Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148893) > Сторінка 1275 з 2482
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPP65R095C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP65R125C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP80R1K2P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP80R1K2P7 THT N channel transistors |
на замовлення 325 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP80R360P7 THT N channel transistors |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP80R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Version: ESD Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Gate-source voltage: ±20V Drain current: 7.1A On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 73W Pulsed drain current: 29A Technology: CoolMOS™ P7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP90R340C3XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP90R340C3XKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP90R800C3XKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP90R800C3XKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPS65R1K5CEAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPS65R1K5CEAKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 596 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPS70R1K4P7SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors |
на замовлення 430 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPS80R900P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK SL Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPU80R1K0CEBKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 851 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPU80R1K2P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R1K2P7 THT N channel transistors |
на замовлення 417 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPU80R1K4P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors |
на замовлення 1173 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPU80R4K5P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 1470 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPU80R600P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU80R600P7 THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPU80R900P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: THT Gate charge: 15nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 203 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPU95R2K0P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors |
на замовлення 1221 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPU95R750P7AKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD Case: IPAK Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 950V Drain current: 5.5A Gate charge: 23nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 73W Technology: CoolMOS™ P7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 147 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPW60R017C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R017C7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R031CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPW60R031CFD7 THT N channel transistors |
на замовлення 13 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R037P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R037P7 THT N channel transistors |
на замовлення 90 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R041C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 35 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R045CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R045CPFKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R060C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R060C7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R060P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R060P7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 10 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R070C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R070C6FKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R099CPAFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R099CPAFKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R099CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R099CPFKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R099P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R099P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R120P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R120P7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R125CPFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R125CPFKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R125P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R125P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R190C6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R190C6FKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 143 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW60R190P6FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW60R190P6FKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW65R110CFDFKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW65R110CFDFKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW65R420CFDFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW65R420CFDFKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW80R280P7 THT N channel transistors |
на замовлення 97 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPW90R340C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPW90R340C3XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPZ60R040C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IR11672ASTRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: flyback; push-pull; resonant LLC Kind of integrated circuit: gate driver Case: SO8 Output current: -7...2A Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Application: SMPS Kind of package: reel; tape Supply voltage: 11.4...18V DC Power: 625mW Voltage class: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2489 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IR2010PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IR2010PBF MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 21 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IR2010STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IR2010STRPBF MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 958 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IR2011SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers |
на замовлення 99 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IR2101PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 240 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2101STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 160ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2088 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2102STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 150ns Turn-on time: 160ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2103STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 150ns Turn-on time: 680ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2353 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2104PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -270...130mA Power: 1W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 247 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2104SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 297 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2104STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -270...130mA Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 680ns Turn-off time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1009 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2106SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -0.35...0.2A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-on time: 220ns Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 72 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2106STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -0.35...0.2A Power: 625mW Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-on time: 220ns Turn-off time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 591 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR21094SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -250...120mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 200ns Turn-on time: 750ns Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 16 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR21094STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO14 Output current: -250...120mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 200ns Turn-on time: 750ns Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2109PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -250...120mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 200ns Turn-on time: 750ns Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2109STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: SO8 Output current: -250...120mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Kind of package: reel; tape Voltage class: 600V Turn-off time: 200ns Turn-on time: 750ns Power: 625mW кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3718 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2110PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W Type of integrated circuit: driver Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP14 Output current: -2...2A Number of channels: 2 Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Turn-off time: 111ns Turn-on time: 145ns Power: 1.6W Supply voltage: 10...20V DC Voltage class: 500V Topology: MOSFET half-bridge кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2110SPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -2...2A Power: 1.25W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Turn-off time: 111ns Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Type of integrated circuit: driver Case: SO16-W Voltage class: 500V Kind of package: tube Turn-on time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 512 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2110STRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2 Mounting: SMD Operating temperature: -40...125°C Output current: -2...2A Power: 1.25W Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Turn-off time: 111ns Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Type of integrated circuit: driver Case: SO16-W Voltage class: 500V Kind of package: reel; tape Turn-on time: 145ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1047 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR2111PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT driversDescription: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8 Type of integrated circuit: driver Topology: MOSFET half-bridge Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Case: DIP8 Output current: -420...200mA Number of channels: 2 Supply voltage: 10...20V DC Mounting: THT Operating temperature: -40...125°C Kind of package: tube Voltage class: 600V Turn-off time: 190ns Turn-on time: 830ns Power: 1W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IPP65R095C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
IPP65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 393.98 грн |
| 5+ | 241.26 грн |
| 14+ | 228.40 грн |
| IPP65R125C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 340.74 грн |
| 6+ | 210.61 грн |
| 16+ | 199.73 грн |
| IPP80R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R1K2P7 THT N channel transistors
IPP80R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 325 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.27 грн |
| 12+ | 97.89 грн |
| 33+ | 91.96 грн |
| IPP80R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R360P7 THT N channel transistors
IPP80R360P7 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 230.00 грн |
| 6+ | 204.67 грн |
| 16+ | 193.80 грн |
| 50+ | 193.04 грн |
| IPP80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 73W
Pulsed drain current: 29A
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.1A; Idm: 29A; 73W; ESD
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 73W
Pulsed drain current: 29A
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.67 грн |
| 3+ | 165.31 грн |
| 10+ | 141.39 грн |
| 50+ | 126.56 грн |
| 250+ | 121.62 грн |
| IPP90R340C3XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP90R340C3XKSA2 THT N channel transistors
IPP90R340C3XKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 398.24 грн |
| 5+ | 241.26 грн |
| 14+ | 228.40 грн |
| IPP90R800C3XKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP90R800C3XKSA2 THT N channel transistors
IPP90R800C3XKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 220.42 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 95.91 грн |
| IPS65R1K5CEAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS65R1K5CEAKMA1 THT N channel transistors
IPS65R1K5CEAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 596 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 31.94 грн |
| 52+ | 22.64 грн |
| 143+ | 21.36 грн |
| IPS70R1K4P7SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 33.54 грн |
| 77+ | 15.33 грн |
| 211+ | 14.53 грн |
| IPS80R900P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK SL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 5+ | 61.61 грн |
| 25+ | 51.32 грн |
| 75+ | 48.35 грн |
| IPU80R1K0CEBKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 851 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 43.34 грн |
| 29+ | 41.13 грн |
| 50+ | 38.81 грн |
| IPU80R1K2P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K2P7 THT N channel transistors
IPU80R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 417 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.78 грн |
| 27+ | 43.41 грн |
| 75+ | 41.03 грн |
| IPU80R1K4P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.93 грн |
| 31+ | 37.97 грн |
| 85+ | 35.89 грн |
| 1500+ | 35.84 грн |
| IPU80R4K5P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.10 грн |
| 43+ | 27.78 грн |
| 116+ | 26.30 грн |
| IPU80R600P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R600P7 THT N channel transistors
IPU80R600P7 THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 319.45 грн |
| 8+ | 166.11 грн |
| 20+ | 157.21 грн |
| 75+ | 157.10 грн |
| IPU80R900P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: THT
Gate charge: 15nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.68 грн |
| 10+ | 87.69 грн |
| 75+ | 69.61 грн |
| 150+ | 64.37 грн |
| 375+ | 58.34 грн |
| 750+ | 53.10 грн |
| 1500+ | 48.75 грн |
| IPU95R2K0P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 58.78 грн |
| 37+ | 31.84 грн |
| 102+ | 30.06 грн |
| IPU95R750P7AKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 73W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 950V; 5.5A; 73W; IPAK; ESD
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 950V
Drain current: 5.5A
Gate charge: 23nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 73W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.01 грн |
| 5+ | 105.76 грн |
| 10+ | 91.96 грн |
| 25+ | 82.07 грн |
| 50+ | 77.12 грн |
| IPW60R017C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R017C7XKSA1 THT N channel transistors
IPW60R017C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1280.45 грн |
| 3+ | 1211.24 грн |
| IPW60R031CFD7 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R031CFD7 THT N channel transistors
IPW60R031CFD7 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1118.06 грн |
| 2+ | 864.18 грн |
| 4+ | 816.72 грн |
| IPW60R037P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R037P7 THT N channel transistors
IPW60R037P7 THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 784.77 грн |
| 3+ | 529.98 грн |
| 7+ | 500.31 грн |
| IPW60R041C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors
IPW60R041C6FKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 35 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 946.63 грн |
| 2+ | 885.93 грн |
| 4+ | 837.48 грн |
| IPW60R045CPFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R045CPFKSA1 THT N channel transistors
IPW60R045CPFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1774.83 грн |
| 2+ | 1678.92 грн |
| IPW60R060C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R060C7XKSA1 THT N channel transistors
IPW60R060C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.46 грн |
| 4+ | 386.61 грн |
| 9+ | 365.84 грн |
| IPW60R060P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R060P7XKSA1 THT N channel transistors
IPW60R060P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 10 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.46 грн |
| 4+ | 315.42 грн |
| 11+ | 297.62 грн |
| IPW60R070C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R070C6FKSA1 THT N channel transistors
IPW60R070C6FKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 826.30 грн |
| 4+ | 789.03 грн |
| IPW60R099CPAFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R099CPAFKSA1 THT N channel transistors
IPW60R099CPAFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 711.30 грн |
| 3+ | 485.48 грн |
| 7+ | 459.78 грн |
| IPW60R099CPFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R099CPFKSA1 THT N channel transistors
IPW60R099CPFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 611.21 грн |
| 3+ | 541.84 грн |
| 6+ | 512.18 грн |
| IPW60R099P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R099P6XKSA1 THT N channel transistors
IPW60R099P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 479.17 грн |
| 6+ | 217.53 грн |
| 15+ | 204.67 грн |
| IPW60R120P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R120P7XKSA1 THT N channel transistors
IPW60R120P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 266.21 грн |
| 6+ | 203.69 грн |
| 16+ | 192.81 грн |
| IPW60R125CPFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R125CPFKSA1 THT N channel transistors
IPW60R125CPFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 487.69 грн |
| 4+ | 331.24 грн |
| 10+ | 312.45 грн |
| IPW60R125P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R125P6XKSA1 THT N channel transistors
IPW60R125P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 253.43 грн |
| 8+ | 164.13 грн |
| 20+ | 155.24 грн |
| IPW60R190C6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R190C6FKSA1 THT N channel transistors
IPW60R190C6FKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 365.23 грн |
| 6+ | 214.56 грн |
| 16+ | 202.70 грн |
| IPW60R190P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R190P6FKSA1 THT N channel transistors
IPW60R190P6FKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 403.57 грн |
| 8+ | 384.63 грн |
| IPW65R110CFDFKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R110CFDFKSA2 THT N channel transistors
IPW65R110CFDFKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 547.32 грн |
| 4+ | 339.15 грн |
| 10+ | 320.36 грн |
| IPW65R420CFDFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R420CFDFKSA1 THT N channel transistors
IPW65R420CFDFKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 281.11 грн |
| 6+ | 214.56 грн |
| 16+ | 202.70 грн |
| IPW80R280P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW80R280P7 THT N channel transistors
IPW80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 329.03 грн |
| 5+ | 287.73 грн |
| 10+ | 277.23 грн |
| 12+ | 271.91 грн |
| IPW90R340C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
IPW90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 429.12 грн |
| 5+ | 279.82 грн |
| 12+ | 264.00 грн |
| IPZ60R040C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1259.69 грн |
| 3+ | 1191.46 грн |
| IR11672ASTRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Power: 625mW
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Power: 625mW
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 187.41 грн |
| 5+ | 152.99 грн |
| 10+ | 133.48 грн |
| 25+ | 118.65 грн |
| IR2010PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2010PBF MOSFET/IGBT drivers
IR2010PBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 21 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.49 грн |
| 4+ | 356.94 грн |
| 10+ | 337.17 грн |
| IR2010STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2010STRPBF MOSFET/IGBT drivers
IR2010STRPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 958 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 285.37 грн |
| 6+ | 203.69 грн |
| 16+ | 191.82 грн |
| IR2011SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers
IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 99 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.71 грн |
| 10+ | 103.71 грн |
| 30+ | 101.84 грн |
| IR2101PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.82 грн |
| 5+ | 156.07 грн |
| 10+ | 146.34 грн |
| IR2101STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 160ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2088 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 103.29 грн |
| 10+ | 72.90 грн |
| 25+ | 64.27 грн |
| 50+ | 60.31 грн |
| IR2102STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 136.30 грн |
| 10+ | 116.03 грн |
| 50+ | 93.93 грн |
| 100+ | 85.03 грн |
| 250+ | 84.04 грн |
| IR2103STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2353 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.36 грн |
| 5+ | 73.17 грн |
| 10+ | 62.29 грн |
| IR2104PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 247 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.08 грн |
| 10+ | 193.04 грн |
| 25+ | 173.03 грн |
| 50+ | 164.13 грн |
| 100+ | 156.22 грн |
| 250+ | 148.31 грн |
| IR2104SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 5+ | 135.54 грн |
| 10+ | 122.61 грн |
| 25+ | 112.72 грн |
| 50+ | 105.80 грн |
| 95+ | 101.84 грн |
| 285+ | 99.87 грн |
| IR2104STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1009 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 10+ | 75.06 грн |
| 25+ | 66.84 грн |
| 100+ | 59.03 грн |
| 250+ | 54.48 грн |
| IR2106SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 241.71 грн |
| 5+ | 209.47 грн |
| 25+ | 176.00 грн |
| 95+ | 149.30 грн |
| 190+ | 148.31 грн |
| IR2106STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 200ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 107.55 грн |
| 5+ | 91.38 грн |
| IR21094SPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.44 грн |
| 3+ | 144.78 грн |
| 10+ | 109.75 грн |
| IR21094STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 152.27 грн |
| 10+ | 106.79 грн |
| 25+ | 95.91 грн |
| 50+ | 90.97 грн |
| 100+ | 86.02 грн |
| 250+ | 82.07 грн |
| IR2109PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 256.62 грн |
| 10+ | 185.85 грн |
| 25+ | 169.08 грн |
| 50+ | 163.15 грн |
| 100+ | 157.21 грн |
| 250+ | 152.27 грн |
| IR2109STRPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.90 грн |
| 5+ | 79.06 грн |
| 10+ | 72.18 грн |
| IR2110PBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 202.28 грн |
| 10+ | 169.08 грн |
| 25+ | 156.22 грн |
| 50+ | 152.27 грн |
| IR2110SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 512 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.08 грн |
| 10+ | 208.44 грн |
| 25+ | 178.97 грн |
| 45+ | 164.13 грн |
| 135+ | 143.37 грн |
| 1980+ | 129.53 грн |
| IR2110STRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1047 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 236.39 грн |
| 10+ | 176.61 грн |
| 25+ | 155.24 грн |
| 50+ | 144.36 грн |
| 100+ | 133.48 грн |
| 250+ | 123.60 грн |
| IR2111PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.24 грн |
| 10+ | 155.05 грн |











