Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4204) > Сторінка 27 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227 GeneSiC Semiconductor GC2X50MPS06-227-1856236.pdf Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12_247-2449963.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+532.78 грн
10+471.20 грн
30+392.23 грн
120+367.02 грн
270+350.91 грн
510+339.70 грн
1020+338.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor gc2x5mps12-247.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
46+286.72 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12_247-2449307.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247-1856221.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1009.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247-1535241.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18510.04 грн
10+16845.28 грн
25+16470.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18606.44 грн
10+17332.98 грн
30+14756.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+102.14 грн
10+86.99 грн
25+69.90 грн
100+67.45 грн
250+63.25 грн
500+60.24 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.37 грн
10+304.57 грн
25+291.01 грн
100+254.91 грн
250+243.37 грн
500+234.88 грн
1000+223.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.80 грн
10+326.22 грн
30+271.06 грн
120+252.15 грн
270+240.94 грн
510+233.24 грн
1020+224.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+355.37 грн
10+304.57 грн
25+291.01 грн
100+254.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.74 грн
10+237.61 грн
25+195.41 грн
100+180.01 грн
250+168.80 грн
500+163.20 грн
1000+160.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+273.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.18 грн
10+223.61 грн
25+212.55 грн
100+184.79 грн
250+176.23 грн
500+169.49 грн
1000+160.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+293.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+201.02 грн
500+179.07 грн
1000+158.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+242.69 грн
10+205.40 грн
25+194.95 грн
100+169.50 грн
250+160.93 грн
500+154.81 грн
1000+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.93 грн
10+227.98 грн
100+201.02 грн
500+179.07 грн
1000+158.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+191.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+251.68 грн
10+218.28 грн
25+180.01 грн
100+166.70 грн
250+158.29 грн
500+152.69 грн
1000+146.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+204.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.01 грн
10+301.92 грн
25+287.43 грн
100+251.45 грн
250+239.93 грн
500+231.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+335.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+330.94 грн
10+275.47 грн
30+219.23 грн
120+210.12 грн
270+204.52 грн
510+200.32 грн
1020+193.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+358.73 грн
5+331.76 грн
10+303.98 грн
50+272.40 грн
100+241.64 грн
250+240.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+517.23 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+601.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+930.66 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+573.64 грн
10+505.03 грн
30+420.25 грн
120+392.93 грн
270+376.12 грн
510+363.51 грн
1020+355.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+561.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+747.78 грн
10+649.29 грн
25+623.41 грн
100+549.86 грн
250+527.41 грн
500+511.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+766.48 грн
10+655.66 грн
30+538.62 грн
120+521.81 грн
270+500.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.05 грн
10+381.59 грн
25+364.91 грн
100+320.55 грн
250+306.77 грн
500+296.76 грн
1000+282.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+448.61 грн
10+396.29 грн
25+329.19 грн
100+308.18 грн
250+294.87 грн
500+285.77 грн
1000+276.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+276.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.63 грн
10+428.26 грн
25+410.29 грн
100+361.24 грн
250+346.21 грн
500+335.57 грн
1000+319.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+502.55 грн
10+426.10 грн
30+347.40 грн
120+332.70 грн
270+322.19 грн
510+311.68 грн
2520+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X50MPS06-227 GC2X50MPS06-227-1856236.pdf
GC2X50MPS06-227
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 650V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12_247-2449963.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 10A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.78 грн
10+471.20 грн
30+392.23 грн
120+367.02 грн
270+350.91 грн
510+339.70 грн
1020+338.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 gc2x5mps12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 GC2X5MPS12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 27A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 27A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 4 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 gc2x5mps12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X5MPS12-247 gc2x5mps12-247.pdf
GC2X5MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+286.72 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12_247-2449307.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247-1856221.pdf
GC50MPS06-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247.pdf
GC50MPS06-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1009.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247-1535241.pdf
GC50MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 50A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18510.04 грн
10+16845.28 грн
25+16470.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+18606.44 грн
10+17332.98 грн
30+14756.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.14 грн
10+86.99 грн
25+69.90 грн
100+67.45 грн
250+63.25 грн
500+60.24 грн
1000+57.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.37 грн
10+304.57 грн
25+291.01 грн
100+254.91 грн
250+243.37 грн
500+234.88 грн
1000+223.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+371.80 грн
10+326.22 грн
30+271.06 грн
120+252.15 грн
270+240.94 грн
510+233.24 грн
1020+224.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.37 грн
10+304.57 грн
25+291.01 грн
100+254.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.74 грн
10+237.61 грн
25+195.41 грн
100+180.01 грн
250+168.80 грн
500+163.20 грн
1000+160.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+273.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.18 грн
10+223.61 грн
25+212.55 грн
100+184.79 грн
250+176.23 грн
500+169.49 грн
1000+160.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+293.02 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+156.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+201.02 грн
500+179.07 грн
1000+158.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.69 грн
10+205.40 грн
25+194.95 грн
100+169.50 грн
250+160.93 грн
500+154.81 грн
1000+146.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+272.93 грн
10+227.98 грн
100+201.02 грн
500+179.07 грн
1000+158.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+191.11 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.68 грн
10+218.28 грн
25+180.01 грн
100+166.70 грн
250+158.29 грн
500+152.69 грн
1000+146.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+204.76 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.01 грн
10+301.92 грн
25+287.43 грн
100+251.45 грн
250+239.93 грн
500+231.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+335.53 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.94 грн
10+275.47 грн
30+219.23 грн
120+210.12 грн
270+204.52 грн
510+200.32 грн
1020+193.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+358.73 грн
5+331.76 грн
10+303.98 грн
50+272.40 грн
100+241.64 грн
250+240.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+517.23 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+601.32 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+930.66 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.64 грн
10+505.03 грн
30+420.25 грн
120+392.93 грн
270+376.12 грн
510+363.51 грн
1020+355.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+561.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+747.78 грн
10+649.29 грн
25+623.41 грн
100+549.86 грн
250+527.41 грн
500+511.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+766.48 грн
10+655.66 грн
30+538.62 грн
120+521.81 грн
270+500.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+442.05 грн
10+381.59 грн
25+364.91 грн
100+320.55 грн
250+306.77 грн
500+296.76 грн
1000+282.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.61 грн
10+396.29 грн
25+329.19 грн
100+308.18 грн
250+294.87 грн
500+285.77 грн
1000+276.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+276.25 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 39A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 39A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+495.63 грн
10+428.26 грн
25+410.29 грн
100+361.24 грн
250+346.21 грн
500+335.57 грн
1000+319.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.55 грн
10+426.10 грн
30+347.40 грн
120+332.70 грн
270+322.19 грн
510+311.68 грн
2520+306.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]