Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148884) > Сторінка 1276 з 2482

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1488 1736 1984 2232 2480 2482  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2112SPBF IR2112SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+264.08 грн
10+219.73 грн
25+198.74 грн
45+188.85 грн
135+185.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2112STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+214.03 грн
10+160.18 грн
25+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.61 грн
10+173.53 грн
25+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+263.01 грн
10+219.73 грн
15+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+224.68 грн
5+190.98 грн
10+170.07 грн
25+153.26 грн
50+142.38 грн
100+134.47 грн
125+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+639.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+173.57 грн
50+155.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+128.84 грн
5+112.95 грн
10+97.89 грн
25+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d description IR2118SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+156.53 грн
13+95.91 грн
34+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF IR2121PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2121.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 5V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+205.51 грн
3+184.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF IR2125PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2125.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+256.70 грн
10+203.69 грн
25+185.89 грн
50+175.01 грн
100+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2125SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Voltage class: 500V
Case: SO16
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+231.07 грн
10+213.57 грн
45+196.76 грн
90+187.87 грн
270+178.97 грн
450+164.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF IR21271PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+227.87 грн
5+193.04 грн
10+171.06 грн
25+167.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF IR2127PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.99 грн
3+173.53 грн
10+166.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+223.61 грн
10+164.29 грн
95+135.46 грн
285+124.58 грн
570+117.66 грн
1045+111.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21271SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 12...20V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+195.93 грн
10+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF IR2130SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130_2132.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+533.48 грн
5+449.74 грн
10+400.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+413.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a description IR2132SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+695.33 грн
3+447.91 грн
8+423.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IR2133SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+715.56 грн
3+554.70 грн
6+524.05 грн
25+523.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IR2135JPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1192.60 грн
2+794.97 грн
5+751.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2136STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+535.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 457 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+159.72 грн
10+113.97 грн
25+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2181.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+230.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 IR2183SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+244.91 грн
14+233.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+266.21 грн
55+202.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+175.70 грн
10+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+271.53 грн
3+239.24 грн
10+193.80 грн
25+172.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+174.63 грн
10+134.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IR2x14SS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a5a8fa04a9b IR2214SSPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+551.58 грн
3+430.11 грн
8+406.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IR2233JPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+681.49 грн
3+526.02 грн
7+497.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2301-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+169.31 грн
5+140.67 грн
10+121.62 грн
25+104.81 грн
50+96.90 грн
95+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+314.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+136.30 грн
5+112.95 грн
10+96.90 грн
25+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+186.34 грн
10+147.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+119.26 грн
10+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+154.40 грн
10+127.32 грн
50+107.78 грн
100+101.84 грн
250+90.97 грн
500+85.03 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e IRF100B202 THT N channel transistors
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+182.08 грн
15+79.10 грн
42+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+66.02 грн
50+50.62 грн
5000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+132.04 грн
10+113.97 грн
50+92.94 грн
100+85.03 грн
250+75.15 грн
500+65.26 грн
800+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+80.93 грн
10+55.14 грн
50+49.64 грн
500+44.40 грн
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+122.45 грн
10+84.92 грн
100+72.18 грн
200+69.61 грн
250+68.72 грн
500+63.48 грн
800+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1018epbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+117.13 грн
5+74.55 грн
10+65.65 грн
50+54.58 грн
100+50.43 грн
250+45.58 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895 IRF1104PBF THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+108.61 грн
14+88.00 грн
37+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.07 грн
10+84.92 грн
50+67.83 грн
100+62.69 грн
250+56.56 грн
500+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7 IRF1324PBF THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+217.22 грн
9+133.48 грн
25+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1 IRF135B203 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+273.66 грн
9+138.43 грн
24+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+292.83 грн
10+212.55 грн
25+148.31 грн
250+104.81 грн
1000+103.82 грн
2000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+205.51 грн
10+101.65 грн
25+68.22 грн
50+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+218.29 грн
10+141.70 грн
20+125.57 грн
50+112.72 грн
100+103.82 грн
200+95.91 грн
500+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+84.12 грн
10+63.66 грн
25+56.56 грн
50+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+183.15 грн
10+131.43 грн
50+97.89 грн
100+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+190.60 грн
10+88.30 грн
25+66.25 грн
50+61.30 грн
500+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+196.99 грн
25+111.92 грн
50+104.81 грн
100+99.87 грн
500+90.97 грн
1000+88.00 грн
2000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db560418d6 description IRF2204PBF THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+277.92 грн
11+113.71 грн
29+107.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.24 грн
10+124.24 грн
50+103.82 грн
100+97.89 грн
250+89.98 грн
500+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+206.39 грн
10+163.15 грн
20+148.31 грн
50+127.55 грн
100+112.72 грн
200+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2805.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+133.10 грн
10+94.47 грн
25+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+168.24 грн
10+122.19 грн
25+81.08 грн
50+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2807spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.06 грн
10+123.22 грн
50+94.92 грн
100+86.02 грн
200+78.11 грн
250+76.13 грн
500+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF description ir2112.pdf
IR2112SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.08 грн
10+219.73 грн
25+198.74 грн
45+188.85 грн
135+185.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 732 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.03 грн
10+160.18 грн
25+143.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 123 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.61 грн
10+173.53 грн
25+158.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+263.01 грн
10+219.73 грн
15+206.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.68 грн
5+190.98 грн
10+170.07 грн
25+153.26 грн
50+142.38 грн
100+134.47 грн
125+132.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT half-bridge
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Number of channels: 2
Power: 1.5W
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+639.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.57 грн
50+155.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 210 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.84 грн
5+112.95 грн
10+97.89 грн
25+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF description ir2117.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c84331168d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2118SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.53 грн
13+95.91 грн
34+90.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2121PBF ir2121.pdf
IR2121PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-/low-side,gate driver; DIP8; -2÷1A; 1W; Ch: 1; 5V
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 105ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 5V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.51 грн
3+184.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125PBF ir2125.pdf
IR2125PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; -2÷1A
Case: DIP8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1W
Number of channels: 1
Voltage class: 500V
Supply voltage: 12...18V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 191 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.70 грн
10+203.69 грн
25+185.89 грн
50+175.01 грн
100+168.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2125SPBF IR2125SPBF.pdf
IR2125SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO16; -2÷1A
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...1A
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 150ns
Power: 1.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...18V DC
Voltage class: 500V
Case: SO16
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.07 грн
10+213.57 грн
45+196.76 грн
90+187.87 грн
270+178.97 грн
450+164.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21271PBF description IR21271SPBF.pdf
IR21271PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 150ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.87 грн
5+193.04 грн
10+171.06 грн
25+167.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127PBF description IR21271SPBF.pdf
IR2127PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; DIP8; -420÷200mA; 1W; Ch: 1; 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.99 грн
3+173.53 грн
10+166.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.61 грн
10+164.29 грн
95+135.46 грн
285+124.58 грн
570+117.66 грн
1045+111.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR21271SPBF.pdf
IR2128SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Voltage class: 600V
Supply voltage: 12...20V DC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.93 грн
10+148.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF description ir2130_2132.pdf
IR2130SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+533.48 грн
5+449.74 грн
10+400.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2132SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.33 грн
3+447.91 грн
8+423.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2133SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 13 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+715.56 грн
3+554.70 грн
6+524.05 грн
25+523.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2135JPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1192.60 грн
2+794.97 грн
5+751.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136STRPBF.pdf
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF description ir2153.pdf
IR2153SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 457 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.72 грн
10+113.97 грн
25+99.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description ir2181.pdf
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+230.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2183SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 55 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.91 грн
14+233.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.21 грн
55+202.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 68 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.70 грн
10+159.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+271.53 грн
3+239.24 грн
10+193.80 грн
25+172.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.63 грн
10+134.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF Infineon-IR2x14SS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a5a8fa04a9b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2214SSPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 64 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.58 грн
3+430.11 грн
8+406.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2233JPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 24 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+681.49 грн
3+526.02 грн
7+497.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301-DTE.pdf
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Topology: MOSFET half-bridge
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.31 грн
5+140.67 грн
10+121.62 грн
25+104.81 грн
50+96.90 грн
95+92.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+314.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 220ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.30 грн
5+112.95 грн
10+96.90 грн
25+87.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.34 грн
10+147.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+119.26 грн
10+96.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 876 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.40 грн
10+127.32 грн
50+107.78 грн
100+101.84 грн
250+90.97 грн
500+85.03 грн
1000+78.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 irf100b202.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da4ec9187e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF100B202 THT N channel transistors
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.08 грн
15+79.10 грн
42+74.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 67 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.02 грн
50+50.62 грн
5000+45.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 273 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.04 грн
10+113.97 грн
50+92.94 грн
100+85.03 грн
250+75.15 грн
500+65.26 грн
800+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.93 грн
10+55.14 грн
50+49.64 грн
500+44.40 грн
2000+41.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 691 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+122.45 грн
10+84.92 грн
100+72.18 грн
200+69.61 грн
250+68.72 грн
500+63.48 грн
800+58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description irf1018epbf.pdf
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 46nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 324 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.13 грн
5+74.55 грн
10+65.65 грн
50+54.58 грн
100+50.43 грн
250+45.58 грн
500+42.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355da8d221895
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1104PBF THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.61 грн
14+88.00 грн
37+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310n.pdf
IRF1310NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 42A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 73.3nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+116.07 грн
10+84.92 грн
50+67.83 грн
100+62.69 грн
250+56.56 грн
500+54.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1324PBF THT N channel transistors
на замовлення 76 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+217.22 грн
9+133.48 грн
25+125.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 irf135s203.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c38ddf29b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF135B203 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.66 грн
9+138.43 грн
24+130.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+292.83 грн
10+212.55 грн
25+148.31 грн
250+104.81 грн
1000+103.82 грн
2000+102.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.51 грн
10+101.65 грн
25+68.22 грн
50+63.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.29 грн
10+141.70 грн
20+125.57 грн
50+112.72 грн
100+103.82 грн
200+95.91 грн
500+84.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
4+84.12 грн
10+63.66 грн
25+56.56 грн
50+55.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 529 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.15 грн
10+131.43 грн
50+97.89 грн
100+88.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+190.60 грн
10+88.30 грн
25+66.25 грн
50+61.30 грн
500+59.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 259 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+196.99 грн
25+111.92 грн
50+104.81 грн
100+99.87 грн
500+90.97 грн
1000+88.00 грн
2000+83.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355db560418d6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF2204PBF THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+277.92 грн
11+113.71 грн
29+107.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 2.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.24 грн
10+124.24 грн
50+103.82 грн
100+97.89 грн
250+89.98 грн
500+88.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 726 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.39 грн
10+163.15 грн
20+148.31 грн
50+127.55 грн
100+112.72 грн
200+103.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description irf2805.pdf
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1068 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.10 грн
10+94.47 грн
25+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF irf2807.pdf
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.24 грн
10+122.19 грн
25+81.08 грн
50+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF irf2807spbf.pdf
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 937 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
2+198.06 грн
10+123.22 грн
50+94.92 грн
100+86.02 грн
200+78.11 грн
250+76.13 грн
500+68.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1488 1736 1984 2232 2480 2482  [ Наступна Сторінка >> ]