Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (71651) > Сторінка 597 з 1195

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 357 476 592 593 594 595 596 597 598 599 600 601 602 714 833 952 1071 1190 1195  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW-13 Diodes Incorporated DMTH10H003SPSW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.98 грн
10+138.83 грн
100+96.14 грн
500+73.10 грн
1000+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTA ZXM64P03XTA Diodes Incorporated ZXM64P03X.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+46.76 грн
2000+41.63 грн
3000+39.90 грн
5000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTA ZXM64P03XTA Diodes Incorporated ZXM64P03X.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+105.11 грн
10+82.94 грн
100+64.51 грн
500+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated DMT6012LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS-13 Diodes Incorporated DMT6012LSS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.99 грн
10+30.52 грн
100+19.62 грн
500+14.00 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated DMT6017LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.03 грн
4000+13.26 грн
6000+12.63 грн
10000+11.20 грн
14000+10.81 грн
20000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV-7 Diodes Incorporated DMT6017LFV.pdf Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+61.18 грн
10+36.56 грн
100+23.72 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF-7 Diodes Incorporated DMT6012LFDF.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.16 грн
10+43.43 грн
100+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated DMT6010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.76 грн
6000+17.60 грн
9000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG-13 Diodes Incorporated DMT6010LFG.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 13792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.01 грн
10+48.49 грн
100+31.95 грн
500+23.29 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS-13 Diodes Incorporated DMT6006LSS.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.05 грн
10+59.37 грн
100+39.32 грн
500+28.82 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8SPSQ-13 DMTH61M8SPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH61M8SPSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.66 грн
10+126.22 грн
100+100.49 грн
500+79.79 грн
1000+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPSQ-13 DMTH61M8LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH61M8LPSQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13 MJD42C-13 Diodes Incorporated Description: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AS7809ADTR-G1 AS7809ADTR-G1 Diodes Incorporated AS78XXA.pdf Description: IC REG LINEAR 9V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
PSRR: 61dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36Q-7-F BZX84C36Q-7-F Diodes Incorporated ds18001.pdf Description: ZENER DIODE SOT23 T&R 3K
Tolerance: ±5.56%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.12 грн
32+9.52 грн
100+5.12 грн
500+3.77 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36S-7-F BZX84C36S-7-F Diodes Incorporated ds30108.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
Tolerance: ±6%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36S-7-F BZX84C36S-7-F Diodes Incorporated ds30108.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.24 грн
16+18.96 грн
100+9.56 грн
500+7.31 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36TQ-7-F BZX84C36TQ-7-F Diodes Incorporated BZX84C5V6TQ-BZX84C36TQ.pdf Description: ZENER DIODE SOT523 T&R 3K
Tolerance: ±2.94%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 34 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.83 грн
6000+3.33 грн
9000+3.15 грн
15000+2.76 грн
21000+2.65 грн
30000+2.54 грн
75000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP5726WUG-7 AP5726WUG-7 Diodes Incorporated AP5726.pdf Description: IC LED DRVR RGLTR PWM TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 750mA (Switch)
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.13 грн
6000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP5726WUG-7 AP5726WUG-7 Diodes Incorporated AP5726.pdf Description: IC LED DRVR RGLTR PWM TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 750mA (Switch)
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 11835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.57 грн
10+35.35 грн
25+33.20 грн
100+25.44 грн
250+23.63 грн
500+20.11 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HBDM60V600X-7 HBDM60V600X-7 Diodes Incorporated HBDM60V600X.pdf Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 33190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.14 грн
12+25.61 грн
100+16.34 грн
500+11.58 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AS-13 AP2301AS-13 Diodes Incorporated AP23x1A.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AS-13 AP2301AS-13 Diodes Incorporated AP23x1A.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.26 грн
10+32.78 грн
25+27.10 грн
100+19.34 грн
250+16.35 грн
500+14.51 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP2301AFGE-7 Diodes Incorporated AP23x1A.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 8UDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: U-DFN3030-8 (Type E)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.66 грн
6000+12.91 грн
9000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP2301AFGE-7 Diodes Incorporated AP23x1A.pdf Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 8UDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: U-DFN3030-8 (Type E)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.67 грн
10+38.52 грн
25+31.91 грн
100+22.90 грн
250+19.43 грн
500+17.29 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G10FW4-7 74LVC1G10FW4-7 Diodes Incorporated 74LVC1G10.pdf Description: IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.50 грн
10000+6.56 грн
15000+6.23 грн
25000+5.49 грн
35000+5.28 грн
50000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G10FW4-7 74LVC1G10FW4-7 Diodes Incorporated 74LVC1G10.pdf Description: IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 57950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.00 грн
14+22.96 грн
25+18.85 грн
100+13.32 грн
250+11.16 грн
500+9.83 грн
1000+8.57 грн
2500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L11A-7 SMF4L11A-7 Diodes Incorporated SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 22A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.62 грн
6000+6.23 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L51A-7 SMF4L51A-7 Diodes Incorporated SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21A Diodes Incorporated Description: SIGNAL SWITCHING DIODE SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3USB31532ZLE PI3USB31532ZLE Diodes Incorporated PI3USB31532.pdf Description: IC SWITCH USB 3.1 6:4 40TQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
-3db Bandwidth: 8GHz
Supplier Device Package: 40-TQFN (3x6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:2
Number of Channels: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3USB31532ZLEX PI3USB31532ZLEX Diodes Incorporated USB-Type-C-3.1-Gen2-DP-1.4-Crossbar-Switch-Diodes-PI3USB31532-NPA-032019.pdf Description: IC SWITCH USB 3.1 6:4 40TQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
-3db Bandwidth: 8GHz
Supplier Device Package: 40-TQFN (3x6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:2
Number of Channels: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated DMN62D0UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW-13 Diodes Incorporated DMN62D0UDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
14+22.28 грн
100+11.25 грн
500+8.61 грн
1000+6.39 грн
2000+5.37 грн
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13 DMN62D0UW-13 Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.01 грн
30000+2.85 грн
50000+2.56 грн
100000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13 DMN62D0UW-13 Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.53 грн
20+15.33 грн
100+7.50 грн
500+5.87 грн
1000+4.08 грн
2000+3.54 грн
5000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7 DMN62D0UDWQ-7 Diodes Incorporated DMN62D0UDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.10 грн
16+19.11 грн
100+11.45 грн
500+9.95 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-13 DMN52D0LT-13 Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-13 DMN52D0LT-13 Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.18 грн
25+12.39 грн
100+7.76 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
2000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-13 DMN52D0UV-13 Diodes Incorporated DMN52D0UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.09 грн
30000+4.81 грн
50000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-13 DMN52D0UV-13 Diodes Incorporated DMN52D0UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
14+23.11 грн
100+11.64 грн
500+8.91 грн
1000+6.61 грн
2000+5.56 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-7 DMN52D0UV-7 Diodes Incorporated DMN52D0UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.16 грн
6000+5.67 грн
9000+4.90 грн
30000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-7 DMN52D0UV-7 Diodes Incorporated DMN52D0UV.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
14+23.11 грн
100+11.64 грн
500+8.91 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UVA-7 DMN52D0UVA-7 Diodes Incorporated DMN52D0UVA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.16 грн
6000+5.67 грн
9000+4.90 грн
30000+4.51 грн
75000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UVA-7 DMN52D0UVA-7 Diodes Incorporated DMN52D0UVA.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.51 грн
14+23.11 грн
100+11.64 грн
500+8.91 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13 DMN53D0LQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.56 грн
30000+3.37 грн
50000+3.03 грн
100000+2.52 грн
250000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13 DMN53D0LQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LQ.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1169900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.45 грн
17+18.20 грн
100+8.88 грн
500+6.95 грн
1000+4.83 грн
2000+4.18 грн
5000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-7 DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.58 грн
6000+4.09 грн
9000+3.39 грн
30000+3.13 грн
75000+2.81 грн
150000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-7 DMN52D0LT-7 Diodes Incorporated DMN52D0LT.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 161965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.45 грн
17+17.98 грн
100+8.78 грн
500+6.87 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Diodes Incorporated DMN53D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.43 грн
30000+3.24 грн
50000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L-13 Diodes Incorporated DMN53D0L.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.67 грн
18+17.45 грн
100+8.54 грн
500+6.68 грн
1000+4.64 грн
2000+4.02 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ-7 Diodes Incorporated DMN53D0LDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.30 грн
13+23.87 грн
100+12.02 грн
500+10.00 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13 DMN53D0LTQ-13 Diodes Incorporated DMN53D0LTQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.88 грн
30000+2.61 грн
50000+2.45 грн
100000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UW-13 DMN52D0UW-13 Diodes Incorporated DMN52D0UW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400µW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UQ-13 DMN52D0UQ-13 Diodes Incorporated DMN52D0UQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UWQ-13 DMN52D0UWQ-13 Diodes Incorporated DMN52D0UWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0U-13 DMN52D0U-13 Diodes Incorporated DMN52D0U.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW.pdf
DMTH10H003SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH10H003SPSW-13 DMTH10H003SPSW.pdf
DMTH10H003SPSW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type Q)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5542 pF @ 50 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.98 грн
10+138.83 грн
100+96.14 грн
500+73.10 грн
1000+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTA ZXM64P03X.pdf
ZXM64P03XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+46.76 грн
2000+41.63 грн
3000+39.90 грн
5000+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P03XTA ZXM64P03X.pdf
ZXM64P03XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V
на замовлення 7884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.11 грн
10+82.94 грн
100+64.51 грн
500+51.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS.pdf
DMT6012LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LSS-13 DMT6012LSS.pdf
DMT6012LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 10.4A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1522 pF @ 30 V
на замовлення 1001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.99 грн
10+30.52 грн
100+19.62 грн
500+14.00 грн
1000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV.pdf
DMT6017LFV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+15.03 грн
4000+13.26 грн
6000+12.63 грн
10000+11.20 грн
14000+10.81 грн
20000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6017LFV-7 DMT6017LFV.pdf
DMT6017LFV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 65V 36A POWERDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.12W (Ta), 39.06W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (Type UX)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 891 pF @ 30 V
на замовлення 80504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.18 грн
10+36.56 грн
100+23.72 грн
500+17.08 грн
1000+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF.pdf
DMT6012LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6012LFDF-7 DMT6012LFDF.pdf
DMT6012LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 9.5A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta), 11W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 30 V
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.16 грн
10+43.43 грн
100+28.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
DMT6010LFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+19.76 грн
6000+17.60 грн
9000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6010LFG-13 DMT6010LFG.pdf
DMT6010LFG-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 41W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2090 pF @ 30 V
на замовлення 13792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.01 грн
10+48.49 грн
100+31.95 грн
500+23.29 грн
1000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6006LSS-13 DMT6006LSS.pdf
DMT6006LSS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SO-8 T&R 2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2162 pF @ 30 V
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.05 грн
10+59.37 грн
100+39.32 грн
500+28.82 грн
1000+26.22 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8SPSQ-13 DMTH61M8SPSQ.pdf
DMTH61M8SPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 215A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8306 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+157.66 грн
10+126.22 грн
100+100.49 грн
500+79.79 грн
1000+67.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH61M8LPSQ-13 DMTH61M8LPSQ.pdf
DMTH61M8LPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type K)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MJD42C-13
MJD42C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 100V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 300mA, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
AS7809ADTR-G1 AS78XXA.pdf
AS7809ADTR-G1
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC REG LINEAR 9V 1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 1A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 6 mA
Voltage - Input (Max): 29V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: TO-252-3
Voltage - Output (Min/Fixed): 9V
PSRR: 61dB (120Hz)
Voltage Dropout (Max): 2V @ 1A (Typ)
Protection Features: Over Temperature, Short Circuit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36Q-7-F ds18001.pdf
BZX84C36Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER DIODE SOT23 T&R 3K
Tolerance: ±5.56%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.12 грн
32+9.52 грн
100+5.12 грн
500+3.77 грн
1000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36S-7-F ds30108.pdf
BZX84C36S-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
Tolerance: ±6%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36S-7-F ds30108.pdf
BZX84C36S-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER ARRAY 36V SOT363
Tolerance: ±6%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 36 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Power - Max: 200 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.24 грн
16+18.96 грн
100+9.56 грн
500+7.31 грн
1000+5.42 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C36TQ-7-F BZX84C5V6TQ-BZX84C36TQ.pdf
BZX84C36TQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER DIODE SOT523 T&R 3K
Tolerance: ±2.94%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 34 V
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Power - Max: 150 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 25.2 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.83 грн
6000+3.33 грн
9000+3.15 грн
15000+2.76 грн
21000+2.65 грн
30000+2.54 грн
75000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP5726WUG-7 AP5726.pdf
AP5726WUG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 750mA (Switch)
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+16.13 грн
6000+14.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP5726WUG-7 AP5726.pdf
AP5726WUG-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC LED DRVR RGLTR PWM TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 1.2MHz
Type: DC DC Regulator
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: Backlight
Current - Output / Channel: 750mA (Switch)
Internal Switch(s): Yes
Topology: Step-Up (Boost)
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 2.7V
Voltage - Supply (Max): 5.5V
на замовлення 11835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.57 грн
10+35.35 грн
25+33.20 грн
100+25.44 грн
250+23.63 грн
500+20.11 грн
1000+15.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HBDM60V600X-7 HBDM60V600X.pdf
HBDM60V600X-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN/PNP 60V/80V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 33190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.14 грн
12+25.61 грн
100+16.34 грн
500+11.58 грн
1000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AS-13 AP23x1A.pdf
AP2301AS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AS-13 AP23x1A.pdf
AP2301AS-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHANNEL 1:1 8SO
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SO
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.26 грн
10+32.78 грн
25+27.10 грн
100+19.34 грн
250+16.35 грн
500+14.51 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP23x1A.pdf
AP2301AFGE-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 8UDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: U-DFN3030-8 (Type E)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+14.66 грн
6000+12.91 грн
9000+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
AP2301AFGE-7 AP23x1A.pdf
AP2301AFGE-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC PWR SWITCH P-CHAN 1:1 8UDFN
Features: Load Discharge, Slew Rate Controlled, Status Flag
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UDFN Exposed Pad
Output Type: P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: USB Switch
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 70mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 2.7V ~ 5.5V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 2A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: U-DFN3030-8 (Type E)
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature, Reverse Current, UVLO
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.67 грн
10+38.52 грн
25+31.91 грн
100+22.90 грн
250+19.43 грн
500+17.29 грн
1000+15.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G10FW4-7 74LVC1G10.pdf
74LVC1G10FW4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+7.50 грн
10000+6.56 грн
15000+6.23 грн
25000+5.49 грн
35000+5.28 грн
50000+5.08 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G10FW4-7 74LVC1G10.pdf
74LVC1G10FW4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC GATE NAND 1CH 3-INP DFN1010-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: NAND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 3
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.3ns @ 5V, 50pF
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 40 µA
на замовлення 57950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+40.00 грн
14+22.96 грн
25+18.85 грн
100+13.32 грн
250+11.16 грн
500+9.83 грн
1000+8.57 грн
2500+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L11A-7 SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf
SMF4L11A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 22A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 11V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 12.2V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18.2V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.62 грн
6000+6.23 грн
9000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
SMF4L51A-7 SMF4L5.0CA-SMF4L200CA.pdf
SMF4L51A-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR PP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 4.9A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 51V
Supplier Device Package: DO-219AA
Unidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 56.7V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 82.4V
Power - Peak Pulse: 400W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS21A
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIGNAL SWITCHING DIODE SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3USB31532ZLE PI3USB31532.pdf
PI3USB31532ZLE
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SWITCH USB 3.1 6:4 40TQFN
Packaging: Tray
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
-3db Bandwidth: 8GHz
Supplier Device Package: 40-TQFN (3x6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:2
Number of Channels: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PI3USB31532ZLEX USB-Type-C-3.1-Gen2-DP-1.4-Crossbar-Switch-Diodes-PI3USB31532-NPA-032019.pdf
PI3USB31532ZLEX
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC SWITCH USB 3.1 6:4 40TQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 40-WFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Applications: USB
-3db Bandwidth: 8GHz
Supplier Device Package: 40-TQFN (3x6)
Voltage - Supply, Single (V+): 3V ~ 3.6V
Multiplexer/Demultiplexer Circuit: 3:2
Number of Channels: 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW.pdf
DMN62D0UDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDW-13 DMN62D0UDW.pdf
DMN62D0UDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.94 грн
14+22.28 грн
100+11.25 грн
500+8.61 грн
1000+6.39 грн
2000+5.37 грн
5000+5.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13
DMN62D0UW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.01 грн
30000+2.85 грн
50000+2.56 грн
100000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UW-13
DMN62D0UW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32 pF @ 30 V
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+23.53 грн
20+15.33 грн
100+7.50 грн
500+5.87 грн
1000+4.08 грн
2000+3.54 грн
5000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN62D0UDWQ-7 DMN62D0UDWQ.pdf
DMN62D0UDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 320mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 32pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+25.10 грн
16+19.11 грн
100+11.45 грн
500+9.95 грн
1000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-13 DMN52D0LT.pdf
DMN52D0LT-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-13 DMN52D0LT.pdf
DMN52D0LT-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 3862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.18 грн
25+12.39 грн
100+7.76 грн
500+5.37 грн
1000+4.75 грн
2000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-13 DMN52D0UV.pdf
DMN52D0UV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.09 грн
30000+4.81 грн
50000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-13 DMN52D0UV.pdf
DMN52D0UV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.51 грн
14+23.11 грн
100+11.64 грн
500+8.91 грн
1000+6.61 грн
2000+5.56 грн
5000+5.23 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-7 DMN52D0UV.pdf
DMN52D0UV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.16 грн
6000+5.67 грн
9000+4.90 грн
30000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UV-7 DMN52D0UV.pdf
DMN52D0UV-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 5mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.51 грн
14+23.11 грн
100+11.64 грн
500+8.91 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UVA-7 DMN52D0UVA.pdf
DMN52D0UVA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+6.16 грн
6000+5.67 грн
9000+4.90 грн
30000+4.51 грн
75000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UVA-7 DMN52D0UVA.pdf
DMN52D0UVA-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.48A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 480mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.51 грн
14+23.11 грн
100+11.64 грн
500+8.91 грн
1000+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13 DMN53D0LQ.pdf
DMN53D0LQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.56 грн
30000+3.37 грн
50000+3.03 грн
100000+2.52 грн
250000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LQ-13 DMN53D0LQ.pdf
DMN53D0LQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1169900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.45 грн
17+18.20 грн
100+8.88 грн
500+6.95 грн
1000+4.83 грн
2000+4.18 грн
5000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-7 DMN52D0LT.pdf
DMN52D0LT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 159000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+4.58 грн
6000+4.09 грн
9000+3.39 грн
30000+3.13 грн
75000+2.81 грн
150000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0LT-7 DMN52D0LT.pdf
DMN52D0LT-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V
на замовлення 161965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.45 грн
17+17.98 грн
100+8.78 грн
500+6.87 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L.pdf
DMN53D0L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+3.43 грн
30000+3.24 грн
50000+2.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0L-13 DMN53D0L.pdf
DMN53D0L-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 370mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.67 грн
18+17.45 грн
100+8.54 грн
500+6.68 грн
1000+4.64 грн
2000+4.02 грн
5000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LDWQ-7 DMN53D0LDWQ.pdf
DMN53D0LDWQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.46A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 400mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 460mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 49.5pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 267000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+35.30 грн
13+23.87 грн
100+12.02 грн
500+10.00 грн
1000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
DMN53D0LTQ-13 DMN53D0LTQ.pdf
DMN53D0LTQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT523 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+2.88 грн
30000+2.61 грн
50000+2.45 грн
100000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UW-13 DMN52D0UW.pdf
DMN52D0UW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400µW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UQ-13 DMN52D0UQ.pdf
DMN52D0UQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0UWQ-13 DMN52D0UWQ.pdf
DMN52D0UWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT323 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 400mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN52D0U-13 DMN52D0U.pdf
DMN52D0U-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 500mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 357 476 592 593 594 595 596 597 598 599 600 601 602 714 833 952 1071 1190 1195  [ Наступна Сторінка >> ]