Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5801) > Сторінка 15 з 97
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MBRT60035 | GeneSiC Semiconductor |
 Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60035R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60045 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60045R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60080 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MBRT60080R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT150100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT150120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT150140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT150160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT15060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT15080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT20080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT250160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT25060(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRT25080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300100(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300120(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300140(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA300160(A)D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA30080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA400160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA40060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA500160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA50060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA50080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA6001 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA600100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA600120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA600140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA6001R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA60060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
MSRTA60080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR10005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |
| MUR10040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MBRT60035 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60035R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 35V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60040 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60040R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 40V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60045 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 45V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 45 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60045R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 45V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60060 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 60V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60060R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 60V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60080 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
Description: DIODE MODULE 80V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 80 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 880 mV @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBRT60080R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 80V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT150100(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT150120(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT150140(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT150160(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT15060(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT15080(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 150A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200100(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200120(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200140(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT200160(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20060(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT20080(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 200A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250100(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250120(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250140(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT250160(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT25060(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRT25080(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 250A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300100(A)D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300120(A)D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300140(A)D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA300160(A)D |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30060(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA30080(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 300A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400100(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400120(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400140(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA400160(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA40060(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500100(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500120(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500140(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500160(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA50060(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA50080(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA6001 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600100(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600120(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600140(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA6001R |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA60060(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA60080(A) |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10040CT |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10040CTR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.