Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (4084) > Сторінка 27 з 69
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V |
на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X100MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X10MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw Mechanical mounting: screw Max. forward impulse current: 0.84kA Max. forward voltage: 1.8V Type of semiconductor module: diode Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Max. off-state voltage: 650V Electrical mounting: screw Load current: 150A x2 Max. load current: 440A Kind of package: tube Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Reverse recovery time: 10ns |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X150MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1948 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X20MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC) Supplier Device Package: TO-247-3 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V |
на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 54 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X25MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 119 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS06D | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1380 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MPVoltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
GD2X30MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-247-3 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC) Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube |
на замовлення 569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
на замовлення 237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12D | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOT-227 Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Diode Configuration: 2 Independent Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Packaging: Tube |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 7912 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
Description: DIODE MOD SIC 1200V 136A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 136A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 100 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 1200 V
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6134.63 грн |
| 10+ | 5443.97 грн |
| 25+ | 5269.28 грн |
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X100MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.2KV 272A 4-Pin SOT-227
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 6825.74 грн |
| 30+ | 6594.21 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 657.15 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 658.00 грн |
| GD2X10MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
SiC Schottky Diodes 1200V 20A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 650V 300A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 650V; If: 150Ax2; SOT227B; screw
Mechanical mounting: screw
Max. forward impulse current: 0.84kA
Max. forward voltage: 1.8V
Type of semiconductor module: diode
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Max. off-state voltage: 650V
Electrical mounting: screw
Load current: 150A x2
Max. load current: 440A
Kind of package: tube
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Reverse recovery time: 10ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 300A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X150MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
Diode Array 2 Independent 650 V 150A (DC) Chassis Mount SOT-227-4, miniBLOC Діоди та діодні збірки
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 562.84 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 40A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 562.84 грн |
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
1200V 40A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X20MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
Description: DIODE ARR SIC 1200V 39A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 39A (DC)
Supplier Device Package: TO-247-3
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 20 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1200 V
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 817.02 грн |
| 10+ | 711.82 грн |
| 25+ | 683.40 грн |
| 100+ | 603.76 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3305.61 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 3942.54 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 4049.32 грн |
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 50A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X25MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 100A 4-Pin SOT-227
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 200+ | 3305.61 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 688.43 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SIC 600V 30A TO247-3
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 30A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 695.09 грн |
| 10+ | 601.29 грн |
| 25+ | 576.31 грн |
| 100+ | 507.22 грн |
| 250+ | 486.12 грн |
| 500+ | 470.73 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky 650V 88A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 688.43 грн |
| GD2X30MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 1380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2411.64 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2417.31 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: 650V 60A SOT-227 SIC SCHOTTKY MP
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 42A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 1786.90 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2576.41 грн |
| 25+ | 2292.10 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Description: DIODE ARR SIC 1200V 55A TO247-3
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: TO-247-3
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 55A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1289.21 грн |
| 10+ | 1132.95 грн |
| 25+ | 1092.76 грн |
| 100+ | 970.30 грн |
| 250+ | 935.96 грн |
| 500+ | 910.37 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1289.92 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1289.92 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
Diode Schottky SiC 1.2KV 110A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 11+ | 1410.45 грн |
| GD2X30MPS12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V 60A TO-247-3 SiC Schottky MPS
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3250.80 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3513.51 грн |
| 10+ | 3309.39 грн |
| 30+ | 3293.32 грн |
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2612.92 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Supplier Device Package: SOT-227
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Diode Configuration: 2 Independent
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Packaging: Tube
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2570.66 грн |
| 10+ | 2273.82 грн |
| 25+ | 2198.32 грн |
| 100+ | 1960.80 грн |
| 250+ | 1895.31 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2610.09 грн |
| GD2X60MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 10093.54 грн |
| GD2X75MPS17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 10281.60 грн |
| GD30MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 379.77 грн |
| 10+ | 325.02 грн |
| 25+ | 310.69 грн |
| 100+ | 271.36 грн |
| 250+ | 259.24 грн |
| 500+ | 250.49 грн |
| 1000+ | 237.77 грн |
| GD30MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| GD30MPS06H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



















