Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4169) > Сторінка 16 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1085.32 грн
10+735.29 грн
100+560.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+561.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F45MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+405.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+844.39 грн
10+563.85 грн
100+423.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F65MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+769.73 грн
10+511.59 грн
100+381.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+359.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5779.76 грн
10+5386.39 грн
30+5214.99 грн
120+4822.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5779.76 грн
10+5386.39 грн
30+5214.99 грн
120+4822.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+605.79 грн
26+543.60 грн
27+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+856.51 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+428.39 грн
3+371.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+605.79 грн
10+543.60 грн
25+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.96 грн
10+462.67 грн
25+443.49 грн
100+390.89 грн
250+374.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+362.33 грн
1600+337.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+482.62 грн
10+417.38 грн
25+400.11 грн
100+366.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+757.44 грн
120+629.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1174.50 грн
14+1062.29 грн
25+1014.90 грн
100+916.52 грн
250+810.08 грн
500+748.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1174.50 грн
10+1062.29 грн
25+1014.90 грн
100+916.52 грн
250+810.08 грн
500+748.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1901.17 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+705.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+921.37 грн
10+804.00 грн
25+772.59 грн
100+683.34 грн
250+657.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2094.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2174.79 грн
120+2127.02 грн
270+2102.67 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2174.79 грн
120+2127.02 грн
270+2102.67 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3879.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1085.32 грн
10+735.29 грн
100+560.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+561.86 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K.pdf
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U.pdf
G3F45MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+405.27 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+844.39 грн
10+563.85 грн
100+423.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K
G3F65MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U.pdf
G3F65MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+769.73 грн
10+511.59 грн
100+381.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+359.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+5779.76 грн
10+5386.39 грн
30+5214.99 грн
120+4822.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5779.76 грн
10+5386.39 грн
30+5214.99 грн
120+4822.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+605.79 грн
26+543.60 грн
27+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+856.51 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+428.39 грн
3+371.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+605.79 грн
10+543.60 грн
25+520.66 грн
50+501.16 грн
100+436.19 грн
250+375.63 грн
500+346.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263-7
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+534.96 грн
10+462.67 грн
25+443.49 грн
100+390.89 грн
250+374.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+362.33 грн
1600+337.38 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+482.62 грн
10+417.38 грн
25+400.11 грн
100+366.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+757.44 грн
120+629.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1174.50 грн
14+1062.29 грн
25+1014.90 грн
100+916.52 грн
250+810.08 грн
500+748.85 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1174.50 грн
10+1062.29 грн
25+1014.90 грн
100+916.52 грн
250+810.08 грн
500+748.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1901.17 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+705.74 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+921.37 грн
10+804.00 грн
25+772.59 грн
100+683.34 грн
250+657.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2094.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+2174.79 грн
120+2127.02 грн
270+2102.67 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+2174.79 грн
120+2127.02 грн
270+2102.67 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor drivers
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3879.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]