Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149883) > Сторінка 1275 з 2499

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPB017N06N3GATMA1 IPB017N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D047724C211C&compId=IPB017N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=208230effbcefd907be045691ad144c03c166baf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 IPB017N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA73AB08EF811C&compId=IPB017N08N5-DTE.pdf?ci_sign=7307f2b75785faf784f6ce903b0ce2fffffbbf9a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 IPB017N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 IPB019N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+248.96 грн
8+149.57 грн
21+135.77 грн
200+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G
+1
 		IPB019N08N3G INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1 IPB020N04NGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D4B3FFC6811C&compId=IPB020N04NG-DTE.pdf?ci_sign=64a12bcd61572fea0991d6044b6ce94671247ea2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423 IPB020N10N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB020N10N5LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b IPB024N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b IPB025N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 IPB025N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+443.59 грн
3+384.88 грн
4+287.14 грн
11+271.55 грн
1050+265.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c IPB026N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 IPB029N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DB4723ACC11C&compId=IPB029N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5f066976eb9802fc0a5a6395d77568296435c78e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB030N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae88a47a856b1 IPB030N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 IPB031N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB151D4F9211C&compId=IPB031N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3159f32d96288cc61656ed143c70a029107448c2 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 IPB031NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DD52B98B211C&compId=IPB031NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=cdda49cb192f2d913b204bf3b9535fc7bc4e1788 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LF IPB033N10N5LF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CE0FB9307C8749&compId=IPB033N10N5LF.pdf?ci_sign=8b84caa81adb999660a947a742bfb25f2bb555c1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 IPB034N06L3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E22AC82A411C&compId=IPB034N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=e2d349a57cd9a28e9c7dbde0c8d7a4b00ed0cf76 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 IPB035N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB3C44E35211C&compId=IPB035N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=21c5de3139bc2864bea66c1d6aed3968809828d3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56 IPB036N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 IPB037N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB042N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES IPB048N15N5LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9 IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5EC939E60811C&compId=IPB054N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=84f615a05cf8a8d54ec1b710306fbe75a60d1fe9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP057N08N3_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06 IPB054N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1 IPB055N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5EE416FBE811C&compId=IPB055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=1ef737b4427e3ce7dbe4fffab65cd88a5c2578a3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3 IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 IPB065N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6 IPB072N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 IPB073N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3G INFINEON TECHNOLOGIES IPB081N06L3G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPB083N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LF IPB083N15N5LF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CD8DE26E402749&compId=IPB083N15N5LF.pdf?ci_sign=80afe72410409132f9a6f39bef5e8c7152f678f0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB090N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 IPB100N04S303ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3248C8A286143&compId=IPB100N04S303.pdf?ci_sign=2b702d83a25df2bc0e3b44f941578f4d31d91f02 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205ATMA4 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N06S205.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB100N06S2L05.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t IPB100N10S305ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7 IPB107N20N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 IPB107N20NAATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+651.06 грн
3+510.98 грн
6+482.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPB108N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF IPB110N20N3LF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CDD33F73280749&compId=IPB110N20N3LF.pdf?ci_sign=57c3a81a5f34e089235de10d0a3e0e068655a3a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152 IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPB120N06S402.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44 IPB120P04P404ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB123N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01 IPB144N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 640A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB180N04S4H0.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB180P04P4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e IPB180P04P403 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D047724C211C&compId=IPB017N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=208230effbcefd907be045691ad144c03c166baf
IPB017N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA73AB08EF811C&compId=IPB017N08N5-DTE.pdf?ci_sign=7307f2b75785faf784f6ce903b0ce2fffffbbf9a
IPB017N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB017N10N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BA789EA0C3611C&compId=IPB017N10N5-DTE.pdf?ci_sign=0831c35b1695eacb56b73ab26680094032011dbd
IPB017N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D2357E44611C&compId=IPB019N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=4b0168ba4c06a8a1305f4cb61675e11cd42afead
IPB019N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 991 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.96 грн
8+149.57 грн
21+135.77 грн
200+131.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPB019N08N3G pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ACAB6DE35C77DE27&compId=IPB019N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=07ce8f1173d501dc930f45ad7fa2fde175466987
IPB019N08N3G
+1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N04NGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5D4B3FFC6811C&compId=IPB020N04NG-DTE.pdf?ci_sign=64a12bcd61572fea0991d6044b6ce94671247ea2
IPB020N04NGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 140A; 167W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 140A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5ATMA1 Infineon-IPB020N10N5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461454603990145d1e190ea6423
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB020N10N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB020N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB020N10N5LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 Infineon-IPB024N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014acf6424d01c0b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB024N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N08N3GATMA1 IPB025N08N3_Rev1.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117d35658bc066b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB025N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB025N10N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAA7497E9BC11C&compId=IPB025N10N3G-DTE.pdf?ci_sign=47840b71934b0cd549e439558686897d22fc72dc
IPB025N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+443.59 грн
3+384.88 грн
4+287.14 грн
11+271.55 грн
1050+265.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a3043372d5cc8013754c7b2a74f7c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB026N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB029N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DB4723ACC11C&compId=IPB029N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=5f066976eb9802fc0a5a6395d77568296435c78e
IPB029N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB030N08N3GATMA1 IPB030N08N3_Rev2.1.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431add1d95011ae88a47a856b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB030N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031N08N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB151D4F9211C&compId=IPB031N08N5-DTE.pdf?ci_sign=3159f32d96288cc61656ed143c70a029107448c2
IPB031N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO263-3
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB031NE7N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5DD52B98B211C&compId=IPB031NE7N3G-DTE.pdf?ci_sign=cdda49cb192f2d913b204bf3b9535fc7bc4e1788
IPB031NE7N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB033N10N5LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CE0FB9307C8749&compId=IPB033N10N5LF.pdf?ci_sign=8b84caa81adb999660a947a742bfb25f2bb555c1
IPB033N10N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 108A; 179W; PG-TO263-3
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 108A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06L3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E22AC82A411C&compId=IPB034N06L3G-DTE.pdf?ci_sign=e2d349a57cd9a28e9c7dbde0c8d7a4b00ed0cf76
IPB034N06L3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB035N08N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BAB3C44E35211C&compId=IPB035N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=21c5de3139bc2864bea66c1d6aed3968809828d3
IPB035N08N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB036N12N3GATMA1 IPB036N12N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304323b87bc20123c7030ed51f56
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB036N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB037N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5E74A0389411C&compId=IPB037N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=1cbda32d942d894f603cf1626a1387244c7938ad
IPB037N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB038N12N3GATMA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB038N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB039N10N3GATMA1 IPB039N10N3G-DTE.pdf
IPB039N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 160A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB042N10N3GATMA1 IPB042N10N3G-DTE.pdf
IPB042N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB044N15N5ATMA1 Infineon-IPB044N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462576f347501576ffd3e582757
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 123A; Idm: 696A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 123A
Pulsed drain current: 696A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5ATMA1 Infineon-IPB048N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a01efd885463
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 118A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 118A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO 263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB048N15N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB048N15N5LF SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049N08N5ATMA1 INFN-S-A0000250420-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB049N08N5ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB049NE7N3GATMA1 IPB049NE7N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304320d39d590121a517a48e0bb9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB049NE7N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5EC939E60811C&compId=IPB054N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=84f615a05cf8a8d54ec1b710306fbe75a60d1fe9
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N08N3GATMA1 IPP057N08N3_Rev1.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a304317a748360117cf0cf5951d06
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB054N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB055N03LGATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A0F5EE416FBE811C&compId=IPB055N03LG-DTE.pdf?ci_sign=1ef737b4427e3ce7dbe4fffab65cd88a5c2578a3
IPB055N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB057N06NATMA1 IPB057N06N_Rev2.0.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30433727a44301372c2ed50b49b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB057N06NATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N15N3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BBD43E35CE411C&compId=IPB065N15N3G-DTE.pdf?ci_sign=bab39003ca39c7c61880785944b70ac8bbebe7f0
IPB065N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 300W; PG-TO263-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
On-state resistance: 6.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TO263-3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB067N08N3GATMA1 %28IPP%2CIPI%2CIPB%290x0N08N3_G.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB067N08N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB072N15N3GATMA1 IPP075N15N3+G_Rev2.03.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd76cc527ab6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB072N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB073N15N5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA30C702DB42143&compId=IPB073N15N5.pdf?ci_sign=af20e0604e1889601409b069b73fbbca7c50096a
IPB073N15N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 81A; 214W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 81A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 49nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB081N06L3G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB081N06L3G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N10N3GATMA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB083N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB083N15N5LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CD8DE26E402749&compId=IPB083N15N5LF.pdf?ci_sign=80afe72410409132f9a6f39bef5e8c7152f678f0
IPB083N15N5LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 66A; 179W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB090N06N3GATMA1 IPB090N06N3G-DTE.pdf
IPB090N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 71W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N04S303ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA3248C8A286143&compId=IPB100N04S303.pdf?ci_sign=2b702d83a25df2bc0e3b44f941578f4d31d91f02
IPB100N04S303ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 40V; 100A; 214W
Case: PG-TO263-3
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 214W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 110nC
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S205ATMA4 IPB100N06S205.pdf
IPB100N06S205ATMA4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N06S2L05ATMA2 IPB100N06S2L05.pdf
IPB100N06S2L05ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 100A; 300W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB100N10S305ATMA1 Infineon-IPP_B_I100N10S3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a908bd4d8595c&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB100N10S305ATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20N3GATMA1 IPP_I_110N20N3+G_IPB107N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124968e7d1f18e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB107N20N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB107N20NAATMA1 IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB107N20NAATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 828 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+651.06 грн
3+510.98 грн
6+482.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB108N15N3GATMA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB108N15N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB110N20N3LF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1CDD33F73280749&compId=IPB110N20N3LF.pdf?ci_sign=57c3a81a5f34e089235de10d0a3e0e068655a3a9
IPB110N20N3LF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 61A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 61A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB117N20NFDATMA1 DS_IPB117N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c8377500152
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB117N20NFDATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120N06S402ATMA2 IPB120N06S402.pdf
IPB120N06S402ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 120A; 188W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB120P04P404ATMA1 Infineon-IPP_B_I120P04P4_04-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f784299de2e44
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB120P04P404ATMA1 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB123N10N3GATMA1 IPB123N10N3G-DTE.pdf
IPB123N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
Power dissipation: 94W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.3mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB144N12N3GATMA1 IPP_I_B147N12N3+G_Rev2.6.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a79a30f57d01
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB144N12N3GATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB160N04S4LH1ATMA1 Infineon-IPB160N04S4LH110-DS-v01_00-en.pdf?fileId=5546d461464245d3014670f0ac006489
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
Gate-source voltage: -16...20V
Pulsed drain current: 640A
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N04S4H0ATMA1 IPB180N04S4H0.pdf
IPB180N04S4H0ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 180A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 173nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180N06S4H1ATMA2 Infineon-IPB180N06S4-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff9881501203ccc9314178e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 180A; Idm: 720A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 720A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB180P04P403ATMA1 Infineon-IPB180P04P4_03-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432f69f146012f78472a2a2e4e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB180P04P403 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1494 1743 1992 2241 2490 2499  [ Наступна Сторінка >> ]