Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 15 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1410.86 грн
100+1336.61 грн
250+1284.63 грн
500+1205.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1330.11 грн
100+1279.99 грн
250+1239.15 грн
500+1177.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR G2R1000MT33J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1646.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR G2R1000MT33J-TR GeneSiC Semiconductor g2r1000mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1646.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor sic-mosfet-selector-guide.pdf Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7981.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC SEMICONDUCTOR sic-mosfet-selector-guide.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor g2r120mt33j.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J-2449933.pdf MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
1+8132.81 грн
10+7436.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR G2R120MT33J-TR GeneSiC Semiconductor GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27343.84 грн
10+24816.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor g2r50mt33k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+27343.84 грн
10+24816.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K GeneSiC Semiconductor G2R50MT33K-2585786.pdf MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22258.18 грн
10+20598.92 грн
30+17817.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2 GeneSiC Semiconductor G3F05MT12GB2.pdf MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19385.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2 G3F09MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10715.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T G3F09MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11305.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4 GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+19373.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4-T GeneSiC Semiconductor G3F09MT12GB4.pdf MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20438.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+303.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+415.26 грн
10+367.04 грн
25+305.29 грн
100+286.55 грн
250+274.07 грн
500+265.05 грн
800+256.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR G3F135MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+679.87 грн
10+448.14 грн
100+331.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2 G3F17MT12FB2 GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7647.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T G3F17MT12FB2-T GeneSiC Semiconductor MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8067.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4 GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9695.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4-T GeneSiC Semiconductor G3F18MT12FB4.pdf MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10229.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1312.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2115.34 грн
10+1489.18 грн
100+1263.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR G3F18MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1598.72 грн
10+1431.46 грн
25+1198.95 грн
100+1131.65 грн
250+1089.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2244.91 грн
10+1585.77 грн
100+1361.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K G3F18MT12K GeneSiC Semiconductor Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1717.71 грн
10+1538.38 грн
30+1288.46 грн
120+1216.30 грн
270+1171.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+1037.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1263.59 грн
10+1132.24 грн
25+947.78 грн
100+894.36 грн
250+862.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR G3F20MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1757.84 грн
10+1223.47 грн
100+999.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1421.44 грн
10+1273.47 грн
30+1066.43 грн
120+1006.76 грн
270+969.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR G3F25MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+997.28 грн
10+893.66 грн
25+747.96 грн
100+705.63 грн
250+679.96 грн
500+660.53 грн
800+641.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K G3F25MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1063.65 грн
10+953.51 грн
30+797.91 грн
120+752.81 грн
270+725.06 грн
510+704.94 грн
1020+684.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR G3F25MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1033.70 грн
10+926.38 грн
25+775.02 грн
100+731.30 грн
250+704.24 грн
500+684.12 грн
1200+664.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1096.84 грн
10+933.56 грн
25+762.53 грн
100+730.61 грн
250+709.10 грн
500+698.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+840.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR G3F25MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1489.32 грн
10+1026.91 грн
100+809.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K G3F25MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1157.55 грн
10+985.42 грн
30+804.85 грн
120+770.85 грн
270+747.96 грн
510+736.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+615.87 грн
10+403.56 грн
100+296.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+266.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR G3F33MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+680.77 грн
10+610.40 грн
25+509.97 грн
100+482.22 грн
250+464.18 грн
500+450.99 грн
800+437.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K G3F33MT06K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+790.05 грн
10+708.55 грн
30+592.54 грн
120+559.93 грн
270+539.11 грн
510+523.15 грн
1020+508.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR G3F33MT06L-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+741.48 грн
10+664.66 грн
25+556.46 грн
100+525.23 грн
250+505.11 грн
500+491.24 грн
1200+476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+765.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.51 грн
10+950.85 грн
100+737.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR G3F34MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+998.89 грн
10+850.58 грн
25+694.53 грн
100+665.39 грн
250+645.96 грн
500+636.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K G3F34MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1006.99 грн
10+857.76 грн
30+700.78 грн
120+671.63 грн
270+651.51 грн
510+641.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+743.10 грн
10+632.74 грн
25+516.91 грн
100+495.40 грн
250+480.14 грн
500+473.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+569.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR G3F40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1100.60 грн
10+745.64 грн
100+568.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+755.24 грн
10+643.12 грн
30+525.23 грн
120+503.03 грн
270+487.77 грн
510+480.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D G3F45MT06D GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.96 грн
10+594.45 грн
30+496.79 грн
120+469.03 грн
270+451.69 грн
510+438.51 грн
1020+426.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR G3F45MT06J-TR GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+534.25 грн
10+479.55 грн
25+401.04 грн
100+378.84 грн
250+364.26 грн
500+354.55 грн
800+343.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1410.86 грн
100+1336.61 грн
250+1284.63 грн
500+1205.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1330.11 грн
100+1279.99 грн
250+1239.15 грн
500+1177.89 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J G2R1000MT33J.pdf
G2R1000MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; 4A; Idm: 8A; 74W; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
Gate charge: 21nC
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1646.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT33J-TR g2r1000mt33j.pdf
G2R1000MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1646.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 20A, 20V
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3706 pF @ 1000 V
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7981.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J sic-mosfet-selector-guide.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 3.3kV; TO263-7
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.12Ω
Drain-source voltage: 3.3kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J g2r120mt33j.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J G2R120MT33J-2449933.pdf
G2R120MT33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 203-212 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8132.81 грн
10+7436.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 120M TO-263-7 G2R SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 15A, 20V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +20V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 3300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3009 pF @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R120MT33J-TR
G2R120MT33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GeneSiC 3300V 120mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27343.84 грн
10+24816.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K g2r50mt33k.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+27343.84 грн
10+24816.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G2R50MT33K G2R50MT33K-2585786.pdf
G2R50MT33K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 3300V 50mohm TO-247-4 G2R SiC MOSFET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+22258.18 грн
10+20598.92 грн
30+17817.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F05MT12GB2 G3F05MT12GB2.pdf
G3F05MT12GB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19385.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2
G3F09MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10715.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12FB2-T
G3F09MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11305.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4 G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+19373.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F09MT12GB4-T G3F09MT12GB4.pdf
G3F09MT12GB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+20438.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+303.57 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 135mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+415.26 грн
10+367.04 грн
25+305.29 грн
100+286.55 грн
250+274.07 грн
500+265.05 грн
800+256.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F135MT12J-TR
G3F135MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 135M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 8A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.87 грн
10+448.14 грн
100+331.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2
G3F17MT12FB2
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+7647.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F17MT12FB2-T
G3F17MT12FB2-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8067.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4 G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9695.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12FB4-T G3F18MT12FB4.pdf
G3F18MT12FB4-T
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+10229.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1312.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 122A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 212 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4962 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 45A, 18V
Power Dissipation (Max): 526W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 35mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2115.34 грн
10+1489.18 грн
100+1263.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12J-TR
G3F18MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1598.72 грн
10+1431.46 грн
25+1198.95 грн
100+1131.65 грн
250+1089.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 18M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tube
на замовлення 595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2244.91 грн
10+1585.77 грн
100+1361.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F18MT12K Navitas_Semiconductor_NDA_G3F18MT12K.pdf
G3F18MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 18mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1717.71 грн
10+1538.38 грн
30+1288.46 грн
120+1216.30 грн
270+1171.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+1037.82 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1263.59 грн
10+1132.24 грн
25+947.78 грн
100+894.36 грн
250+862.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12J-TR
G3F20MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 20M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Power Dissipation (Max): 448W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 176 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4317 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 40A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 30mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1757.84 грн
10+1223.47 грн
100+999.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1421.44 грн
10+1273.47 грн
30+1066.43 грн
120+1006.76 грн
270+969.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06J-TR
G3F25MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+997.28 грн
10+893.66 грн
25+747.96 грн
100+705.63 грн
250+679.96 грн
500+660.53 грн
800+641.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06K
G3F25MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1063.65 грн
10+953.51 грн
30+797.91 грн
120+752.81 грн
270+725.06 грн
510+704.94 грн
1020+684.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT06L-TR
G3F25MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1033.70 грн
10+926.38 грн
25+775.02 грн
100+731.30 грн
250+704.24 грн
500+684.12 грн
1200+664.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1021 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1096.84 грн
10+933.56 грн
25+762.53 грн
100+730.61 грн
250+709.10 грн
500+698.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+840.64 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12J-TR
G3F25MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 25M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3325 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 34A, 18V
Power Dissipation (Max): 362W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 24mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1489.32 грн
10+1026.91 грн
100+809.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F25MT12K
G3F25MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 25mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1157.55 грн
10+985.42 грн
30+804.85 грн
120+770.85 грн
270+747.96 грн
510+736.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.87 грн
10+403.56 грн
100+296.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F320MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 320M TO-263-7 G3F SIC MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+266.20 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06J-TR
G3F33MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+680.77 грн
10+610.40 грн
25+509.97 грн
100+482.22 грн
250+464.18 грн
500+450.99 грн
800+437.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06K
G3F33MT06K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+790.05 грн
10+708.55 грн
30+592.54 грн
120+559.93 грн
270+539.11 грн
510+523.15 грн
1020+508.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F33MT06L-TR
G3F33MT06L-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+741.48 грн
10+664.66 грн
25+556.46 грн
100+525.23 грн
250+505.11 грн
500+491.24 грн
1200+476.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+765.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 34M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 68A (Tc)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2418 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 26A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 18mA
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1385.51 грн
10+950.85 грн
100+737.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12J-TR
G3F34MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1547 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+998.89 грн
10+850.58 грн
25+694.53 грн
100+665.39 грн
250+645.96 грн
500+636.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F34MT12K
G3F34MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 34mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1006.99 грн
10+857.76 грн
30+700.78 грн
120+671.63 грн
270+651.51 грн
510+641.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+743.10 грн
10+632.74 грн
25+516.91 грн
100+495.40 грн
250+480.14 грн
500+473.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+569.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12J-TR
G3F40MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 40M TO-263-7 G3F SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Power Dissipation (Max): 270W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 16mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2023 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 20A, 18V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1100.60 грн
10+745.64 грн
100+568.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+755.24 грн
10+643.12 грн
30+525.23 грн
120+503.03 грн
270+487.77 грн
510+480.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06D
G3F45MT06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+662.96 грн
10+594.45 грн
30+496.79 грн
120+469.03 грн
270+451.69 грн
510+438.51 грн
1020+426.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3F45MT06J-TR
G3F45MT06J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-263-7 G3F SiC MOSFET
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.25 грн
10+479.55 грн
25+401.04 грн
100+378.84 грн
250+364.26 грн
500+354.55 грн
800+343.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]