Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5528) > Сторінка 65 з 93
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
G3F17MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F18MT12FB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F18MT12FB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F17MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MSRTA200100D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA200120D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W01M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F25MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F45MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F60MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F45MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F60MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F25MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F60MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F45MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F33MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F33MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GBPC35005W | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 6046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F05MT12GB2 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3297AR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3289A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ804 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ802 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ801 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR104 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280 |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR106 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420 |
на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR102 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR101 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3673A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery |
на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Діодний міст KBU8M | GeneSiC Semiconductor | Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| Діод Шотткі GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G2R1000MT17J SMD N channel transistors |
на замовлення 187 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 833 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 143 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 569 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 12nC On-state resistance: 0.35Ω Drain current: 8A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 372 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R40MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 94 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| G3F17MT12FB2 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8719.06 грн |
| G3F18MT12FB4-T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11662.02 грн |
| G3F09MT12FB2-T |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12888.48 грн |
| G3F18MT12FB4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11053.86 грн |
| G3F09MT12FB2 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12216.65 грн |
| G3F17MT12FB2-T |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9197.09 грн |
| MSRTA200100D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200120D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2688.25 грн |
| 10+ | 2352.39 грн |
| 100+ | 1894.47 грн |
| 250+ | 1891.31 грн |
| G3F25MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1212.62 грн |
| 10+ | 1087.05 грн |
| 30+ | 909.66 грн |
| 120+ | 858.25 грн |
| 270+ | 826.61 грн |
| 510+ | 803.67 грн |
| 1020+ | 779.94 грн |
| G3F45MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 637.69 грн |
| 10+ | 571.27 грн |
| 25+ | 478.56 грн |
| 100+ | 450.88 грн |
| 250+ | 435.06 грн |
| 500+ | 422.40 грн |
| 1200+ | 410.54 грн |
| G3F60MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 422.66 грн |
| 10+ | 378.42 грн |
| 25+ | 317.20 грн |
| 100+ | 299.00 грн |
| 250+ | 287.93 грн |
| 500+ | 279.23 грн |
| 1200+ | 271.32 грн |
| G3F45MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 781.65 грн |
| 10+ | 700.44 грн |
| 30+ | 585.35 грн |
| 120+ | 552.92 грн |
| 270+ | 532.35 грн |
| 510+ | 517.32 грн |
| 1020+ | 503.08 грн |
| G3F60MT06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 588.78 грн |
| 10+ | 528.51 грн |
| 30+ | 441.38 грн |
| 120+ | 416.86 грн |
| 270+ | 401.04 грн |
| 510+ | 389.97 грн |
| 1020+ | 378.89 грн |
| G3F25MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1178.48 грн |
| 10+ | 1056.12 грн |
| 25+ | 883.56 грн |
| 100+ | 833.73 грн |
| 250+ | 802.88 грн |
| 500+ | 779.94 грн |
| 1200+ | 757.79 грн |
| G3F60MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 603.54 грн |
| 10+ | 540.34 грн |
| 30+ | 451.67 грн |
| 120+ | 426.36 грн |
| 270+ | 410.54 грн |
| 510+ | 399.46 грн |
| 1020+ | 387.60 грн |
| G3F45MT06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 755.81 грн |
| 10+ | 677.70 грн |
| 30+ | 566.36 грн |
| 120+ | 534.72 грн |
| 270+ | 514.95 грн |
| 510+ | 499.92 грн |
| 1020+ | 485.68 грн |
| G3F33MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 900.70 грн |
| 10+ | 807.78 грн |
| 30+ | 675.52 грн |
| 120+ | 638.35 грн |
| 270+ | 614.62 грн |
| 510+ | 596.42 грн |
| 1020+ | 579.81 грн |
| G3F33MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 845.33 грн |
| 10+ | 757.75 грн |
| 25+ | 634.39 грн |
| 100+ | 598.80 грн |
| 250+ | 575.86 грн |
| 500+ | 560.04 грн |
| 1200+ | 543.43 грн |
| GBPC35005W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE12MPS06E-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 180.88 грн |
| 2500+ | 160.10 грн |
| GE06MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.50 грн |
| 10+ | 139.18 грн |
| 25+ | 113.91 грн |
| 100+ | 104.41 грн |
| 250+ | 99.67 грн |
| 500+ | 94.92 грн |
| 1000+ | 90.97 грн |
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 218.71 грн |
| 10+ | 190.12 грн |
| 25+ | 157.41 грн |
| 100+ | 145.55 грн |
| 250+ | 138.43 грн |
| 500+ | 133.68 грн |
| 1000+ | 128.14 грн |
| GE04MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.04 грн |
| 10+ | 111.89 грн |
| 25+ | 91.76 грн |
| 100+ | 84.64 грн |
| 250+ | 79.89 грн |
| 500+ | 77.52 грн |
| 2500+ | 65.81 грн |
| G2R1000MT17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3F09MT12GB4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22086.50 грн |
| G3F09MT12GB4-T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 23300.97 грн |
| G3F05MT12GB2 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22100.34 грн |
| GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 865.63 грн |
| 10+ | 740.47 грн |
| 30+ | 608.29 грн |
| 120+ | 589.30 грн |
| 270+ | 564.78 грн |
| GD05MPS17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3297AR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3289A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ804 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ802 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ801 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR104 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.04 грн |
| 10+ | 123.71 грн |
| 25+ | 95.71 грн |
| 100+ | 80.68 грн |
| 200+ | 66.37 грн |
| 600+ | 64.39 грн |
| 1000+ | 56.32 грн |
| BR106 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.96 грн |
| 10+ | 124.62 грн |
| 25+ | 96.50 грн |
| 100+ | 84.64 грн |
| 200+ | 79.89 грн |
| 600+ | 66.37 грн |
| 1000+ | 60.83 грн |
| BR1005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.04 грн |
| 10+ | 123.71 грн |
| 25+ | 95.71 грн |
| 100+ | 83.06 грн |
| 200+ | 70.08 грн |
| 600+ | 66.37 грн |
| 1000+ | 62.02 грн |
| BR102 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR101 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3673A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
на замовлення 63 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.03 грн |
| 10+ | 398.43 грн |
| 25+ | 317.99 грн |
| 100+ | 279.23 грн |
| 250+ | 255.50 грн |
| 500+ | 249.96 грн |
| Діодний міст KBU8M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| Діод Шотткі GD20MPS12A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G2R1000MT17J SMD N channel transistors
G2R1000MT17J SMD N channel transistors
на замовлення 187 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 568.62 грн |
| 3+ | 466.70 грн |
| 7+ | 440.99 грн |
| 100+ | 440.49 грн |
| G3R160MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 833 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 576.07 грн |
| 3+ | 491.42 грн |
| 7+ | 464.72 грн |
| 2520+ | 464.11 грн |
| G3R160MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1020.10 грн |
| 2+ | 798.92 грн |
| 5+ | 755.42 грн |
| 750+ | 754.69 грн |
| G3R20MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2830.30 грн |
| 3+ | 2690.20 грн |
| G3R20MT12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4559.57 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 372 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 358.85 грн |
| 10+ | 338.84 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1292.32 грн |
| 3+ | 1222.11 грн |







