Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149881) > Сторінка 1274 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPA60R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA60R190P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20.2A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA60R199CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP Power dissipation: 34W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A On-state resistance: 0.199Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA60R230P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA60R250CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA60R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ E6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R280P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA60R280P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 8A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R330P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 600V Drain current: 12A On-state resistance: 0.33Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Technology: CoolMOS™ P6 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA60R380C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R380E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R380P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA60R400CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP Drain current: 10.3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 31W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPA60R450E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R600E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R600P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA65R065C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA65R095C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA65R110CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 31.2A On-state resistance: 0.11Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 34.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA65R125C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 1A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA65R150CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA65R190C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA65R190CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA65R190E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 177 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA65R225C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPA65R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 13.8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA65R310CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA65R380C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10.6A Power dissipation: 31W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA65R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A On-state resistance: 0.65Ω Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 164 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPA65R660CFDXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA70R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPA80R1K0CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA80R1K4P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 2.7A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 8.9A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 58 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA80R750P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 489 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPA80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 27W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 112 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA90R800C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 900V Drain current: 4.4A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA95R1K2P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA95R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA95R750P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPAN60R125PFD7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 16A Pulsed drain current: 66A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.235Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPAN60R210PFD7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Pulsed drain current: 42A Power dissipation: 25W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 386mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPAN60R280PFD7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 7A Pulsed drain current: 31A Power dissipation: 24W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 549mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPAN60R360PFD7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ PFD7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Pulsed drain current: 24A Power dissipation: 23W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 714mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPAN70R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 408 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPAN70R450P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 199 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPAN70R750P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: 700V Drain current: 4A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 20.8W Polarisation: unipolar Version: ESD Gate charge: 8.3nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±16V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPAN80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPAN80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPB009N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPB010N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A On-state resistance: 1mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPB011N04LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPB011N04NGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 250W Polarisation: unipolar Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO263-7 Drain-source voltage: 40V Drain current: 180A On-state resistance: 1.1mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPB014N06NATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 214W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.4mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPB015N04LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 260nC кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPB015N04NGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPB015N08N5ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 180A Power dissipation: 375W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPB016N06L3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 180A Power dissipation: 250W Case: PG-TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IPA60R190E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R190E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R190E6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 177.83 грн |
3+ | 153.38 грн |
8+ | 143.11 грн |
10+ | 137.61 грн |
21+ | 134.86 грн |
50+ | 129.35 грн |
IPA60R199CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 34W; TO220FP
Power dissipation: 34W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R230P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 246.99 грн |
9+ | 129.35 грн |
23+ | 122.93 грн |
IPA60R250CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R250CPXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R250CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R280E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ E6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 188.70 грн |
11+ | 109.56 грн |
28+ | 100.00 грн |
200+ | 96.33 грн |
IPA60R280P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R330P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; 32W; TO220FP
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.33Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ P6
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R360P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R380C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R380E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R380E6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R380P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R400CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10.3A; 31W; TO220FP
Drain current: 10.3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 31W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 106.70 грн |
10+ | 95.41 грн |
IPA60R450E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R450E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R450E6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R600E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R600E6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R600P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R650CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 126.46 грн |
16+ | 69.72 грн |
43+ | 66.05 грн |
IPA65R065C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R065C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R095C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R095C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R110CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 34.7W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
On-state resistance: 0.11Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 34.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R125C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 1A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 1A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R150CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R190C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190C7XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R190C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R190CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R190CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R190E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R190E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R190E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 177 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 293.42 грн |
7+ | 177.97 грн |
17+ | 167.88 грн |
IPA65R225C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R225C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 148.19 грн |
9+ | 133.02 грн |
23+ | 126.60 грн |
50+ | 125.75 грн |
IPA65R280E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R310CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R380C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 31W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 31W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA65R650CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
On-state resistance: 0.65Ω
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 119.54 грн |
28+ | 40.58 грн |
76+ | 36.97 грн |
5000+ | 35.59 грн |
IPA65R660CFDXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R660CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA70R360P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 113.61 грн |
19+ | 57.80 грн |
51+ | 55.04 грн |
IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 172.89 грн |
10+ | 120.99 грн |
13+ | 88.07 грн |
34+ | 83.48 грн |
500+ | 81.65 грн |
IPA80R1K4P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; Idm: 8.9A; 24W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8.9A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA80R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 202.53 грн |
9+ | 119.26 грн |
25+ | 112.84 грн |
IPA80R750P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R750P7 THT N channel transistors
IPA80R750P7 THT N channel transistors
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 152.14 грн |
16+ | 70.64 грн |
42+ | 66.97 грн |
IPA80R900P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 27W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 140.29 грн |
17+ | 66.69 грн |
46+ | 60.55 грн |
500+ | 58.71 грн |
IPA90R800C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA95R1K2P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
IPA95R1K2P7 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 155.11 грн |
16+ | 71.56 грн |
42+ | 67.89 грн |
500+ | 67.64 грн |
IPA95R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R450P7 THT N channel transistors
IPA95R450P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA95R750P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA95R750P7 THT N channel transistors
IPA95R750P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPAN60R125PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 16A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.235Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPAN60R210PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 10A; Idm: 42A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 386mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPAN60R280PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 7A; Idm: 31A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 24W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 549mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPAN60R360PFD7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ PFD7; unipolar; 650V; 6A; Idm: 24A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ PFD7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 24A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 714mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPAN70R360P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
IPAN70R360P7S THT N channel transistors
на замовлення 408 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 108.68 грн |
17+ | 65.13 грн |
45+ | 62.38 грн |
IPAN70R450P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
IPAN70R450P7S THT N channel transistors
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 98.80 грн |
18+ | 63.30 грн |
47+ | 59.63 грн |
IPAN70R750P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; 20.8W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 20.8W
Polarisation: unipolar
Version: ESD
Gate charge: 8.3nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 46.43 грн |
8+ | 39.06 грн |
10+ | 35.32 грн |
32+ | 34.04 грн |
50+ | 31.01 грн |
87+ | 30.92 грн |
IPAN80R280P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R280P7 THT N channel transistors
IPAN80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 388.27 грн |
5+ | 235.77 грн |
13+ | 222.92 грн |
IPAN80R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPAN80R360P7 THT N channel transistors
IPAN80R360P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB009N03LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
IPB009N03LGATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB010N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB011N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB011N04NGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 250W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-7
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
On-state resistance: 1.1mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB014N06NATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 355.66 грн |
8+ | 150.52 грн |
21+ | 137.61 грн |
1000+ | 132.10 грн |
IPB015N04LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 260nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB015N04NGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB015N08N5ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 180A; 375W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 180A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPB016N06L3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 250W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.