Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5680) > Сторінка 11 з 95

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 27 36 45 54 63 72 81 90 95  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KBU10005 GeneSiC Semiconductor kbu10005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1001 GeneSiC Semiconductor kbu10005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1002 GeneSiC Semiconductor kbu10005.pdf description Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1004 GeneSiC Semiconductor kbu10005.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1006 GeneSiC Semiconductor kbu1006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.24 грн
10+101.73 грн
25+91.09 грн
100+72.23 грн
250+64.63 грн
500+59.39 грн
1000+53.71 грн
2500+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1008 GeneSiC Semiconductor kbu1006.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6A KBU6A GeneSiC Semiconductor kbu6d.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6B KBU6B GeneSiC Semiconductor kbu6d.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
100+63.78 грн
250+56.70 грн
500+51.85 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6D KBU6D GeneSiC Semiconductor kbu6d.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
100+63.78 грн
250+56.70 грн
500+51.85 грн
1000+46.61 грн
2500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6G KBU6G GeneSiC Semiconductor kbu6d.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6J KBU6J GeneSiC Semiconductor kbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6K KBU6K GeneSiC Semiconductor kbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6M KBU6M GeneSiC Semiconductor kbu6j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
100+63.78 грн
250+56.70 грн
500+51.85 грн
1000+46.61 грн
2500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8A KBU8A GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8B KBU8B GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.17 грн
10+93.64 грн
25+83.39 грн
100+65.71 грн
250+58.54 грн
500+53.69 грн
1000+48.35 грн
2500+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8D KBU8D GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G KBU8G GeneSiC Semiconductor kbu8b.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.17 грн
10+93.64 грн
25+83.39 грн
100+65.71 грн
250+58.54 грн
500+53.69 грн
1000+48.35 грн
2500+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8J KBU8J GeneSiC Semiconductor kbu8j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.01 грн
10+94.21 грн
25+83.88 грн
100+66.10 грн
250+58.88 грн
500+54.00 грн
1000+48.64 грн
2500+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8K KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8M KBU8M GeneSiC Semiconductor kbu8j.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.85 грн
10+94.94 грн
25+84.52 грн
100+66.59 грн
250+59.32 грн
500+54.40 грн
1000+49.00 грн
2500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-100 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-120 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-140 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-160 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-60 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-100 M3P75A-100 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-120 M3P75A-120 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-140 M3P75A-140 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-160 M3P75A-160 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-60 M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor threephase.pdf Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-80 M3P75A-80 GeneSiC Semiconductor m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CT MBR120100CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CTR MBR120100CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor mbr12035ctr.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CT GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CTR GeneSiC Semiconductor mbr120100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20020CT GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Description: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20020CTR GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Description: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20035CT GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20035CTR GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20040CT GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Description: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20040CTR GeneSiC Semiconductor mbr20020ct.pdf Description: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20045CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20060CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20060CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20080CT GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20080CTR GeneSiC Semiconductor mbr200100ct.pdf Description: DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor mbr300100ct.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR300100CTR GeneSiC Semiconductor mbr300100ct.pdf Description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30020CT MBR30020CT GeneSiC Semiconductor mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf Description: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30020CTR MBR30020CTR GeneSiC Semiconductor mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf Description: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30030CT MBR30030CT GeneSiC Semiconductor mbr30020ct.pdf Description: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30030CTR MBR30030CTR GeneSiC Semiconductor mbr30020ct.pdf Description: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30040CT GeneSiC Semiconductor mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30040CTR GeneSiC Semiconductor mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30045CT MBR30045CT GeneSiC Semiconductor mbr300100ct.pdf Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU10005 kbu10005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1001 kbu10005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1002 description kbu10005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1004 kbu10005.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1006 kbu1006.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.24 грн
10+101.73 грн
25+91.09 грн
100+72.23 грн
250+64.63 грн
500+59.39 грн
1000+53.71 грн
2500+48.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU1008 kbu1006.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 10A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6A kbu6d.pdf
KBU6A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6B kbu6d.pdf
KBU6B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
100+63.78 грн
250+56.70 грн
500+51.85 грн
1000+46.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6D kbu6d.pdf
KBU6D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 2559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
100+63.78 грн
250+56.70 грн
500+51.85 грн
1000+46.61 грн
2500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6G kbu6d.pdf
KBU6G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6J kbu6j.pdf
KBU6J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6K kbu6j.pdf
KBU6K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU6M kbu6j.pdf
KBU6M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 6A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 6 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.65 грн
10+91.46 грн
25+81.29 грн
100+63.78 грн
250+56.70 грн
500+51.85 грн
1000+46.61 грн
2500+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8A kbu8b.pdf
KBU8A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Obsolete
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8B kbu8b.pdf
KBU8B
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
на замовлення 4501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.17 грн
10+93.64 грн
25+83.39 грн
100+65.71 грн
250+58.54 грн
500+53.69 грн
1000+48.35 грн
2500+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8D kbu8b.pdf
KBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8G kbu8b.pdf
KBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 3952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.17 грн
10+93.64 грн
25+83.39 грн
100+65.71 грн
250+58.54 грн
500+53.69 грн
1000+48.35 грн
2500+43.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8J kbu8j.pdf
KBU8J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 600 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 3753 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.01 грн
10+94.21 грн
25+83.88 грн
100+66.10 грн
250+58.88 грн
500+54.00 грн
1000+48.64 грн
2500+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8K kbu8j.pdf
KBU8K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 800 V
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8M kbu8j.pdf
KBU8M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 8A KBU
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-SIP, KBU
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: KBU
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 1 kV
Current - Average Rectified (Io): 8 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 4492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.85 грн
10+94.94 грн
25+84.52 грн
100+66.59 грн
250+59.32 грн
500+54.40 грн
1000+49.00 грн
2500+43.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-100 threephase.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-120 threephase.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-140 threephase.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-160 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-60 threephase.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P100A-80 m3p100a80_thru_m3p100a160.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 100A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-100 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-100
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1000V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-120 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-120
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1200V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-140 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-140
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1400V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-160 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-160
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 1600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-60 threephase.pdf
M3P75A-60
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 600V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
M3P75A-80 m3p75a80_thru_m3p75a160.pdf
M3P75A-80
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STD REC 800V 75A 3PH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CT mbr120100ct.pdf
MBR120100CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR120100CTR mbr120100ct.pdf
MBR120100CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12035CTR mbr12035ctr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 120 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CT mbr120100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR12080CTR mbr120100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 80V 120A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 120A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 mA @ 20 V
Current Coupled to Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 60
Voltage Coupled to Current - Reverse Leakage @ Vr: 20
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CT mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR200100CTR mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 100V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 840 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20020CT mbr20020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20020CTR mbr20020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20035CT mbr20020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20035CTR mbr20020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 35V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 35 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20040CT mbr20020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20040CTR mbr20020ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20045CT mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20045CTR mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20060CT mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20060CTR mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOTT 60V 200A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A (DC)
Supplier Device Package: Twin Tower
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20080CT mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR20080CTR mbr200100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 200A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR300100CT mbr300100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR300100CTR mbr300100ct.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30020CT mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf
MBR30020CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30020CTR mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf
MBR30020CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 20V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30030CT mbr30020ct.pdf
MBR30030CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30030CTR mbr30020ct.pdf
MBR30030CTR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 30V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30040CT mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30040CTR mbr30020ct_thru_mbr30040ctr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 300A 2TOWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR30045CT mbr300100ct.pdf
MBR30045CT
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 150A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 150 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 8 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 27 36 45 54 63 72 81 90 95  [ Наступна Сторінка >> ]