Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 30 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 15A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE08MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 21A Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GE08MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE08MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 36A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE08MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 8 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GE08MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE08MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M |
на замовлення 870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE10MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO220-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE10MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GE10MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Average Rectified (Io): 26A Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GE10MPS06E | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Case: TO252-2 Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 44A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE10MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 10 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE10MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE12MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M Current - Max: 12 A Supplier Device Package: TO-220-2 Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Diode Type: Schottky - Single Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE12MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 12 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE12MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE2X10MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 10A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Features of semiconductor devices: MPS Case: TO247-3 Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 20A Max. forward impulse current: 44A Kind of package: tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE2X10MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE2X12MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 838 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 8A x2 Max. forward impulse current: 36A Case: TO247-3 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.25V Max. load current: 16A Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: common cathode; double |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE2X8MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY MVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN130/04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN130/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN130/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN130/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN130/16 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN130/18 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN240/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN240/04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN240/08 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN240/12 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN240/14 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 32 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN240/16 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN240/18 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GKN26/04 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN26/08 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C Supplier Device Package: DO-4 Current - Average Rectified (Io): 25A Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GKN26/12 | GeneSiC Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| GE08MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-220-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.10 грн |
| GE08MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06E |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: DIODE SIL CARB 650V 21A TO252-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 21A
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06E |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1314 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.03 грн |
| 10+ | 175.06 грн |
| 25+ | 144.54 грн |
| 100+ | 133.37 грн |
| 250+ | 126.39 грн |
| 500+ | 121.50 грн |
| 1000+ | 116.61 грн |
| GE08MPS06E |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 8A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 36A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
Description: 650V 8A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 8 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE08MPS06Q-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 8A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.91 грн |
| 3000+ | 104.39 грн |
| GE10MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Description: 650V 10A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
на замовлення 870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.23 грн |
| 10+ | 219.98 грн |
| 25+ | 209.09 грн |
| 100+ | 181.75 грн |
| 250+ | 172.72 грн |
| 500+ | 166.21 грн |
| GE10MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10A; TO220-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO220-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE10MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE10MPS06E |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE10MPS06E |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Description: DIODE SIL CARB 650V 26A TO252-2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 26A
Capacitance @ Vr, F: 466pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE10MPS06E |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO252-2; SiC; SMD; 650V; 10A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO252-2
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 193.07 грн |
| 10+ | 167.83 грн |
| 25+ | 138.96 грн |
| 100+ | 128.48 грн |
| 250+ | 122.20 грн |
| 500+ | 118.01 грн |
| 1000+ | 113.12 грн |
| GE10MPS06Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
Description: 650V 10A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 10 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE10MPS06Q-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2776 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 137.68 грн |
| 3000+ | 118.85 грн |
| GE12MPS06A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 154.78 грн |
| GE12MPS06A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
Description: 650V 12A TO-220-2 SIC SCHOTTKY M
Current - Max: 12 A
Supplier Device Package: TO-220-2
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Diode Type: Schottky - Single
Package / Case: TO-220-2
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE12MPS06E-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 159.67 грн |
| 2500+ | 141.33 грн |
| GE12MPS06Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
Description: 650V 12A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 12 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE12MPS06Q-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 149.08 грн |
| 3000+ | 146.95 грн |
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 10Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 10A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 20A
Max. forward impulse current: 44A
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: 650V 20A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 23A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE2X10MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 20A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 496.12 грн |
| 10+ | 437.64 грн |
| 30+ | 363.80 грн |
| 120+ | 339.36 грн |
| 270+ | 324.70 грн |
| GE2X12MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 24A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 413.03 грн |
| 10+ | 362.96 грн |
| 30+ | 302.35 грн |
| 120+ | 282.10 грн |
| 270+ | 270.23 грн |
| 510+ | 261.16 грн |
| 1020+ | 252.08 грн |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 838 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 437.47 грн |
| 10+ | 383.84 грн |
| 30+ | 318.41 грн |
| 120+ | 296.77 грн |
| 270+ | 282.80 грн |
| 510+ | 273.03 грн |
| 1020+ | 270.23 грн |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 36A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: common cathode; double
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8Ax2; TO247-3; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A x2
Max. forward impulse current: 36A
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Max. load current: 16A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 343.06 грн |
| 3+ | 303.43 грн |
| 10+ | 272.33 грн |
| 30+ | 254.68 грн |
| 60+ | 245.43 грн |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: 650V 16A TO-247-3 SIC SCHOTTKY M
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 19A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 407.71 грн |
| 10+ | 349.34 грн |
| 25+ | 333.45 грн |
| GKN130/04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 400V 165A DO205AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 165 A - DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 165 A - DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 165A DO205AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 165 A - DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 165A DO205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/14 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 165 A - DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/14 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 165A DO205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/16 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 165A DO205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/16 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8
Rectifiers Standard Recovery - 1600 V - 165 A - DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/18 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN130/18 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery
Rectifiers 1800V 165A Fwd Std Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
Description: DIODE GEN PURP 400V 320A DO205AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 400 V - 320 A - DO-9
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
Description: DIODE GEN PURP 800V 320A DO205AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 800 V - 320 A - DO-9
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 1200 V - 320 A - DO-9
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 320A DO205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/14 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9
Rectifiers Standard Recovery - 1400 V - 320 A - DO-9
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/14 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 320A DO205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/16 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 320A DO205
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/16 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier
Rectifiers 320V 1600A DO-9 Silicon Standard Recovery Stud Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/18 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
Description: DIODE GP 1.8KV 165A DO205AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN240/18 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery
Rectifiers 1800V 320A Fwd Std Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN26/04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 400 V - 25 A - DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN26/04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
Description: DIODE GEN PURP 400V 25A DO4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN26/08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 800 V - 25 A - DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GKN26/08 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE STANDARD 800V 25A DO4
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 mA @ 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 180°C
Supplier Device Package: DO-4
Current - Average Rectified (Io): 25A
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GKN26/12 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4
Diodes - General Purpose, Power, Switching Standard Recovery - 1200 V - 25 A - DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.











