Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 65 з 71
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MURTA60020 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MURTA60020R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 200 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MURTA60040 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MURTA60040R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 220 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MURTA60060 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 280 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MURTA60060R | GeneSiC Semiconductor |
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NV6117 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 8-Pin QFN EP |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
NV6117-RA | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 8-Pin QFN EP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NV6117-RA | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 8-Pin QFN EP |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NV6125 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NV6125 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NV6127 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
NV6127 | GeneSiC Semiconductor |
Power IC 30-Pin QFN EP T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| NV6136A | GeneSiC Semiconductor |
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NV6136A | GeneSiC Semiconductor |
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| NV6245C | GeneSiC Semiconductor |
Half-Bridge Power ICs |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NV6245C-RA | GeneSiC Semiconductor | NV6245C-RA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NV6247C | GeneSiC Semiconductor |
NV6247C |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| NV6247C-RA | GeneSiC Semiconductor | NV6247C-RA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12BR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12BR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S12D | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12DR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12DR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12G | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S12GR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12GR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12J | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery |
на замовлення 127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| S12J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| S12JR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12JR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12K | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12K | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12KR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| S12KR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12M | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12M | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| S12MR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12MR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 12A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12Q | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 12A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S12QR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S12QR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1200V 12A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S150J | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 150A Std. Recovery |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| S150J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| S150JR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S150JR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 600V 150A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S150K | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S150K | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 150A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
S150KR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 800V 150A REV Leads Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| S150KR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
S150M | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 1000V 150A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MURTA60020 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A 50P/35
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60020R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60040 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 200-600V600A100P/71
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60040R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 220 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60060 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 300A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 280 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 300A
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 300 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MURTA60060R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
Discrete Semiconductor Modules SI S-FST RECOV H3TWR 50-600V600A200P/141
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NV6117 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Power IC 8-Pin QFN EP
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NV6117-RA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Power IC 8-Pin QFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 280.74 грн |
| 2000+ | 275.56 грн |
| NV6117-RA |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 8-Pin QFN EP
Power IC 8-Pin QFN EP
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 300.80 грн |
| 2000+ | 295.24 грн |
| NV6125 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 153.94 грн |
| NV6125 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 164.94 грн |
| NV6127 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 248.33 грн |
| NV6127 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
Power IC 30-Pin QFN EP T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 266.07 грн |
| NV6136A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 195.35 грн |
| 10000+ | 193.70 грн |
| NV6136A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
GaNSense Single 700V 170mOhm PQFN 68
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 209.30 грн |
| 10000+ | 207.54 грн |
| NV6245C |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Half-Bridge Power ICs
Half-Bridge Power ICs
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NV6245C-RA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
NV6245C-RA
NV6245C-RA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NV6247C-RA |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
NV6247C-RA
NV6247C-RA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12BR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12BR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
Rectifiers 200V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12DR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12DR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 200V 12A REV Leads Std. Recovery
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S12G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery
Rectifiers 400V 12A Std. Recovery
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S12GR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 400V 12A REV Leads Std. Recovery
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S12GR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 400V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
Rectifiers 600V 12A Std. Recovery
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 534.41 грн |
| 10+ | 424.48 грн |
| 25+ | 339.00 грн |
| 100+ | 297.68 грн |
| 250+ | 278.76 грн |
| S12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 600V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12JR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12JR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 800V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery
Rectifiers 800V 12A Std. Recovery
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S12KR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 800V 12A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12KR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 800V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 12A Std. Recovery
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| S12M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP 1000V 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12MR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 1KV 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12MR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 1000V 12A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 12A Std. Recovery
Rectifiers 1200V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12Q |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 12A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 12A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 12 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12QR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4
Description: DIODE GEN PURP REV 1.2KV 12A DO4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12QR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1200V 12A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 1200V 12A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 150A Std. Recovery
Rectifiers 600V 150A Std. Recovery
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2810.99 грн |
| 10+ | 2354.40 грн |
| 30+ | 1947.14 грн |
| 100+ | 1877.80 грн |
| S150J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150JR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 600V 150A DO205AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150JR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 600V 150A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 600V 150A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 150A Std. Recovery
Rectifiers 800V 150A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150KR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 800V 150A REV Leads Std. Recovery
Rectifiers 800V 150A REV Leads Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150KR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
Description: DIODE GEN PURP 800V 150A DO205AA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S150M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 1000V 150A Std. Recovery
Rectifiers 1000V 150A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.



