Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4053) > Сторінка 27 з 68

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
GD2X150MPS06N GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x150mps06n.pdf Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06N GeneSiC SEMICONDUCTOR GD2X150MPS06N.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X150MPS06N.pdf Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x20mps12d.pdf 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+560.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x20mps12d.pdf 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+832.30 грн
10+725.14 грн
25+696.19 грн
100+615.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x20mps12d.pdf 1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+560.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X20MPS12D.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+3925.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+3290.92 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+3290.92 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x25mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+4031.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D.pdf Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.09 грн
10+612.54 грн
25+587.09 грн
100+516.71 грн
250+495.22 грн
500+479.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d.pdf Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+685.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06D.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d.pdf Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06d.pdf Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+685.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+1778.96 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+2564.96 грн
25+2281.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2406.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2400.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps06n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D.pdf Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1313.33 грн
10+1154.14 грн
25+1113.20 грн
100+988.46 грн
250+953.47 грн
500+927.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1284.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+1284.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12D-2585436.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1404.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12d.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x30mps12n.pdf Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X30MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3497.89 грн
10+3294.68 грн
30+3278.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor GD2X50MPS12N.pdf SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N GeneSiC Semiconductor gd2x50mps12n.pdf Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3236.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2601.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2598.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor GD2X60MPS06N.pdf Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2618.75 грн
10+2316.36 грн
25+2239.44 грн
100+1997.48 грн
250+1930.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N GeneSiC Semiconductor gd2x60mps06n.pdf 650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10235.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+10048.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GENESIC SEMICONDUCTOR 3163683.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor gd2x75mps17n.pdf Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X75MPS17N.pdf SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A-3479866.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A GeneSiC Semiconductor GD30MPS06A.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.88 грн
10+331.10 грн
25+316.51 грн
100+276.44 грн
250+264.09 грн
500+255.17 грн
1000+242.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.49 грн
10+347.41 грн
25+332.29 грн
100+291.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06H.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+456.73 грн
10+363.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H.pdf SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GENESIC SEMICONDUCTOR 3163696.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J.pdf Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+507.93 грн
10+438.07 грн
25+419.33 грн
100+373.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC SEMICONDUCTOR GD30MPS06J.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+370.12 грн
5+334.37 грн
25+324.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J GeneSiC Semiconductor GD30MPS06J-2450011.pdf Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H.pdf Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.52 грн
10+594.78 грн
25+570.02 грн
100+502.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06N gd2x150mps06n.pdf
GD2X150MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06N GD2X150MPS06N.pdf
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X150MPS06N GD2X150MPS06N.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D gd2x20mps12d.pdf
GD2X20MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+560.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D gd2x20mps12d.pdf
GD2X20MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D.pdf
GD2X20MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+832.30 грн
10+725.14 грн
25+696.19 грн
100+615.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D gd2x20mps12d.pdf
GD2X20MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+560.34 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X20MPS12D GD2X20MPS12D.pdf
GD2X20MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+3925.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3290.92 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N GD2X25MPS17N.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
200+3290.92 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X25MPS17N gd2x25mps17n.pdf
GD2X25MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+4031.33 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+708.09 грн
10+612.54 грн
25+587.09 грн
100+516.71 грн
250+495.22 грн
500+479.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D gd2x30mps06d.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+685.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D GD2X30MPS06D.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D gd2x30mps06d.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06D gd2x30mps06d.pdf
GD2X30MPS06D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+685.37 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
300+1778.96 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+2564.96 грн
25+2281.91 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2406.57 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2400.92 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N GD2X30MPS06N.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS06N gd2x30mps06n.pdf
GD2X30MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1313.33 грн
10+1154.14 грн
25+1113.20 грн
100+988.46 грн
250+953.47 грн
500+927.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1284.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1284.19 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D GD2X30MPS12D-2585436.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+1404.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12D gd2x30mps12d.pdf
GD2X30MPS12D
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N gd2x30mps12n.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N gd2x30mps12n.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X30MPS12N GD2X30MPS12N.pdf
GD2X30MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+3497.89 грн
10+3294.68 грн
30+3278.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N GD2X50MPS12N.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X50MPS12N gd2x50mps12n.pdf
GD2X50MPS12N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+3236.35 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2601.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+2598.49 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N GD2X60MPS06N.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2618.75 грн
10+2316.36 грн
25+2239.44 грн
100+1997.48 грн
250+1930.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X60MPS06N gd2x60mps06n.pdf
GD2X60MPS06N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+10235.90 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+10048.68 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N 3163683.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N gd2x75mps17n.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD2X75MPS17N GD2X75MPS17N.pdf
GD2X75MPS17N
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A-3479866.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06A GD30MPS06A.pdf
GD30MPS06A
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.88 грн
10+331.10 грн
25+316.51 грн
100+276.44 грн
250+264.09 грн
500+255.17 грн
1000+242.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 49A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+403.49 грн
10+347.41 грн
25+332.29 грн
100+291.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+456.73 грн
10+363.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06H GD30MPS06H.pdf
GD30MPS06H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J 3163696.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-263-7
Current - Average Rectified (Io): 51A
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Packaging: Tube
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+507.93 грн
10+438.07 грн
25+419.33 грн
100+373.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+370.12 грн
5+334.37 грн
25+324.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS06J GD30MPS06J-2450011.pdf
GD30MPS06J
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GD30MPS12H GD30MPS12H.pdf
GD30MPS12H
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 55A TO2472
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-2
Current - Average Rectified (Io): 55A
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-2
Packaging: Tube
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+687.52 грн
10+594.78 грн
25+570.02 грн
100+502.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 36 42 48 54 60 66 68  [ Наступна Сторінка >> ]