Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3972) > Сторінка 27 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
 Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
 |
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 132 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD2X50MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227 Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC) Supplier Device Package: SOT-227 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 251 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD2X60MPS06N | GeneSiC Semiconductor |
650V 120A SiC Schottky MPS Diode |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 31 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD2X75MPS17N | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-227 Kapazitive Gesamtladung: 524nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Panelmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV Anzahl der Pins: 4 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
GD2X75MPS17N | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 7912 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Current - Average Rectified (Io): 30A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 1744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3285 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 49A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Mounting: THT Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Case: TO247-2 Max. forward voltage: 1.5V Max. forward impulse current: 0.168kA Kind of package: tube Features of semiconductor devices: MPS |
на замовлення 51 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Kapazitive Gesamtladung: 46nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 7 Pins Produktpalette: MPS Gen IV productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.168kA Case: TO263-7 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Mounting: SMD Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1807 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS06J | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 51A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD30MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 466 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GD30MPS12J | GeneSiC Semiconductor | Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY |
на замовлення 266 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
GD30MPS12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 59A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD30MPS12J-TR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 59A Supplier Device Package: TO-263-7 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 264 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247 |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD50MPS12H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 92A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1632 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD60MPS06H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 82A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V |
на замовлення 804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD60MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 122A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GD60MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 3 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP |
на замовлення 7188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE04MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2075 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 11A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V |
на замовлення 2420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE04MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 201 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GE04MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GE04MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 4 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GE04MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2934 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE06MPS06A | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GE06MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP |
на замовлення 3294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE06MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GE06MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 650V Load current: 6A Max. forward impulse current: 27A Case: TO220-2 Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.25V Mounting: THT Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Technology: SiC Semiconductor structure: single diode |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
GE06MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 73 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| GE06MPS06E | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 17A Supplier Device Package: TO-252-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
 |
GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
GE06MPS06E | GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK) tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Kapazitive Gesamtladung: 15nC rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Gen V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
 |
GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2359 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GE06MPS06Q | GeneSiC Semiconductor |
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-PowerVSFN Diode Type: Schottky - Single Voltage - Peak Reverse (Max): 650V Supplier Device Package: QFN8x8 Current - Max: 6 A |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
|
|
GE06MPS06Q-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2978 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
GE08MPS06A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 15A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| GD2X30MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Silicon Carbide Schottky Diode
Silicon Carbide Schottky Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 132 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2485.41 грн |
| 10+ | 2174.89 грн |
| 100+ | 1751.53 грн |
| 250+ | 1748.60 грн |
| GD2X50MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 100A SOT-227 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X50MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 3265.25 грн |
| GD2X50MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3529.13 грн |
| 10+ | 3324.10 грн |
| 30+ | 3307.96 грн |
| GD2X50MPS12N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky SiC 1.2KV 152A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X60MPS06N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Description: DIODE MOD SIC 650V 70A SOT-227
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Diode Configuration: 2 Independent
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 70A (DC)
Supplier Device Package: SOT-227
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2553.07 грн |
| 10+ | 2258.27 грн |
| 25+ | 2183.28 грн |
| 100+ | 1947.38 грн |
| 250+ | 1882.34 грн |
| GD2X60MPS06N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2624.54 грн |
| GD2X60MPS06N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2621.69 грн |
| GD2X60MPS06N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 120A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2557.93 грн |
| 10+ | 2309.45 грн |
| 30+ | 1957.76 грн |
| GD2X60MPS06N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
650V 120A SiC Schottky MPS Diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X75MPS17N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 10327.30 грн |
| GD2X75MPS17N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 150A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 31 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 7948.54 грн |
| 10+ | 7121.80 грн |
| 30+ | 6138.75 грн |
| 100+ | 6089.75 грн |
| GD2X75MPS17N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 10138.41 грн |
| GD2X75MPS17N |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD2X75MPS17N - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Zweifach, isoliert, 1.7 kV, 230 A, 524 nC, SOT-227
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-227
Kapazitive Gesamtladung: 524nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Panelmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 230A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.7kV
Anzahl der Pins: 4 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GD2X75MPS17N |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
Diode Schottky 1.7KV 230A 4-Pin SOT-227
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD30MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 7912 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 412.96 грн |
| 10+ | 361.64 грн |
| 25+ | 299.84 грн |
| 100+ | 280.10 грн |
| 250+ | 266.93 грн |
| 500+ | 257.43 грн |
| 1000+ | 248.65 грн |
| GD30MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 30A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 1744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 377.18 грн |
| 10+ | 322.80 грн |
| 25+ | 308.57 грн |
| 100+ | 269.51 грн |
| 250+ | 257.47 грн |
| 500+ | 248.77 грн |
| 1000+ | 236.14 грн |
| GD30MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3285 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 433.43 грн |
| 10+ | 361.64 грн |
| 30+ | 293.99 грн |
| 120+ | 283.02 грн |
| 270+ | 274.25 грн |
| 510+ | 264.74 грн |
| 2520+ | 259.62 грн |
| GD30MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 49A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 49A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 393.37 грн |
| 10+ | 338.70 грн |
| 25+ | 323.96 грн |
| 100+ | 284.16 грн |
| GD30MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 30A; TO247-2; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.5V
Max. forward impulse current: 0.168kA
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: MPS
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 448.83 грн |
| 10+ | 356.52 грн |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD30MPS06J - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen IV, Einfach, 650 V, 51 A, 46 nC, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 51A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 7 Pins
Produktpalette: MPS Gen IV
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 360.84 грн |
| 5+ | 325.99 грн |
| 25+ | 316.08 грн |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 30A TO-263-7 SiC Schottky MPS
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.53 грн |
| 10+ | 500.41 грн |
| 25+ | 416.86 грн |
| 100+ | 389.07 грн |
| 250+ | 372.24 грн |
| 500+ | 360.54 грн |
| 1000+ | 359.08 грн |
| GD30MPS06J |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 51A TO263-7
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 735pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 51A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 495.19 грн |
| 10+ | 427.08 грн |
| 25+ | 408.81 грн |
| 100+ | 364.07 грн |
| GD30MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 30A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 466 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 720.11 грн |
| 10+ | 615.63 грн |
| 30+ | 501.69 грн |
| 120+ | 480.48 грн |
| 270+ | 473.90 грн |
| 510+ | 458.54 грн |
| GD30MPS12J |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
Description: 1200V 30A TO-263-7 SIC SCHOTTKY
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 860.02 грн |
| 10+ | 745.13 грн |
| 25+ | 714.65 грн |
| 100+ | 629.52 грн |
| 250+ | 626.77 грн |
| GD30MPS12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 529.63 грн |
| GD30MPS12J-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1200V 59A TO2637
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1101pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 59A
Supplier Device Package: TO-263-7
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1200 V
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 703.44 грн |
| 10+ | 609.28 грн |
| 25+ | 590.49 грн |
| GD50MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1229.50 грн |
| 120+ | 1171.12 грн |
| 270+ | 1130.78 грн |
| 510+ | 1074.56 грн |
| GD50MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GD50MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 50A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 264 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1123.68 грн |
| 10+ | 989.05 грн |
| 30+ | 817.62 грн |
| 120+ | 786.18 грн |
| 270+ | 764.24 грн |
| GD50MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
Diode Schottky 1.2KV 86A 2-Pin(2+Tab) TO-247
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 1229.50 грн |
| 120+ | 1171.12 грн |
| 270+ | 1130.78 грн |
| 510+ | 1074.56 грн |
| GD50MPS12H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 92A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1835pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 92A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 1200 V
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1123.04 грн |
| 10+ | 984.67 грн |
| 25+ | 948.35 грн |
| 100+ | 841.07 грн |
| 250+ | 810.83 грн |
| GD60MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1632 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 911.23 грн |
| 10+ | 809.07 грн |
| 30+ | 674.28 грн |
| 120+ | 632.60 грн |
| 270+ | 606.27 грн |
| GD60MPS06H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 82A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1463pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 82A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 650 V
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 762.84 грн |
| 10+ | 660.53 грн |
| 25+ | 633.54 грн |
| 100+ | 558.51 грн |
| 250+ | 535.16 грн |
| 500+ | 518.48 грн |
| GD60MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
Description: DIODE SIL CARB 1700V 122A TO2472
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 4577pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 122A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 60 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 1700 V
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3028.97 грн |
| 10+ | 2698.05 грн |
| 25+ | 2615.77 грн |
| 100+ | 2341.92 грн |
| 250+ | 2270.03 грн |
| GD60MPS17H |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 60A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 3 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3381.29 грн |
| 10+ | 3082.36 грн |
| 30+ | 2598.40 грн |
| GE04MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
Description: 650V 4A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 7188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.43 грн |
| 10+ | 134.22 грн |
| 25+ | 126.98 грн |
| 100+ | 109.65 грн |
| 250+ | 103.72 грн |
| 500+ | 99.52 грн |
| 1000+ | 93.84 грн |
| 2500+ | 93.15 грн |
| GE04MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-220-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 141.63 грн |
| 10+ | 121.11 грн |
| 25+ | 100.19 грн |
| 100+ | 92.15 грн |
| 250+ | 87.03 грн |
| 500+ | 83.37 грн |
| 1000+ | 79.71 грн |
| GE04MPS06E |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 11A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 186pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 11A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.35 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
на замовлення 2420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.27 грн |
| 10+ | 106.36 грн |
| 25+ | 100.57 грн |
| 100+ | 86.64 грн |
| 250+ | 81.90 грн |
| 500+ | 78.49 грн |
| 1000+ | 73.98 грн |
| GE04MPS06E |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 201 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.90 грн |
| 10+ | 125.31 грн |
| 25+ | 102.39 грн |
| 100+ | 94.34 грн |
| 250+ | 89.22 грн |
| 500+ | 85.57 грн |
| 1000+ | 81.91 грн |
| GE04MPS06E-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE04MPS06Q |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE04MPS06Q |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
Description: 650V 4A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 4 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE04MPS06Q-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2934 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.84 грн |
| 3000+ | 77.71 грн |
| GE06MPS06A |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06A - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 12 A, 15 nC, TO-220
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 12A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GE06MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
Description: 650V 6A TO-220-2 SIC SCHOTTKY MP
на замовлення 3294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 182.03 грн |
| 10+ | 152.78 грн |
| 25+ | 144.66 грн |
| 100+ | 124.93 грн |
| 250+ | 118.28 грн |
| 500+ | 117.51 грн |
| GE06MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-220-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE06MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 6A; TO220-2; tube
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 6A
Max. forward impulse current: 27A
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.25V
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 133.31 грн |
| 5+ | 112.24 грн |
| GE06MPS06E |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
Schottky Diodes & Rectifiers 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 73 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 180.88 грн |
| 10+ | 154.75 грн |
| 25+ | 127.25 грн |
| 50+ | 117.01 грн |
| 100+ | 110.43 грн |
| 250+ | 106.77 грн |
| 500+ | 101.65 грн |
| GE06MPS06E |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 17A TO252-2
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 279pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 17A
Supplier Device Package: TO-252-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE06MPS06E |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GE06MPS06E |
|
Виробник: GENESIC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GE06MPS06E - SiC-Schottky-Diode, MPS Gen V, Einfach, 650 V, 17 A, 15 nC, TO-252 (DPAK)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Kapazitive Gesamtladung: 15nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 17A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MPS Gen V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| GE06MPS06E-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2359 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.31 грн |
| 10+ | 128.68 грн |
| 25+ | 105.31 грн |
| 100+ | 96.54 грн |
| 250+ | 92.15 грн |
| 500+ | 87.76 грн |
| 1000+ | 84.10 грн |
| GE06MPS06Q |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
Description: 650V 6A PQFN 8X8 SIC SCHOTTKY MP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerVSFN
Diode Type: Schottky - Single
Voltage - Peak Reverse (Max): 650V
Supplier Device Package: QFN8x8
Current - Max: 6 A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику
од. на суму грн.
| GE06MPS06Q-TR |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A PQFN 8x8 SiC Schottky MPS
на замовлення 2978 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.29 грн |
| 3000+ | 89.99 грн |
| GE08MPS06A |
|
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Description: DIODE SIL CARB 650V 15A TO220-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 373pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 15A
Supplier Device Package: TO-220-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 197.46 грн |