Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4217) > Сторінка 27 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.18 грн
10+86.17 грн
25+69.24 грн
100+66.82 грн
250+62.65 грн
500+59.67 грн
1000+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.04 грн
10+301.72 грн
25+288.28 грн
100+252.51 грн
250+241.09 грн
500+232.67 грн
1000+221.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+368.31 грн
10+323.15 грн
30+268.52 грн
120+249.78 грн
270+238.68 грн
510+231.05 грн
1020+222.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+352.04 грн
10+301.72 грн
25+288.28 грн
100+252.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+293.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+293.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+271.17 грн
10+235.38 грн
25+193.58 грн
100+178.32 грн
250+167.21 грн
500+161.66 грн
1000+158.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.71 грн
10+221.51 грн
25+210.55 грн
100+183.06 грн
250+174.57 грн
500+167.90 грн
1000+159.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.32 грн
10+216.23 грн
25+178.32 грн
100+165.13 грн
250+156.81 грн
500+151.26 грн
1000+145.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+199.13 грн
500+177.39 грн
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+270.37 грн
10+225.84 грн
100+199.13 грн
500+177.39 грн
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+154.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+205.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.41 грн
10+203.47 грн
25+193.12 грн
100+167.91 грн
250+159.42 грн
500+153.36 грн
1000+145.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+205.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+327.84 грн
10+272.89 грн
30+217.17 грн
120+208.15 грн
270+202.60 грн
510+198.44 грн
1020+191.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+336.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.69 грн
10+299.08 грн
25+284.73 грн
100+249.09 грн
250+237.68 грн
500+228.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+355.36 грн
5+328.65 грн
10+301.13 грн
50+269.84 грн
100+239.37 грн
250+237.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+521.66 грн
3+456.01 грн
30+439.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+568.25 грн
10+500.29 грн
30+416.30 грн
120+389.24 грн
270+372.59 грн
510+360.10 грн
1020+352.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+602.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+999.39 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+602.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+518.40 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+740.76 грн
10+643.19 грн
25+617.56 грн
100+544.70 грн
250+522.46 грн
500+506.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD15MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+736.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+759.29 грн
10+649.50 грн
30+533.56 грн
120+516.91 грн
270+495.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+386.75 грн
10+336.58 грн
25+322.38 грн
50+309.85 грн
100+298.99 грн
250+292.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+289.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.40 грн
10+392.57 грн
25+326.10 грн
100+305.29 грн
250+292.11 грн
500+283.09 грн
1000+274.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+296.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+437.90 грн
10+378.01 грн
25+361.49 грн
100+317.54 грн
250+303.89 грн
500+293.97 грн
1000+280.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+456.01 грн
3+401.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+497.83 грн
10+422.10 грн
30+344.14 грн
120+329.57 грн
270+319.17 грн
510+308.76 грн
2520+303.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1253.07 грн
10+1115.48 грн
30+931.13 грн
120+875.62 грн
270+840.93 грн
510+838.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3440.74 грн
10+3040.60 грн
25+2938.29 грн
100+2618.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
145+7755.70 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3726.72 грн
10+3467.76 грн
30+3424.13 грн
100+3176.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X100MPS06N.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+3614.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N-2308012.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3606.22 грн
10+3261.87 грн
30+2742.04 грн
100+2603.97 грн
250+2597.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x100mps06n.pdf Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+3726.72 грн
10+3467.76 грн
30+3424.13 грн
100+3176.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X100MPS06N.pdf Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.18 грн
10+86.17 грн
25+69.24 грн
100+66.82 грн
250+62.65 грн
500+59.67 грн
1000+57.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.04 грн
10+301.72 грн
25+288.28 грн
100+252.51 грн
250+241.09 грн
500+232.67 грн
1000+221.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.31 грн
10+323.15 грн
30+268.52 грн
120+249.78 грн
270+238.68 грн
510+231.05 грн
1020+222.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+352.04 грн
10+301.72 грн
25+288.28 грн
100+252.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+293.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+293.68 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.17 грн
10+235.38 грн
25+193.58 грн
100+178.32 грн
250+167.21 грн
500+161.66 грн
1000+158.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.71 грн
10+221.51 грн
25+210.55 грн
100+183.06 грн
250+174.57 грн
500+167.90 грн
1000+159.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.32 грн
10+216.23 грн
25+178.32 грн
100+165.13 грн
250+156.81 грн
500+151.26 грн
1000+145.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+199.13 грн
500+177.39 грн
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+270.37 грн
10+225.84 грн
100+199.13 грн
500+177.39 грн
1000+157.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+154.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+205.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 29A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.41 грн
10+203.47 грн
25+193.12 грн
100+167.91 грн
250+159.42 грн
500+153.36 грн
1000+145.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+205.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+327.84 грн
10+272.89 грн
30+217.17 грн
120+208.15 грн
270+202.60 грн
510+198.44 грн
1020+191.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+336.29 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 10A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+349.69 грн
10+299.08 грн
25+284.73 грн
100+249.09 грн
250+237.68 грн
500+228.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+355.36 грн
5+328.65 грн
10+301.13 грн
50+269.84 грн
100+239.37 грн
250+237.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 42A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+521.66 грн
3+456.01 грн
30+439.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.25 грн
10+500.29 грн
30+416.30 грн
120+389.24 грн
270+372.59 грн
510+360.10 грн
1020+352.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+602.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+999.39 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+602.68 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+518.40 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 36A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+740.76 грн
10+643.19 грн
25+617.56 грн
100+544.70 грн
250+522.46 грн
500+506.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 63A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+736.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+759.29 грн
10+649.50 грн
30+533.56 грн
120+516.91 грн
270+495.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+386.75 грн
10+336.58 грн
25+322.38 грн
50+309.85 грн
100+298.99 грн
250+292.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+289.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.40 грн
10+392.57 грн
25+326.10 грн
100+305.29 грн
250+292.11 грн
500+283.09 грн
1000+274.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+296.65 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.90 грн
10+378.01 грн
25+361.49 грн
100+317.54 грн
250+303.89 грн
500+293.97 грн
1000+280.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Max. load current: 67A
Features of semiconductor devices: MPS
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.01 грн
3+401.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.83 грн
10+422.10 грн
30+344.14 грн
120+329.57 грн
270+319.17 грн
510+308.76 грн
2520+303.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 25A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1253.07 грн
10+1115.48 грн
30+931.13 грн
120+875.62 грн
270+840.93 грн
510+838.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 108A SOT227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 108A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3440.74 грн
10+3040.60 грн
25+2938.29 грн
100+2618.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
145+7755.70 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3726.72 грн
10+3467.76 грн
30+3424.13 грн
100+3176.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 108Ax2; SOT227B; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: double independent
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 108A x2
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.8V
Electrical mounting: screw
Max. load current: 231A
Mechanical mounting: screw
Features of semiconductor devices: MPS
Technology: SiC
Reverse recovery time: 10ns
Max. forward impulse current: 0.44kA
Kind of package: tube
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3614.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N-2308012.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 200A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3606.22 грн
10+3261.87 грн
30+2742.04 грн
100+2603.97 грн
250+2597.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N gd2x100mps06n.pdf
GD2X100MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 216A 4-Pin SOT-227 Tube
на замовлення 121 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+3726.72 грн
10+3467.76 грн
30+3424.13 грн
100+3176.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X100MPS06N GD2X100MPS06N.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent Silicon Carbide Schottky 650 V 108A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]