Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4259) > Сторінка 16 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1094.36 грн
10+931.45 грн
25+760.80 грн
100+728.96 грн
250+707.50 грн
500+696.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+838.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1154.93 грн
10+983.19 грн
30+803.03 грн
120+769.11 грн
270+746.26 грн
510+735.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+265.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+614.47 грн
10+402.65 грн
100+295.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+679.23 грн
10+609.02 грн
25+508.82 грн
100+481.13 грн
250+463.13 грн
500+449.97 грн
800+436.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+788.26 грн
10+706.94 грн
30+591.20 грн
120+558.66 грн
270+537.89 грн
510+521.97 грн
1020+507.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+739.80 грн
10+663.16 грн
25+555.20 грн
100+524.05 грн
250+503.97 грн
500+490.13 грн
1200+475.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+764.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1382.37 грн
10+948.69 грн
100+735.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+996.63 грн
10+848.65 грн
25+692.96 грн
100+663.88 грн
250+644.50 грн
500+634.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1004.71 грн
10+855.82 грн
30+699.19 грн
120+670.11 грн
270+650.04 грн
510+639.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1098.11 грн
10+743.96 грн
100+567.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.42 грн
10+631.31 грн
25+515.74 грн
100+494.28 грн
250+479.05 грн
500+472.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+568.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+753.53 грн
10+641.66 грн
30+524.05 грн
120+501.89 грн
270+486.66 грн
510+479.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.46 грн
10+593.10 грн
30+495.66 грн
120+467.97 грн
270+450.67 грн
510+437.51 грн
1020+425.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+533.05 грн
10+478.46 грн
25+400.13 грн
100+377.98 грн
250+363.44 грн
500+353.75 грн
800+342.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+684.08 грн
10+613.00 грн
30+512.28 грн
120+483.89 грн
270+465.90 грн
510+452.74 грн
1020+440.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+558.08 грн
10+499.96 грн
25+418.82 грн
100+394.59 грн
250+380.75 грн
500+369.67 грн
1200+359.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+515.28 грн
10+462.54 грн
30+386.29 грн
120+364.82 грн
270+350.98 грн
510+341.29 грн
1020+331.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.28 грн
10+367.80 грн
25+308.06 грн
100+290.75 грн
250+279.68 грн
500+271.37 грн
800+263.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+528.20 грн
10+472.89 грн
30+395.28 грн
120+373.13 грн
270+359.29 грн
510+349.60 грн
1020+339.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+369.90 грн
10+331.18 грн
25+277.60 грн
100+261.68 грн
250+251.99 грн
500+244.37 грн
1200+237.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+554.85 грн
10+491.99 грн
25+410.51 грн
100+384.90 грн
250+368.29 грн
500+357.21 грн
800+346.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+410.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+854.34 грн
10+570.49 грн
100+428.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.58 грн
10+504.73 грн
30+420.21 грн
120+393.90 грн
270+377.98 грн
510+366.21 грн
1020+354.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+363.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+778.80 грн
10+517.62 грн
100+386.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+491.86 грн
10+436.27 грн
25+363.44 грн
100+340.60 грн
250+326.75 грн
500+316.37 грн
800+306.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+517.70 грн
10+458.56 грн
30+382.13 грн
120+358.59 грн
270+343.36 грн
510+332.98 грн
1020+321.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4400.86 грн
10+4032.28 грн
30+3156.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5714.96 грн
10+5326.00 грн
30+5156.52 грн
120+4768.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5333.97 грн
10+4970.93 грн
30+4812.76 грн
120+4450.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.00 грн
10+537.51 грн
25+514.82 грн
50+495.54 грн
100+431.30 грн
250+371.42 грн
500+342.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+559.07 грн
26+501.67 грн
27+480.50 грн
50+462.50 грн
100+402.54 грн
250+346.66 грн
500+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+790.45 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+453.09 грн
10+383.72 грн
30+312.21 грн
120+298.37 грн
270+287.98 грн
510+278.98 грн
2520+274.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+582.58 грн
3+496.97 грн
7+469.97 грн
2520+469.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+541.27 грн
10+468.12 грн
25+448.71 грн
100+395.50 грн
250+378.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.73 грн
10+537.37 грн
25+447.90 грн
100+419.51 грн
250+402.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+503.97 грн
10+446.62 грн
25+372.44 грн
100+348.90 грн
250+334.37 грн
500+323.98 грн
800+313.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+366.60 грн
1600+341.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.31 грн
10+422.30 грн
25+404.83 грн
100+371.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+879.27 грн
10+765.78 грн
25+735.35 грн
100+649.84 грн
250+624.52 грн
500+605.69 грн
1000+577.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+918.29 грн
10+787.35 грн
30+643.81 грн
120+618.89 грн
270+600.20 грн
510+593.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1031.63 грн
2+807.95 грн
5+763.96 грн
750+763.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.33 грн
10+1050.38 грн
25+1003.52 грн
100+906.24 грн
250+800.99 грн
500+740.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.02 грн
10+870.15 грн
25+727.57 грн
100+685.34 грн
250+658.35 грн
500+638.96 грн
1000+632.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1754.53 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1083.91 грн
14+980.36 грн
25+936.62 грн
100+845.83 грн
250+747.59 грн
500+691.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+714.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+974.02 грн
10+870.15 грн
25+727.57 грн
100+685.34 грн
250+658.35 грн
500+638.96 грн
800+632.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+932.22 грн
10+813.48 грн
25+781.69 грн
100+691.40 грн
250+664.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1094.36 грн
10+931.45 грн
25+760.80 грн
100+728.96 грн
250+707.50 грн
500+696.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+838.74 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1154.93 грн
10+983.19 грн
30+803.03 грн
120+769.11 грн
270+746.26 грн
510+735.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+265.60 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+614.47 грн
10+402.65 грн
100+295.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.23 грн
10+609.02 грн
25+508.82 грн
100+481.13 грн
250+463.13 грн
500+449.97 грн
800+436.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.26 грн
10+706.94 грн
30+591.20 грн
120+558.66 грн
270+537.89 грн
510+521.97 грн
1020+507.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+739.80 грн
10+663.16 грн
25+555.20 грн
100+524.05 грн
250+503.97 грн
500+490.13 грн
1200+475.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+764.19 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1382.37 грн
10+948.69 грн
100+735.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+996.63 грн
10+848.65 грн
25+692.96 грн
100+663.88 грн
250+644.50 грн
500+634.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1004.71 грн
10+855.82 грн
30+699.19 грн
120+670.11 грн
270+650.04 грн
510+639.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1098.11 грн
10+743.96 грн
100+567.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.42 грн
10+631.31 грн
25+515.74 грн
100+494.28 грн
250+479.05 грн
500+472.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+568.48 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+753.53 грн
10+641.66 грн
30+524.05 грн
120+501.89 грн
270+486.66 грн
510+479.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.46 грн
10+593.10 грн
30+495.66 грн
120+467.97 грн
270+450.67 грн
510+437.51 грн
1020+425.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.05 грн
10+478.46 грн
25+400.13 грн
100+377.98 грн
250+363.44 грн
500+353.75 грн
800+342.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+684.08 грн
10+613.00 грн
30+512.28 грн
120+483.89 грн
270+465.90 грн
510+452.74 грн
1020+440.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.08 грн
10+499.96 грн
25+418.82 грн
100+394.59 грн
250+380.75 грн
500+369.67 грн
1200+359.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+515.28 грн
10+462.54 грн
30+386.29 грн
120+364.82 грн
270+350.98 грн
510+341.29 грн
1020+331.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.28 грн
10+367.80 грн
25+308.06 грн
100+290.75 грн
250+279.68 грн
500+271.37 грн
800+263.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.20 грн
10+472.89 грн
30+395.28 грн
120+373.13 грн
270+359.29 грн
510+349.60 грн
1020+339.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.90 грн
10+331.18 грн
25+277.60 грн
100+261.68 грн
250+251.99 грн
500+244.37 грн
1200+237.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.85 грн
10+491.99 грн
25+410.51 грн
100+384.90 грн
250+368.29 грн
500+357.21 грн
800+346.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+410.05 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+854.34 грн
10+570.49 грн
100+428.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K
G3F65MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.58 грн
10+504.73 грн
30+420.21 грн
120+393.90 грн
270+377.98 грн
510+366.21 грн
1020+354.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+363.45 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+778.80 грн
10+517.62 грн
100+386.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+491.86 грн
10+436.27 грн
25+363.44 грн
100+340.60 грн
250+326.75 грн
500+316.37 грн
800+306.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.70 грн
10+458.56 грн
30+382.13 грн
120+358.59 грн
270+343.36 грн
510+332.98 грн
1020+321.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4400.86 грн
10+4032.28 грн
30+3156.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5714.96 грн
10+5326.00 грн
30+5156.52 грн
120+4768.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+5333.97 грн
10+4970.93 грн
30+4812.76 грн
120+4450.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+599.00 грн
10+537.51 грн
25+514.82 грн
50+495.54 грн
100+431.30 грн
250+371.42 грн
500+342.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+559.07 грн
26+501.67 грн
27+480.50 грн
50+462.50 грн
100+402.54 грн
250+346.66 грн
500+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+790.45 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+453.09 грн
10+383.72 грн
30+312.21 грн
120+298.37 грн
270+287.98 грн
510+278.98 грн
2520+274.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.58 грн
3+496.97 грн
7+469.97 грн
2520+469.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.27 грн
10+468.12 грн
25+448.71 грн
100+395.50 грн
250+378.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+605.73 грн
10+537.37 грн
25+447.90 грн
100+419.51 грн
250+402.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+503.97 грн
10+446.62 грн
25+372.44 грн
100+348.90 грн
250+334.37 грн
500+323.98 грн
800+313.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+366.60 грн
1600+341.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.31 грн
10+422.30 грн
25+404.83 грн
100+371.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+879.27 грн
10+765.78 грн
25+735.35 грн
100+649.84 грн
250+624.52 грн
500+605.69 грн
1000+577.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+918.29 грн
10+787.35 грн
30+643.81 грн
120+618.89 грн
270+600.20 грн
510+593.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1031.63 грн
2+807.95 грн
5+763.96 грн
750+763.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1161.33 грн
10+1050.38 грн
25+1003.52 грн
100+906.24 грн
250+800.99 грн
500+740.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.02 грн
10+870.15 грн
25+727.57 грн
100+685.34 грн
250+658.35 грн
500+638.96 грн
1000+632.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1754.53 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1083.91 грн
14+980.36 грн
25+936.62 грн
100+845.83 грн
250+747.59 грн
500+691.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+714.06 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+974.02 грн
10+870.15 грн
25+727.57 грн
100+685.34 грн
250+658.35 грн
500+638.96 грн
800+632.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+932.22 грн
10+813.48 грн
25+781.69 грн
100+691.40 грн
250+664.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]