Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5528) > Сторінка 72 з 93
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT12N | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R20MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247 |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GBU8K | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GA01PNS150-201 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pFBauform - Diode: DO-201 Diodenkonfiguration: Einfach MSL: MSL 1 - unbegrenzt Durchbruchspannung Vbr: - Anzahl der Pins: 2 Pins Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1 Produktpalette: - Betriebstemperatur, max.: 175 Widerstand bei If: - Gesamtkapazität Ct: 22 SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GB01SLT06-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)Kapazitive Gesamtladung: 7 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5 Anzahl der Pins: 2 Pins Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650 Produktpalette: - SVHC: Lead (25-Jun-2020) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GB01SLT12-214 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AAtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Kapazitive Gesamtladung: 0 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0 Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: 1200V Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: Lead |
на замовлення 2849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GC20MPS12-220 | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 79 rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94 euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G2R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
G3R45MT17D | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 438W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 438W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GE06MPS06A | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD30MPS06J | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD60MPS17H | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Through Hole hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 2 Pin Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS12H | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-247 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GC05MPS33J | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 42nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS12E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD10MPS12E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| KBPC3510T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| G3R75MT12D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| KBPC1510W | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| KBPC1510T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
KBL406G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1N6095 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1N6096R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1N6098 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1N6097R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1N6098R | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| 1N6095R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
1N6097 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KBPC5010T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| KBPC5010W | GeneSiC Semiconductor |
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
KBU6M | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBU |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KBU8J | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case KBU |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR400150CTR | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Power Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR400200CT | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Power Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
MBR40040CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR400100CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR400150CT | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Power Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40045CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
MBR40020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MBR40030CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MBR40060CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR400200CTR | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Power Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40080CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 80V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40030CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| MBR40080CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 80V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
MBR40035CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MBR40035CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MBR40045CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| KBL606G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 6A 4-Pin Case KBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| G3R20MT12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 3499.00 грн |
| G3R20MT12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 90A 4-Pin SOT-227
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| G3R20MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 100A 4-Pin(4+Tab) TO-247
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1961.53 грн |
| 120+ | 1918.45 грн |
| 270+ | 1896.49 грн |
| GBU8K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case GBU
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30000+ | 32.50 грн |
| GA01PNS150-201 |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GA01PNS150-201 - HF/pin-Diode, Einfach, DO-201, 2 Pins, 22 pF
Bauform - Diode: DO-201
Diodenkonfiguration: Einfach
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Durchbruchspannung Vbr: -
Anzahl der Pins: 2 Pins
Durchlassstrom (mittlerer) If(AV): 1
Produktpalette: -
Betriebstemperatur, max.: 175
Widerstand bei If: -
Gesamtkapazität Ct: 22
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 38030.17 грн |
| GB01SLT06-214 |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT06-214 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 650 V, 2.5 A, 7 nC, DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 7
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5
Anzahl der Pins: 2 Pins
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650
Produktpalette: -
SVHC: Lead (25-Jun-2020)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GB01SLT12-214 - DIODE, SIC SCHOTTKY, 1A, 1.2KV, DO-214AA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Kapazitive Gesamtladung: 0
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 0
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 0
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: 1200V Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 244.02 грн |
| 10+ | 216.51 грн |
| 25+ | 205.87 грн |
| 50+ | 183.75 грн |
| 100+ | 163.53 грн |
| 250+ | 156.68 грн |
| 500+ | 149.84 грн |
| GC20MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC20MPS12-220 - SiC-Schottky-Diode, MPS, Einfach, 1.2 kV, 94 A, 79 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 79
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 94
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 983.19 грн |
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G2R1000MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 4 A, 1.7 kV, 1 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G2R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R45MT17D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 61 A, 1.7 kV, 0.045 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.7kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 438W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 438W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3002.80 грн |
| GE06MPS06E |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GE06MPS06E |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GE06MPS06A |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GD30MPS06J |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 580.33 грн |
| 5+ | 517.33 грн |
| 10+ | 454.32 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 71A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3995.75 грн |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12752.15 грн |
| GD60MPS17H |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD60MPS17H - SIC SCHOTTKY DIODE, 1.7KV, 60A, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Through Hole
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 2 Pin
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3987.76 грн |
| 5+ | 3881.28 грн |
| 10+ | 3769.48 грн |
| 25+ | 3448.32 грн |
| 50+ | 3136.67 грн |
| 100+ | 2948.80 грн |
| GD10MPS12H |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 389.55 грн |
| 5+ | 360.27 грн |
| 10+ | 330.10 грн |
| 50+ | 295.81 грн |
| 100+ | 262.40 грн |
| 250+ | 260.88 грн |
| GC05MPS33J |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GC05MPS33J - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 3.3 kV, 11 A, 42 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 42nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 11A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 3.3kV
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1987.67 грн |
| 5+ | 1903.37 грн |
| 10+ | 1819.96 грн |
| 50+ | 1689.14 грн |
| 100+ | 1558.45 грн |
| GD10MPS12E |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 218.29 грн |
| 500+ | 194.46 грн |
| 1000+ | 172.65 грн |
| GD10MPS12E |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 296.38 грн |
| 10+ | 247.57 грн |
| 100+ | 218.29 грн |
| 500+ | 194.46 грн |
| 1000+ | 172.65 грн |
| KBPC3510T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 35A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC1510W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC1510T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 15A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBL406G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6095 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6096R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6098 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6097R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6098R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
Diode Schottky 40V 50A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6095R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Schottky 30V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N6097 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
Rectifier Diode Schottky 30V 50A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC5010T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC5010W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-W
Diode Rectifier Bridge Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU6M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBU
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 6A 4-Pin Case KBU
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case KBU
Rectifier Bridge Diode Single 600V 8A 4-Pin Case KBU
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400150CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
Silicon Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400200CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
Silicon Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400100CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400150CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
Silicon Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40045CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40030CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400200CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
Silicon Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40080CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 80V 400A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 80V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 20V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40030CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 30V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 60V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 40V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40080CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 80V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 80V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40035CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40035CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 35V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR40045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower
Rectifier Diode Schottky 45V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBL606G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 6A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 600V 6A 4-Pin Case KBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
















