Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4084) > Сторінка 15 з 69

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 30 36 42 48 54 60 66 69  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F18MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F20MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK G3F25MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F25MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F34MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F40MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor G3F40MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K G3F45MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR G3F45MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U-TR GeneSiC Semiconductor G3F45MT06U.pdf SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D G3F60MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR G3F60MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K G3F60MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR G3F60MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR G3F65MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K G3F65MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U-TR GeneSiC Semiconductor G3F65MT12U.pdf SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3F75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor G3R12MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5831.60 грн
10+5434.70 грн
30+5261.76 грн
120+4866.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor g3r12mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5831.60 грн
10+5434.70 грн
30+5261.76 грн
120+4866.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+864.19 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+611.23 грн
10+548.48 грн
25+525.33 грн
50+505.65 грн
100+440.10 грн
250+379.00 грн
500+349.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+432.23 грн
3+374.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor g3r160mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+611.23 грн
26+548.48 грн
27+525.33 грн
50+505.65 грн
100+440.10 грн
250+379.00 грн
500+349.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D GeneSiC Semiconductor G3R160MT12D.pdf SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT12J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J-2449111.pdf MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+764.23 грн
120+634.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D GeneSiC Semiconductor G3R160MT17D-3479643.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1185.03 грн
10+1071.82 грн
25+1024.00 грн
100+924.74 грн
250+817.34 грн
500+755.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R160MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+1918.22 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J GeneSiC Semiconductor g3r160mt17j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1185.03 грн
14+1071.82 грн
25+1024.00 грн
100+924.74 грн
250+817.34 грн
500+755.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-TR GeneSiC Semiconductor G3R160MT17J-2449134.pdf SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J.pdf
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J.pdf
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1102 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06LK
G3F25MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06U-TR G3F25MT06U.pdf
G3F25MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20.5m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J.pdf
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12U-TR G3F25MT12U.pdf
G3F25MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J.pdf
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J.pdf
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 761 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K.pdf
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06K
G3F45MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06L-TR
G3F45MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06U-TR G3F45MT06U.pdf
G3F45MT06U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 42m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06D
G3F60MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06J-TR
G3F60MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 768 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06K
G3F60MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F60MT06L-TR
G3F60MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12J-TR Navitas_Semiconductor_G3F65MT12J.pdf
G3F65MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12K
G3F65MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F65MT12U-TR G3F65MT12U.pdf
G3F65MT12U-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 65m Discrete SiC MOSFET in HV-T2PAK Top-Side-Cooled (TSC) Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12J-TR G3F75MT12J.pdf
G3F75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K G3R12MT12K.pdf
G3R12MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+5831.60 грн
10+5434.70 грн
30+5261.76 грн
120+4866.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R12MT12K g3r12mt12k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+5831.60 грн
10+5434.70 грн
30+5261.76 грн
120+4866.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
60+864.19 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+611.23 грн
10+548.48 грн
25+525.33 грн
50+505.65 грн
100+440.10 грн
250+379.00 грн
500+349.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 813 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+432.23 грн
3+374.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D g3r160mt12d.pdf
G3R160MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+611.23 грн
26+548.48 грн
27+525.33 грн
50+505.65 грн
100+440.10 грн
250+379.00 грн
500+349.52 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12D G3R160MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SIC MOSFET N-CH 22A TO247-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 128W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 28nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J G3R160MT12J-2449111.pdf
G3R160MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 160mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT12J-TR G3R160MT12J.pdf
G3R160MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 175W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 175W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 123 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+764.23 грн
120+634.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17D G3R160MT17D-3479643.pdf
G3R160MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1185.03 грн
10+1071.82 грн
25+1024.00 грн
100+924.74 грн
250+817.34 грн
500+755.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 18A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 208mOhm @ 12A, 15V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 854 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J G3R160MT17J.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 15A; Idm: 48A; 187W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 51nC
On-state resistance: 0.16Ω
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 48A
Power dissipation: 187W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
400+1918.22 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J g3r160mt17j.pdf
G3R160MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+1185.03 грн
14+1071.82 грн
25+1024.00 грн
100+924.74 грн
250+817.34 грн
500+755.57 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R160MT17J-TR G3R160MT17J-2449134.pdf
G3R160MT17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 160mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 30 36 42 48 54 60 66 69  [ Наступна Сторінка >> ]