Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4259) > Сторінка 18 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+618.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+517.90 грн
10+448.25 грн
25+429.58 грн
100+378.48 грн
250+362.90 грн
500+351.21 грн
1000+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor g3r450mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC Semiconductor G3R450MT17D-2449192.pdf MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.93 грн
10+480.05 грн
30+400.13 грн
120+374.52 грн
270+359.29 грн
510+347.52 грн
1020+336.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+478.13 грн
10+431.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.76 грн
10+505.40 грн
25+485.16 грн
100+427.84 грн
250+410.83 грн
500+397.75 грн
1000+379.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 91W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+489.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC Semiconductor G3R450MT17J-2449670.pdf MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+671.96 грн
10+597.08 грн
25+498.43 грн
100+467.97 грн
250+449.28 грн
500+436.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R450MT17J.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 91W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+586.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2130.65 грн
10+1996.67 грн
30+1938.76 грн
120+1832.84 грн
270+1681.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2733.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2172.85 грн
10+1918.84 грн
25+1854.28 грн
100+1652.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2282.84 грн
10+2139.29 грн
30+2077.24 грн
120+1963.76 грн
270+1801.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor G3R45MT17D-2448906.pdf MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2457.66 грн
10+2222.73 грн
30+1867.05 грн
120+1772.20 грн
270+1723.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GeneSiC Semiconductor g3r45mt17d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17D.pdf G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2521.85 грн
2+2383.86 грн
30+2381.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2479.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K-3479896.pdf SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2537.62 грн
10+2294.38 грн
30+1927.96 грн
120+1831.05 грн
270+1779.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2656.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+1646.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor g3r45mt17k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+5526.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K GeneSiC Semiconductor G3R45MT17K.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2195.44 грн
10+1939.91 грн
25+1874.74 грн
100+1670.59 грн
250+1614.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R45MT17K.pdf G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+2793.84 грн
2+2640.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D-3479072.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+772.11 грн
10+669.53 грн
30+548.97 грн
120+523.35 грн
270+512.28 грн
510+497.74 грн
2520+492.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor G3R60MT07D.pdf Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+728.96 грн
10+637.09 грн
25+612.86 грн
100+542.67 грн
250+521.87 грн
500+506.92 грн
1000+484.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor g3r60mt07d.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+760.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+742.23 грн
10+665.55 грн
25+556.58 грн
100+525.43 грн
250+506.05 грн
500+488.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GeneSiC Semiconductor g3r60mt07j.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J.pdf Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-TR GeneSiC Semiconductor G3R60MT07J-2448865.pdf MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+717.19 грн
10+622.56 грн
30+510.20 грн
120+486.66 грн
270+476.97 грн
510+463.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor G3R60MT07K.pdf Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.69 грн
10+677.74 грн
25+652.61 грн
100+578.08 грн
250+555.85 грн
500+540.35 грн
1000+516.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K GeneSiC Semiconductor g3r60mt07k.pdf Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+644.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+724.46 грн
10+620.96 грн
30+490.13 грн
120+477.66 грн
270+468.67 грн
510+464.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf G3R75MT12D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1113.47 грн
2+852.95 грн
4+805.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+387.32 грн
100+386.63 грн
250+386.02 грн
500+368.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+414.99 грн
100+414.24 грн
250+398.82 грн
500+365.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J-2449780.pdf MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+784.84 грн
19+701.00 грн
50+527.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+680.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+729.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+599.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+792.04 грн
10+687.64 грн
25+659.93 грн
100+582.33 грн
250+558.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+881.65 грн
19+690.62 грн
20+655.18 грн
50+514.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+628.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+333.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+618.36 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.90 грн
10+448.25 грн
25+429.58 грн
100+378.48 грн
250+362.90 грн
500+351.21 грн
1000+334.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D g3r450mt17d.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D-2449192.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 3133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+541.93 грн
10+480.05 грн
30+400.13 грн
120+374.52 грн
270+359.29 грн
510+347.52 грн
1020+336.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17D G3R450MT17D.pdf
G3R450MT17D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 88W
Case: TO247-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 88W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.13 грн
10+431.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 9A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 454 pF @ 1000 V
на замовлення 5835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+581.76 грн
10+505.40 грн
25+485.16 грн
100+427.84 грн
250+410.83 грн
500+397.75 грн
1000+379.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 91W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
на замовлення 841 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+489.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J-2449670.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 450mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.96 грн
10+597.08 грн
25+498.43 грн
100+467.97 грн
250+449.28 грн
500+436.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R450MT17J G3R450MT17J.pdf
G3R450MT17J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Gate-source voltage: -5...15V
Drain current: 6A
Gate charge: 18nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 91W
Pulsed drain current: 16A
Technology: G3R™; SiC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+2130.65 грн
10+1996.67 грн
30+1938.76 грн
120+1832.84 грн
270+1681.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2733.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2172.85 грн
10+1918.84 грн
25+1854.28 грн
100+1652.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2282.84 грн
10+2139.29 грн
30+2077.24 грн
120+1963.76 грн
270+1801.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D-2448906.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1700V 45mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2457.66 грн
10+2222.73 грн
30+1867.05 грн
120+1772.20 грн
270+1723.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D g3r45mt17d.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2521.85 грн
2+2383.86 грн
30+2381.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+2479.07 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K-3479896.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 45mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2537.62 грн
10+2294.38 грн
30+1927.96 грн
120+1831.05 грн
270+1779.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2656.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+1646.50 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K g3r45mt17k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+5526.86 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
G3R45MT17K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 61A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 438W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 182 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 1000 V
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2195.44 грн
10+1939.91 грн
25+1874.74 грн
100+1670.59 грн
250+1614.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17K G3R45MT17K.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 255 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2793.84 грн
2+2640.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D-3479072.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+772.11 грн
10+669.53 грн
30+548.97 грн
120+523.35 грн
270+512.28 грн
510+497.74 грн
2520+492.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.96 грн
10+637.09 грн
25+612.86 грн
100+542.67 грн
250+521.87 грн
500+506.92 грн
1000+484.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D g3r60mt07d.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+760.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+742.23 грн
10+665.55 грн
25+556.58 грн
100+525.43 грн
250+506.05 грн
500+488.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J g3r60mt07j.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60M TO-263-7 G3R SIC MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J-TR G3R60MT07J-2448865.pdf
G3R60MT07J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 650V 60mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 750V 60mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 2603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.19 грн
10+622.56 грн
30+510.20 грн
120+486.66 грн
270+476.97 грн
510+463.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K G3R60MT07K.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 750V 60M TO-247-4 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 1079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.69 грн
10+677.74 грн
25+652.61 грн
100+578.08 грн
250+555.85 грн
500+540.35 грн
1000+516.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07K g3r60mt07k.pdf
G3R60MT07K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+644.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+724.46 грн
10+620.96 грн
30+490.13 грн
120+477.66 грн
270+468.67 грн
510+464.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D g3r75mt12d.pdf
G3R75MT12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12D G3R75MT12D.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12D THT N channel transistors
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1113.47 грн
2+852.95 грн
4+805.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+387.32 грн
100+386.63 грн
250+386.02 грн
500+368.15 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+414.99 грн
100+414.24 грн
250+398.82 грн
500+365.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J-2449780.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET 1200V 75mO TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 42A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 224W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+784.84 грн
19+701.00 грн
50+527.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1200V 75mohm TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+680.77 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+729.40 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+599.12 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
G3R75MT12J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 75M TO-263-7 G3R SIC MOSFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 196W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1545 pF @ 800 V
на замовлення 5363 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+792.04 грн
10+687.64 грн
25+659.93 грн
100+582.33 грн
250+558.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+881.65 грн
19+690.62 грн
20+655.18 грн
50+514.26 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+628.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+333.03 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 28 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]