Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5688) > Сторінка 72 з 95
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R60MT07J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R350MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GC10MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R450MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 3810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBL608G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
1N6096 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB01SLT12-214 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G2R1000MT17D | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GBU4M | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBU |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
FR30G02 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GBJ15M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GB10MPS17-247 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide power schottky diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G2R1000MT33J | GeneSiC Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263 |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MBR50045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GC08MPS12-220 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC |
на замовлення 249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R75MT12J | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
MBRT500150 | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Power Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
KBJ2508G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBJ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
1N1188 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5 |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
KBL608G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD20MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GBJ10J | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X100MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube |
на замовлення 121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R60MT07J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 325.11 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 409.61 грн |
| 33+ | 380.81 грн |
| 34+ | 366.21 грн |
| 100+ | 333.08 грн |
| 250+ | 285.93 грн |
| 500+ | 249.10 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 348.34 грн |
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R350MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 438.87 грн |
| 10+ | 408.01 грн |
| 25+ | 392.36 грн |
| 100+ | 356.87 грн |
| 250+ | 306.36 грн |
| 500+ | 266.90 грн |
| GC10MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 25A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 289.78 грн |
| 45+ | 277.33 грн |
| 50+ | 266.77 грн |
| 100+ | 248.51 грн |
| 250+ | 223.12 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 590.32 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 632.49 грн |
| 10+ | 546.11 грн |
| 30+ | 513.13 грн |
| 120+ | 474.77 грн |
| 270+ | 422.71 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 505.49 грн |
| 26+ | 483.77 грн |
| 50+ | 465.34 грн |
| 100+ | 433.50 грн |
| 250+ | 389.21 грн |
| 500+ | 363.48 грн |
| 1000+ | 354.59 грн |
| 2500+ | 346.77 грн |
| KBL608G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24000+ | 42.68 грн |
| 1N6096 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
Diode Schottky 40V 25A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB01SLT12-214 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
Rectifier Diode Schottky SiC 1.2KV 1A 2-Pin SMB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1068.83 грн |
| 120+ | 1018.08 грн |
| 270+ | 983.01 грн |
| 510+ | 934.14 грн |
| GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD50MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1145.17 грн |
| 120+ | 1090.80 грн |
| 270+ | 1053.23 грн |
| 510+ | 1000.86 грн |
| G2R1000MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Trans MOSFET N-CH SiC 1.7KV 5A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| GBU4M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBU
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBU
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FR30G02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5
Diode Switching 400V 30A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ15M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GB10MPS17-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide power schottky diode
Silicon Carbide power schottky diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 600+ | 798.62 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1206.80 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G2R1000MT33J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
Trans MOSFET N-CH SiC 3.3KV 4A 8-Pin(7+Tab) TO-263
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 1254.24 грн |
| 100+ | 1188.23 грн |
| 250+ | 1142.02 грн |
| 500+ | 1071.79 грн |
| MBR50045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 45V 500A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GC08MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
Diode Schottky SiC 1.2KV 27A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 221.37 грн |
| 59+ | 212.93 грн |
| 100+ | 205.70 грн |
| G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 369.75 грн |
| 100+ | 369.09 грн |
| 250+ | 368.52 грн |
| 500+ | 351.46 грн |
| G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 396.17 грн |
| 100+ | 395.46 грн |
| 250+ | 380.74 грн |
| 500+ | 348.67 грн |
| G3R75MT12J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1253.48 грн |
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 296.73 грн |
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 317.92 грн |
| MBRT500150 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Power Schottky Diode
Silicon Power Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ2508G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBJ
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBJ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N1188 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5
Diode Switching 400V 35A 2-Pin DO-5
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 1012.87 грн |
| 400+ | 943.77 грн |
| 600+ | 891.41 грн |
| 800+ | 820.39 грн |
| KBL608G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 800V 6A 4-Pin Case KBL
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24000+ | 39.84 грн |
| BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
Rectifier Bridge Diode Single 800V 10A 4-Pin Case BR-10
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ10J |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 263.72 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 3313.02 грн |
| 10+ | 3082.80 грн |
| 30+ | 3044.02 грн |
| 100+ | 2823.90 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3549.66 грн |
| 10+ | 3303.00 грн |
| 30+ | 3261.44 грн |
| 100+ | 3025.61 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 2838.55 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3287.08 грн |
| 10+ | 3096.12 грн |
| 30+ | 3081.09 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 491.47 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 526.57 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 601.13 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 644.07 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 1126.34 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 1231.58 грн |






























