Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149640) > Сторінка 1275 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 410nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 330W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+311.43 грн
25+207.59 грн
100+188.26 грн
500+182.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.41 грн
25+205.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF IRFP3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.31 грн
10+201.55 грн
25+158.18 грн
50+135.86 грн
100+123.24 грн
125+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.37 грн
10+171.32 грн
25+155.27 грн
100+142.65 грн
400+131.01 грн
800+124.21 грн
2800+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.37 грн
10+240.85 грн
25+192.14 грн
50+190.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF IRFP3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 IRFP4110PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+308.29 грн
10+230.77 грн
25+184.38 грн
100+139.74 грн
250+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000 IRFP4127PBF THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+314.56 грн
6+223.19 грн
15+211.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4137PBF IRFP4137PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE74FCBCE55EA&compId=IRFP4137PBF.pdf?ci_sign=8fda3d727ad858b6c5b1d550361679c914412366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 341W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+366.82 грн
5+318.44 грн
25+272.69 грн
100+239.69 грн
400+231.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4229PBF IRFP4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBF IRFP4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.63 грн
10+104.80 грн
25+89.28 грн
50+81.51 грн
100+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c4f802011 IRFP4321PBF THT N channel transistors
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.14 грн
7+176.61 грн
18+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 IRFP4368PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+540.30 грн
10+405.11 грн
25+324.12 грн
50+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF IRFP4468PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+686.60 грн
25+255.96 грн
100+227.08 грн
125+224.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF IRFP4568PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+381.45 грн
25+316.43 грн
50+267.83 грн
100+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 IRFP4768PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+355.32 грн
10+255.96 грн
25+224.17 грн
100+196.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF IRFP4868PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+561.20 грн
3+533.09 грн
6+498.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF IRFP7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.52 грн
10+166.28 грн
25+145.56 грн
50+134.89 грн
100+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.01 грн
2+296.27 грн
25+212.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029 IRFP7537PBF THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.82 грн
9+132.95 грн
24+126.15 грн
500+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF IRFP90N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+483.86 грн
10+292.24 грн
25+262.98 грн
100+236.78 грн
125+231.93 грн
250+220.28 грн
400+211.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140NPBF IRFP9140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+27.61 грн
50+25.52 грн
100+24.45 грн
250+23.29 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF IRFR1205TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+33.05 грн
20+29.99 грн
50+27.37 грн
100+25.52 грн
200+23.68 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF IRFR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 9.1A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
10+40.31 грн
50+33.58 грн
100+31.54 грн
250+28.92 грн
500+27.07 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr220npbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.83 грн
5+68.73 грн
10+58.03 грн
50+41.82 грн
100+36.58 грн
500+27.46 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF IRFR3710ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+144.22 грн
5+116.29 грн
10+100.15 грн
25+85.40 грн
50+75.69 грн
100+67.54 грн
250+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF IRFR3806TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3806pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+102.42 грн
10+75.38 грн
50+54.34 грн
100+47.94 грн
250+41.15 грн
500+37.07 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4451FC688F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3910pbf.pdf?ci_sign=fc030bc5c689d70170e8b659f1ec026a659ed3e5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+41.80 грн
50+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
10+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF IRFR4620TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4620pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.83 грн
10+136.04 грн
25+109.66 грн
50+96.07 грн
100+87.34 грн
250+75.69 грн
500+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF IRFR5305TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.73 грн
10+70.74 грн
20+58.32 грн
100+43.57 грн
200+40.18 грн
500+37.26 грн
3000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF IRFR5305TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5305pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.96 грн
10+69.74 грн
25+58.22 грн
100+47.55 грн
500+38.04 грн
1000+34.84 грн
2000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.36 грн
10+81.53 грн
25+68.41 грн
100+56.09 грн
250+49.59 грн
500+45.22 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF IRFR5505TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5505.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.91 грн
10+58.85 грн
25+52.21 грн
100+46.09 грн
250+42.12 грн
500+39.20 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF IRFR6215TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.14 грн
10+92.11 грн
25+76.47 грн
100+60.17 грн
250+51.82 грн
500+46.77 грн
1000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635b9b3211f IRFR7546TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+100.33 грн
35+32.70 грн
97+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF IRFR9024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr9024npbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
10+56.23 грн
100+37.75 грн
200+33.96 грн
500+29.60 грн
1000+26.69 грн
2000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF IRFR9120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+69.84 грн
50+49.10 грн
100+43.47 грн
200+38.91 грн
250+37.65 грн
500+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF IRFS3306TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.51 грн
10+159.15 грн
20+146.53 грн
50+129.06 грн
100+117.42 грн
200+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF IRFS4127TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Drain current: 72A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+275.90 грн
10+193.49 грн
20+165.94 грн
50+141.68 грн
100+127.12 грн
200+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.95 грн
10+185.42 грн
25+161.09 грн
50+148.47 грн
100+136.83 грн
250+119.36 грн
500+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+153.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530-7ppbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+264.40 грн
10+200.54 грн
25+173.70 грн
100+146.53 грн
500+141.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+242.86 грн
10+200.88 грн
20+186.32 грн
50+167.88 грн
100+154.30 грн
250+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF IRFSL4010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+361.59 грн
10+266.04 грн
25+191.17 грн
100+145.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF IRFSL7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.02 грн
10+88.68 грн
25+79.57 грн
50+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF IRFTS8342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.35 грн
13+23.98 грн
15+20.28 грн
100+13.68 грн
250+12.03 грн
500+11.06 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d IRFU120NPBF THT N channel transistors
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.29 грн
29+40.08 грн
79+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBF IRFU220NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+88.83 грн
10+67.52 грн
75+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df description IRFU3910PBF THT N channel transistors
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.63 грн
28+41.34 грн
77+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.43 грн
5+111.86 грн
10+98.98 грн
50+81.51 грн
75+77.63 грн
150+69.87 грн
450+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF IRFU5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
10+53.21 грн
25+46.09 грн
75+39.30 грн
150+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF IRFU9024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 38W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+51.21 грн
10+41.01 грн
25+36.68 грн
75+33.48 грн
150+31.44 грн
375+28.82 грн
525+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF IRFZ24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+30.64 грн
25+27.75 грн
50+26.49 грн
100+25.33 грн
500+22.42 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF IRFZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfz34n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.49 грн
50+30.84 грн
100+28.24 грн
250+26.20 грн
500+24.55 грн
1000+22.80 грн
1250+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFZ44Npbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.51 грн
10+61.07 грн
25+51.14 грн
50+46.09 грн
100+41.63 грн
250+36.39 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF IRFZ46NLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.60 грн
4+93.72 грн
10+74.72 грн
50+67.93 грн
250+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF IRFZ46NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+74.20 грн
10+56.63 грн
25+47.74 грн
50+42.99 грн
100+38.72 грн
250+33.77 грн
500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.91 грн
10+89.69 грн
50+74.72 грн
100+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Polarisation: unipolar
Case: TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Gate charge: 410nC
On-state resistance: 4.5mΩ
Power dissipation: 330W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.43 грн
25+207.59 грн
100+188.26 грн
500+182.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.41 грн
25+205.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAE2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3206pbf.pdf?ci_sign=2ef9fa9035d9ed3b666b2138b0e0fedc28184ff0
IRFP3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 200A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 200A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.31 грн
10+201.55 грн
25+158.18 грн
50+135.86 грн
100+123.24 грн
125+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.37 грн
10+171.32 грн
25+155.27 грн
100+142.65 грн
400+131.01 грн
800+124.21 грн
2800+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.37 грн
10+240.85 грн
25+192.14 грн
50+190.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3710PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB05F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3710.pdf?ci_sign=0d505afbb98c91b5b4639168accbe9a1a6198538
IRFP3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 51A; 180W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 51A
Power dissipation: 180W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 66.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4110PBFXKMA1 Infineon-IRFP4110-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015356290ec51ffe
IRFP4110PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.29 грн
10+230.77 грн
25+184.38 грн
100+139.74 грн
250+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4127PBF irfp4127pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562917a42000
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4127PBF THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+314.56 грн
6+223.19 грн
15+211.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4137PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE74FCBCE55EA&compId=IRFP4137PBF.pdf?ci_sign=8fda3d727ad858b6c5b1d550361679c914412366
IRFP4137PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 38A; 341W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 83nC
On-state resistance: 56mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 38A
Drain-source voltage: 300V
Power dissipation: 341W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+366.82 грн
5+318.44 грн
25+272.69 грн
100+239.69 грн
400+231.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB21F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4229pbf.pdf?ci_sign=a0fd40e9d046581bf815839d866323c8a4e0c1fe
IRFP4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 44A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 44A
Power dissipation: 310W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACB2FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4310zpbf.pdf?ci_sign=1ae062df49e0450216242d86612a06505c4d23ec
IRFP4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 134A; 280W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 134A
Power dissipation: 280W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 102 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.63 грн
10+104.80 грн
25+89.28 грн
50+81.51 грн
100+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4321PBF irfp4321pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c4f802011
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP4321PBF THT N channel transistors
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
7+176.61 грн
18+166.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4368PBFXKMA1 Infineon-IRFP4368-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c61512015
IRFP4368PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 350A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 350A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 380nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+540.30 грн
10+405.11 грн
25+324.12 грн
50+296.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4468PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C07DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4468pbf.pdf?ci_sign=eef523c294153480bee6f3f39501fda4f4a75d12
IRFP4468PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 290A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 290A
Case: TO247AC
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 360nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 520W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 347 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.60 грн
25+255.96 грн
100+227.08 грн
125+224.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4568PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C084F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp4568pbf.pdf?ci_sign=cd4a3c3005dfa3acc21d8e71cc6c8608fe85a120
IRFP4568PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 171A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 171A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.45 грн
25+316.43 грн
50+267.83 грн
100+228.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4768PBFXKMA1 Infineon-IRFP4768-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153562c959b2021
IRFP4768PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 66A; Idm: 370A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 66A
Pulsed drain current: 370A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+355.32 грн
10+255.96 грн
25+224.17 грн
100+196.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4868PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE900C419F5EA&compId=IRFP4868PBF.pdf?ci_sign=ffb090ca678853ce73ce3547e98b6c3affefd6bd
IRFP4868PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 300V; 70A; 517W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 70A
Power dissipation: 517W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+561.20 грн
3+533.09 грн
6+498.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7430PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCEB797742D5EA&compId=IRFP7430PBF.pdf?ci_sign=00881c1d66098117f06e4885f5e79cb15cc02fd0
IRFP7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 404A; 366W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 404A
Power dissipation: 366W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 300nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.52 грн
10+166.28 грн
25+145.56 грн
50+134.89 грн
100+131.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A684F93A41EC&compId=irfp7530pbf.pdf?ci_sign=9ac261215de2ad423fa2591b6c80df9d839c61a7
IRFP7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 274nC
On-state resistance: 2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 341W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
Case: TO247AC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.01 грн
2+296.27 грн
25+212.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF irfp7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562cb6662029
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFP7537PBF THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.82 грн
9+132.95 грн
24+126.15 грн
500+125.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP90N20DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0A7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp90n20d.pdf?ci_sign=35d758d28b064f4d87903f236acbfb7653d7433c
IRFP90N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 94A; 580W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 94A
Power dissipation: 580W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+483.86 грн
10+292.24 грн
25+262.98 грн
100+236.78 грн
125+231.93 грн
250+220.28 грн
400+211.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP9140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E6B43C0AEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp9140n.pdf?ci_sign=3ac34c20dff7ec6e6196f54516d588001a1d186d
IRFP9140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -21A; 120W; TO247AC
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -21A
Power dissipation: 120W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.117Ω
Mounting: THT
Gate charge: 64.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+27.61 грн
50+25.52 грн
100+24.45 грн
250+23.29 грн
500+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR1205TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C020074448F1A303005056AB0C4F&compId=irfr1205pbf.pdf?ci_sign=ebd78e3c793ea692537d498167bbd2ef9f3ad95b
IRFR1205TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 37A; 107W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 37A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 107W
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1887 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+33.05 грн
20+29.99 грн
50+27.37 грн
100+25.52 грн
200+23.68 грн
500+21.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C03E7E09C8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr120npbf.pdf?ci_sign=7f63985421ca573e2961fdac6eac7824a6b1dc3f
IRFR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.1A; 39W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 9.1A
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 39W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1784 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
10+40.31 грн
50+33.58 грн
100+31.54 грн
250+28.92 грн
500+27.07 грн
1000+25.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF irfr220npbf.pdf
IRFR220NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2017 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.83 грн
5+68.73 грн
10+58.03 грн
50+41.82 грн
100+36.58 грн
500+27.46 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3710ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD055E8472B5EA&compId=IRFR3710ZTRPBF.pdf?ci_sign=7d07f7aee92f768313c1b0b456a26a45cfb77b9d
IRFR3710ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 56A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 56A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.22 грн
5+116.29 грн
10+100.15 грн
25+85.40 грн
50+75.69 грн
100+67.54 грн
250+58.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3806TRPBF irfr3806pbf.pdf
IRFR3806TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1848 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.42 грн
10+75.38 грн
50+54.34 грн
100+47.94 грн
250+41.15 грн
500+37.07 грн
1000+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4451FC688F1A303005056AB0C4F&compId=irfr3910pbf.pdf?ci_sign=fc030bc5c689d70170e8b659f1ec026a659ed3e5
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 121 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.80 грн
50+38.09 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDD0D220F9975EA&compId=IRFR4104TRPBF.pdf?ci_sign=830393c4e09abe5762fb941f8c9c6d4ae5a4c9c8
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 140W
Drain current: 119A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
10+64.50 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4620TRLPBF irfr4620pbf.pdf
IRFR4620TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 24A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 24A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.83 грн
10+136.04 грн
25+109.66 грн
50+96.07 грн
100+87.34 грн
250+75.69 грн
500+69.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRLPBF irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.73 грн
10+70.74 грн
20+58.32 грн
100+43.57 грн
200+40.18 грн
500+37.26 грн
3000+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5305TRPBF description irfr5305pbf.pdf
IRFR5305TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9243 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
10+69.74 грн
25+58.22 грн
100+47.55 грн
500+38.04 грн
1000+34.84 грн
2000+32.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4D45D2323F1A303005056AB0C4F&compId=irfr5410pbf.pdf?ci_sign=35e831315d487b5d5818b7c8c15b727500ec9831
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.36 грн
10+81.53 грн
25+68.41 грн
100+56.09 грн
250+49.59 грн
500+45.22 грн
1000+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5505TRPBF description irfr5505.pdf
IRFR5505TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -18A; 57W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -18A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.91 грн
10+58.85 грн
25+52.21 грн
100+46.09 грн
250+42.12 грн
500+39.20 грн
1000+36.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR6215TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C517D20416F1A303005056AB0C4F&compId=irfr6215pbf.pdf?ci_sign=bf33c014ce9fd9f0e1f0849046b1f285842f7d28
IRFR6215TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -13A; 110W; DPAK
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -13A
Power dissipation: 110W
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.14 грн
10+92.11 грн
25+76.47 грн
100+60.17 грн
250+51.82 грн
500+46.77 грн
1000+42.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR7546TRPBF irfr7546pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535635b9b3211f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFR7546TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1464 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+100.33 грн
35+32.70 грн
97+30.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9024NTRPBF description irfr9024npbf.pdf
IRFR9024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
10+56.23 грн
100+37.75 грн
200+33.96 грн
500+29.60 грн
1000+26.69 грн
2000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR9120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C58A9DBDE8F1A303005056AB0C4F&compId=irfr9120npbf.pdf?ci_sign=97754911db563eff748ba770e7a42e35041cc7f2
IRFR9120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -6.5A; 39W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -6.5A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 506 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+69.84 грн
50+49.10 грн
100+43.47 грн
200+38.91 грн
250+37.65 грн
500+34.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS3306TRLPBF irfs3306pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563682652165
IRFS3306TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 110A; Idm: 620A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 110A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 376 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.51 грн
10+159.15 грн
20+146.53 грн
50+129.06 грн
100+117.42 грн
200+110.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4127TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C80D350D83F1A303005056AB0C4F&compId=irfs4127pbf.pdf?ci_sign=c3b84bbd7abf80a7477d4d92685476a7d076ad1a
IRFS4127TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 72A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 375W
Drain current: 72A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+275.90 грн
10+193.49 грн
20+165.94 грн
50+141.68 грн
100+127.12 грн
200+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF51891A1A95EA&compId=IRFS4321TRLPBF.pdf?ci_sign=a2765fa9ff0e7e96465d26ae8fb10a38c345d12f
IRFS4321TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 330W
Drain current: 83A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 423 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.95 грн
10+185.42 грн
25+161.09 грн
50+148.47 грн
100+136.83 грн
250+119.36 грн
500+111.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF862685D275EA&compId=IRFS7437TRLPBF.pdf?ci_sign=a3f823d66bb8afd4cb57907e326fc5e790c54ebf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf
IRFS7530TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 240A; 375W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 236nC
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 444 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.40 грн
10+200.54 грн
25+173.70 грн
100+146.53 грн
500+141.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BC569945AE469&compId=IRFS7730PBF.pdf?ci_sign=e70874db5bf86843f0fde3878b11edd0ab11038e
IRFS7730TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.86 грн
10+200.88 грн
20+186.32 грн
50+167.88 грн
100+154.30 грн
250+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL4010PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C7C5DE110DF1A303005056AB0C4F&compId=irfs4010pbf.pdf?ci_sign=a979ab89e260f0c2fefc1124d2422354bfef6092
IRFSL4010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 375W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 375W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.59 грн
10+266.04 грн
25+191.17 грн
100+145.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFSL7437PBF irfs7437pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a8ca421d2
IRFSL7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; Idm: 1kA; 230W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Pulsed drain current: 1kA
Power dissipation: 230W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 225nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.02 грн
10+88.68 грн
25+79.57 грн
50+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS8342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C975B7ABC1F1A303005056AB0C4F&compId=irfts8342pbf.pdf?ci_sign=db0a5119cd5ea81bef66eb4bdb6eb86b3179e7bd
IRFTS8342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.2A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 2W
Drain current: 8.2A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+31.35 грн
13+23.98 грн
15+20.28 грн
100+13.68 грн
250+12.03 грн
500+11.06 грн
1000+10.67 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU120NPBF irfr120npbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153562d2620204d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU120NPBF THT N channel transistors
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.29 грн
29+40.08 грн
79+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU220NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E77534B81F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr220n.pdf?ci_sign=9d90063032c51c3cdaede40f8de04e9fb81e953d
IRFU220NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+88.83 грн
10+67.52 грн
75+34.06 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU3910PBF description irfr3910pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535631f05d20df
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFU3910PBF THT N channel transistors
на замовлення 314 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.63 грн
28+41.34 грн
77+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FEF8E7AC53835EA&compId=IRFU4510PBF.pdf?ci_sign=52b38537d55835881e2e9ee000aff0c490a07272
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 143W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.43 грн
5+111.86 грн
10+98.98 грн
50+81.51 грн
75+77.63 грн
150+69.87 грн
450+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU5305PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C4BBA30AFBF1A303005056AB0C4F&compId=irfr5305pbf.pdf?ci_sign=7de46f4b9e6f21d503ab5b0e162e5f7e5c9fdf70
IRFU5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -28A; 89W; IPAK
Mounting: THT
Case: IPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -28A
Power dissipation: 89W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
10+53.21 грн
25+46.09 грн
75+39.30 грн
150+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU9024NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D50559BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfr9024n.pdf?ci_sign=e676952b8a6a14a6d0b9ff8eafc4cbd4f96826fd
IRFU9024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -11A; 38W; IPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -11A
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 38W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 844 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+51.21 грн
10+41.01 грн
25+36.68 грн
75+33.48 грн
150+31.44 грн
375+28.82 грн
525+27.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ24NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055A2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz24n.pdf?ci_sign=035e258bd6fdc5de7520892f865a0f577cbf21f3
IRFZ24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 45W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 45W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 484 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+30.64 грн
25+27.75 грн
50+26.49 грн
100+25.33 грн
500+22.42 грн
1000+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NPBF irfz34n.pdf
IRFZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 26A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 26A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 548 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
50+30.84 грн
100+28.24 грн
250+26.20 грн
500+24.55 грн
1000+22.80 грн
1250+22.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPBF IRFZ44Npbf.pdf
IRFZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 49A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 49A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 42nC
On-state resistance: 17.5mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1341 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.51 грн
10+61.07 грн
25+51.14 грн
50+46.09 грн
100+41.63 грн
250+36.39 грн
500+32.80 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055F6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46ns.pdf?ci_sign=823535b9df98d9e91cdfca84dfbe6e3ff87b06ed
IRFZ46NLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 53A; 120W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 53A
Power dissipation: 120W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.60 грн
4+93.72 грн
10+74.72 грн
50+67.93 грн
250+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ46NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D5055FDF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz46n.pdf?ci_sign=93c1971f002e2dd0aa19b059e611e1bf772c02d6
IRFZ46NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 46A; 88W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 46A
Power dissipation: 88W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 165 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.20 грн
10+56.63 грн
25+47.74 грн
50+42.99 грн
100+38.72 грн
250+33.77 грн
500+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.91 грн
10+89.69 грн
50+74.72 грн
100+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]