Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149449) > Сторінка 1276 з 2491

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFB3004PBF IRFB3004PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.91 грн
10+199.27 грн
100+167.29 грн
250+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF IRFB3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3006pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF IRFB3077PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3077pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+217.25 грн
10+126.72 грн
50+118.09 грн
500+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+131.41 грн
10+84.82 грн
100+62.98 грн
250+57.08 грн
500+53.14 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3206pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.23 грн
10+115.48 грн
50+98.41 грн
100+92.50 грн
250+83.65 грн
500+77.74 грн
750+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF IRFB3207PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF IRFB3207ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3207zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.32 грн
10+140.00 грн
20+116.12 грн
50+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF IRFB3306PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3306pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+162.14 грн
10+145.11 грн
25+124.98 грн
50+108.25 грн
100+90.53 грн
250+71.84 грн
500+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF IRFB3307PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.70 грн
3+154.31 грн
10+123.01 грн
50+97.42 грн
100+90.53 грн
250+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF IRFB3307ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3307zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+181.90 грн
10+140.72 грн
20+126.94 грн
50+111.20 грн
100+101.36 грн
200+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs3607pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+119.75 грн
5+69.69 грн
10+58.55 грн
50+45.96 грн
100+42.51 грн
250+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF IRFB3806PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.87 грн
10+79.91 грн
50+64.26 грн
100+59.44 грн
250+53.24 грн
500+48.81 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 54mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.46 грн
5+194.16 грн
10+164.34 грн
25+137.77 грн
50+122.02 грн
100+109.23 грн
250+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF IRFB4019PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.29 грн
10+114.25 грн
25+97.82 грн
50+83.94 грн
100+69.18 грн
250+52.55 грн
500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF IRFB4020PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4020pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+104.92 грн
50+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.82 грн
10+156.35 грн
25+120.06 грн
50+92.50 грн
100+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4115.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.03 грн
10+175.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF IRFB4127PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4127pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+128.23 грн
25+112.41 грн
50+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF IRFB4227PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
25+119.56 грн
50+109.23 грн
100+103.33 грн
250+95.45 грн
500+90.53 грн
1000+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 IRFB4227PBFXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+190.76 грн
10+157.38 грн
25+123.01 грн
50+97.42 грн
100+77.74 грн
250+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF IRFB4228PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+233.15 грн
10+161.46 грн
50+144.66 грн
100+140.72 грн
500+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+244.81 грн
10+221.76 грн
50+163.36 грн
100+127.93 грн
250+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF IRFB4310PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+189.70 грн
10+161.46 грн
25+132.85 грн
50+108.25 грн
100+106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF IRFB4310ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4310zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+221.49 грн
10+155.33 грн
50+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+238.45 грн
10+214.60 грн
25+189.93 грн
50+175.16 грн
100+157.45 грн
250+138.75 грн
500+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.77 грн
10+163.51 грн
25+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF IRFB4410PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.12 грн
10+116.50 грн
50+91.52 грн
100+83.65 грн
250+75.77 грн
500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF IRFB4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4410zpbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.02 грн
3+141.02 грн
10+101.36 грн
20+88.57 грн
50+74.79 грн
100+67.90 грн
200+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF IRFB4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
10+82.78 грн
25+71.84 грн
50+65.93 грн
100+61.01 грн
200+56.09 грн
250+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF IRFB4610PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+179.86 грн
10+155.48 грн
20+148.59 грн
50+137.77 грн
100+129.90 грн
200+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF IRFB4615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+78.69 грн
10+68.88 грн
25+64.95 грн
50+61.01 грн
100+58.06 грн
200+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF IRFB4620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+211.95 грн
3+185.99 грн
10+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF IRFB52N15DPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.63 грн
5+85.84 грн
10+66.92 грн
25+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF IRFB5620PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 72.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.59 грн
10+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7430PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 300nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.37 грн
3+187.01 грн
10+130.88 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+156.85 грн
10+80.22 грн
50+67.21 грн
100+63.18 грн
250+57.67 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 90nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+89.02 грн
5+64.38 грн
50+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 274nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.15 грн
10+177.13 грн
20+151.55 грн
50+125.96 грн
100+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF IRFB7534PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7534pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 186nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.61 грн
10+80.73 грн
25+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF IRFB7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7537pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.86 грн
5+126.72 грн
10+101.36 грн
25+80.69 грн
50+68.88 грн
100+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7540PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+153.67 грн
5+73.78 грн
10+58.65 грн
25+50.38 грн
50+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb7545pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.87 грн
10+41.59 грн
50+35.23 грн
100+33.16 грн
250+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBF IRFB7546PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7546PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 58nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+78.42 грн
6+59.27 грн
50+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7730PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+149.43 грн
10+129.78 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.98 грн
51+23.03 грн
100+21.77 грн
140+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed IRFH7440TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
14+83.65 грн
39+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27 IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+154.73 грн
15+81.68 грн
40+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59 IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+69.52 грн
55+21.55 грн
150+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF IRFI1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+163.20 грн
3+149.20 грн
5+119.07 грн
50+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF IRFI3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.57 грн
5+195.19 грн
10+166.31 грн
25+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Mounting: THT
Case: TO220-5
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.45 грн
10+91.97 грн
25+78.73 грн
50+72.82 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4321PBF IRFI4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 46W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF IRFI4410ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Kind of package: tube
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.82 грн
10+157.38 грн
50+143.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF IRFI530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+153.67 грн
10+73.78 грн
50+63.18 грн
100+59.73 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF IRFI540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfi540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.29 грн
10+100.15 грн
50+82.66 грн
100+75.77 грн
250+68.88 грн
500+63.96 грн
1000+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ44NPBF IRFIZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfiz44n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 43.3nC
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.95 грн
10+118.03 грн
25+99.19 грн
50+87.29 грн
100+76.17 грн
500+57.37 грн
750+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8 IRFL4105TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+60.62 грн
41+29.13 грн
111+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF IRFML8244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfml8244pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
15+21.20 грн
19+16.96 грн
21+14.27 грн
100+9.05 грн
500+6.99 грн
1000+6.40 грн
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF IRFP054NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.97 грн
10+188.03 грн
25+151.55 грн
50+129.90 грн
100+116.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6A3F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3004pbf.pdf?ci_sign=a529c6af990cdf3405d34e5db519c1ceb8d80a66
IRFB3004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
10+199.27 грн
100+167.29 грн
250+145.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBF description irfb3006pbf.pdf
IRFB3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF description irfb3077pbf.pdf
IRFB3077PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 370W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.25 грн
10+126.72 грн
50+118.09 грн
500+111.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.41 грн
10+84.82 грн
100+62.98 грн
250+57.08 грн
500+53.14 грн
1000+49.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF irfs3206pbf.pdf
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 363 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.23 грн
10+115.48 грн
50+98.41 грн
100+92.50 грн
250+83.65 грн
500+77.74 грн
750+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF irfs3207pbf.pdf
IRFB3207PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207ZPBF description irfs3207zpbf.pdf
IRFB3207ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.32 грн
10+140.00 грн
20+116.12 грн
50+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3306PBF irfs3306pbf.pdf
IRFB3306PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 160A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 160A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.14 грн
10+145.11 грн
25+124.98 грн
50+108.25 грн
100+90.53 грн
250+71.84 грн
500+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6D4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3307.pdf?ci_sign=9ae472c6c10abe8d437b7f6a48b6c6d21a14915d
IRFB3307PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.70 грн
3+154.31 грн
10+123.01 грн
50+97.42 грн
100+90.53 грн
250+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3307ZPBF irfs3307zpbf.pdf
IRFB3307ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+181.90 грн
10+140.72 грн
20+126.94 грн
50+111.20 грн
100+101.36 грн
200+92.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF irfs3607pbf.pdf
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1441 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.75 грн
5+69.69 грн
10+58.55 грн
50+45.96 грн
100+42.51 грн
250+41.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3806PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3806pbf.pdf?ci_sign=001141132864e0f86f836b25cf437c6712ebd811
IRFB3806PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 71W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 15.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.87 грн
10+79.91 грн
50+64.26 грн
100+59.44 грн
250+53.24 грн
500+48.81 грн
1000+44.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6FEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs38n20d.pdf?ci_sign=a752f3e218a24d3692bd94fdedaf56a8b12869c7
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 60nC
On-state resistance: 54mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.46 грн
5+194.16 грн
10+164.34 грн
25+137.77 грн
50+122.02 грн
100+109.23 грн
250+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4019PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B705F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4019pbf.pdf?ci_sign=35a3c85c464dacc468771d93b7f858d4900a1526
IRFB4019PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 17A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 17A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 13nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+114.25 грн
25+97.82 грн
50+83.94 грн
100+69.18 грн
250+52.55 грн
500+43.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4020PBF irfb4020pbf.pdf
IRFB4020PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 18A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Gate charge: 18nC
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 100W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 787 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.92 грн
50+77.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.82 грн
10+156.35 грн
25+120.06 грн
50+92.50 грн
100+77.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115.pdf
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.03 грн
10+175.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4127PBF irfb4127pbf.pdf
IRFB4127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 76A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 76A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.23 грн
25+112.41 грн
50+97.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B736F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4227pbf.pdf?ci_sign=73cadd42ded945992e2faf41c326daefc593b46d
IRFB4227PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 26mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Gate charge: 70nC
Power dissipation: 190W
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 237 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
25+119.56 грн
50+109.23 грн
100+103.33 грн
250+95.45 грн
500+90.53 грн
1000+87.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4227PBFXKMA1 irfb4227pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535615eb531e1f
IRFB4227PBFXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.76 грн
10+157.38 грн
25+123.01 грн
50+97.42 грн
100+77.74 грн
250+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4228PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B73DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4228pbf.pdf?ci_sign=c76c55ba351c4f18b4679077e4b312a62afa7c33
IRFB4228PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.15 грн
10+161.46 грн
50+144.66 грн
100+140.72 грн
500+138.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B744F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4229pbf.pdf?ci_sign=099d45bd879f089864a70a24e11bc96a170d58a6
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.81 грн
10+221.76 грн
50+163.36 грн
100+127.93 грн
250+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310PBF irfs4310.pdf
IRFB4310PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 330W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 212 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+189.70 грн
10+161.46 грн
25+132.85 грн
50+108.25 грн
100+106.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4310ZPBF irfb4310zpbf.pdf
IRFB4310ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 127A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 6mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.12µC
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 250W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+221.49 грн
10+155.33 грн
50+123.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6ADE1C9B8ADAEFE27&compId=IRFB4321PBF-DTE.pdf?ci_sign=ac172432e5caf556bc0aacd18b384ef70e2cb9b8
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.45 грн
10+214.60 грн
25+189.93 грн
50+175.16 грн
100+157.45 грн
250+138.75 грн
500+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.77 грн
10+163.51 грн
25+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A61F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4410.pdf?ci_sign=7c5f492f325e1029f7935d9e50a854b0b56bff5f
IRFB4410PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 96A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 96A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.12 грн
10+116.50 грн
50+91.52 грн
100+83.65 грн
250+75.77 грн
500+72.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4410ZPBF description irfb4410zpbf.pdf
IRFB4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 97A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 97A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 83nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.02 грн
3+141.02 грн
10+101.36 грн
20+88.57 грн
50+74.79 грн
100+67.90 грн
200+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4510PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA418D2E1B5EA&compId=IRFB4510PBF.pdf?ci_sign=9339082daf1e6b0bfcc37dddedca7d1124a64194
IRFB4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 62A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 238 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
10+82.78 грн
25+71.84 грн
50+65.93 грн
100+61.01 грн
200+56.09 грн
250+55.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4610PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A6FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs4610.pdf?ci_sign=f82b81a9499178560620d52f14838fe735b30f24
IRFB4610PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 90nC
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 73A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.86 грн
10+155.48 грн
20+148.59 грн
50+137.77 грн
100+129.90 грн
200+122.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A76F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4615pbf.pdf?ci_sign=b017e04afb02e0c37365c5a851437e30722be4bc
IRFB4615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+78.69 грн
10+68.88 грн
25+64.95 грн
50+61.01 грн
100+58.06 грн
200+57.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A7DF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb4620pbf.pdf?ci_sign=42d0628fba08e7dbecd4a027551ca7bbbb81baaf
IRFB4620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 72.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.95 грн
3+185.99 грн
10+152.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB52N15DPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A8BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs52n15d.pdf?ci_sign=dd3f590212d2c22ca8bc1539635902e7d0156b8c
IRFB52N15DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 60A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A92F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5615pbf.pdf?ci_sign=80600ca67fd3aa93379833fd484c2b89c0c90b93
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.63 грн
5+85.84 грн
10+66.92 грн
25+64.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5620PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284A99F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfb5620pbf.pdf?ci_sign=dba5e26ac2c7961fde53bfdd1882c9038aa6ace9
IRFB5620PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 25A; 144W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 25nC
On-state resistance: 72.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 144W
Drain-source voltage: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.59 грн
10+121.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7430PBF IRFB7430PBF.pdf
IRFB7430PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 409A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 1.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 300nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.37 грн
3+187.01 грн
10+130.88 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 709 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.85 грн
10+80.22 грн
50+67.21 грн
100+63.18 грн
250+57.67 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 90nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 814 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.02 грн
5+64.38 грн
50+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 274nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.15 грн
10+177.13 грн
20+151.55 грн
50+125.96 грн
100+117.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7534PBF irfs7534pbf.pdf
IRFB7534PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 186nC
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 776 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.61 грн
10+80.73 грн
25+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7537PBF irfs7537pbf.pdf
IRFB7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 173A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 173A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.86 грн
5+126.72 грн
10+101.36 грн
25+80.69 грн
50+68.88 грн
100+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7540PBF IRFB7540PBF.pdf
IRFB7540PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.67 грн
5+73.78 грн
10+58.65 грн
25+50.38 грн
50+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF irfb7545pbf.pdf
IRFB7545PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.87 грн
10+41.59 грн
50+35.23 грн
100+33.16 грн
250+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7546PBF IRFB7546PBF.pdf
IRFB7546PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 75A; 99W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 75A
Power dissipation: 99W
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 58nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.42 грн
6+59.27 грн
50+53.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7730PBF IRFB7730PBF.pdf
IRFB7730PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 246A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 246A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.43 грн
10+129.78 грн
50+123.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4234TRPBF irfh4234pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a75581e8a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH4234TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1617 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.98 грн
51+23.03 грн
100+21.77 грн
140+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF irfh7440pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561f0e821eed
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH7440TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
14+83.65 грн
39+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH9310TRPBF irfh9310pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561fe1ae1f27
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFH9310TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.73 грн
15+81.68 грн
40+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM9331TRPBF irfhm9331pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356237f7e1f59
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFHM9331TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+69.52 грн
55+21.55 грн
150+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI1310NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B41F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi1310n.pdf?ci_sign=01e2e2c9f0e71c2ff0c5bc018c7724f0acccbe52
IRFI1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 22A; 45W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+163.20 грн
3+149.20 грн
5+119.07 грн
50+104.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI3205PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5F284B48F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi3205.pdf?ci_sign=52d8c371c50b82fd99e00416e1acfb35fbd9f833
IRFI3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 56A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 56A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 113.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.57 грн
5+195.19 грн
10+166.31 грн
25+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4212H-117PXKMA1 irfi4212h-117p.pdf?fileId=5546d462533600a401535623fc841f7a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 6.8A; Idm: 44A; 7W; TO220-5
Mounting: THT
Case: TO220-5
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 58mΩ
Drain current: 6.8A
Power dissipation: 7W
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 44A
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Half-Bridge Power MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET x2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.45 грн
10+91.97 грн
25+78.73 грн
50+72.82 грн
100+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4321PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221BD193BBC93F1A303005056AB0C4F&compId=irfi4321pbf.pdf?ci_sign=2ea90ea7929f7e7a1e92a7b4d5c46e524d83b7f1
IRFI4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 34A; 46W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 34A
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 46W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI4410ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBE67CFBAE00143&compId=IRFI4410ZPBF.pdf?ci_sign=2106fa9c0773cda6f12da043fee65f032dcce0d2
IRFI4410ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 30A; 47W; TO220FP
Kind of package: tube
On-state resistance: 9.3mΩ
Gate-source voltage: ±30V
Drain current: 30A
Power dissipation: 47W
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 81nC
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.82 грн
10+157.38 грн
50+143.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA25F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfi530n.pdf?ci_sign=f4dea01463a1c9e7fa5fd95d1b7accd595ebd817
IRFI530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.67 грн
10+73.78 грн
50+63.18 грн
100+59.73 грн
500+54.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFI540NPBF irfi540n.pdf
IRFI540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
10+100.15 грн
50+82.66 грн
100+75.77 грн
250+68.88 грн
500+63.96 грн
1000+59.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFIZ44NPBF irfiz44n.pdf
IRFIZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 43.3nC
On-state resistance: 24mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 101 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.95 грн
10+118.03 грн
25+99.19 грн
50+87.29 грн
100+76.17 грн
500+57.37 грн
750+54.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFL4105TRPBF irfl4105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535627f48c1fb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRFL4105TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+60.62 грн
41+29.13 грн
111+27.55 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFML8244TRPBF irfml8244pbf.pdf
IRFML8244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 5.8A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 5.8A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.4nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4913 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+21.20 грн
19+16.96 грн
21+14.27 грн
100+9.05 грн
500+6.99 грн
1000+6.40 грн
3000+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP054NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACA95F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp054n.pdf?ci_sign=bcd46d929bd827ee9a9c3a41dc89ce2d51391be2
IRFP054NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 72A; 130W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 72A
Power dissipation: 130W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 283 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.97 грн
10+188.03 грн
25+151.55 грн
50+129.90 грн
100+116.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1494 1743 1992 2241 2490 2491  [ Наступна Сторінка >> ]