Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4169) > Сторінка 18 з 70

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 28 35 42 49 56 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2308.72 грн
10+2163.55 грн
30+2100.79 грн
120+1986.03 грн
270+1822.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2686.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2686.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2237.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1784.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2169.87 грн
10+1917.32 грн
25+1852.91 грн
100+1651.14 грн
250+1595.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+5988.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+720.47 грн
10+629.67 грн
25+605.73 грн
100+536.35 грн
250+515.79 грн
500+501.01 грн
1000+478.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.65 грн
10+669.84 грн
25+645.01 грн
100+571.34 грн
250+549.37 грн
500+534.06 грн
1000+510.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+697.95 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+818.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+850.43 грн
19+759.58 грн
50+571.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+419.69 грн
100+418.94 грн
250+418.29 грн
500+398.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+419.69 грн
100+418.94 грн
250+403.35 грн
500+369.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+737.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+737.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1422.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+955.33 грн
19+748.34 грн
20+709.94 грн
50+557.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+567.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4H08MT23GB4 G4H08MT23GB4 GeneSiC Semiconductor Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5R05MT06LK GeneSiC Semiconductor SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor ga01pns150-201.pdf PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-201.pdf Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS150-220.pdf PIN Diodes 15000V 1A Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80-220 GeneSiC Semiconductor GA01PNS80_220-2450027.pdf PIN Diodes 8000V 2A Standard
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01SLV20 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB GeneSiC Semiconductor Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4.pdf Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4 GeneSiC Semiconductor GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+2308.72 грн
10+2163.55 грн
30+2100.79 грн
120+1986.03 грн
270+1822.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2686.26 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2686.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 43A; Idm: 160A; 438W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 438W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 182nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2237.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+1784.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2169.87 грн
10+1917.32 грн
25+1852.91 грн
100+1651.14 грн
250+1595.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+5988.77 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+720.47 грн
10+629.67 грн
25+605.73 грн
100+536.35 грн
250+515.79 грн
500+501.01 грн
1000+478.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D-3479072.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+751.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-2448865.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+766.65 грн
10+669.84 грн
25+645.01 грн
100+571.34 грн
250+549.37 грн
500+534.06 грн
1000+510.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+697.95 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+818.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J-2449780.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+850.43 грн
19+759.58 грн
50+571.69 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+809.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+419.69 грн
100+418.94 грн
250+418.29 грн
500+398.92 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+419.69 грн
100+418.94 грн
250+403.35 грн
500+369.37 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+737.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
800+737.67 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+1422.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
42+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+955.33 грн
19+748.34 грн
20+709.94 грн
50+557.24 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Gate charge: 54nC
Polarisation: unipolar
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 29A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Case: TO247-4
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
на замовлення 438 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+567.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+336.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G4H08MT23GB4 Maximizing_MVHV_SiC_Performance_and_Reliability.pdf
G4H08MT23GB4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 2300V 8.0m Full-Bridge / Dual-Half-Bridge SiCPAK G+ SiC Power Module
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
G5R05MT06LK
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 5.5m Discrete SiC MOSFET in Low-Profile (LP) TO-247-4 Through-Hole Package
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 ga01pns150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diode 15KV 1000mA 2-Pin DO-201
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes Silicon Carbide Pin Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC DIODE 15000V 1A DO-201
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Diode Type: PIN - Single
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Capacitance @ Vr, F: 22pF @ 1V, 1MHz
Voltage - Peak Reverse (Max): 15000V
Supplier Device Package: DO-201
Current - Max: 1 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-220 GA01PNS150-220.pdf
GA01PNS150-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 15000V 1A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS80-220 GA01PNS80_220-2450027.pdf
GA01PNS80-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
PIN Diodes 8000V 2A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA01SLV20
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 2000V 1A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA02JT33-SMB
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 3.3KV 2A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GA03IDDJT30-FR4 GA03IDDJT30-FR4-437461.pdf
GA03IDDJT30-FR4
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power Management IC Development Tools Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 28 35 42 49 56 63 70  [ Наступна Сторінка >> ]