Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 15 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
950+325.71 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+471.99 грн
10+406.93 грн
25+389.31 грн
100+342.19 грн
250+327.63 грн
500+317.04 грн
1000+301.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+529.51 грн
26+506.76 грн
50+487.45 грн
100+454.09 грн
250+407.70 грн
500+380.75 грн
1000+371.43 грн
2500+363.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt17j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
996+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 996
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J.pdf Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+434.96 грн
10+375.60 грн
25+359.30 грн
100+326.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G2R1000MT17J-3478629.pdf SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1137.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J-2449477.pdf MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1420.20 грн
10+1265.40 грн
25+1056.22 грн
100+994.58 грн
250+954.66 грн
500+952.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1196.27 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1442.86 грн
10+1354.05 грн
25+1295.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1327.10 грн
100+1277.09 грн
250+1236.34 грн
500+1175.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1605.12 грн
10+1452.99 грн
25+1369.15 грн
100+1266.90 грн
250+1128.30 грн
500+999.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1346.67 грн
11+1263.78 грн
25+1209.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor G2R1000MT33J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1368.69 грн
10+1191.97 грн
25+1144.66 грн
100+1010.71 грн
250+970.99 грн
500+941.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1313.83 грн
100+1244.68 грн
250+1196.27 грн
500+1122.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1533.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1642.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8056.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+8209.88 грн
10+7507.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22469.09 грн
10+20794.10 грн
30+17985.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27281.98 грн
10+24760.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+25463.18 грн
10+23109.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19569.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10817.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11412.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19556.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20632.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+306.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.32 грн
10+452.38 грн
100+334.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.20 грн
10+370.52 грн
25+308.18 грн
100+289.27 грн
250+276.66 грн
500+267.56 грн
800+258.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7720.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8143.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9787.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10326.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1324.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2135.38 грн
10+1503.29 грн
100+1275.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1613.87 грн
10+1445.02 грн
25+1210.31 грн
100+1142.37 грн
250+1099.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1733.99 грн
10+1552.95 грн
30+1300.66 грн
120+1227.82 грн
270+1183.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2266.18 грн
10+1600.80 грн
100+1374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1275.57 грн
10+1142.97 грн
25+956.76 грн
100+902.83 грн
250+870.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1047.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1774.49 грн
10+1235.07 грн
100+1008.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1434.91 грн
10+1285.54 грн
30+1076.53 грн
120+1016.30 грн
270+979.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.73 грн
10+902.13 грн
25+755.04 грн
100+712.32 грн
250+686.40 грн
500+666.79 грн
800+647.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1073.73 грн
10+962.54 грн
30+805.47 грн
120+759.95 грн
270+731.93 грн
510+711.62 грн
1020+690.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1043.50 грн
10+935.15 грн
25+782.36 грн
100+738.23 грн
250+710.92 грн
500+690.61 грн
1200+670.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+848.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1503.43 грн
10+1036.64 грн
100+817.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1107.23 грн
10+942.40 грн
25+769.75 грн
100+737.53 грн
250+715.82 грн
500+704.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
950+325.71 грн
Мінімальне замовлення: 950
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 11455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+471.99 грн
10+406.93 грн
25+389.31 грн
100+342.19 грн
250+327.63 грн
500+317.04 грн
1000+301.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+529.51 грн
26+506.76 грн
50+487.45 грн
100+454.09 грн
250+407.70 грн
500+380.75 грн
1000+371.43 грн
2500+363.24 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J g2r1000mt17j.pdf
G2R1000MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
996+304.00 грн
Мінімальне замовлення: 996
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1700V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 139 pF @ 1000 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.96 грн
10+375.60 грн
25+359.30 грн
100+326.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17J-TR G2R1000MT17J-3478629.pdf
G2R1000MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1137.50 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J-2449477.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 2581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1420.20 грн
10+1265.40 грн
25+1056.22 грн
100+994.58 грн
250+954.66 грн
500+952.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1196.27 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1442.86 грн
10+1354.05 грн
25+1295.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1327.10 грн
100+1277.09 грн
250+1236.34 грн
500+1175.22 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1605.12 грн
10+1452.99 грн
25+1369.15 грн
100+1266.90 грн
250+1128.30 грн
500+999.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1346.67 грн
11+1263.78 грн
25+1209.50 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 4A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2A, 20V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 1000 V
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1368.69 грн
10+1191.97 грн
25+1144.66 грн
100+1010.71 грн
250+970.99 грн
500+941.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1313.83 грн
100+1244.68 грн
250+1196.27 грн
500+1122.71 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1533.37 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1642.90 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
Case: TO263-7
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8056.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8209.88 грн
10+7507.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22469.09 грн
10+20794.10 грн
30+17985.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27281.98 грн
10+24760.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+25463.18 грн
10+23109.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19569.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10817.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11412.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19556.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20632.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+306.44 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.32 грн
10+452.38 грн
100+334.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1581 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+419.20 грн
10+370.52 грн
25+308.18 грн
100+289.27 грн
250+276.66 грн
500+267.56 грн
800+258.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7720.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8143.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9787.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10326.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1324.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2135.38 грн
10+1503.29 грн
100+1275.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1613.87 грн
10+1445.02 грн
25+1210.31 грн
100+1142.37 грн
250+1099.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1733.99 грн
10+1552.95 грн
30+1300.66 грн
120+1227.82 грн
270+1183.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2266.18 грн
10+1600.80 грн
100+1374.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1275.57 грн
10+1142.97 грн
25+956.76 грн
100+902.83 грн
250+870.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1047.65 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1774.49 грн
10+1235.07 грн
100+1008.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1434.91 грн
10+1285.54 грн
30+1076.53 грн
120+1016.30 грн
270+979.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.73 грн
10+902.13 грн
25+755.04 грн
100+712.32 грн
250+686.40 грн
500+666.79 грн
800+647.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1073.73 грн
10+962.54 грн
30+805.47 грн
120+759.95 грн
270+731.93 грн
510+711.62 грн
1020+690.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1043.50 грн
10+935.15 грн
25+782.36 грн
100+738.23 грн
250+710.92 грн
500+690.61 грн
1200+670.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+848.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1503.43 грн
10+1036.64 грн
100+817.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1107.23 грн
10+942.40 грн
25+769.75 грн
100+737.53 грн
250+715.82 грн
500+704.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]