Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 16 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+685.63 грн
10+614.39 грн
30+513.44 грн
120+484.99 грн
270+466.95 грн
510+453.77 грн
1020+441.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.35 грн
10+501.09 грн
25+419.77 грн
100+395.49 грн
250+381.61 грн
500+370.51 грн
1200+360.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+516.45 грн
10+463.59 грн
30+387.16 грн
120+365.65 грн
270+351.78 грн
510+342.06 грн
1020+332.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.21 грн
10+368.64 грн
25+308.76 грн
100+291.41 грн
250+280.31 грн
500+271.98 грн
800+264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+529.40 грн
10+473.96 грн
30+396.18 грн
120+373.98 грн
270+360.10 грн
510+350.39 грн
1020+339.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.74 грн
10+331.93 грн
25+278.23 грн
100+262.27 грн
250+252.56 грн
500+244.92 грн
1200+237.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+556.11 грн
10+493.11 грн
25+411.45 грн
100+385.77 грн
250+369.12 грн
500+358.02 грн
800+346.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+410.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+856.28 грн
10+571.79 грн
100+429.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+569.87 грн
10+505.88 грн
30+421.16 грн
120+394.79 грн
270+378.84 грн
510+367.04 грн
1020+355.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+492.97 грн
10+437.26 грн
25+364.26 грн
100+341.37 грн
250+327.49 грн
500+317.08 грн
800+307.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+364.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+780.57 грн
10+518.79 грн
100+387.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+518.87 грн
10+459.60 грн
30+383.00 грн
120+359.41 грн
270+344.14 грн
510+333.74 грн
1020+322.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5727.92 грн
10+5338.08 грн
30+5168.22 грн
120+4779.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4568.69 грн
10+4346.23 грн
30+3163.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5727.92 грн
10+5338.08 грн
30+5168.22 грн
120+4779.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+434.42 грн
3+375.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+848.83 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+600.36 грн
10+538.73 грн
25+515.99 грн
50+496.66 грн
100+432.28 грн
250+372.26 грн
500+343.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+454.12 грн
10+384.59 грн
30+312.92 грн
120+299.04 грн
270+288.64 грн
510+279.62 грн
2520+275.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+600.36 грн
26+538.73 грн
27+515.99 грн
50+496.66 грн
100+432.28 грн
250+372.26 грн
500+343.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+607.11 грн
10+538.59 грн
25+448.91 грн
100+420.47 грн
250+403.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+542.49 грн
10+469.18 грн
25+449.73 грн
100+396.39 грн
250+379.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+489.42 грн
10+423.26 грн
25+405.74 грн
100+371.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+505.11 грн
10+447.63 грн
25+373.28 грн
100+349.69 грн
250+335.12 грн
500+324.72 грн
800+314.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+367.43 грн
1600+342.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+920.38 грн
10+789.14 грн
30+645.27 грн
120+620.29 грн
270+601.56 грн
510+594.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+768.10 грн
120+638.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.23 грн
10+872.12 грн
25+729.22 грн
100+686.90 грн
250+659.84 грн
500+640.41 грн
1000+634.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1884.12 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1163.96 грн
14+1052.76 грн
25+1005.80 грн
100+908.30 грн
250+802.81 грн
500+742.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1163.96 грн
10+1052.76 грн
25+1005.80 грн
100+908.30 грн
250+802.81 грн
500+742.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+715.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+934.34 грн
10+815.32 грн
25+783.47 грн
100+692.96 грн
250+666.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+976.23 грн
10+872.12 грн
25+729.22 грн
100+686.90 грн
250+659.84 грн
500+640.41 грн
800+634.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2143.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2155.28 грн
120+2107.94 грн
270+2083.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2155.28 грн
120+2107.94 грн
270+2083.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2511.81 грн
10+2203.04 грн
30+1817.85 грн
120+1774.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3911.39 грн
10+3296.98 грн
30+2849.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3844.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3876.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7462.57 грн
10+6822.95 грн
30+5758.16 грн
120+5658.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10416.35 грн
10+9576.55 грн
30+8100.55 грн
100+8005.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3562.17 грн
5+3453.55 грн
10+3240.19 грн
20+2928.05 грн
50+2750.68 грн
100+2697.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J-2450019.pdf MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1910.37 грн
10+1712.32 грн
25+1432.77 грн
100+1365.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1539.28 грн
10+1387.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1589.00 грн
10+1423.48 грн
25+1191.32 грн
100+1124.71 грн
250+1083.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1775.18 грн
10+1654.07 грн
30+1194.79 грн
120+1135.12 грн
270+1097.65 грн
510+1069.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.63 грн
10+614.39 грн
30+513.44 грн
120+484.99 грн
270+466.95 грн
510+453.77 грн
1020+441.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.35 грн
10+501.09 грн
25+419.77 грн
100+395.49 грн
250+381.61 грн
500+370.51 грн
1200+360.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+516.45 грн
10+463.59 грн
30+387.16 грн
120+365.65 грн
270+351.78 грн
510+342.06 грн
1020+332.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.21 грн
10+368.64 грн
25+308.76 грн
100+291.41 грн
250+280.31 грн
500+271.98 грн
800+264.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+529.40 грн
10+473.96 грн
30+396.18 грн
120+373.98 грн
270+360.10 грн
510+350.39 грн
1020+339.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+370.74 грн
10+331.93 грн
25+278.23 грн
100+262.27 грн
250+252.56 грн
500+244.92 грн
1200+237.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.11 грн
10+493.11 грн
25+411.45 грн
100+385.77 грн
250+369.12 грн
500+358.02 грн
800+346.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+410.98 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+856.28 грн
10+571.79 грн
100+429.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K
G3F65MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+569.87 грн
10+505.88 грн
30+421.16 грн
120+394.79 грн
270+378.84 грн
510+367.04 грн
1020+355.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.97 грн
10+437.26 грн
25+364.26 грн
100+341.37 грн
250+327.49 грн
500+317.08 грн
800+307.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+364.28 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+780.57 грн
10+518.79 грн
100+387.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.87 грн
10+459.60 грн
30+383.00 грн
120+359.41 грн
270+344.14 грн
510+333.74 грн
1020+322.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5727.92 грн
10+5338.08 грн
30+5168.22 грн
120+4779.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4568.69 грн
10+4346.23 грн
30+3163.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+5727.92 грн
10+5338.08 грн
30+5168.22 грн
120+4779.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+434.42 грн
3+375.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+848.83 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+600.36 грн
10+538.73 грн
25+515.99 грн
50+496.66 грн
100+432.28 грн
250+372.26 грн
500+343.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+454.12 грн
10+384.59 грн
30+312.92 грн
120+299.04 грн
270+288.64 грн
510+279.62 грн
2520+275.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+600.36 грн
26+538.73 грн
27+515.99 грн
50+496.66 грн
100+432.28 грн
250+372.26 грн
500+343.30 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+607.11 грн
10+538.59 грн
25+448.91 грн
100+420.47 грн
250+403.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+542.49 грн
10+469.18 грн
25+449.73 грн
100+396.39 грн
250+379.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.42 грн
10+423.26 грн
25+405.74 грн
100+371.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+505.11 грн
10+447.63 грн
25+373.28 грн
100+349.69 грн
250+335.12 грн
500+324.72 грн
800+314.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+367.43 грн
1600+342.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+920.38 грн
10+789.14 грн
30+645.27 грн
120+620.29 грн
270+601.56 грн
510+594.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+768.10 грн
120+638.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+976.23 грн
10+872.12 грн
25+729.22 грн
100+686.90 грн
250+659.84 грн
500+640.41 грн
1000+634.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1884.12 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1163.96 грн
14+1052.76 грн
25+1005.80 грн
100+908.30 грн
250+802.81 грн
500+742.14 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1163.96 грн
10+1052.76 грн
25+1005.80 грн
100+908.30 грн
250+802.81 грн
500+742.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+715.68 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+934.34 грн
10+815.32 грн
25+783.47 грн
100+692.96 грн
250+666.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+976.23 грн
10+872.12 грн
25+729.22 грн
100+686.90 грн
250+659.84 грн
500+640.41 грн
800+634.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2143.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+2155.28 грн
120+2107.94 грн
270+2083.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+2155.28 грн
120+2107.94 грн
270+2083.81 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2511.81 грн
10+2203.04 грн
30+1817.85 грн
120+1774.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3911.39 грн
10+3296.98 грн
30+2849.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+3844.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3876.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7462.57 грн
10+6822.95 грн
30+5758.16 грн
120+5658.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N-3478980.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10416.35 грн
10+9576.55 грн
30+8100.55 грн
100+8005.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 96A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 96A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 459W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J g3r30mt12j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3562.17 грн
5+3453.55 грн
10+3240.19 грн
20+2928.05 грн
50+2750.68 грн
100+2697.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J-2450019.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1910.37 грн
10+1712.32 грн
25+1432.77 грн
100+1365.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 408W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 24mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 118 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3863 pF @ 800 V
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1539.28 грн
10+1387.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1589.00 грн
10+1423.48 грн
25+1191.32 грн
100+1124.71 грн
250+1083.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1775.18 грн
10+1654.07 грн
30+1194.79 грн
120+1135.12 грн
270+1097.65 грн
510+1069.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]