Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4066) > Сторінка 16 з 68

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 30 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+958.16 грн
10+836.11 грн
25+803.44 грн
100+710.63 грн
250+683.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2184.54 грн
120+2136.56 грн
270+2112.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor g3r20mt12k.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+2184.54 грн
120+2136.56 грн
270+2112.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC Semiconductor G3R20MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2167.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3896.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor g3r20mt12n.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC Semiconductor G3R20MT12N.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC Semiconductor G3R20MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N GeneSiC Semiconductor G3R20MT17N-3478980.pdf SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J-2450019.pdf MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J GeneSiC Semiconductor g3r30mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3610.53 грн
5+3500.43 грн
10+3284.17 грн
20+2967.80 грн
50+2788.02 грн
100+2734.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 459W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R30MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor g3r30mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+2781.37 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor G3R30MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+335.40 грн
120+320.62 грн
270+315.07 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+300.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+335.40 грн
120+320.62 грн
270+315.07 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor g3r350mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor G3R350MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+370.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J-2449378.pdf MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+467.01 грн
10+434.18 грн
25+417.53 грн
100+379.75 грн
250+326.00 грн
500+284.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+370.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J GeneSiC Semiconductor g3r350mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+467.01 грн
33+434.18 грн
34+417.53 грн
100+379.75 грн
250+326.00 грн
500+284.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R350MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2101.50 грн
10+2037.37 грн
20+1911.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1229.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1312.51 грн
10+1095.43 грн
30+1030.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor G3R40MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1229.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1636.99 грн
10+1458.24 грн
12+1279.49 грн
200+1070.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2175.30 грн
10+2108.92 грн
20+1978.98 грн
50+1788.92 грн
100+1681.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1435.66 грн
100+1342.52 грн
250+1280.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1435.66 грн
100+1342.52 грн
250+1280.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1189.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1524.10 грн
11+1288.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.31 грн
10+460.72 грн
25+441.53 грн
100+389.01 грн
250+373.00 грн
500+360.99 грн
1000+343.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+673.05 грн
10+581.13 грн
30+546.04 грн
120+505.22 грн
270+449.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+673.05 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.95 грн
10+519.46 грн
25+498.66 грн
100+439.74 грн
250+422.26 грн
500+408.81 грн
1000+390.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2319.07 грн
10+2173.25 грн
30+2110.21 грн
120+1994.93 грн
270+1830.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2319.07 грн
10+2173.25 грн
30+2110.21 грн
120+1994.93 грн
270+1830.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+958.16 грн
10+836.11 грн
25+803.44 грн
100+710.63 грн
250+683.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+2184.54 грн
120+2136.56 грн
270+2112.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K g3r20mt12k.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+2184.54 грн
120+2136.56 грн
270+2112.10 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
на замовлення 487 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2167.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3896.79 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N g3r20mt12n.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 20mΩ
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 74A
Pulsed drain current: 240A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 365W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17N G3R20MT17N-3478980.pdf
G3R20MT17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J-2450019.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J g3r30mt12j.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+3610.53 грн
5+3500.43 грн
10+3284.17 грн
20+2967.80 грн
50+2788.02 грн
100+2734.60 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 459W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12J-TR G3R30MT12J.pdf
G3R30MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K g3r30mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+2781.37 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
43+335.40 грн
120+320.62 грн
270+315.07 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 0.35Ω
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 8A
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 16A
Drain-source voltage: 1.2kV
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+300.69 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+335.40 грн
120+320.62 грн
270+315.07 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D g3r350mt12d.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 10A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+370.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J G3R350MT12J-2449378.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+467.01 грн
10+434.18 грн
25+417.53 грн
100+379.75 грн
250+326.00 грн
500+284.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+370.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J g3r350mt12j.pdf
G3R350MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
31+467.01 грн
33+434.18 грн
34+417.53 грн
100+379.75 грн
250+326.00 грн
500+284.01 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12J-TR G3R350MT12J.pdf
G3R350MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 350mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2101.50 грн
10+2037.37 грн
20+1911.83 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1229.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1312.51 грн
10+1095.43 грн
30+1030.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1229.63 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 63A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1636.99 грн
10+1458.24 грн
12+1279.49 грн
200+1070.50 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2175.30 грн
10+2108.92 грн
20+1978.98 грн
50+1788.92 грн
100+1681.30 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1435.66 грн
100+1342.52 грн
250+1280.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1435.66 грн
100+1342.52 грн
250+1280.43 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
G3R40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Gate charge: 106nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1189.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K g3r40mt12k.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1524.10 грн
11+1288.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+532.31 грн
10+460.72 грн
25+441.53 грн
100+389.01 грн
250+373.00 грн
500+360.99 грн
1000+343.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+673.05 грн
10+581.13 грн
30+546.04 грн
120+505.22 грн
270+449.82 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D-2449192.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+673.05 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+597.95 грн
10+519.46 грн
25+498.66 грн
100+439.74 грн
250+422.26 грн
500+408.81 грн
1000+390.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J-2449670.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2319.07 грн
10+2173.25 грн
30+2110.21 грн
120+1994.93 грн
270+1830.36 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2319.07 грн
10+2173.25 грн
30+2110.21 грн
120+1994.93 грн
270+1830.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 24 30 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]