Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4169) > Сторінка 15 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1342.15 грн
100+1291.57 грн
250+1250.36 грн
500+1188.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1459.22 грн
11+1369.40 грн
25+1310.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1337.02 грн
10+1164.38 грн
25+1118.18 грн
100+987.32 грн
250+948.52 грн
500+920.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1739.27 грн
10+1574.42 грн
25+1483.57 грн
100+1372.79 грн
250+1222.60 грн
500+1082.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1423.63 грн
100+1348.70 грн
250+1296.25 грн
500+1216.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1661.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1661.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7870.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G375MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2-T GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T G3F09MT12G3T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T G3F09MT12G3T-T GeneSiC Semiconductor SiCPAK.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F135MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1294.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2085.97 грн
10+1468.51 грн
100+1246.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1733.43 грн
10+1206.49 грн
100+985.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1023.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK G3F25MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+828.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1468.65 грн
10+1012.66 грн
100+798.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+262.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.32 грн
10+397.96 грн
100+292.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1366.27 грн
10+937.65 грн
100+727.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1342.15 грн
100+1291.57 грн
250+1250.36 грн
500+1188.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1459.22 грн
11+1369.40 грн
25+1310.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1337.02 грн
10+1164.38 грн
25+1118.18 грн
100+987.32 грн
250+948.52 грн
500+920.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+1739.27 грн
10+1574.42 грн
25+1483.57 грн
100+1372.79 грн
250+1222.60 грн
500+1082.98 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+1423.63 грн
100+1348.70 грн
250+1296.25 грн
500+1216.54 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1661.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1661.53 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+7870.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+27591.30 грн
10+25040.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G375MT12U-TR G3F75MT12U.pdf
G375MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2-T G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12G3T-T SiCPAK.pdf
G3F09MT12G3T-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm 3L-T-NPC SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J.pdf
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12U-TR G3F135MT12U.pdf
G3F135MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1294.12 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2085.97 грн
10+1468.51 грн
100+1246.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1733.43 грн
10+1206.49 грн
100+985.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+1023.41 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK
G3F25MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U.pdf
G3F25MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+828.97 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1468.65 грн
10+1012.66 грн
100+798.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U.pdf
G3F25MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+262.51 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.32 грн
10+397.96 грн
100+292.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263-7
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1366.27 грн
10+937.65 грн
100+727.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]