Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148457) > Сторінка 1274 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.16 грн
16+72.58 грн
44+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7 IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP034N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade84c8b17b40 IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+267.39 грн
3+227.28 грн
6+189.44 грн
16+179.32 грн
250+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP037N08N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.93 грн
10+119.37 грн
13+90.12 грн
34+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP039N04LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+101.01 грн
10+76.40 грн
19+60.69 грн
50+57.02 грн
500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.44 грн
10+120.33 грн
13+87.36 грн
34+82.76 грн
500+81.84 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 IPP041N12N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP042N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 79W
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.89 грн
10+101.23 грн
17+66.21 грн
46+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+210.94 грн
3+181.44 грн
9+134.26 грн
23+126.91 грн
250+125.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N04NG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+407.03 грн
7+178.58 грн
18+162.77 грн
500+156.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP04CN10N-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393a80d1d03d8 IPP04CN10NG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052N06L3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.63 грн
15+77.35 грн
41+70.81 грн
250+68.97 грн
500+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP052N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adebbb6487b7d IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.09 грн
3+167.12 грн
8+146.22 грн
10+145.30 грн
21+137.94 грн
50+134.26 грн
250+133.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP055N03LG-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.07 грн
10+71.62 грн
25+45.43 грн
67+42.95 грн
500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP057N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+124.78 грн
10+95.50 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP05CN10NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7 IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP062NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP062NE7N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304327b897500127f1ef299a3be0&fileId=db3a304327b897500127f1efd3323be2 IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+212.92 грн
10+113.64 грн
14+78.17 грн
39+73.57 грн
5000+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP075N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+457.54 грн
5+275.99 грн
12+251.05 грн
1000+249.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+379.30 грн
5+227.14 грн
14+215.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b IPP083N10N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358 IPP086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+647.68 грн
3+439.29 грн
7+400.03 грн
500+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3 IPP110N20NAAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP111N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+356.52 грн
3+309.41 грн
4+286.92 грн
10+277.72 грн
11+271.28 грн
50+261.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.79 грн
11+107.91 грн
29+97.48 грн
100+95.64 грн
500+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S3_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba1cd4583&ack=t IPP120N04S302 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP120N20NFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+522.90 грн
4+328.51 грн
10+298.87 грн
50+287.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP126N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+99.32 грн
10+84.60 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP12CN10LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP12CN10L-DS-v01_03-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431b0626df011b2615b04b6fd1 IPP12CN10LGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.91 грн
10+94.72 грн
12+91.04 грн
33+85.52 грн
250+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.06 грн
3+183.35 грн
7+153.57 грн
10+148.06 грн
20+145.30 грн
25+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.97 грн
7+180.49 грн
10+167.37 грн
17+164.61 грн
25+157.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP200N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP220N25NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440cad711f0178 IPP220N25NFDAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP320N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+306.02 грн
3+260.71 грн
6+217.95 грн
14+205.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b IPP410N30NAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123850733ed65ab IPP50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.14 грн
13+87.36 грн
35+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.79 грн
8+153.57 грн
20+145.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R280CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 IPP50R280CEXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R299CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123852caf2b65fc IPP50R299CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R380CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+103.00 грн
10+83.94 грн
24+46.07 грн
65+43.50 грн
5000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R500CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R520CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712 IPP50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.54 грн
6+199.59 грн
16+182.08 грн
50+174.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 IPP60R022S7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d479ac7c56893 IPP60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7 IPP60R060P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R060P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R080P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e IPP60R099C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3G-DTE.pdf
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.16 грн
16+72.58 грн
44+66.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N03LGXKSA1 Infineon-IPP034N03L-DS-v02_00-en%5B1%5D.pdf?fileId=db3a304313b8b5a60113d3c9730503e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034N03LGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 Infineon-IPP034N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014ade84c8b17b40
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP034N08N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.39 грн
3+227.28 грн
6+189.44 грн
16+179.32 грн
250+172.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N06L3GXKSA1 IPP037N06L3G-DTE.pdf
IPP037N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3G-DTE.pdf
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.93 грн
10+119.37 грн
13+90.12 грн
34+84.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPP039N04LG-DTE.pdf
IPP039N04LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 80A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 80A
On-state resistance: 3.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+101.01 грн
10+76.40 грн
19+60.69 грн
50+57.02 грн
500+55.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3G-DTE.pdf
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 420 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.44 грн
10+120.33 грн
13+87.36 грн
34+82.76 грн
500+81.84 грн
1000+79.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NAKSA1 IPP040N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP040N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP041N12N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IPP042N03LG-DTE.pdf
IPP042N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 79W
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.89 грн
10+101.23 грн
17+66.21 грн
46+62.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.94 грн
3+181.44 грн
9+134.26 грн
23+126.91 грн
250+125.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N04NGXKSA1 IPP048N04NG-DTE.pdf
IPP048N04NGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 70A; 79W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 70A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
On-state resistance: 4.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+407.03 грн
7+178.58 грн
18+162.77 грн
500+156.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP04CN10NGXKSA1 Infineon-IPP04CN10N-DS-v01_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393a80d1d03d8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP04CN10NG THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5AKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 115A; Idm: 480A; 300W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 115A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 IPP052N06L3G-DTE.pdf
IPP052N06L3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 5.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 115W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.63 грн
15+77.35 грн
41+70.81 грн
250+68.97 грн
500+68.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N08N5AKSA1 Infineon-IPP052N08N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624ad04ef9014adebbb6487b7d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N08N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3G-DTE.pdf
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.09 грн
3+167.12 грн
8+146.22 грн
10+145.30 грн
21+137.94 грн
50+134.26 грн
250+133.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IPP055N03LG-DTE.pdf
IPP055N03LGXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO220-3-1
Mounting: THT
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
On-state resistance: 5.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3-1
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.07 грн
10+71.62 грн
25+45.43 грн
67+42.95 грн
500+41.38 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP057N06N3G-DTE.pdf
IPP057N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+124.78 грн
10+95.50 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
500+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon-IPP05CN10N-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012393ad8dec03e7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP05CN10NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP060N06NAKSA1 IPP060N06NAKSA1-DTE.pdf
IPP060N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 107W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP062NE7N3GXKSA1 IPP062NE7N3_Rev2+0.pdf?folderId=db3a304327b897500127f1ef299a3be0&fileId=db3a304327b897500127f1efd3323be2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP062NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.92 грн
10+113.64 грн
14+78.17 грн
39+73.57 грн
5000+70.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 IPP075N15N3G-DTE.pdf
IPP075N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
On-state resistance: 7.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.54 грн
5+275.99 грн
12+251.05 грн
1000+249.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+379.30 грн
5+227.14 грн
14+215.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 Infineon-IPP083N10N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac56a3779202b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP083N10N5AKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP086N10N3GXKSA1 IPP086N10N3+G_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431ce5fb52011d1ac5c8fa1358
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+647.68 грн
3+439.29 грн
7+400.03 грн
500+385.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20NAAKSA1 IPP110N20NA_IPB107N20NA+Rev2.1.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043300464130130307ce52a20a3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP110N20NAAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 IPP111N15N3G-DTE.pdf
IPP111N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 226 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.52 грн
3+309.41 грн
4+286.92 грн
10+277.72 грн
11+271.28 грн
50+261.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 75A
On-state resistance: 11.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.79 грн
11+107.91 грн
29+97.48 грн
100+95.64 грн
500+94.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N04S302AKSA1 Infineon-IPP_B_I120N04S3_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304412b407950112b42ba1cd4583&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP120N04S302 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 IPP120N20NFD-DTE.pdf
IPP120N20NFDAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 84A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 84A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ FD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.90 грн
4+328.51 грн
10+298.87 грн
50+287.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3G-DTE.pdf
IPP126N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+99.32 грн
10+84.60 грн
15+73.57 грн
41+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP12CN10LGXKSA1 Infineon-IPP12CN10L-DS-v01_03-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30431b0626df011b2615b04b6fd1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP12CN10LGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.91 грн
10+94.72 грн
12+91.04 грн
33+85.52 грн
250+82.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 13.3A
On-state resistance: 0.1Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 483 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.06 грн
3+183.35 грн
7+153.57 грн
10+148.06 грн
20+145.30 грн
25+139.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3G-dte.pdf
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPP200N15N3G-DTE.pdf
IPP200N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.97 грн
7+180.49 грн
10+167.37 грн
17+164.61 грн
25+157.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N25N3GXKSA1 IPP200N25N3G-DTE.pdf
IPP200N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 64A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 64A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP220N25NFDAKSA1 DS_IPP220N25NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440cad711f0178
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP220N25NFDAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP320N20N3G-DTE.pdf
IPP320N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
On-state resistance: 32mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+306.02 грн
3+260.71 грн
6+217.95 грн
14+205.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP410N30NAKSA1 Infineon-IPP410N30N-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b2b1f572e433b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP410N30NAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1 Infineon-IPP50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123850733ed65ab
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.14 грн
13+87.36 грн
35+81.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.79 грн
8+153.57 грн
20+145.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R280CEXKSA1 IPx50R280CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R280CEXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R299CPXKSA1 Infineon-IPP50R299CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123852caf2b65fc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R299CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPP50R380CE-DTE.pdf
IPP50R380CEXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+103.00 грн
10+83.94 грн
24+46.07 грн
65+43.50 грн
5000+41.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R500CEXKSA1 Infineon-IPP50R500CE-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d429958596d9f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R500CEXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R520CPXKSA1 Infineon-IPP50R520CP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123854bec2a6712
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R520CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 139 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.54 грн
6+199.59 грн
16+182.08 грн
50+174.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R022S7XKSA1 Infineon-IPP60R022S7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626bb628d7016bc25d1085779d
IPP60R022S7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Mounting: THT
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
On-state resistance: 47mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 390W
Polarisation: unipolar
Technology: CoolMOS™ S7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 375A
Case: TO220
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R040C7XKSA1 Infineon-IPP60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d479ac7c56893
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R060P7 IPP60R060P7.pdf
IPP60R060P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 164W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 164W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R080P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R080P7 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPB60R099C6_2_1.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638933eda014b&fileId=db3a30432313ff5e012394d25bd3069e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP60R099C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]