 		BAT54SW-7-F DIODES INCORPORATED BAT54W_AW_CW_SW.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+12.19 грн
54+7.60 грн
68+6.02 грн
100+4.20 грн
500+2.90 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SWQ-7-F BAT54SWQ-7-F DIODES INCORPORATED SWQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
57+7.12 грн
72+5.66 грн
100+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BT-7-F BC847BT-7-F DIODES INCORPORATED BC847xT.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
72+5.66 грн
104+3.90 грн
125+3.24 грн
500+1.90 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CAA0E62B1A38BF&compId=DMTH6004SK3Q.pdf?ci_sign=44945004b091d05cf2809c979a26c92b13976565 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 3.9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+88.83 грн
6+73.59 грн
10+67.93 грн
25+59.03 грн
100+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8620TR DIODES INCORPORATED PAM8620.pdf Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 15W; Ch: 2; Amp.class: D; QFN32; 8÷26VDC
Operating temperature: -40...125°C
Output power: 15W
Voltage supply range: 8...26V DC
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Integrated circuit features: low distortion THD; low noise; stereo
Case: QFN32
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99Q-13-F BAV99Q-13-F DIODES INCORPORATED BAV99.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99T-7-F BAV99T-7-F DIODES INCORPORATED BAS16T_BAW56T_BAV70T_BAV99T.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.155A; 4ns; SOT523; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.155A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
52+7.93 грн
55+7.36 грн
100+5.34 грн
500+3.99 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LSD-13 DMP3098LSD-13 DIODES INCORPORATED ds31448.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.3A; Idm: -15A; 1.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD20100CT-13 DIODES INCORPORATED MBRD20100CT.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252/DPAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252/DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12CA-13-F SMBJ12CA-13-F DIODES INCORPORATED SMBJ_ser.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3÷15.3V; 30.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...15.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.64 грн
24+16.98 грн
28+14.88 грн
100+9.14 грн
500+6.63 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HD01-T HD01-T DIODES INCORPORATED HD01.pdf Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 0.8A; Ifsm: 30A; MiniDIP
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Electrical mounting: SMT
Case: MiniDIP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+34.84 грн
16+26.52 грн
18+22.97 грн
100+12.62 грн
500+8.73 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AWQ-7-F BAT54AWQ-7-F DIODES INCORPORATED SWQ.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL431AQFTA ZTL431AQFTA DIODES INCORPORATED ZTL431,432.pdf Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
Application: automotive industry
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.16 грн
35+11.89 грн
39+10.51 грн
100+9.06 грн
250+8.41 грн
500+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
LMV358M8G-13 LMV358M8G-13 DIODES INCORPORATED LMV321_358.pdf Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; Uoper: 2.7÷5.5V; MSOP8; 10dB
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: 2
Operating voltage: 2.7...5.5V
Mounting: SMT
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Open-loop gain: 10dB
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.26 грн
21+19.41 грн
24+17.14 грн
28+14.72 грн
100+12.13 грн
125+11.89 грн
250+11.08 грн
500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600TA FZT600TA DIODES INCORPORATED FZT600A.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+68.80 грн
10+42.54 грн
100+26.85 грн
250+22.80 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT-7 DIODES INCORPORATED DMG6402LVT.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
20+20.38 грн
24+17.39 грн
32+12.94 грн
100+7.93 грн
500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL432AFTA ZTL432AFTA DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB84F31562F17F20C7&compId=ZTL431%2C432.pdf?ci_sign=00774d159c42e48604be9d430ea0ab015390bded Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+19.16 грн
35+11.81 грн
39+10.51 грн
100+8.90 грн
250+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ58CA-13-F SMAJ58CA-13-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386 Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.4÷71.2V; 4.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.03 грн
32+13.02 грн
37+11.00 грн
100+8.49 грн
500+6.63 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDBQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7 DIODES INCORPORATED DMT3020LFDFQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ-13 DIODES INCORPORATED DMT3020LSDQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13 DIODES INCORPORATED DMT3020UFDB.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13 DIODES INCORPORATED DMT30M9LPS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BT-7-F BC857BT-7-F DIODES INCORPORATED BC857T.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 7175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
56+7.28 грн
61+6.71 грн
100+4.18 грн
500+2.80 грн
1000+2.39 грн
3000+1.93 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW-7-F BC857BW-7-F DIODES INCORPORATED BC856AW-BC858CW.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
66+6.15 грн
113+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114EUAQ-7 ADTC114EUAQ-7 DIODES INCORPORATED ADTC114EUAQ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 330mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Quantity in set/package: 3000pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114EUA-7-F DDTC114EUA-7-F DIODES INCORPORATED pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC464C6C3878BF&compId=DDTCxxxUA.pdf?ci_sign=1d714a1f0503ba48b6e9b2d985323bd175e64060 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
52+8.53 грн
80+5.09 грн
96+4.25 грн
133+3.06 грн
1000+1.96 грн
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
AP2138N-3.0TRG1 AP2138N-3.0TRG1 DIODES INCORPORATED AP2138-9.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.25A; SOT23; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3V
Output current: 0.25A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Manufacturer series: AP2138
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...6V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.42 грн
31+13.26 грн
35+11.56 грн
42+9.78 грн
100+8.01 грн
250+7.28 грн
500+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT620TA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDF0651C037D820&compId=FMMT620.pdf?ci_sign=2c617d69f79f8aa09ce5c6a1d446f0f0df43a9a1
FMMT620TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 625mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 10...900
Collector-emitter voltage: 80V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 160MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.25 грн
19+21.59 грн
50+18.28 грн
100+16.98 грн
500+14.48 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT634TA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDF14AB1922F820&compId=FMMT634.pdf?ci_sign=aa3c94e409f11812273fe9d20d00a2e4dd115584
FMMT634TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 0.9A; 625mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 0.9A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 0.6k...60k
Collector-emitter voltage: 100V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 140MHz
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2041 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+53.12 грн
11+40.11 грн
12+34.61 грн
50+22.64 грн
100+19.00 грн
500+13.99 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
FMMT722TA FMMT722.pdf
FMMT722TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 70V; 1.5A; 625mW; SOT23
Case: SOT23
Collector current: 1.5A
Power dissipation: 0.625W
Current gain: 300...470
Collector-emitter voltage: 70V
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 200MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.13 грн
23+17.95 грн
26+16.01 грн
100+11.73 грн
500+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16LP-7 BAS16LP.pdf
BAS16LP-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; DFN2; Ufmax: 1.25V; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DFN2
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16Q-7-F BAS16_MMBD4148_MMBD914.pdf
BAS16Q-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 100V; 0.2A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 2pF
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
Application: automotive industry
на замовлення 5550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
175+2.75 грн
225+1.88 грн
500+1.78 грн
650+1.47 грн
1800+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
AL5801W6-7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8AEFB04372C15A143&compId=AL5801.pdf?ci_sign=dc9cf076da6c16d6766433467bdf6b49eb24ffab
AL5801W6-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LED drivers
Description: IC: driver; current regulator,LED driver; SOT26; 350mA; Ch: 1; PWM
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: current regulator; LED driver
Case: SOT26
Output current: 0.35A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Operating voltage: 5...100V DC
Integrated circuit features: PWM
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.84 грн
18+22.89 грн
25+20.38 грн
100+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BW-7-F BC846_7_8W.pdf
BC846BW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.84 грн
63+6.47 грн
100+4.25 грн
500+2.74 грн
1000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
LM2903QS-13 LM290xxQ.pdf
LM2903QS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD comparators
Description: IC: comparator; universal; Cmp: 2; SMT; SO8; reel,tape; 200nA
Input offset current: 200nA
Input offset voltage: 15mV
Voltage supply range: ± 1...18V DC; 2...36V DC
Number of comparators: 2
Kind of output: open collector
Type of integrated circuit: comparator
Case: SO8
Kind of comparator: universal
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMT
Operating temperature: -40...125°C
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+30.48 грн
24+17.22 грн
30+13.83 грн
100+9.95 грн
250+8.17 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BAV199WQ-7 BAV199WQ.pdf
BAV199WQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.16A; 3us; SOT323; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 1A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.16A
Reverse recovery time: 3µs
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 2pF
Case: SOT323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 0.5A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
57+7.12 грн
84+4.84 грн
100+4.25 грн
500+3.10 грн
1000+2.68 грн
1500+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AW-7-F BAT54W_AW_CW_SW.pdf
BAT54AW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21Q-13-F Ds12004.pdf
BAS21Q-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 250V; 0.2A; 50ns; SOT23; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 250V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 50ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Max. load current: 0.4A
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
175+2.79 грн
225+1.88 грн
Мінімальне замовлення: 175
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LCT DMT6009LCT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29.8A; Idm: 80A; 2.2W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 29.8A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LFG-13 DMT6009LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 90A; 2.08W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 11.7mΩ
Power dissipation: 2.08W
Drain current: 9A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LK3-13 DMT6009LK3.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 10.6A; Idm: 90A; 2.6W; TO252
Case: TO252
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12.8mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 10.6A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 90A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LPS-13 DMT6009LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.1A; Idm: 160A; 2.3W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.3W
Drain current: 9.1A
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 160A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6009LSS-13 DMT6009LSS.pdf
DMT6009LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11.5A; Idm: 60A; 1.6W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 33.5nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 1.6W
Drain current: 11.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 60A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 25A; 2.2W; PowerDI®3333-8
Case: PowerDI®3333-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 25A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-7 DMT6010LFG.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 80A; 2.2W
Case: PowerDI3333-8
Kind of package: 7 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 11.5mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LPS-13 DMT6010LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 11A; Idm: 125A; 2.2W
Case: PowerDI5060-8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 41.3nC
On-state resistance: 12mΩ
Power dissipation: 2.2W
Drain current: 11A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 125A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6011LSS-13 DMT6011LSS.pdf
DMT6011LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.5A; Idm: 85A; 2.1W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14.5mΩ
Power dissipation: 2.1W
Drain current: 8.5A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 85A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS.pdf
DMT6012LSS-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 8.4A; Idm: 65A; 1.84W; SO8
Case: SO8
Kind of package: 13 inch reel; tape
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 22.2nC
On-state resistance: 14mΩ
Power dissipation: 1.84W
Drain current: 8.4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 65A
Drain-source voltage: 60V
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CQ-7-F ds11108.pdf
BC847CQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 350mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CT-7-F BC847xT.pdf
BC847CT-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.19 грн
44+9.38 грн
50+8.17 грн
100+4.59 грн
500+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-13-F BC846_7_8W.pdf
BC847CW-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CW-7-F BC846_7_8W.pdf
BC847CW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 6058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+7.84 грн
61+6.63 грн
65+6.31 грн
102+4.00 грн
500+2.60 грн
1000+2.20 грн
3000+1.75 грн
6000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54STQ-7-F BAT54TQ-STQ.pdf
BAT54STQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT523; SMD; 30V; 0.2A; reel,tape; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT523
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.15W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-13-F BAT54W_AW_CW_SW.pdf
BAT54SW-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SW-7-F BAT54W_AW_CW_SW.pdf
BAT54SW-7-F
+1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.3A; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+12.19 грн
54+7.60 грн
68+6.02 грн
100+4.20 грн
500+2.90 грн
1000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54SWQ-7-F SWQ.pdf
BAT54SWQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
57+7.12 грн
72+5.66 грн
100+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BT-7-F BC847xT.pdf
BC847BT-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
72+5.66 грн
104+3.90 грн
125+3.24 грн
500+1.90 грн
1000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6004SK3Q-13 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986CAA0E62B1A38BF&compId=DMTH6004SK3Q.pdf?ci_sign=44945004b091d05cf2809c979a26c92b13976565
DMTH6004SK3Q-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 3.8mΩ
Power dissipation: 3.9W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+88.83 грн
6+73.59 грн
10+67.93 грн
25+59.03 грн
100+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PAM8620TR PAM8620.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: RTV - audio integrated circuits
Description: IC: audio amplifier; Pout: 15W; Ch: 2; Amp.class: D; QFN32; 8÷26VDC
Operating temperature: -40...125°C
Output power: 15W
Voltage supply range: 8...26V DC
Kind of package: reel; tape
Amplifier class: D
Integrated circuit features: low distortion THD; low noise; stereo
Case: QFN32
Type of integrated circuit: audio amplifier
Mounting: SMD
Number of channels: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99Q-13-F BAV99.pdf
BAV99Q-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 0.3A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.3A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2A
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99T-7-F BAS16T_BAW56T_BAV70T_BAV99T.pdf
BAV99T-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.155A; 4ns; SOT523; Ufmax: 1.25V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.155A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series
Case: SOT523
Max. forward voltage: 1.25V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: small signal
на замовлення 2538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
52+7.93 грн
55+7.36 грн
100+5.34 грн
500+3.99 грн
1000+3.43 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3098LSD-13 ds31448.pdf
DMP3098LSD-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3.3A; Idm: -15A; 1.8W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Drain-source voltage: -30V
Pulsed drain current: -15A
Drain current: -3.3A
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRD20100CT-13 MBRD20100CT.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252/DPAK; SMD; 100V; 10Ax2; reel
Type of diode: Schottky rectifying
Case: TO252/DPAK
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.84V
Max. forward impulse current: 150A
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ12CA-13-F SMBJ_ser.pdf
SMBJ12CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.6kW; 13.3÷15.3V; 30.2A; bidirectional; SMB; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.6kW
Max. off-state voltage: 12V
Breakdown voltage: 13.3...15.3V
Max. forward impulse current: 30.2A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMB
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.64 грн
24+16.98 грн
28+14.88 грн
100+9.14 грн
500+6.63 грн
1000+5.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
HD01-T HD01.pdf
HD01-T
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 100V; If: 0.8A; Ifsm: 30A; MiniDIP
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 100V
Load current: 0.8A
Max. forward impulse current: 30A
Electrical mounting: SMT
Case: MiniDIP
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+34.84 грн
16+26.52 грн
18+22.97 грн
100+12.62 грн
500+8.73 грн
1000+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54AWQ-7-F SWQ.pdf
BAT54AWQ-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 5ns; reel,tape
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common anode; double
Capacitance: 10pF
Max. forward voltage: 1V
Leakage current: 2µA
Max. forward impulse current: 0.6A
Reverse recovery time: 5ns
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 0.2W
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL431AQFTA ZTL431,432.pdf
ZTL431AQFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
Application: automotive industry
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.16 грн
35+11.89 грн
39+10.51 грн
100+9.06 грн
250+8.41 грн
500+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
LMV358M8G-13 LMV321_358.pdf
LMV358M8G-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD operational amplifiers
Description: IC: operational amplifier; 1MHz; Ch: 2; Uoper: 2.7÷5.5V; MSOP8; 10dB
Type of integrated circuit: operational amplifier
Bandwidth: 1MHz
Number of channels: 2
Operating voltage: 2.7...5.5V
Mounting: SMT
Case: MSOP8
Operating temperature: -40...125°C
Slew rate: 1V/μs
Open-loop gain: 10dB
Integrated circuit features: rail-to-rail output
Input offset voltage: 7mV
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.26 грн
21+19.41 грн
24+17.14 грн
28+14.72 грн
100+12.13 грн
125+11.89 грн
250+11.08 грн
500+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
FZT600TA FZT600A.pdf
FZT600TA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 2A; 3W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 2A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Quantity in set/package: 1000pcs.
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+68.80 грн
10+42.54 грн
100+26.85 грн
250+22.80 грн
500+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMG6402LVT-7 DMG6402LVT.pdf
DMG6402LVT-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.1W; TSOT26
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TSOT26
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 1.1W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: 7 inch reel; tape
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.13 грн
20+20.38 грн
24+17.39 грн
32+12.94 грн
100+7.93 грн
500+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
ZTL432AFTA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDB84F31562F17F20C7&compId=ZTL431%2C432.pdf?ci_sign=00774d159c42e48604be9d430ea0ab015390bded
ZTL432AFTA
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Reference voltage sources - circuits
Description: IC: voltage reference source; 2.5V; ±1%; SOT23; reel,tape; 100mA
Type of integrated circuit: voltage reference source
Reference voltage: 2.5V
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case: SOT23
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 2.5...20V
Kind of package: reel; tape
Maximum output current: 0.1A
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+19.16 грн
35+11.81 грн
39+10.51 грн
100+8.90 грн
250+8.81 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
SMAJ58CA-13-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDCB5D5D61A59AC00D2&compId=SMAJ_ser.pdf?ci_sign=97d7e07ffaac288e0eb21ce6c5e39913c3418386
SMAJ58CA-13-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; 0.4kW; 64.4÷71.2V; 4.3A; bidirectional; SMA; reel,tape
Type of diode: TVS
Peak pulse power dissipation: 0.4kW
Max. off-state voltage: 58V
Breakdown voltage: 64.4...71.2V
Max. forward impulse current: 4.3A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SMA
Mounting: SMD
Leakage current: 5µA
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: glass passivated
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.03 грн
32+13.02 грн
37+11.00 грн
100+8.49 грн
500+6.63 грн
1000+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-13 DMT3020LFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDB-7 DMT3020LFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDBQ-13 DMT3020LFDBQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.2A; Idm: 50A; 1.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-13 DMT3020LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDF-7 DMT3020LFDF.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-13 DMT3020LFDFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 6.7A; Idm: 40A; 0.4W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 0.4W
Drain current: 6.7A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LFDFQ-7 DMT3020LFDFQ.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.4A; Idm: 40A; 1.1W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 28mΩ
Power dissipation: 1.1W
Drain current: 5.4A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 40A
Kind of package: 7 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020LSDQ-13 DMT3020LSDQ.pdf
DMT3020LSDQ-13
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; Idm: 50A; 1.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SO8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 7nC
On-state resistance: 32mΩ
Power dissipation: 1.5W
Drain current: 13A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 50A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Application: automotive industry
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT3020UFDB-13 DMT3020UFDB.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 5.2A; Idm: 35A; 1.3W
Type of transistor: N-MOSFET x2
Case: U-DFN2020-6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±12V
Gate charge: 8.8nC
On-state resistance: 30mΩ
Power dissipation: 1.3W
Drain current: 5.2A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 35A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT30M9LPS-13 DMT30M9LPS.pdf
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 400A; 2.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PowerDI5060-8
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160.5nC
On-state resistance: 1.6mΩ
Power dissipation: 2.6W
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 30V
Pulsed drain current: 400A
Kind of package: 13 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BT-7-F BC857T.pdf
BC857BT-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 7175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
56+7.28 грн
61+6.71 грн
100+4.18 грн
500+2.80 грн
1000+2.39 грн
3000+1.93 грн
6000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BC857BW-7-F BC856AW-BC858CW.pdf
BC857BW-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Current gain: 220...475
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Frequency: 200MHz
Quantity in set/package: 3000pcs.
на замовлення 113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
66+6.15 грн
113+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114EUAQ-7 ADTC114EUAQ.pdf
ADTC114EUAQ-7
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 330mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 30
Quantity in set/package: 3000pcs.
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DDTC114EUA-7-F pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE986AC464C6C3878BF&compId=DDTCxxxUA.pdf?ci_sign=1d714a1f0503ba48b6e9b2d985323bd175e64060
DDTC114EUA-7-F
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Quantity in set/package: 3000pcs.
Frequency: 250MHz
на замовлення 4839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
52+8.53 грн
80+5.09 грн
96+4.25 грн
133+3.06 грн
1000+1.96 грн
3000+1.57 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
AP2138N-3.0TRG1 AP2138-9.pdf
AP2138N-3.0TRG1
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3V; 0.25A; SOT23; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.6V
Output voltage: 3V
Output current: 0.25A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Manufacturer series: AP2138
Operating temperature: -40...85°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 2.5...6V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.42 грн
31+13.26 грн
35+11.56 грн
42+9.78 грн
100+8.01 грн
250+7.28 грн
500+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1197 1198 1240 1244  [ Наступна Сторінка >> ]