Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 16 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1168.52 грн
10+994.76 грн
30+812.48 грн
120+778.16 грн
270+755.04 грн
510+743.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+268.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.70 грн
10+407.39 грн
100+299.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.22 грн
10+616.19 грн
25+514.80 грн
100+486.79 грн
250+468.58 грн
500+455.27 грн
800+441.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+797.54 грн
10+715.26 грн
30+598.15 грн
120+565.23 грн
270+544.22 грн
510+528.11 грн
1020+513.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+748.51 грн
10+670.96 грн
25+561.73 грн
100+530.21 грн
250+509.90 грн
500+495.89 грн
1200+481.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1398.63 грн
10+959.86 грн
100+744.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1008.36 грн
10+858.63 грн
25+701.11 грн
100+671.69 грн
250+652.08 грн
500+642.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+773.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1016.53 грн
10+865.88 грн
30+707.42 грн
120+678.00 грн
270+657.69 грн
510+647.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+575.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1111.03 грн
10+752.71 грн
100+573.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+750.14 грн
10+638.74 грн
25+521.81 грн
100+500.09 грн
250+484.68 грн
500+478.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+762.40 грн
10+649.21 грн
30+530.21 грн
120+507.80 грн
270+492.39 грн
510+485.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+669.24 грн
10+600.08 грн
30+501.49 грн
120+473.48 грн
270+455.97 грн
510+442.66 грн
1020+430.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+539.32 грн
10+484.09 грн
25+404.84 грн
100+382.42 грн
250+367.72 грн
500+357.91 грн
800+346.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+692.12 грн
10+620.21 грн
30+518.30 грн
120+489.59 грн
270+471.38 грн
510+458.07 грн
1020+445.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.65 грн
10+505.84 грн
25+423.75 грн
100+399.23 грн
250+385.23 грн
500+374.02 грн
1200+363.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+521.34 грн
10+467.98 грн
30+390.83 грн
120+369.12 грн
270+355.11 грн
510+345.30 грн
1020+335.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.11 грн
10+372.13 грн
25+311.68 грн
100+294.17 грн
250+282.97 грн
500+274.56 грн
800+266.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.41 грн
10+478.45 грн
30+399.94 грн
120+377.52 грн
270+363.51 грн
510+353.71 грн
1020+343.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.25 грн
10+335.08 грн
25+280.87 грн
100+264.76 грн
250+254.95 грн
500+247.25 грн
1200+240.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+864.40 грн
10+577.20 грн
100+433.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+561.38 грн
10+497.78 грн
25+415.34 грн
100+389.43 грн
250+372.62 грн
500+361.41 грн
800+350.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+414.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.27 грн
10+510.67 грн
30+425.15 грн
120+398.53 грн
270+382.42 грн
510+370.52 грн
1020+358.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.64 грн
10+441.40 грн
25+367.72 грн
100+344.60 грн
250+330.59 грн
500+320.09 грн
800+310.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+367.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+787.96 грн
10+523.71 грн
100+390.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.79 грн
10+463.95 грн
30+386.63 грн
120+362.81 грн
270+347.40 грн
510+336.90 грн
1020+325.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5333.97 грн
10+4970.93 грн
30+4812.76 грн
120+4450.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5714.96 грн
10+5326.00 грн
30+5156.52 грн
120+4768.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4477.97 грн
10+4180.41 грн
30+3193.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+559.07 грн
26+501.67 грн
27+480.50 грн
50+462.50 грн
100+402.54 грн
250+346.66 грн
500+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+790.45 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+599.00 грн
10+537.51 грн
25+514.82 грн
50+495.54 грн
100+431.30 грн
250+371.42 грн
500+342.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+458.42 грн
10+388.24 грн
30+315.89 грн
120+301.88 грн
270+291.37 грн
510+282.27 грн
2520+278.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.63 грн
10+473.63 грн
25+453.99 грн
100+400.15 грн
250+383.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+612.86 грн
10+543.69 грн
25+453.17 грн
100+424.45 грн
250+406.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+370.91 грн
1600+345.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+494.05 грн
10+427.27 грн
25+409.59 грн
100+375.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+509.90 грн
10+451.87 грн
25+376.82 грн
100+353.01 грн
250+338.30 грн
500+327.79 грн
800+317.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+929.10 грн
10+796.61 грн
30+651.38 грн
120+626.17 грн
270+607.26 грн
510+600.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+889.61 грн
10+774.79 грн
25+744.00 грн
100+657.48 грн
250+631.87 грн
500+612.82 грн
1000+584.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1083.91 грн
14+980.36 грн
25+936.62 грн
100+845.83 грн
250+747.59 грн
500+691.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1161.33 грн
10+1050.38 грн
25+1003.52 грн
100+906.24 грн
250+800.99 грн
500+740.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.48 грн
10+880.38 грн
25+736.13 грн
100+693.41 грн
250+666.09 грн
500+646.48 грн
1000+640.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1754.53 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.48 грн
10+880.38 грн
25+736.13 грн
100+693.41 грн
250+666.09 грн
500+646.48 грн
800+640.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+722.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+943.19 грн
10+823.05 грн
25+790.89 грн
100+699.53 грн
250+672.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2007.04 грн
120+1962.96 грн
270+1940.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2155.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2150.40 грн
120+2103.17 грн
270+2079.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2535.61 грн
10+2223.91 грн
30+1835.08 грн
120+1790.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1168.52 грн
10+994.76 грн
30+812.48 грн
120+778.16 грн
270+755.04 грн
510+743.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+268.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.70 грн
10+407.39 грн
100+299.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+687.22 грн
10+616.19 грн
25+514.80 грн
100+486.79 грн
250+468.58 грн
500+455.27 грн
800+441.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+797.54 грн
10+715.26 грн
30+598.15 грн
120+565.23 грн
270+544.22 грн
510+528.11 грн
1020+513.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+748.51 грн
10+670.96 грн
25+561.73 грн
100+530.21 грн
250+509.90 грн
500+495.89 грн
1200+481.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1398.63 грн
10+959.86 грн
100+744.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1008.36 грн
10+858.63 грн
25+701.11 грн
100+671.69 грн
250+652.08 грн
500+642.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+773.18 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1016.53 грн
10+865.88 грн
30+707.42 грн
120+678.00 грн
270+657.69 грн
510+647.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+575.17 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1111.03 грн
10+752.71 грн
100+573.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+750.14 грн
10+638.74 грн
25+521.81 грн
100+500.09 грн
250+484.68 грн
500+478.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+762.40 грн
10+649.21 грн
30+530.21 грн
120+507.80 грн
270+492.39 грн
510+485.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+669.24 грн
10+600.08 грн
30+501.49 грн
120+473.48 грн
270+455.97 грн
510+442.66 грн
1020+430.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.32 грн
10+484.09 грн
25+404.84 грн
100+382.42 грн
250+367.72 грн
500+357.91 грн
800+346.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+692.12 грн
10+620.21 грн
30+518.30 грн
120+489.59 грн
270+471.38 грн
510+458.07 грн
1020+445.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+564.65 грн
10+505.84 грн
25+423.75 грн
100+399.23 грн
250+385.23 грн
500+374.02 грн
1200+363.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.34 грн
10+467.98 грн
30+390.83 грн
120+369.12 грн
270+355.11 грн
510+345.30 грн
1020+335.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.11 грн
10+372.13 грн
25+311.68 грн
100+294.17 грн
250+282.97 грн
500+274.56 грн
800+266.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.41 грн
10+478.45 грн
30+399.94 грн
120+377.52 грн
270+363.51 грн
510+353.71 грн
1020+343.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.25 грн
10+335.08 грн
25+280.87 грн
100+264.76 грн
250+254.95 грн
500+247.25 грн
1200+240.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+864.40 грн
10+577.20 грн
100+433.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.38 грн
10+497.78 грн
25+415.34 грн
100+389.43 грн
250+372.62 грн
500+361.41 грн
800+350.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 65M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37A (Tc)
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1298 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 86mOhm @ 15A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+414.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K
G3F65MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+575.27 грн
10+510.67 грн
30+425.15 грн
120+398.53 грн
270+382.42 грн
510+370.52 грн
1020+358.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.64 грн
10+441.40 грн
25+367.72 грн
100+344.60 грн
250+330.59 грн
500+320.09 грн
800+310.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+367.73 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 12A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 9mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+787.96 грн
10+523.71 грн
100+390.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1695 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.79 грн
10+463.95 грн
30+386.63 грн
120+362.81 грн
270+347.40 грн
510+336.90 грн
1020+325.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+5333.97 грн
10+4970.93 грн
30+4812.76 грн
120+4450.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5714.96 грн
10+5326.00 грн
30+5156.52 грн
120+4768.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+4477.97 грн
10+4180.41 грн
30+3193.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+559.07 грн
26+501.67 грн
27+480.50 грн
50+462.50 грн
100+402.54 грн
250+346.66 грн
500+319.69 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
60+790.45 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+599.00 грн
10+537.51 грн
25+514.82 грн
50+495.54 грн
100+431.30 грн
250+371.42 грн
500+342.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.42 грн
10+388.24 грн
30+315.89 грн
120+301.88 грн
270+291.37 грн
510+282.27 грн
2520+278.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 19A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+547.63 грн
10+473.63 грн
25+453.99 грн
100+400.15 грн
250+383.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+612.86 грн
10+543.69 грн
25+453.17 грн
100+424.45 грн
250+406.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+370.91 грн
1600+345.38 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 18V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 724 pF @ 800 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.05 грн
10+427.27 грн
25+409.59 грн
100+375.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+509.90 грн
10+451.87 грн
25+376.82 грн
100+353.01 грн
250+338.30 грн
500+327.79 грн
800+317.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+929.10 грн
10+796.61 грн
30+651.38 грн
120+626.17 грн
270+607.26 грн
510+600.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 21A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 175W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1272 pF @ 1000 V
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+889.61 грн
10+774.79 грн
25+744.00 грн
100+657.48 грн
250+631.87 грн
500+612.82 грн
1000+584.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+1083.91 грн
14+980.36 грн
25+936.62 грн
100+845.83 грн
250+747.59 грн
500+691.09 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1161.33 грн
10+1050.38 грн
25+1003.52 грн
100+906.24 грн
250+800.99 грн
500+740.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+985.48 грн
10+880.38 грн
25+736.13 грн
100+693.41 грн
250+666.09 грн
500+646.48 грн
1000+640.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1754.53 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+985.48 грн
10+880.38 грн
25+736.13 грн
100+693.41 грн
250+666.09 грн
500+646.48 грн
800+640.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+722.46 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+943.19 грн
10+823.05 грн
25+790.89 грн
100+699.53 грн
250+672.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+2007.04 грн
120+1962.96 грн
270+1940.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2155.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+2150.40 грн
120+2103.17 грн
270+2079.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2535.61 грн
10+2223.91 грн
30+1835.08 грн
120+1790.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]