Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 15 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3F34MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 456 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3F40MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
 SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 761 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F40MT12K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1416 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3F45MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F45MT06J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 750 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F45MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3F45MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3F45MT06U-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3F60MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1129 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3F60MT06J-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 768 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F60MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F60MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F65MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F65MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 473 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F65MT12U-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3F75MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 572 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F75MT12K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1685 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1642 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R12MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2658 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Mounting: THT Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 123W Gate charge: 28nC Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Drain current: 16A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω |
на замовлення 791 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R160MT12D | GeneSiC Semiconductor |
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
G3R160MT12J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1247 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263-7 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 28nC On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 16A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 128W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| G3R160MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
G3R160MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 23 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W Mounting: THT Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 175W Gate charge: 21nC Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Drain current: 15A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.7kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17D | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
G3R160MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Case: TO263-7 Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 51nC On-state resistance: 0.16Ω Drain current: 15A Pulsed drain current: 48A Power dissipation: 187W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V Power Dissipation (Max): 187W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
G3R160MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R160MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 145W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA Supplier Device Package: TO-263-7 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +15V, -5V Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V |
на замовлення 939 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R160MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 64 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Mounting: THT Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Gate charge: 219nC Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 90A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 20mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 1090 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw |
на замовлення 63 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 49 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT17K | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 50 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R20MT17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 48 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
G3R30MT12J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W Mounting: SMD Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO263-7 On-state resistance: 30mΩ Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 459W Gate charge: 155nC Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 68A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
G3R30MT12J | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1665 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R30MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
G3R30MT12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 329 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R30MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
G3R30MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Mounting: THT Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Gate charge: 155nC Polarisation: unipolar Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 63A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Case: TO247-4 On-state resistance: 30mΩ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| G3F34MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1493.01 грн |
| 10+ | 1453.13 грн |
| 30+ | 758.60 грн |
| 120+ | 738.81 грн |
| G3F40MT12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 855.96 грн |
| 10+ | 727.41 грн |
| 25+ | 594.42 грн |
| 100+ | 569.50 грн |
| 250+ | 552.64 грн |
| 500+ | 545.31 грн |
| G3F40MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1125.31 грн |
| 10+ | 1083.95 грн |
| 30+ | 583.42 грн |
| 510+ | 568.03 грн |
| 1020+ | 553.37 грн |
| G3F45MT06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 762.75 грн |
| 10+ | 683.58 грн |
| 30+ | 571.70 грн |
| 120+ | 539.45 грн |
| 270+ | 520.39 грн |
| 510+ | 505.00 грн |
| 1020+ | 490.34 грн |
| G3F45MT06J-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 615.67 грн |
| 10+ | 551.25 грн |
| 25+ | 461.75 грн |
| 100+ | 436.10 грн |
| 250+ | 419.24 грн |
| 500+ | 407.52 грн |
| 800+ | 395.06 грн |
| G3F45MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 789.26 грн |
| 10+ | 707.18 грн |
| 30+ | 591.49 грн |
| 120+ | 558.50 грн |
| 270+ | 537.98 грн |
| 510+ | 522.59 грн |
| 1020+ | 507.20 грн |
| G3F45MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 871.35 грн |
| 10+ | 628.79 грн |
| 25+ | 451.49 грн |
| 100+ | 443.43 грн |
| 500+ | 442.70 грн |
| 1200+ | 410.45 грн |
| G3F45MT06U-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3F60MT06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 784.98 грн |
| 10+ | 758.60 грн |
| 30+ | 444.16 грн |
| 120+ | 394.32 грн |
| 510+ | 378.93 грн |
| G3F60MT06J-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 434.39 грн |
| 10+ | 389.41 грн |
| 25+ | 326.16 грн |
| 100+ | 307.84 грн |
| 250+ | 296.11 грн |
| 500+ | 287.31 грн |
| 800+ | 279.25 грн |
| G3F60MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 559.24 грн |
| 10+ | 500.67 грн |
| 30+ | 418.51 грн |
| 120+ | 395.06 грн |
| 270+ | 380.40 грн |
| 510+ | 370.14 грн |
| 1020+ | 359.14 грн |
| G3F60MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 391.64 грн |
| 10+ | 350.64 грн |
| 25+ | 293.91 грн |
| 100+ | 277.05 грн |
| 250+ | 266.79 грн |
| 500+ | 258.73 грн |
| 1200+ | 251.40 грн |
| G3F65MT12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 639.62 грн |
| 10+ | 567.26 грн |
| 25+ | 473.48 грн |
| 100+ | 443.43 грн |
| 250+ | 425.11 грн |
| 500+ | 411.91 грн |
| 800+ | 398.72 грн |
| G3F65MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 908.97 грн |
| 10+ | 884.19 грн |
| 30+ | 466.89 грн |
| 120+ | 433.90 грн |
| 270+ | 433.17 грн |
| 510+ | 403.12 грн |
| G3F65MT12U-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3F75MT12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.93 грн |
| 10+ | 503.20 грн |
| 25+ | 419.24 грн |
| 100+ | 392.86 грн |
| 250+ | 376.73 грн |
| 500+ | 364.27 грн |
| 800+ | 353.28 грн |
| G3F75MT12K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 849.12 грн |
| 10+ | 831.93 грн |
| 30+ | 414.11 грн |
| 120+ | 384.06 грн |
| 270+ | 375.27 грн |
| 1020+ | 370.14 грн |
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1642 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4673.98 грн |
| 10+ | 4421.78 грн |
| 30+ | 3643.46 грн |
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5870.47 грн |
| 10+ | 5470.93 грн |
| 30+ | 5296.84 грн |
| 120+ | 4898.52 грн |
| G3R12MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 5870.47 грн |
| 10+ | 5470.93 грн |
| 30+ | 5296.84 грн |
| 120+ | 4898.52 грн |
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 869.95 грн |
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 479.71 грн |
| 10+ | 406.27 грн |
| 30+ | 330.56 грн |
| 120+ | 315.90 грн |
| 270+ | 304.90 грн |
| 510+ | 295.38 грн |
| 2520+ | 290.98 грн |
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 615.30 грн |
| 26+ | 552.13 грн |
| 27+ | 528.83 грн |
| 50+ | 509.02 грн |
| 100+ | 443.03 грн |
| 250+ | 381.53 грн |
| 500+ | 351.85 грн |
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Gate charge: 28nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 16A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 791 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 466.74 грн |
| 3+ | 396.18 грн |
| 7+ | 374.68 грн |
| 30+ | 366.41 грн |
| 510+ | 360.62 грн |
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 615.30 грн |
| 10+ | 552.13 грн |
| 25+ | 528.83 грн |
| 50+ | 509.02 грн |
| 100+ | 443.03 грн |
| 250+ | 381.53 грн |
| 500+ | 351.85 грн |
| G3R160MT12D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 641.33 грн |
| 10+ | 568.95 грн |
| 25+ | 474.21 грн |
| 100+ | 444.16 грн |
| 250+ | 425.84 грн |
| G3R160MT12J |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 23 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 533.58 грн |
| 10+ | 472.86 грн |
| 25+ | 394.32 грн |
| 100+ | 369.40 грн |
| 250+ | 356.21 грн |
| G3R160MT17D |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Gate charge: 21nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Drain current: 15A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.7kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 885.39 грн |
| G3R160MT17D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 972.25 грн |
| 10+ | 833.61 грн |
| 30+ | 681.64 грн |
| 120+ | 655.25 грн |
| 270+ | 635.46 грн |
| 510+ | 628.13 грн |
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 1192.93 грн |
| 14+ | 1078.96 грн |
| 25+ | 1030.83 грн |
| 100+ | 930.90 грн |
| 250+ | 822.79 грн |
| 500+ | 760.61 грн |
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1031.25 грн |
| 10+ | 921.27 грн |
| 25+ | 770.32 грн |
| 100+ | 725.61 грн |
| 250+ | 697.03 грн |
| 500+ | 676.51 грн |
| 1000+ | 669.91 грн |
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1192.93 грн |
| 10+ | 1078.96 грн |
| 25+ | 1030.83 грн |
| 100+ | 930.90 грн |
| 250+ | 822.79 грн |
| 500+ | 760.61 грн |
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 400+ | 1931.01 грн |
| G3R160MT17J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| G3R160MT17J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 708.76 грн |
| G3R160MT17J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
Description: 1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 145W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +15V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
на замовлення 939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 925.31 грн |
| 10+ | 807.45 грн |
| 25+ | 775.90 грн |
| 100+ | 686.27 грн |
| 250+ | 659.84 грн |
| G3R160MT17J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1031.25 грн |
| 10+ | 921.27 грн |
| 25+ | 770.32 грн |
| 100+ | 725.61 грн |
| 250+ | 697.03 грн |
| 500+ | 676.51 грн |
| 800+ | 669.91 грн |
| G3R20MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 64 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2653.38 грн |
| 10+ | 2404.75 грн |
| 30+ | 2042.71 грн |
| G3R20MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 2208.92 грн |
| 120+ | 2160.40 грн |
| 270+ | 2135.67 грн |
| G3R20MT12K |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Gate charge: 219nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 20mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R20MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 2208.92 грн |
| 120+ | 2160.40 грн |
| 270+ | 2135.67 грн |
| G3R20MT12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3940.28 грн |
| G3R20MT12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| G3R20MT12N |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Category: Transistor modules
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4026.10 грн |
| 5+ | 3701.30 грн |
| G3R20MT12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 49 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4444.82 грн |
| 10+ | 3772.76 грн |
| G3R20MT17K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 20mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7883.18 грн |
| 10+ | 7207.51 грн |
| 30+ | 6082.70 грн |
| 120+ | 5977.89 грн |
| G3R20MT17N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 20mohm SOT-227 G3R SiC MOSFET
на замовлення 48 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 11003.44 грн |
| 10+ | 10116.31 грн |
| 30+ | 8557.12 грн |
| 100+ | 8456.71 грн |
| G3R30MT12J |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 459W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 68A; Idm: 200A; 459W
Mounting: SMD
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO263-7
On-state resistance: 30mΩ
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 459W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 68A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R30MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
MOSFET 1200V 30mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1665 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2018.04 грн |
| 10+ | 1808.83 грн |
| 25+ | 1513.53 грн |
| 100+ | 1442.43 грн |
| G3R30MT12J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 3650.82 грн |
| 5+ | 3539.50 грн |
| 10+ | 3320.83 грн |
| 20+ | 3000.92 грн |
| 50+ | 2819.13 грн |
| 100+ | 2765.12 грн |
| G3R30MT12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1200V 30mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 329 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1678.56 грн |
| 10+ | 1503.71 грн |
| 25+ | 1258.46 грн |
| 100+ | 1188.10 грн |
| 250+ | 1144.13 грн |
| G3R30MT12K |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 60+ | 2812.41 грн |
| G3R30MT12K |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Mounting: THT
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Gate charge: 155nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 30mΩ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.