Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5819) > Сторінка 76 з 97

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 GBL10 GeneSiC Semiconductor gbl10.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+640.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R75MT12J.pdf G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+594.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BR1005 BR1005 GeneSiC Semiconductor br1005.pdf Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case BR-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8K KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8K KBU8K GeneSiC Semiconductor kbu8m.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J G3R75MT12J GeneSiC Semiconductor g3r75mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+738.57 грн
19+659.67 грн
50+496.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+829.67 грн
19+649.91 грн
20+616.56 грн
50+483.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1241.25 грн
100+1160.72 грн
250+1107.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+1415.32 грн
10+1260.77 грн
12+1106.22 грн
200+925.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+1880.73 грн
10+1823.33 грн
20+1710.99 грн
50+1546.67 грн
100+1453.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+1152.59 грн
100+1077.81 грн
250+1027.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J G3R40MT12J GeneSiC Semiconductor g3r40mt12j.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC Semiconductor g3r40mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1317.71 грн
11+1114.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR GeneSiC Semiconductor G3R40MT12J.pdf 1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3698.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X10MPS12D GD2X10MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x10mps12d.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+619.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2747.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1893.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 GA01PNS150-201 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720485.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35370.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 GB01SLT06-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722357.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR 2722356.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+226.95 грн
10+201.37 грн
25+191.47 грн
50+170.89 грн
100+152.09 грн
250+145.72 грн
500+139.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GC2X10MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1609.30 грн
5+1521.00 грн
10+1372.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720499.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720482.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+883.05 грн
5+814.56 грн
10+790.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR GC15MPS12-247.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+622.26 грн
5+617.31 грн
10+611.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 GC20MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720492.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+745.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720491.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+506.72 грн
5+471.24 грн
10+435.75 грн
50+389.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D G2R1000MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189232.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D G3R45MT17D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189235.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2792.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163666.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE06MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A GE06MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3163673.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+539.74 грн
5+481.14 грн
10+422.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+520.75 грн
5+486.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D G3R60MT07D GENESIC SEMICONDUCTOR 3967296.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+800.53 грн
5+778.24 грн
10+755.96 грн
50+681.27 грн
100+609.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D G3R40MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189236.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3716.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GENESIC SEMICONDUCTOR 3189231.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+404.39 грн
5+356.52 грн
10+307.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GENESIC SEMICONDUCTOR 3967278.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.01 грн
10+289.67 грн
100+272.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J G3R60MT07J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967292.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+872.33 грн
5+795.57 грн
10+718.00 грн
50+655.22 грн
100+594.20 грн
250+583.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11860.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GENESIC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+499.30 грн
5+443.18 грн
10+387.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H GD60MPS17H GENESIC SEMICONDUCTOR 3593581.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3708.83 грн
5+3609.79 грн
10+3505.81 грн
25+3207.11 грн
50+2917.26 грн
100+2742.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.30 грн
5+335.07 грн
10+307.01 грн
50+275.11 грн
100+244.05 грн
250+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163667.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+111.41 грн
10+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GENESIC SEMICONDUCTOR 3967281.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+392.01 грн
5+362.30 грн
10+332.59 грн
50+298.87 грн
100+265.98 грн
250+263.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J GC05MPS33J GENESIC SEMICONDUCTOR 3967273.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1848.64 грн
5+1770.23 грн
10+1692.66 грн
50+1570.99 грн
100+1449.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GENESIC SEMICONDUCTOR 2720496.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+869.85 грн
5+760.91 грн
10+630.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GENESIC SEMICONDUCTOR 4314484.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1736.40 грн
5+1709.99 грн
10+1685.23 грн
50+1564.09 грн
100+1443.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214 GENESIC SEMICONDUCTOR GB01SLT12-214.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+198.07 грн
10+166.71 грн
100+146.90 грн
500+134.11 грн
1000+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE10MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+267.39 грн
10+236.86 грн
100+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E GENESIC SEMICONDUCTOR GE10MPS06E.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+203.02 грн
500+180.86 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+275.64 грн
10+230.25 грн
100+203.02 грн
500+180.86 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3163667.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor kbpc3506w.pdf Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D GeneSiC Semiconductor g3r40mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.19 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+64.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GBL10 gbl10.pdf
GBL10
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+25.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+640.63 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J-TR G3R75MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
G3R75MT12J-TR
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
800+594.87 грн
Мінімальне замовлення: 800
В кошику  од. на суму  грн.
BR1005 br1005.pdf
BR1005
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 50V 10A 4-Pin Case BR-10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8K kbu8m.pdf
KBU8K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+50.26 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
KBU8K kbu8m.pdf
KBU8K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case KBU
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18000+46.67 грн
Мінімальне замовлення: 18000
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12J g3r75mt12j.pdf
G3R75MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+738.57 грн
19+659.67 грн
50+496.49 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K g3r75mt12k.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+829.67 грн
19+649.91 грн
20+616.56 грн
50+483.94 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1241.25 грн
100+1160.72 грн
250+1107.04 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+1415.32 грн
10+1260.77 грн
12+1106.22 грн
200+925.53 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+1880.73 грн
10+1823.33 грн
20+1710.99 грн
50+1546.67 грн
100+1453.62 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+1152.59 грн
100+1077.81 грн
250+1027.96 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J g3r40mt12j.pdf
G3R40MT12J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K g3r40mt12k.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1317.71 грн
11+1114.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12J-TR G3R40MT12J.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-263-7 G3R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+3698.53 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X10MPS12D gd2x10mps12d.pdf
GD2X10MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+619.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2747.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1893.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
GA01PNS150-201 2720485.pdf
GA01PNS150-201
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+35370.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT06-214 2722357.pdf
GB01SLT06-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 2722356.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+226.95 грн
10+201.37 грн
25+191.47 грн
50+170.89 грн
100+152.09 грн
250+145.72 грн
500+139.36 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X10MPS12-247 GCSR-S-A0017462665-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC2X10MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X10MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 100 A, 80 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 80
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1609.30 грн
5+1521.00 грн
10+1372.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 2720499.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+914.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 2720482.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X8MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 80 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 80
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+883.05 грн
5+814.56 грн
10+790.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC15MPS12-247 GC15MPS12-247.pdf
GC15MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC15MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 75 A, 66 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 66nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 75A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+622.26 грн
5+617.31 грн
10+611.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-247 2720492.pdf
GC20MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 90 A, 79 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 90
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+745.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 2720491.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC2X5MPS12-247 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.2 kV, 54 A, 44 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 44nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+506.72 грн
5+471.24 грн
10+435.75 грн
50+389.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G2R1000MT17D 3189232.pdf
G2R1000MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R45MT17D 3189235.pdf
G3R45MT17D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2792.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E 3163666.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06E GE06MPS06E.pdf
GE06MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GE06MPS06A 3163673.pdf
GE06MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+539.74 грн
5+481.14 грн
10+422.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GCSR-S-A0017462599-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
GC08MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC08MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 43 A, 33 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 33nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 43A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+520.75 грн
5+486.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07D 3967296.pdf
G3R60MT07D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 171W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+800.53 грн
5+778.24 грн
10+755.96 грн
50+681.27 грн
100+609.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D 3189236.pdf
G3R40MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3716.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D 3189231.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+404.39 грн
5+356.52 грн
10+307.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A 3967278.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+307.01 грн
10+289.67 грн
100+272.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
G3R60MT07J 3967292.pdf
G3R60MT07J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07J - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 44 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 750V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: G3R Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+872.33 грн
5+795.57 грн
10+718.00 грн
50+655.22 грн
100+594.20 грн
250+583.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+11860.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06H - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 49 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 49A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+499.30 грн
5+443.18 грн
10+387.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD60MPS17H 3593581.pdf
GD60MPS17H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3708.83 грн
5+3609.79 грн
10+3505.81 грн
25+3207.11 грн
50+2917.26 грн
100+2742.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+362.30 грн
5+335.07 грн
10+307.01 грн
50+275.11 грн
100+244.05 грн
250+242.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E 3163667.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+111.41 грн
10+90.78 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A 3967281.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 48 A, 46 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 48A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+392.01 грн
5+362.30 грн
10+332.59 грн
50+298.87 грн
100+265.98 грн
250+263.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GC05MPS33J 3967273.pdf
GC05MPS33J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1848.64 грн
5+1770.23 грн
10+1692.66 грн
50+1570.99 грн
100+1449.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 2720496.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC10MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 54 A, 40 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 40nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 54A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+869.85 грн
5+760.91 грн
10+630.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K 4314484.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R30MT12K - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 90 A, 1.2 kV, 0.03 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 281W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1736.40 грн
5+1709.99 грн
10+1685.23 грн
50+1564.09 грн
100+1443.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB01SLT12-214 GB01SLT12-214.pdf
GB01SLT12-214
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 1 A, 4 nC, DO-214
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214
Kapazitive Gesamtladung: 4nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+198.07 грн
10+166.71 грн
100+146.90 грн
500+134.11 грн
1000+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.39 грн
10+236.86 грн
100+200.54 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GE10MPS06E GE10MPS06E.pdf
GE10MPS06E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE10MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 26 A, 25 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 25nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+203.02 грн
500+180.86 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+275.64 грн
10+230.25 грн
100+203.02 грн
500+180.86 грн
1000+160.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E 3163667.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD02MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 8 A, 6 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 6nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KBPC3510T kbpc3506w.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12D g3r40mt12d.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 71 72 73 74 75 76 77 78 79 80 81 90 97  [ Наступна Сторінка >> ]