Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 64 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MURT40005 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40005R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40010R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWERPackage / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard, Reverse Polarity Reverse Recovery Time (trr): 180 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount |
на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MURT40040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40060R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURT40060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA200120 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA200120R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA20020 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA20020R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA20040 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA20040R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA20060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA20060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWERVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA300120 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA300120R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA30020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA30020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA30040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA30040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWERDiode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA30060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA30060R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA400120 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA400120R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA40020 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA40020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA40020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA40020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA40040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWERSupplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA40040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA40040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA40040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA40060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA40060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||
|
|
MURTA40060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA40060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
MURTA500120 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
MURTA500120 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWERCurrent - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Three Tower Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: Standard Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: Three Tower Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 48 шт В кошику од. на суму грн. |
| MURT40005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 50V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40005R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
Diode Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V 400A100P/71R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40010R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 100V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 200V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A200P/141R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 400V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard, Reverse Polarity
Reverse Recovery Time (trr): 180 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10120.37 грн |
| 10+ | 8661.08 грн |
| 25+ | 8263.90 грн |
| MURT40040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| MURT40060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
Rectifiers SI S-FST RECOV 3TWR 50-600V400A600P/424R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURT40060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA200120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA200120R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA20060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 200A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA300120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA300120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA300120R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA300120R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Description: DIODE MODULE GP 400V 150A 3TOWER
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 150A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 150 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 150A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA30060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 600V 300A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA400120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA400120R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
Diode Modules 1200V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 200V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 200V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 400V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 400V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13390.49 грн |
| 10+ | 11941.67 грн |
| 24+ | 10383.36 грн |
| MURTA40060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 600V 400A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA40060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 600V 200A 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 200 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200A
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA500120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
Discrete Semiconductor Modules 1200V 500A Si Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA500120 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
Description: DIODE MODULE GP 1.2KV 3TOWER
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.6 V @ 250 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: Three Tower
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250A
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Three Tower
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику
од. на суму грн.



