Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4226) > Сторінка 27 з 71

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12_247-2449307.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X8MPS12-247.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS06-247-1856221.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247-1535241.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC50MPS12-247.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H-2449750.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18549.70 грн
10+17280.13 грн
30+14711.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H GeneSiC Semiconductor GC50MPS33H.pdf Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18453.60 грн
10+16793.91 грн
25+16420.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.83 грн
10+86.73 грн
25+69.69 грн
100+67.24 грн
250+63.05 грн
500+60.05 грн
1000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E GD02MPS12E GeneSiC Semiconductor gd02mps12e.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.29 грн
10+303.65 грн
25+290.12 грн
100+254.13 грн
250+242.63 грн
500+234.16 грн
1000+222.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H GeneSiC Semiconductor GD05MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+370.67 грн
10+325.22 грн
30+270.23 грн
120+251.38 грн
270+240.21 грн
510+232.53 грн
1020+224.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J-TR GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.29 грн
10+303.65 грн
25+290.12 грн
100+254.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+262.38 грн
10+222.93 грн
25+211.90 грн
100+184.23 грн
250+175.69 грн
500+168.98 грн
1000+160.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor GD10MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+272.91 грн
10+236.89 грн
25+194.82 грн
100+179.46 грн
250+168.28 грн
500+162.70 грн
1000+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+299.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor gd10mps12a.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+299.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.91 грн
10+217.62 грн
25+179.46 грн
100+166.19 грн
250+157.81 грн
500+152.22 грн
1000+145.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+155.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor GD10MPS12E.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.95 грн
10+204.78 грн
25+194.35 грн
100+168.98 грн
250+160.44 грн
500+154.34 грн
1000+146.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+200.41 грн
500+178.53 грн
1000+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GENESIC SEMICONDUCTOR 3967269.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+272.09 грн
10+227.29 грн
100+200.41 грн
500+178.53 грн
1000+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E GeneSiC Semiconductor gd10mps12e.pdf Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+329.94 грн
10+274.63 грн
30+218.56 грн
120+209.48 грн
270+203.90 грн
510+199.71 грн
1020+192.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GENESIC SEMICONDUCTOR 3967288.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.63 грн
5+330.75 грн
10+303.05 грн
50+271.57 грн
100+240.91 грн
250+239.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.93 грн
10+301.00 грн
25+286.55 грн
100+250.68 грн
250+239.20 грн
500+230.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+342.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor gd10mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.89 грн
10+503.49 грн
30+418.97 грн
120+391.73 грн
270+374.97 грн
510+362.41 грн
1020+354.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD10MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 42A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+537.67 грн
3+470.69 грн
30+439.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+613.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+1017.48 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor GD10MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+613.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor gd10mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+527.78 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD15MPS17H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 63A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+737.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+764.15 грн
10+653.66 грн
30+536.97 грн
120+520.22 грн
270+498.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H GeneSiC Semiconductor GD15MPS17H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+745.50 грн
10+647.31 грн
25+621.51 грн
100+548.18 грн
250+525.80 грн
500+510.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12A.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+399.18 грн
10+347.13 грн
25+332.00 грн
50+319.40 грн
100+308.47 грн
250+295.02 грн
1000+292.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+447.25 грн
10+395.08 грн
25+328.19 грн
100+307.24 грн
250+293.97 грн
500+284.90 грн
1000+275.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+294.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor gd20mps12a.pdf 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+302.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.70 грн
10+380.43 грн
25+363.80 грн
100+319.57 грн
250+305.84 грн
500+295.85 грн
1000+281.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD20MPS12H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+468.88 грн
3+411.85 грн
30+403.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor GD20MPS12H.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+501.01 грн
10+424.80 грн
30+346.34 грн
120+331.68 грн
270+321.21 грн
510+310.73 грн
2520+305.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H GeneSiC Semiconductor gd20mps12h.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor gd25mps17h.pdf Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12_247-2449307.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 16A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 40A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 7 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247.pdf
GC50MPS06-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1006.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS06-247 GC50MPS06-247-1856221.pdf
GC50MPS06-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247-1535241.pdf
GC50MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Merged PiN Schottky (MPS) Diode 1200V 50A TO-247-2
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS12-247 GC50MPS12-247.pdf
GC50MPS12-247
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 212A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3263pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 212A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1200 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H-2449750.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 3300V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+18549.70 грн
10+17280.13 грн
30+14711.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GC50MPS33H GC50MPS33H.pdf
GC50MPS33H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 3.3KV 50A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 3300 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 50A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+18453.60 грн
10+16793.91 грн
25+16420.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+101.83 грн
10+86.73 грн
25+69.69 грн
100+67.24 грн
250+63.05 грн
500+60.05 грн
1000+57.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD02MPS12E gd02mps12e.pdf
GD02MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 15A
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+354.29 грн
10+303.65 грн
25+290.12 грн
100+254.13 грн
250+242.63 грн
500+234.16 грн
1000+222.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17H GD05MPS17H.pdf
GD05MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+370.67 грн
10+325.22 грн
30+270.23 грн
120+251.38 грн
270+240.21 грн
510+232.53 грн
1020+224.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 18A TO263-7
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD05MPS17J-TR GD05MPS17J.pdf
GD05MPS17J-TR
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 361pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 137 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+354.29 грн
10+303.65 грн
25+290.12 грн
100+254.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 25A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+262.38 грн
10+222.93 грн
25+211.90 грн
100+184.23 грн
250+175.69 грн
500+168.98 грн
1000+160.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A GD10MPS12A.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+272.91 грн
10+236.89 грн
25+194.82 грн
100+179.46 грн
250+168.28 грн
500+162.70 грн
1000+159.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+299.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12A gd10mps12a.pdf
GD10MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+299.00 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+250.91 грн
10+217.62 грн
25+179.46 грн
100+166.19 грн
250+157.81 грн
500+152.22 грн
1000+145.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+155.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E GD10MPS12E.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-252-2
Current - Average Rectified (Io): 29A
Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+241.95 грн
10+204.78 грн
25+194.35 грн
100+168.98 грн
250+160.44 грн
500+154.34 грн
1000+146.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+200.41 грн
500+178.53 грн
1000+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E 3967269.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 26 A, 32 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 26A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 1208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+272.09 грн
10+227.29 грн
100+200.41 грн
500+178.53 грн
1000+158.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12E gd10mps12e.pdf
GD10MPS12E
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 26A 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1311 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+329.94 грн
10+274.63 грн
30+218.56 грн
120+209.48 грн
270+203.90 грн
510+199.71 грн
1020+192.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H 3967288.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12H - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 23 A, 32 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 32nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 23A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+357.63 грн
5+330.75 грн
10+303.05 грн
50+271.57 грн
100+240.91 грн
250+239.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H GD10MPS12H.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 10A TO247-2
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+351.93 грн
10+301.00 грн
25+286.55 грн
100+250.68 грн
250+239.20 грн
500+230.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+342.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS12H gd10mps12h.pdf
GD10MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+571.89 грн
10+503.49 грн
30+418.97 грн
120+391.73 грн
270+374.97 грн
510+362.41 грн
1020+354.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 10A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 42A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+537.67 грн
3+470.69 грн
30+439.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+613.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1200+1017.48 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H GD10MPS17H.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 26A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
30+613.59 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD10MPS17H gd10mps17h.pdf
GD10MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 26A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1200+527.78 грн
Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.7kV; 15A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.7kV
Load current: 15A
Max. forward impulse current: 120A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 2.1V
Max. load current: 63A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+737.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+764.15 грн
10+653.66 грн
30+536.97 грн
120+520.22 грн
270+498.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD15MPS17H GD15MPS17H.pdf
GD15MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 36A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 15 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 36A
Capacitance @ Vr, F: 1082pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+745.50 грн
10+647.31 грн
25+621.51 грн
100+548.18 грн
250+525.80 грн
500+510.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 29A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 29A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+399.18 грн
10+347.13 грн
25+332.00 грн
50+319.40 грн
100+308.47 грн
250+295.02 грн
1000+292.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2646 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+447.25 грн
10+395.08 грн
25+328.19 грн
100+307.24 грн
250+293.97 грн
500+284.90 грн
1000+275.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+294.65 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A gd20mps12a.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
50+302.02 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12A GD20MPS12A.pdf
GD20MPS12A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 42A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 737pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 42A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 2283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+440.70 грн
10+380.43 грн
25+363.80 грн
100+319.57 грн
250+305.84 грн
500+295.85 грн
1000+281.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 27A; TO247-2; tube
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A
Max. forward impulse current: 128A
Case: TO247-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.9V
Max. load current: 67A
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+468.88 грн
3+411.85 грн
30+403.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H GD20MPS12H.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+501.01 грн
10+424.80 грн
30+346.34 грн
120+331.68 грн
270+321.21 грн
510+310.73 грн
2520+305.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD20MPS12H gd20mps12h.pdf
GD20MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD25MPS17H gd25mps17h.pdf
GD25MPS17H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 56A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 35 42 49 56 63 70 71  [ Наступна Сторінка >> ]