Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149356) > Сторінка 1274 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2121PBF IR2121PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2121.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 5V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.54 грн
3+183.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF IR2125PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2125.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.48 грн
10+202.72 грн
25+185.01 грн
50+174.18 грн
100+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2125SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.97 грн
10+212.56 грн
45+195.83 грн
90+186.97 грн
270+178.12 грн
450+162.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.79 грн
5+192.12 грн
10+170.24 грн
25+166.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.54 грн
10+159.42 грн
95+132.85 грн
285+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.06 грн
3+172.70 грн
10+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+222.55 грн
10+163.51 грн
95+134.82 грн
285+123.99 грн
570+117.10 грн
1045+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 12...20V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.00 грн
10+148.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF IR2130SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130_2132.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+532.00 грн
10+413.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+472.66 грн
27+396.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+546.84 грн
10+422.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IR2133SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+712.16 грн
3+618.26 грн
10+525.49 грн
25+499.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1068.25 грн
3+928.92 грн
10+786.27 грн
27+717.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2136STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+533.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153PBF IR2153PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.47 грн
10+112.41 грн
25+100.38 грн
95+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 IR2183SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.22 грн
5+246.02 грн
10+238.11 грн
14+233.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.09 грн
10+179.86 грн
25+162.37 грн
50+155.48 грн
100+148.59 грн
500+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+255.40 грн
3+231.98 грн
10+195.83 грн
25+173.20 грн
50+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.71 грн
3+180.88 грн
10+161.39 грн
25+154.50 грн
100+137.77 грн
250+130.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -1.5...1A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+497.03 грн
10+404.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+688.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.61 грн
10+112.41 грн
25+97.42 грн
50+91.52 грн
95+86.60 грн
190+84.63 грн
1900+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+312.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
5+112.41 грн
10+96.44 грн
25+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.52 грн
10+140.00 грн
25+124.98 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.69 грн
10+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+153.67 грн
10+126.72 грн
50+107.26 грн
100+101.36 грн
250+90.53 грн
500+84.63 грн
1000+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.73 грн
10+91.97 грн
100+78.73 грн
500+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+82.66 грн
10+74.60 грн
50+60.03 грн
100+53.83 грн
200+48.32 грн
250+46.84 грн
500+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.23 грн
10+105.26 грн
50+85.61 грн
100+79.71 грн
250+72.82 грн
500+67.90 грн
800+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.54 грн
10+54.88 грн
50+49.40 грн
500+44.18 грн
2000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
10+78.69 грн
25+70.85 грн
100+62.98 грн
200+61.01 грн
250+59.04 грн
500+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891 description IRF1018EPBF THT N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.89 грн
32+37.10 грн
87+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+95.38 грн
250+83.80 грн
500+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+146.25 грн
10+105.26 грн
50+84.63 грн
100+78.73 грн
250+69.87 грн
500+62.98 грн
1000+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7 IRF1324PBF THT N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.19 грн
9+132.85 грн
25+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 IRF135B203 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+272.36 грн
9+137.77 грн
24+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.44 грн
10+211.54 грн
25+147.61 грн
250+104.31 грн
1000+103.33 грн
2000+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.20 грн
10+130.81 грн
25+99.39 грн
50+78.73 грн
100+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
10+122.63 грн
20+111.20 грн
50+102.34 грн
100+95.45 грн
200+88.57 грн
500+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
10+76.03 грн
25+67.80 грн
50+64.06 грн
100+60.62 грн
250+56.39 грн
500+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
10+123.65 грн
50+94.47 грн
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+157.91 грн
10+130.81 грн
25+100.38 грн
50+76.76 грн
100+62.00 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+196.06 грн
25+111.39 грн
50+104.31 грн
100+99.39 грн
500+90.53 грн
1000+87.58 грн
2000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+232.09 грн
5+170.66 грн
10+137.77 грн
25+109.23 грн
50+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
10+123.65 грн
50+103.33 грн
100+97.42 грн
250+89.55 грн
500+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.41 грн
10+162.37 грн
20+147.61 грн
50+126.94 грн
100+112.18 грн
200+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+198.18 грн
10+124.06 грн
50+97.03 грн
100+87.48 грн
200+77.94 грн
250+75.38 грн
500+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807z.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.42 грн
5+136.94 грн
10+116.12 грн
50+93.49 грн
100+87.58 грн
250+82.66 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
10+88.09 грн
25+73.21 грн
50+64.16 грн
100+56.68 грн
250+50.09 грн
500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.16 грн
10+114.25 грн
50+86.01 грн
100+77.54 грн
250+67.70 грн
500+61.11 грн
800+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.34 грн
10+84.51 грн
50+71.84 грн
100+67.51 грн
250+62.39 грн
500+58.06 грн
800+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+148.37 грн
10+103.21 грн
50+86.60 грн
100+81.68 грн
250+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+122.93 грн
10+104.13 грн
50+81.38 грн
100+73.21 грн
250+63.67 грн
500+57.37 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF ir2121.pdf
IR2121PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 5V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.54 грн
3+183.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF ir2125.pdf
IR2125PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.48 грн
10+202.72 грн
25+185.01 грн
50+174.18 грн
100+167.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF.pdf
IR2125SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.97 грн
10+212.56 грн
45+195.83 грн
90+186.97 грн
270+178.12 грн
450+162.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description IR21271SPBF.pdf
IR21271PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.79 грн
5+192.12 грн
10+170.24 грн
25+166.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271SPBF IR21271SPBF.pdf
IR21271SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.54 грн
10+159.42 грн
95+132.85 грн
285+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description IR21271SPBF.pdf
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.06 грн
3+172.70 грн
10+165.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.55 грн
10+163.51 грн
95+134.82 грн
285+123.99 грн
570+117.10 грн
1045+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR21271SPBF.pdf
IR2128SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 12...20V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.00 грн
10+148.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF description ir2130_2132.pdf
IR2130SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+532.00 грн
10+413.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+472.66 грн
27+396.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4
IR2132SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.84 грн
10+422.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2133SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+712.16 грн
3+618.26 грн
10+525.49 грн
25+499.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1068.25 грн
3+928.92 грн
10+786.27 грн
27+717.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136STRPBF.pdf
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153PBF description ir2153.pdf
IR2153PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Power: 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF description ir2153.pdf
IR2153SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 596 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.47 грн
10+112.41 грн
25+100.38 грн
95+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description ir2181.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2183SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.22 грн
5+246.02 грн
10+238.11 грн
14+233.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 117 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.09 грн
10+179.86 грн
25+162.37 грн
50+155.48 грн
100+148.59 грн
500+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.40 грн
3+231.98 грн
10+195.83 грн
25+173.20 грн
50+171.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2375 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.71 грн
3+180.88 грн
10+161.39 грн
25+154.50 грн
100+137.77 грн
250+130.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2214SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -1.5...1A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.03 грн
10+404.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+688.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.61 грн
10+112.41 грн
25+97.42 грн
50+91.52 грн
95+86.60 грн
190+84.63 грн
1900+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+312.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
5+112.41 грн
10+96.44 грн
25+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.52 грн
10+140.00 грн
25+124.98 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2402 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.69 грн
10+96.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.67 грн
10+126.72 грн
50+107.26 грн
100+101.36 грн
250+90.53 грн
500+84.63 грн
1000+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.73 грн
10+91.97 грн
100+78.73 грн
500+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 114 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+82.66 грн
10+74.60 грн
50+60.03 грн
100+53.83 грн
200+48.32 грн
250+46.84 грн
500+45.66 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.23 грн
10+105.26 грн
50+85.61 грн
100+79.71 грн
250+72.82 грн
500+67.90 грн
800+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.54 грн
10+54.88 грн
50+49.40 грн
500+44.18 грн
2000+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
10+78.69 грн
25+70.85 грн
100+62.98 грн
200+61.01 грн
250+59.04 грн
500+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da854e1891
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1018EPBF THT N channel transistors
на замовлення 326 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.89 грн
32+37.10 грн
87+35.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+95.38 грн
250+83.80 грн
500+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 73.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+146.25 грн
10+105.26 грн
50+84.63 грн
100+78.73 грн
250+69.87 грн
500+62.98 грн
1000+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1324PBF THT N channel transistors
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.19 грн
9+132.85 грн
25+124.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF135B203 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.36 грн
9+137.77 грн
24+129.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.44 грн
10+211.54 грн
25+147.61 грн
250+104.31 грн
1000+103.33 грн
2000+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.20 грн
10+130.81 грн
25+99.39 грн
50+78.73 грн
100+67.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 172 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
10+122.63 грн
20+111.20 грн
50+102.34 грн
100+95.45 грн
200+88.57 грн
500+79.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
10+76.03 грн
25+67.80 грн
50+64.06 грн
100+60.62 грн
250+56.39 грн
500+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 584 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
10+123.65 грн
50+94.47 грн
100+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 942 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.91 грн
10+130.81 грн
25+100.38 грн
50+76.76 грн
100+62.00 грн
500+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 261 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.06 грн
25+111.39 грн
50+104.31 грн
100+99.39 грн
500+90.53 грн
1000+87.58 грн
2000+82.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF150P221AKMA1 Infineon-IRF150P221-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46266a498f50166acab699365cd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 186A; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 186A
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf
IRF2204PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+232.09 грн
5+170.66 грн
10+137.77 грн
25+109.23 грн
50+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
10+123.65 грн
50+103.33 грн
100+97.42 грн
250+89.55 грн
500+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 729 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.41 грн
10+162.37 грн
20+147.61 грн
50+126.94 грн
100+112.18 грн
200+103.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.18 грн
10+124.06 грн
50+97.03 грн
100+87.48 грн
200+77.94 грн
250+75.38 грн
500+65.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description irf2807z.pdf
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.42 грн
5+136.94 грн
10+116.12 грн
50+93.49 грн
100+87.58 грн
250+82.66 грн
500+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
10+88.09 грн
25+73.21 грн
50+64.16 грн
100+56.68 грн
250+50.09 грн
500+47.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 793 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.16 грн
10+114.25 грн
50+86.01 грн
100+77.54 грн
250+67.70 грн
500+61.11 грн
800+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 208 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.34 грн
10+84.51 грн
50+71.84 грн
100+67.51 грн
250+62.39 грн
500+58.06 грн
800+55.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 133.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.37 грн
10+103.21 грн
50+86.60 грн
100+81.68 грн
250+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 598 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.93 грн
10+104.13 грн
50+81.38 грн
100+73.21 грн
250+63.67 грн
500+57.37 грн
1000+52.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]