Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149640) > Сторінка 1274 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.07 грн
3+152.17 грн
10+121.30 грн
50+96.07 грн
100+89.28 грн
250+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.38 грн
10+138.77 грн
20+125.18 грн
50+109.66 грн
100+99.95 грн
200+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+120.18 грн
10+78.80 грн
50+63.37 грн
100+58.61 грн
250+52.50 грн
500+48.13 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 54mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+252.90 грн
5+191.47 грн
10+162.06 грн
25+135.86 грн
50+120.33 грн
100+107.72 грн
250+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.50 грн
10+112.66 грн
25+96.46 грн
50+82.78 грн
100+68.22 грн
250+51.82 грн
500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
50+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.16 грн
10+154.18 грн
25+118.39 грн
50+91.22 грн
100+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+185.42 грн
10+172.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
25+110.85 грн
50+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.04 грн
25+117.91 грн
50+107.72 грн
100+101.89 грн
250+94.13 грн
500+89.28 грн
1000+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.11 грн
10+155.19 грн
25+121.30 грн
50+96.07 грн
100+76.66 грн
250+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF IRFB4228PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.91 грн
10+159.22 грн
50+142.65 грн
100+138.77 грн
500+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+241.41 грн
10+218.68 грн
50+161.09 грн
100+126.15 грн
250+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+187.07 грн
10+159.22 грн
25+131.01 грн
50+106.75 грн
100+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.42 грн
10+153.18 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.14 грн
10+211.62 грн
25+187.29 грн
50+172.73 грн
100+155.27 грн
250+136.83 грн
500+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.88 грн
10+161.24 грн
25+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+194.38 грн
10+114.88 грн
50+90.25 грн
100+82.48 грн
250+74.72 грн
500+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.15 грн
10+81.63 грн
25+70.84 грн
50+65.02 грн
100+60.17 грн
200+55.31 грн
250+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.36 грн
10+153.33 грн
20+146.53 грн
50+135.86 грн
100+128.09 грн
200+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+77.60 грн
10+67.93 грн
25+64.05 грн
50+60.17 грн
100+57.25 грн
200+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+209.01 грн
3+183.41 грн
10+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+116.00 грн
5+84.65 грн
10+65.99 грн
25+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 72.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+132.72 грн
10+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 300nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.33 грн
3+184.42 грн
10+129.06 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+230.96 грн
10+194.49 грн
25+153.33 грн
50+119.36 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.67 грн
10+79.11 грн
50+66.28 грн
100+62.30 грн
250+56.87 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 90nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+87.78 грн
5+63.49 грн
50+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 62nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.87 грн
10+52.10 грн
50+43.96 грн
100+41.63 грн
250+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 274nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.82 грн
10+174.67 грн
20+149.44 грн
50+124.21 грн
100+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 186nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.49 грн
10+79.61 грн
25+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 142nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.43 грн
5+124.96 грн
10+99.95 грн
25+79.57 грн
50+67.93 грн
100+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.53 грн
5+72.76 грн
10+57.84 грн
25+49.69 грн
50+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBF IRFB7546PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7546PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 58nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+77.33 грн
6+58.45 грн
50+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.35 грн
10+127.98 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.95 грн
140+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCBBFA706B75EA&compId=IRFH7440TRPBF.pdf?ci_sign=efd1156289203e6b12eeebd10aca763d039ad2e6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 104W
Drain current: 85A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.32 грн
5+89.69 грн
10+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
15+79.57 грн
40+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59 IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.56 грн
54+21.25 грн
149+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.94 грн
3+147.13 грн
5+117.42 грн
50+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+237.23 грн
5+192.48 грн
10+164.00 грн
25+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+112.87 грн
10+90.70 грн
25+77.63 грн
50+71.81 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 46W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+161.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Kind of package: tube
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.16 грн
10+155.19 грн
50+141.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.53 грн
10+72.76 грн
50+62.30 грн
100+58.90 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+127.50 грн
10+98.76 грн
50+81.51 грн
100+74.72 грн
250+67.93 грн
500+63.08 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 43.3nC
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+138.99 грн
10+116.39 грн
25+97.82 грн
50+86.08 грн
100+75.11 грн
500+56.58 грн
750+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+52.25 грн
10+35.88 грн
50+29.60 грн
100+27.66 грн
500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+20.90 грн
19+16.73 грн
21+14.07 грн
100+8.93 грн
500+6.89 грн
1000+6.31 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+226.78 грн
10+185.42 грн
25+149.44 грн
50+128.09 грн
100+114.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF IRFP064NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp064n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+201.70 грн
5+165.27 грн
10+142.65 грн
15+132.95 грн
25+122.27 грн
100+98.01 грн
400+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF IRFP1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 310W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.14 грн
5+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF IRFP140NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.25 грн
10+111.86 грн
25+98.98 грн
50+93.16 грн
100+87.34 грн
250+79.57 грн
400+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF IRFP150NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp150n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.44 грн
10+113.87 грн
25+100.92 грн
50+95.10 грн
100+88.31 грн
250+80.54 грн
400+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
10+141.08 грн
25+111.60 грн
50+98.01 грн
100+88.31 грн
125+85.40 грн
250+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.36 грн
10+152.17 грн
25+134.89 грн
50+127.12 грн
100+119.36 грн
400+104.80 грн
500+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+265.44 грн
5+187.44 грн
10+150.41 грн
25+123.24 грн
50+110.63 грн
100+102.86 грн
500+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+363.68 грн
10+203.56 грн
25+181.47 грн
50+171.76 грн
100+161.09 грн
125+159.15 грн
250+148.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.07 грн
3+152.17 грн
10+121.30 грн
50+96.07 грн
100+89.28 грн
250+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6DBF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307zpbf.pdf?ci_sign=745ca6cfbb3bee6d11b93d0f36d18bb15218eaea
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.38 грн
10+138.77 грн
20+125.18 грн
50+109.66 грн
100+99.95 грн
200+91.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF irfs3607pbf.pdf
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+120.18 грн
10+78.80 грн
50+63.37 грн
100+58.61 грн
250+52.50 грн
500+48.13 грн
1000+43.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 54mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+252.90 грн
5+191.47 грн
10+162.06 грн
25+135.86 грн
50+120.33 грн
100+107.72 грн
250+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.50 грн
10+112.66 грн
25+96.46 грн
50+82.78 грн
100+68.22 грн
250+51.82 грн
500+43.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B70CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4020pbf.pdf?ci_sign=da17b13cfdcfe4ba2c35db0a367f16527501b197
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
50+76.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 695 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.16 грн
10+154.18 грн
25+118.39 грн
50+91.22 грн
100+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 454 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.42 грн
10+172.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
25+110.85 грн
50+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.04 грн
25+117.91 грн
50+107.72 грн
100+101.89 грн
250+94.13 грн
500+89.28 грн
1000+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.11 грн
10+155.19 грн
25+121.30 грн
50+96.07 грн
100+76.66 грн
250+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33
IRFB4228PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.91 грн
10+159.22 грн
50+142.65 грн
100+138.77 грн
500+136.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.41 грн
10+218.68 грн
50+161.09 грн
100+126.15 грн
250+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A45F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4310.pdf?ci_sign=5f019cb77481638d1fb392219f3c0e042cb82bb2
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 244 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+187.07 грн
10+159.22 грн
25+131.01 грн
50+106.75 грн
100+104.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A4CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4310zpbf.pdf?ci_sign=3b66071c2947244729f80c74ae0a1ee1680ad33d
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.42 грн
10+153.18 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
10+211.62 грн
25+187.29 грн
50+172.73 грн
100+155.27 грн
250+136.83 грн
500+125.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.88 грн
10+161.24 грн
25+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+194.38 грн
10+114.88 грн
50+90.25 грн
100+82.48 грн
250+74.72 грн
500+71.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.15 грн
10+81.63 грн
25+70.84 грн
50+65.02 грн
100+60.17 грн
200+55.31 грн
250+54.34 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.36 грн
10+153.33 грн
20+146.53 грн
50+135.86 грн
100+128.09 грн
200+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+77.60 грн
10+67.93 грн
25+64.05 грн
50+60.17 грн
100+57.25 грн
200+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+209.01 грн
3+183.41 грн
10+150.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.00 грн
5+84.65 грн
10+65.99 грн
25+64.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 72.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.72 грн
10+119.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 300nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.33 грн
3+184.42 грн
10+129.06 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14
IRFB7434PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.96 грн
10+194.49 грн
25+153.33 грн
50+119.36 грн
100+99.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.67 грн
10+79.11 грн
50+66.28 грн
100+62.30 грн
250+56.87 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 90nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+87.78 грн
5+63.49 грн
50+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 62nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.87 грн
10+52.10 грн
50+43.96 грн
100+41.63 грн
250+41.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 274nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.82 грн
10+174.67 грн
20+149.44 грн
50+124.21 грн
100+115.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf
IRFB7534PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 186nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.49 грн
10+79.61 грн
25+73.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF irfs7537pbf.pdf
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 142nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 157 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.43 грн
5+124.96 грн
10+99.95 грн
25+79.57 грн
50+67.93 грн
100+65.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF.pdf
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.53 грн
5+72.76 грн
10+57.84 грн
25+49.69 грн
50+46.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBF IRFB7546PBF.pdf
IRFB7546PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 58nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+77.33 грн
6+58.45 грн
50+52.40 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.35 грн
10+127.98 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1647 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.95 грн
140+21.35 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCBBFA706B75EA&compId=IRFH7440TRPBF.pdf?ci_sign=efd1156289203e6b12eeebd10aca763d039ad2e6
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Mounting: SMD
Trade name: StrongIRFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 92nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 104W
Drain current: 85A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Case: PQFN5X6
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.32 грн
5+89.69 грн
10+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
15+79.57 грн
40+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBF irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.56 грн
54+21.25 грн
149+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52
IRFI1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.94 грн
3+147.13 грн
5+117.42 грн
50+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+237.23 грн
5+192.48 грн
10+164.00 грн
25+145.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Case: TO220-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 58mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 44A
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+112.87 грн
10+90.70 грн
25+77.63 грн
50+71.81 грн
100+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4321PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1
IRFI4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 46W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+161.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2
IRFI4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Kind of package: tube
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.16 грн
10+155.19 грн
50+141.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817
IRFI530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.53 грн
10+72.76 грн
50+62.30 грн
100+58.90 грн
500+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
IRFI540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Gate charge: 62.7nC
On-state resistance: 52mΩ
Power dissipation: 42W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+127.50 грн
10+98.76 грн
50+81.51 грн
100+74.72 грн
250+67.93 грн
500+63.08 грн
1000+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ44NPBF irfiz44n.pdf
IRFIZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 43.3nC
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+138.99 грн
10+116.39 грн
25+97.82 грн
50+86.08 грн
100+75.11 грн
500+56.58 грн
750+53.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BDC8CA1D8FF1A303005056AB0C4F&compId=irfl4105pbf.pdf?ci_sign=d9a4fd47158d122281f0b3beebd5ed2729db0339
IRFL4105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.7A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.7A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.25 грн
10+35.88 грн
50+29.60 грн
100+27.66 грн
500+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BE17A30519F1A303005056AB0C4F&compId=irfml8244pbf.pdf?ci_sign=af2734a37e55aa8f941c567ed413359dae2c08ef
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4916 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+20.90 грн
19+16.73 грн
21+14.07 грн
100+8.93 грн
500+6.89 грн
1000+6.31 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.78 грн
10+185.42 грн
25+149.44 грн
50+128.09 грн
100+114.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP064NPBF irfp064n.pdf
IRFP064NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 98A; 150W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 98A
Power dissipation: 150W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+201.70 грн
5+165.27 грн
10+142.65 грн
15+132.95 грн
25+122.27 грн
100+98.01 грн
400+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP1405PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B2A151B7CBBF4A15&compId=irfp1405pbf.pdf?ci_sign=dc842e80b63cc194f40a38909618016841365ed4
IRFP1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 310W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Gate charge: 180nC
On-state resistance: 5.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 310W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
5+196.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP140NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAA3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp140n.pdf?ci_sign=fcc855513258caba7b984ad9c289a988f08e4045
IRFP140NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 27A; 94W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 27A
Power dissipation: 94W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.25 грн
10+111.86 грн
25+98.98 грн
50+93.16 грн
100+87.34 грн
250+79.57 грн
400+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP150NPBF description irfp150n.pdf
IRFP150NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 160W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 30A
Power dissipation: 160W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.44 грн
10+113.87 грн
25+100.92 грн
50+95.10 грн
100+88.31 грн
250+80.54 грн
400+75.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 303 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
10+141.08 грн
25+111.60 грн
50+98.01 грн
100+88.31 грн
125+85.40 грн
250+82.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 956 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.36 грн
10+152.17 грн
25+134.89 грн
50+127.12 грн
100+119.36 грн
400+104.80 грн
500+102.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 162 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.44 грн
5+187.44 грн
10+150.41 грн
25+123.24 грн
50+110.63 грн
100+102.86 грн
500+96.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 215 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+363.68 грн
10+203.56 грн
25+181.47 грн
50+171.76 грн
100+161.09 грн
125+159.15 грн
250+148.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]