Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 18 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GA06JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
 MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A |
на замовлення 198 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA080TH65 | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: SOT-227-2 Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Voltage - Off State: 6.5 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA080TH65-227SP | GeneSiC Semiconductor |
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Structure: Single Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA Number of SCRs, Diodes: 1 SCR Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A Voltage - Off State: 6.5 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Current Drain (Id) - Max: 8 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Power - Max: 48 W Resistance - RDS(On): 230 mOhms |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA08JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A |
на замовлення 42 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
GA100JT12-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA100JT17-227 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A Power Dissipation (Max): 535W (Tc) Supplier Device Package: SOT-227 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA100SBJT12-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD EVAL DBL PULSE |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA100SCPL12-227E | GeneSiC Semiconductor | Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GA10JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Standard |
на замовлення 52 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| GA10JT12-SMB3L | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANS SJT 1.2KV 10A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak |
на замовлення 57 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA10SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA10SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA15IDDJT22-FR4 | GeneSiC Semiconductor |
Description: BOARD GATE DRIVER Packaging: Bulk Function: Gate Driver Type: Power Management Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: Isolated |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
GA16JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Current Drain (Id) - Max: 45 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV Power - Max: 282 W Resistance - RDS(On): 50 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 45A Standard |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GA20JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V Current Drain (Id) - Max: 45 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Power - Max: 282 W Resistance - RDS(On): 50 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 510 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A Power Dissipation (Max): 282W (Tc) Supplier Device Package: TO-263-7 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GA20JT12-263 | GeneSiC Semiconductor |
JFETs 1200V 45A Standard |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA20SICP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak |
на замовлення 81 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GA20SICP12-263 | GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Part Status: Active Current: 20 A Voltage: 1.2 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA35XCP12-247 | GeneSiC Semiconductor |
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA50JT06-258 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 600V 100A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V Current Drain (Id) - Max: 100 A Supplier Device Package: TO-247-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV Power - Max: 583 W Resistance - RDS(On): 20 mOhms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GA50JT12-247 | GeneSiC Semiconductor |
JFET 1200V 100A Standard |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GA50JT12-247ISO | GeneSiC Semiconductor | JFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GA50JT12-263 | GeneSiC Semiconductor | Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GA50JT17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GAP05SLT80-220 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GAP3SLT33-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GAP3SLT33-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 3.3kV Load current: 0.3A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.15V Max. forward impulse current: 1A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GAP3SLT33-214 | GeneSiC Semiconductor |
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GAP3SLT33-220FP | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier |
на замовлення 549 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GB01SHT06-CAU | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| GB01SHT12-CAL | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 650V Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 7A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT06-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| GB01SLT06-214 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape Type of diode: Schottky rectifying Case: DO214 Technology: SiC Mounting: SMD Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 1A Semiconductor structure: single diode Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 8A Kind of package: reel; tape |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier |
на замовлення 48 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: TO-252 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
 |
GB01SLT12-252 | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier |
на замовлення 4248 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| GA06JT12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
MOSFET SiC Super Junc Trans 1200V-Rds 230mO-6A
на замовлення 198 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GA080TH65 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Description: MOD THYRSTR SIC SGL 6500V SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-227-2
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA080TH65-227SP |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
SCR Modules 6500V - 80A SiC Discrete Thyrstr
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA080TH65-227SP |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
Description: MOD THYRISTOR CUSTOM SOT227
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Structure: Single
Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 100 mA
Number of SCRs, Diodes: 1 SCR
Current - On State (It (AV)) (Max): 80 A
Current - On State (It (RMS)) (Max): 139 A
Voltage - Off State: 6.5 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA08JT17-247 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
Description: TRANS SJT 1700V 8A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8A
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 8 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 48 W
Resistance - RDS(On): 230 mOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 450 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA08JT17-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
MOSFET SiC Supr Jnctn Trans 1700V-Rds 250mO- 8A
на замовлення 42 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GA100JT12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GA100JT12-227
GA100JT12-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA100JT12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA100JT12-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 160A Std SiC Junction Transistor
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA100JT17-227 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1700V 160A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 100A
Power Dissipation (Max): 535W (Tc)
Supplier Device Package: SOT-227
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14400 pF @ 800 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
Discrete Semiconductor Modules Double Pulse Switching Test Board
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA100SBJT12-FR4 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
Description: BOARD EVAL DBL PULSE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GA100SCPL12-227E |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
Description: SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA10JT12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Standard
MOSFET 1200V 25A Standard
на замовлення 52 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GA10JT12-SMB3L |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA10JT12-SMB3L |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA10JT12-SMB3L |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
Description: TRANS SJT 1.2KV 10A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA10SICP12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 25A Std SIC CoPak
на замовлення 57 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GA10SICP12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 25A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 10A
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1403 pF @ 800 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA10SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A Schottky Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA15IDDJT22-FR4 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
Gate Drivers Gate Driver Circuit Board
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA15IDDJT22-FR4 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
Description: BOARD GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Function: Gate Driver
Type: Power Management
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: Isolated
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA16JT17-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
Description: TRANS SJT 1700V 16A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) (90°C)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3078pF @ 1200V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 16A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.7 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100 nA @ 1.7 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA20JT12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 45A Standard
JFET 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA20JT12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
Description: TRANS SJT 1200V 20A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3825pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 45 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 282 W
Resistance - RDS(On): 50 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 510 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA20JT12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
Description: TRANS SJT 1200V 45A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 20A
Power Dissipation (Max): 282W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3091 pF @ 800 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2840.10 грн |
| 10+ | 2522.53 грн |
| GA20JT12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFETs 1200V 45A Standard
JFETs 1200V 45A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA20SICP12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A Std SIC CoPak
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA20SICP12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
MOSFET 1200V 45A SIC CoPak
на замовлення 81 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GA20SICP12-263 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
Description: SIC CO-PACK SJT/RECT 20A 1.2KV
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Part Status: Active
Current: 20 A
Voltage: 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA35XCP12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
IGBT Transistors 1200V 35A SIC IGBT CoPak
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT06-258 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 600V 100A
Description: TRANS SJT 600V 100A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
Description: TRANS SJT 1200V 100A TO247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7080pF @ 800V
Current Drain (Id) - Max: 100 A
Supplier Device Package: TO-247-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 1.2 kV
Power - Max: 583 W
Resistance - RDS(On): 20 mOhms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 10 µA @ 1.2 kV
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans JFET N-CH 1200V 100A SiC Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT12-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET 1200V 100A Standard
JFET 1200V 100A Standard
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT12-247ISO |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
JFET
JFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT12-263 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
Description: TRANSISTOR 1200V 100A TO263-7
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA50JT17-247 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
Description: TRANS SJT 1.7KV 100A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GAP05SLT80-220 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
Description: DIODE SCHOTTKY 8KV 50MA AXIAL
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GAP05SLT80-220 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
Schottky Diodes & Rectifiers 8000V 0.05A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GAP3SLT33-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
SiC Schottky Diodes 3300V - 0.3 A SiC Schottky Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GAP3SLT33-214 |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 3.3kV; 300mA
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 3.3kV
Load current: 0.3A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.15V
Max. forward impulse current: 1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GAP3SLT33-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки
DIODE SCHOTTKY 3.3KV 300MA DO214 Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GAP3SLT33-220FP |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 0.3A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 549 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GB01SHT06-CAU |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
Schottky Diodes & Rectifiers SiC 650V 1A 225Deg C Au Top and Au Bottom
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SHT12-CAL |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
SiC Schottky Diodes SiC 1200V 1A 225DegC AI Top and Au Bottom
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT06-214 |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 650V; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 7A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT06-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
SiC Schottky Diodes 650V 1A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT06-214 |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT06-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
Diode Schottky 650V 2.5A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; DO214; SiC; SMD; 1.2kV; 1A; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Case: DO214
Technology: SiC
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 8A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
SiC Schottky Diodes 1200V 2.5A Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GB01SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 48 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| GB01SLT12-220 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 1A TO220-2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-252 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-252 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 69pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: TO-252
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-252 |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 1A SiC Schottky Rectifier
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.41 грн |
| 10+ | 108.73 грн |
| 25+ | 88.69 грн |
| 100+ | 81.36 грн |