Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149449) > Сторінка 1275 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+277.66 грн
5+213.58 грн
10+188.94 грн
25+169.26 грн
50+155.48 грн
100+140.72 грн
125+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207 INFINEON TECHNOLOGIES irf40b207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e2f8fd1971 IRF40B207 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+317.93 грн
24+48.81 грн
50+46.80 грн
66+46.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON TECHNOLOGIES IRF40R207.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
10+45.17 грн
50+36.51 грн
100+33.66 грн
250+29.92 грн
500+27.26 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+90.95 грн
50+74.79 грн
100+68.88 грн
200+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.13 грн
5+119.56 грн
10+108.25 грн
25+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.61 грн
10+122.63 грн
25+104.31 грн
50+95.45 грн
100+87.58 грн
250+78.73 грн
500+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF4905STRLPBF.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+281.90 грн
10+178.84 грн
50+137.77 грн
100+125.96 грн
250+112.18 грн
500+102.34 грн
800+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.63 грн
10+33.31 грн
25+28.93 грн
50+27.06 грн
100+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF IRF5210PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.86 грн
10+134.89 грн
25+118.09 грн
50+108.25 грн
100+100.38 грн
500+82.66 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.54 грн
5+198.25 грн
10+160.40 грн
100+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+101.74 грн
10+80.83 грн
25+66.82 грн
50+58.75 грн
100+52.06 грн
200+47.04 грн
250+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+155.79 грн
10+104.85 грн
50+74.69 грн
100+66.42 грн
250+58.06 грн
500+53.04 грн
800+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.00 грн
10+52.22 грн
25+46.05 грн
50+42.91 грн
100+39.95 грн
250+36.12 грн
500+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+91.14 грн
10+68.47 грн
100+50.48 грн
200+45.86 грн
250+44.38 грн
500+39.85 грн
800+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.94 грн
10+51.40 грн
25+45.37 грн
50+42.81 грн
100+40.54 грн
200+38.67 грн
250+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF IRF540ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.71 грн
10+52.22 грн
20+48.12 грн
50+45.17 грн
100+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.09 грн
10+31.68 грн
11+27.16 грн
50+18.89 грн
100+16.14 грн
250+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.91 грн
13+24.32 грн
15+19.78 грн
100+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+38.15 грн
13+25.45 грн
50+18.60 грн
100+16.83 грн
500+13.68 грн
1000+12.79 грн
1500+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Gate charge: 23.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF IRF630NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf630npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF IRF640NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+93.26 грн
10+68.06 грн
25+52.25 грн
50+43.79 грн
100+37.89 грн
250+33.06 грн
500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF IRF640NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf640npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.87 грн
10+79.51 грн
50+61.31 грн
100+55.80 грн
250+49.40 грн
800+42.22 грн
1600+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF IRF7103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.78 грн
5+65.20 грн
10+52.06 грн
20+41.72 грн
50+31.39 грн
100+26.27 грн
200+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.78 грн
10+51.30 грн
100+33.26 грн
500+25.88 грн
1000+23.42 грн
2000+21.26 грн
4000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF IRF7105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7105pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.93 грн
10+36.07 грн
25+29.03 грн
50+25.39 грн
100+22.44 грн
250+19.58 грн
500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF IRF7205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+46.63 грн
50+39.34 грн
100+34.74 грн
250+30.01 грн
500+26.67 грн
1000+23.91 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7241pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1a5de1af4 description IRF7241TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.34 грн
26+45.37 грн
71+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF IRF7306TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7306pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.10 грн
10+72.15 грн
50+49.40 грн
100+43.10 грн
250+36.71 грн
500+32.97 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.84 грн
10+55.90 грн
50+42.12 грн
100+37.89 грн
200+34.15 грн
500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF IRF7313TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7313pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.60 грн
10+55.49 грн
100+35.72 грн
250+30.70 грн
500+27.75 грн
1000+25.09 грн
2000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
10+78.28 грн
50+53.73 грн
100+46.74 грн
200+41.23 грн
500+35.72 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.56 грн
10+115.48 грн
25+94.47 грн
50+83.65 грн
100+75.77 грн
250+67.90 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 IRF7341TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.04 грн
10+66.32 грн
100+43.50 грн
250+37.69 грн
500+33.95 грн
1000+30.70 грн
2000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF IRF7342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7342pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.45 грн
10+75.32 грн
25+62.09 грн
100+50.19 грн
250+44.28 грн
500+40.64 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7343pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.86 грн
10+72.86 грн
25+59.04 грн
100+45.66 грн
250+39.26 грн
500+35.43 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b IRF7351TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.15 грн
26+45.46 грн
71+43.00 грн
4000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.42 грн
10+66.53 грн
100+50.19 грн
500+39.85 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 description IRF7413ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.24 грн
52+22.54 грн
143+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7416qpbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.38 грн
10+57.02 грн
25+48.42 грн
100+40.45 грн
250+36.12 грн
500+33.16 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc IRF7425TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.16 грн
19+63.96 грн
51+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
25+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25 description IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.83 грн
20+61.01 грн
53+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27 IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.69 грн
27+44.58 грн
73+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF IRF8010PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8010.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.45 грн
5+100.15 грн
10+89.55 грн
50+75.77 грн
100+70.85 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1 IRF8714TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.77 грн
10+39.85 грн
100+25.68 грн
250+22.04 грн
500+19.68 грн
1000+17.61 грн
2000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d IRF8734TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+76.83 грн
36+32.97 грн
98+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF IRF9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+97.80 грн
50+66.52 грн
100+57.47 грн
250+48.42 грн
500+43.40 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf IRF9389TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+66.45 грн
49+24.11 грн
134+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3 IRF9393TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+65.49 грн
54+21.65 грн
149+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9530n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+84.78 грн
10+52.63 грн
25+46.64 грн
50+43.69 грн
100+40.84 грн
250+37.30 грн
500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF IRF9540NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540nspbf.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.59 грн
10+163.51 грн
50+134.82 грн
100+125.96 грн
500+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF IRF9540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9540n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.04 грн
10+86.66 грн
25+68.49 грн
50+56.78 грн
100+47.43 грн
250+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf9z24n.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.51 грн
50+36.89 грн
100+32.97 грн
250+29.52 грн
500+27.06 грн
1000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF IRFB260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.83 грн
5+114.45 грн
10+104.31 грн
25+97.42 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.91 грн
10+199.27 грн
100+167.29 грн
250+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.25 грн
10+126.72 грн
50+118.09 грн
500+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.41 грн
10+84.82 грн
100+62.98 грн
250+57.08 грн
500+53.14 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.23 грн
10+115.48 грн
50+98.41 грн
100+92.50 грн
250+83.65 грн
500+77.74 грн
750+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.66 грн
5+213.58 грн
10+188.94 грн
25+169.26 грн
50+155.48 грн
100+140.72 грн
125+137.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40B207 irf40b207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e2f8fd1971
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF40B207 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+317.93 грн
24+48.81 грн
50+46.80 грн
66+46.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF40R207 IRF40R207.pdf
IRF40R207
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 5.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 64A
Power dissipation: 83W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 516 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
10+45.17 грн
50+36.51 грн
100+33.66 грн
250+29.92 грн
500+27.26 грн
1000+25.39 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7AF6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4104.pdf?ci_sign=13dddd15d243d1a7f4c02de7c9114bd8bbce11a4
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Technology: HEXFET®
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 68nC
On-state resistance: 5.5mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+90.95 грн
50+74.79 грн
100+68.88 грн
200+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description irf4905spbf.pdf
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.13 грн
5+119.56 грн
10+108.25 грн
25+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF irf4905.pdf
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.61 грн
10+122.63 грн
25+104.31 грн
50+95.45 грн
100+87.58 грн
250+78.73 грн
500+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description IRF4905STRLPBF.pdf
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3043 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+281.90 грн
10+178.84 грн
50+137.77 грн
100+125.96 грн
250+112.18 грн
500+102.34 грн
800+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.63 грн
10+33.31 грн
25+28.93 грн
50+27.06 грн
100+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210PBF irf5210.pdf
IRF5210PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.86 грн
10+134.89 грн
25+118.09 грн
50+108.25 грн
100+100.38 грн
500+82.66 грн
1000+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 553 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.54 грн
5+198.25 грн
10+160.40 грн
100+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Gate charge: 42nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.74 грн
10+80.83 грн
25+66.82 грн
50+58.75 грн
100+52.06 грн
200+47.04 грн
250+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.79 грн
10+104.85 грн
50+74.69 грн
100+66.42 грн
250+58.06 грн
500+53.04 грн
800+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Gate charge: 24.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3413 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.00 грн
10+52.22 грн
25+46.05 грн
50+42.91 грн
100+39.95 грн
250+36.12 грн
500+33.36 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 357 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+91.14 грн
10+68.47 грн
100+50.48 грн
200+45.86 грн
250+44.38 грн
500+39.85 грн
800+36.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.94 грн
10+51.40 грн
25+45.37 грн
50+42.81 грн
100+40.54 грн
200+38.67 грн
250+37.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540ZPBF description irf540z.pdf
IRF540ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 92W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 92W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 26.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.71 грн
10+52.22 грн
20+48.12 грн
50+45.17 грн
100+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.09 грн
10+31.68 грн
11+27.16 грн
50+18.89 грн
100+16.14 грн
250+14.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.91 грн
13+24.32 грн
15+19.78 грн
100+14.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.15 грн
13+25.45 грн
50+18.60 грн
100+16.83 грн
500+13.68 грн
1000+12.79 грн
1500+12.30 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NPBF description irf630n.pdf
IRF630NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.3Ω
Gate charge: 23.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF630NSTRLPBF irf630npbf.pdf
IRF630NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NPBF irf640n.pdf
IRF640NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 44.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 696 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.26 грн
10+68.06 грн
25+52.25 грн
50+43.79 грн
100+37.89 грн
250+33.06 грн
500+31.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF640NSTRLPBF irf640npbf.pdf
IRF640NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 150W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+79.51 грн
50+61.31 грн
100+55.80 грн
250+49.40 грн
800+42.22 грн
1600+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBF description irf7103pbf.pdf
IRF7103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 50V; 3A; 2W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2W
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3785 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.78 грн
5+65.20 грн
10+52.06 грн
20+41.72 грн
50+31.39 грн
100+26.27 грн
200+23.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7103TRPBFXTMA1 irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Case: SO8
Polarisation: unipolar
Drain current: 3A
Drain-source voltage: 50V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3872 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.78 грн
10+51.30 грн
100+33.26 грн
500+25.88 грн
1000+23.42 грн
2000+21.26 грн
4000+19.39 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7105TRPBF description irf7105pbf.pdf
IRF7105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 25/-25V; 3.5/-2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25/-25V
Drain current: 3.5/-2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1/0.25Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2778 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.93 грн
10+36.07 грн
25+29.03 грн
50+25.39 грн
100+22.44 грн
250+19.58 грн
500+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7205TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F73B8475059F1A303005056AB0C4F&compId=irf7205pbf.pdf?ci_sign=9c16f80a8aabbea691f6d1023906fcaa71ff4780
IRF7205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4.6A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.6A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1505 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+46.63 грн
50+39.34 грн
100+34.74 грн
250+30.01 грн
500+26.67 грн
1000+23.91 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7241TRPBF description irf7241pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1a5de1af4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7241TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 869 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.34 грн
26+45.37 грн
71+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7306TRPBF description irf7306pbf.pdf
IRF7306TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.10 грн
10+72.15 грн
50+49.40 грн
100+43.10 грн
250+36.71 грн
500+32.97 грн
1000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7309TRPBF description irf7309pbf.pdf
IRF7309TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2205 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.84 грн
10+55.90 грн
50+42.12 грн
100+37.89 грн
200+34.15 грн
500+30.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7313TRPBF description irf7313pbf.pdf
IRF7313TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 6.5A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 6.5A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.60 грн
10+55.49 грн
100+35.72 грн
250+30.70 грн
500+27.75 грн
1000+25.09 грн
2000+22.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3129 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
10+78.28 грн
50+53.73 грн
100+46.74 грн
200+41.23 грн
500+35.72 грн
1000+32.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341GTRPBF irf7341gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f63e9b1b5f
IRF7341GTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 5.1A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 5.1A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2983 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.56 грн
10+115.48 грн
25+94.47 грн
50+83.65 грн
100+75.77 грн
250+67.90 грн
500+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7341TRPBFXTMA1 infineon-irf7341-datasheet-en.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.7A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.7A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.04 грн
10+66.32 грн
100+43.50 грн
250+37.69 грн
500+33.95 грн
1000+30.70 грн
2000+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf
IRF7342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -55V; -3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4092 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.45 грн
10+75.32 грн
25+62.09 грн
100+50.19 грн
250+44.28 грн
500+40.64 грн
1000+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 55/-55V; 4.7/-3.4A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55/-55V
Drain current: 4.7/-3.4A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 50/105mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5968 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.86 грн
10+72.86 грн
25+59.04 грн
100+45.66 грн
250+39.26 грн
500+35.43 грн
1000+32.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7351TRPBF irf7351pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f6acf81b7b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7351TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.15 грн
26+45.46 грн
71+43.00 грн
4000+42.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2.5W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3856 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
10+66.53 грн
100+50.19 грн
500+39.85 грн
1000+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7413ZTRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.24 грн
52+22.54 грн
143+21.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7416TRPBF irf7416qpbf.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -10A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -10A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4169 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
10+57.02 грн
25+48.42 грн
100+40.45 грн
250+36.12 грн
500+33.16 грн
1000+30.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7425TRPBF irf7425pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fb1c361bdc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7425TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.16 грн
19+63.96 грн
51+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
25+54.37 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7842TRPBF description irf7842pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c44c41d25
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7842TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.83 грн
20+61.01 грн
53+58.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7853TRPBF irf7853pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560c4d2f1d27
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF7853TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2502 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.69 грн
27+44.58 грн
73+42.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8010PBF description irf8010.pdf
IRF8010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 260W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 260W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 15mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 81nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 499 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.45 грн
5+100.15 грн
10+89.55 грн
50+75.77 грн
100+70.85 грн
500+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8714TRPBFXTMA1
IRF8714TRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 14A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Drain current: 14A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.77 грн
10+39.85 грн
100+25.68 грн
250+22.04 грн
500+19.68 грн
1000+17.61 грн
2000+17.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF8734TRPBF irf8734pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153560d97fd1d7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF8734TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3009 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+76.83 грн
36+32.97 грн
98+31.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9310TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221AF185413D2F1A303005056AB0C4F&compId=irf9310pbf.pdf?ci_sign=e3a7f7b06c7da9c24a173beec3710b94b88c4fe4
IRF9310TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -20A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -20A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 606 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+97.80 грн
50+66.52 грн
100+57.47 грн
250+48.42 грн
500+43.40 грн
1000+39.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9389TRPBF irf9389pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561178901daf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9389TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.45 грн
49+24.11 грн
134+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9393TRPBF irf9393pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535611877d1db3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF9393TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 4041 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+65.49 грн
54+21.65 грн
149+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF irf9530n.pdf
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.78 грн
10+52.63 грн
25+46.64 грн
50+43.69 грн
100+40.84 грн
250+37.30 грн
500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NLPBF irf9540nspbf.pdf
IRF9540NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.59 грн
10+163.51 грн
50+134.82 грн
100+125.96 грн
500+108.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9540NPBF irf9540n.pdf
IRF9540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -23A; 140W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -23A
Gate charge: 64.7nC
On-state resistance: 0.117Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 140W
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2328 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.04 грн
10+86.66 грн
25+68.49 грн
50+56.78 грн
100+47.43 грн
250+46.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF irf9z24n.pdf
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.7nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 461 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.51 грн
50+36.89 грн
100+32.97 грн
250+29.52 грн
500+27.06 грн
1000+25.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBF irfb260n.pdf
IRFB260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 56A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 56A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.83 грн
5+114.45 грн
10+104.31 грн
25+97.42 грн
50+93.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
10+199.27 грн
100+167.29 грн
250+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.25 грн
10+126.72 грн
50+118.09 грн
500+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
10+84.82 грн
100+62.98 грн
250+57.08 грн
500+53.14 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.23 грн
10+115.48 грн
50+98.41 грн
100+92.50 грн
250+83.65 грн
500+77.74 грн
750+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]