Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5557) > Сторінка 93 з 93

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 88 89 90 91 92 93
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BR88 GeneSiC Semiconductor br86.pdf Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR81 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR82 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR84 GeneSiC Semiconductor br81.pdf Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20045 GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K GeneSiC Semiconductor 1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A180 MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a180.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A120 MBR2X060A120 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a120.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A150 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a150.pdf Schottky Rectifier Vrrm 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A080 GeneSiC Semiconductor mbr2x060a080.pdf Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20060R GeneSiC Semiconductor mbrh20060.pdf Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70BR02 FR70BR02 GeneSiC Semiconductor fr70b02.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70YR GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70D GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70M GeneSiC Semiconductor s70k.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70J05 GeneSiC Semiconductor fr70b05.pdf Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70JR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70DR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70V GeneSiC Semiconductor s70vr.pdf Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70BR GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70B GeneSiC Semiconductor s70g.pdf Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6040R GeneSiC Semiconductor 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2353.11 грн
3+2153.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R30MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R40MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1167.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N.pdf Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3792.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT17K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 88A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 809W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R350MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.34 грн
10+271.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC2X8MPS12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Technology: SiC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+700.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247 GeneSiC SEMICONDUCTOR GB20SLT12-247.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC02MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+112.43 грн
5+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC10MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC08MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220 GeneSiC SEMICONDUCTOR GC20MPS12-220.pdf Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR88 br86.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR81 br81.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 100V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR82 br81.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BR84 br81.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case BR-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20045 mbrh20060.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 2-Pin(2+Tab) Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F75MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 75m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F40MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 40m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3F20MT12K
Виробник: GeneSiC Semiconductor
1200V 20m TO-247-4 G3F SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A180 mbr2x060a180.pdf
MBR2X060A180
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A120 mbr2x060a120.pdf
MBR2X060A120
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A150 mbr2x060a150.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Vrrm 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR2X060A080 mbr2x060a080.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Rectifier Module Type 120 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBRH20060R mbrh20060.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 60V 200A 2-Pin Case D-67
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70BR02 fr70b02.pdf
FR70BR02
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 200ns 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70YR s70vr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 1.6KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70D s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70M s70k.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FR70J05 fr70b05.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70JR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 600V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70DR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 200V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70V s70vr.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1.4KV 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70BR s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S70B s70g.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 70A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR6040R 36162614700956272mbr6020_thru_mbr6040r.pdf
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 40V 60A 2-Pin DO-5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12K G3R20MT12K.pdf
G3R20MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2353.11 грн
3+2153.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R30MT12K G3R30MT12K.pdf
G3R30MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 155nC
On-state resistance: 30mΩ
Drain current: 63A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 400W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R40MT12K G3R40MT12K.pdf
G3R40MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1167.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R75MT12K G3R75MT12K.pdf
G3R75MT12K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT12N G3R20MT12N.pdf
G3R20MT12N
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3792.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
G3R20MT17K G3R20MT17K.pdf
G3R20MT17K
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 88A; Idm: 300A; 809W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 400nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 88A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 809W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.7kV
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
G3R350MT12D G3R350MT12D.pdf
G3R350MT12D
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 0.35Ω
Drain current: 8A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+298.34 грн
10+271.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
GC2X8MPS12-247 GC2X8MPS12-247.pdf
GC2X8MPS12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8Ax2; TO247-3; tube
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 8A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Features of semiconductor devices: MPS
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Max. load current: 16A
Max. forward impulse current: 60A
Technology: SiC
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+700.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GB20SLT12-247 GB20SLT12-247.pdf
GB20SLT12-247
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO247-2; tube
Technology: SiC
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Mounting: THT
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Case: TO247-2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC02MPS12-220 GC02MPS12-220.pdf
GC02MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 2A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 2A
Max. forward impulse current: 16A
Max. off-state voltage: 1.2kV
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+112.43 грн
5+93.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
GC10MPS12-220 GC10MPS12-220.pdf
GC10MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 10A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 10A
Max. forward impulse current: 80A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC08MPS12-220 GC08MPS12-220.pdf
GC08MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 8A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 8A
Max. forward impulse current: 60A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GC20MPS12-220 GC20MPS12-220.pdf
GC20MPS12-220
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 20A; TO220-2; tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: SiC
Semiconductor structure: single diode
Case: TO220-2
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 20A
Max. forward impulse current: 160A
Max. off-state voltage: 1.2kV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 9 18 27 36 45 54 63 72 81 88 89 90 91 92 93