Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 24 з 67

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8d.pdf Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+115.18 грн
10+80.32 грн
25+60.33 грн
100+48.93 грн
250+42.49 грн
500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D GBU8D GeneSiC Semiconductor gbu8b.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8G GBU8G GeneSiC Semiconductor gbu8g.pdf Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 765 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+129.69 грн
10+84.94 грн
25+60.41 грн
100+51.19 грн
250+47.68 грн
500+40.52 грн
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J GBU8J GeneSiC Semiconductor gbu8j.pdf Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+115.18 грн
10+79.56 грн
25+59.38 грн
100+48.19 грн
250+43.88 грн
500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K GBU8K GeneSiC Semiconductor gbu8k.pdf Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+115.18 грн
10+79.56 грн
25+60.48 грн
100+48.93 грн
250+47.39 грн
500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M GBU8M GeneSiC Semiconductor gbu8m.pdf Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12_220-2449250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+174.06 грн
10+150.54 грн
25+123.59 грн
100+113.36 грн
250+107.50 грн
500+102.39 грн
1000+98.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc02mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC02MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220-1535211.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252-1856058.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor sic-schottky-mps-selector-guide.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 975 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+2116.82 грн
10+1899.03 грн
25+1590.63 грн
100+1518.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J-TR GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J.pdf Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1732.39 грн
10+1518.11 грн
25+1462.51 грн
100+1296.80 грн
250+1249.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+254.64 грн
59+244.94 грн
100+236.63 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12_220-2449830.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc08mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-252-1856202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12_220-2449540.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+464.15 грн
10+411.26 грн
25+341.53 грн
100+319.59 грн
250+305.69 грн
500+295.46 грн
1000+288.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor gc10mps12-252.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC10MPS12-252-1856247.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_220-2449839.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+580.19 грн
10+507.14 грн
25+421.24 грн
100+391.26 грн
250+372.98 грн
500+368.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc15mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+667.46 грн
3+554.59 грн
10+519.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12_247-2449953.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 94A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-220-1535232.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-220.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc20mps12-247.pdf Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 90A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC20MPS12-247-1856250.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 597 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227-1856182.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X100MPS06-227.pdf Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247-1535202.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X10MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+507.48 грн
3+454.73 грн
10+438.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X10MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X15MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+624.80 грн
3+557.89 грн
10+537.26 грн
20+517.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12_247-2449287.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+1140.75 грн
10+1026.05 грн
30+860.04 грн
120+812.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X15MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8d.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.18 грн
10+80.32 грн
25+60.33 грн
100+48.93 грн
250+42.49 грн
500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8D gbu8b.pdf
GBU8D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8G gbu8g.pdf
GBU8G
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 765 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.69 грн
10+84.94 грн
25+60.41 грн
100+51.19 грн
250+47.68 грн
500+40.52 грн
5000+40.44 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8J gbu8j.pdf
GBU8J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 600V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.18 грн
10+79.56 грн
25+59.38 грн
100+48.19 грн
250+43.88 грн
500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8K gbu8k.pdf
GBU8K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 8A Bridge Rectifier
на замовлення 108 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+115.18 грн
10+79.56 грн
25+60.48 грн
100+48.93 грн
250+47.39 грн
500+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GBU8M gbu8m.pdf
GBU8M
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 1000V 8A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12_220-2449250.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 2A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1568 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+174.06 грн
10+150.54 грн
25+123.59 грн
100+113.36 грн
250+107.50 грн
500+102.39 грн
1000+98.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 gc02mps12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 12A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 127pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220-1535211.pdf
GC05MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 5A TO-220-2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-220 GC05MPS12-220.pdf
GC05MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Not For New Designs
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 750 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252-1856058.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 5A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS12-252 GC05MPS12-252.pdf
GC05MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 27A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 359pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 27A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3300V 5A TO2637
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J sic-schottky-mps-selector-guide.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 5A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 975 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2116.82 грн
10+1899.03 грн
25+1590.63 грн
100+1518.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J-TR GC05MPS33J.pdf
GC05MPS33J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 3300V 5A TO-263-7 SIC SCHOTTKY M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 337pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 3300 V
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1732.39 грн
10+1518.11 грн
25+1462.51 грн
100+1296.80 грн
250+1249.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
56+254.64 грн
59+244.94 грн
100+236.63 грн
Мінімальне замовлення: 56 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 43A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 545pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 43A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12_220-2449830.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 980 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 60A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 gc08mps12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-252 GC08MPS12-252-1856202.pdf
GC08MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 8A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 54A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 54A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 gc10mps12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 gc10mps12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12_220-2449540.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.15 грн
10+411.26 грн
25+341.53 грн
100+319.59 грн
250+305.69 грн
500+295.46 грн
1000+288.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 50A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 660pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 gc10mps12-252.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 28A 3-Pin(2+Tab) TO-252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-252 GC10MPS12-252-1856247.pdf
GC10MPS12-252
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 gc15mps12-220.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12-220.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 82A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 GC15MPS12_220-2449839.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 14 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+580.19 грн
10+507.14 грн
25+421.24 грн
100+391.26 грн
250+372.98 грн
500+368.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-220 gc15mps12-220.pdf
GC15MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 82A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15A; TO247-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+667.46 грн
3+554.59 грн
10+519.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12_247-2449953.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 75A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1089pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 75A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 gc20mps12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 160A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Type of diode: Schottky rectifying
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 94A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 94A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220-1535232.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-220-2
на замовлення 50 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 gc20mps12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 43A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 gc20mps12-247.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 gc20mps12-247.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 90A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1298pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 90A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 18 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247-1856250.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 597 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227-1856182.pdf
GC2X100MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 30 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X100MPS06-227 GC2X100MPS06-227.pdf
GC2X100MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SCHOT 650V 209A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 209A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 650 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247-1535202.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 20A TO-247-3
на замовлення 26 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 80A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 10A x2
Max. load current: 20A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+507.48 грн
3+454.73 грн
10+438.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247.pdf
GC2X10MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 15Ax2; TO247-3; tube
Mounting: THT
Max. forward impulse current: 120A
Max. forward voltage: 1.5V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 15A x2
Max. load current: 30A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: TO247-3
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+624.80 грн
3+557.89 грн
10+537.26 грн
20+517.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12_247-2449287.pdf
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 30A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1140.75 грн
10+1026.05 грн
30+860.04 грн
120+812.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X15MPS12-247 GC2X15MPS12-247.pdf
GC2X15MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 75A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 75A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 14 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.