Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 60 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MUR30010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR30020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR30020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR30020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR30020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWEROperating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR30040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR30040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR30040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR30040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWERReverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR30060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR30060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR30060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR30060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWERSupplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40005CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR40010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWERVoltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR40010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWERVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR40020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR40040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR40040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR40060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR40060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR40060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWERSpeed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Twin Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Twin Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 180 ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR5005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 50A Super Fast Recovery |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MUR5005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR5005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 50A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR5005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
MUR5010 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR5010 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 50A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR5010 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 100V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR5010R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 50A REV Leads Super Fast Recovery |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MUR5010R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
MUR5020 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 50A Super Fast Recovery |
на замовлення 62 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
MUR5020 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR5020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR5020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 50A DO5Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR5020R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 50A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR5040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 50A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR5040 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 50A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR5040R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 50A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR5040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 50A DO5Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 50A Supplier Device Package: DO-5 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR5060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR5060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 50A Super Fast Recovery |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| MUR5060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 50A DO5Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: DO-5 Current - Average Rectified (Io): 50A Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis, Stud Mount Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR5060R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 50A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MUR7005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A DO5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR7005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 70A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MUR7005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 70A DO5 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
|
MUR7005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 70A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
MUR7010 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 70A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MUR30010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 300A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 2TOWER
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 2TOWER
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V300A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR30060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 2TOWER
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 100 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 50V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Obsolete
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 400A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 100V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V400A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR40060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 2TOWER
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Twin Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 125 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Twin Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 50A Super Fast Recovery
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1591.84 грн |
| 10+ | 1307.31 грн |
| 25+ | 1062.08 грн |
| 100+ | 983.87 грн |
| MUR5005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 50A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 50A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 100V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 50A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 100V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 100V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 50A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 50A REV Leads Super Fast Recovery
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1619.53 грн |
| 10+ | 1331.40 грн |
| 25+ | 1077.44 грн |
| 100+ | 1004.12 грн |
| MUR5010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1561.69 грн |
| MUR5020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 50A Super Fast Recovery
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1472.08 грн |
| 10+ | 1208.54 грн |
| 25+ | 976.89 грн |
| 100+ | 910.55 грн |
| MUR5020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Switching 200V 50A 75ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 200V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 50A DO5
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 50A DO5
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 50A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 50A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 400V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 400V 50A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 50A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 400V 50A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 50A DO5
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: DO-5
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP 600V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 50A Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 50A Super Fast Recovery
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1487.56 грн |
| 10+ | 1221.39 грн |
| 25+ | 988.76 грн |
| 100+ | 920.33 грн |
| MUR5060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 50A DO5
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 50 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-5
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Package / Case: DO-203AB, DO-5, Stud
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR5060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 50A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 600V 50A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR7005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP 50V 70A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR7005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 70A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 70A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR7005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 70A DO5
Description: DIODE GEN PURP REV 50V 70A DO5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR7005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 70A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 70A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR7010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 70A Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 70A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



