Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149637) > Сторінка 1276 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.59 грн
10+85.86 грн
50+67.25 грн
100+60.65 грн
250+52.31 грн
500+46.00 грн
800+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF IRL540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Gate charge: 49.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+73.26 грн
25+62.69 грн
50+57.45 грн
100+52.60 грн
250+46.77 грн
500+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
10+118.91 грн
25+103.83 грн
50+96.07 грн
100+86.37 грн
250+72.78 грн
500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577 IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+49.85 грн
61+18.83 грн
168+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+59.78 грн
38+30.67 грн
100+30.03 грн
103+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF IRLB3036PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+227.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF IRLB3813PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.96 грн
4+97.75 грн
10+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF IRLB4030PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+253.95 грн
10+191.17 грн
20+167.88 грн
50+142.65 грн
100+126.15 грн
200+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLB4132PbF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
10+78.00 грн
50+47.65 грн
100+41.63 грн
200+37.55 грн
250+36.78 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.69 грн
10+54.32 грн
50+45.22 грн
100+42.31 грн
250+38.43 грн
500+35.61 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8743pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
17+18.44 грн
19+15.72 грн
50+13.88 грн
250+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF IRLB8748PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+103.46 грн
5+78.60 грн
10+66.09 грн
25+54.93 грн
50+47.94 грн
100+42.12 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhs2242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356639e1c25a7 IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.29 грн
50+17.64 грн
79+14.65 грн
215+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+44.10 грн
61+18.83 грн
167+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.85 грн
11+28.22 грн
100+20.96 грн
250+18.73 грн
500+17.18 грн
1000+15.72 грн
2500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF IRLL024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
8+40.11 грн
10+35.13 грн
25+30.76 грн
50+27.85 грн
100+25.23 грн
500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AFB9D7DF4F1A303005056AB0C4F&compId=irll024zpbf.pdf?ci_sign=0b4e180c4fd58d02cd536dccae36d45fc3c30fc0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+37.62 грн
50+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF IRLL2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.47 грн
10+49.78 грн
50+36.20 грн
100+32.31 грн
200+28.82 грн
500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml0030pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.31 грн
14+21.77 грн
18+17.08 грн
22+13.78 грн
100+9.12 грн
200+8.25 грн
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF IRLML0040TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B695F4D11F1A303005056AB0C4F&compId=irlml0040pbf.pdf?ci_sign=5d1842c3e30491551ce56d3423793e0f8c415056 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.49 грн
14+22.88 грн
50+15.33 грн
100+13.10 грн
500+9.22 грн
1000+8.15 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF IRLML0060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0060pbf.pdf?ci_sign=a3bbe00dfbb4fe089d07e90242d3a3d58078067c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0100pbf.pdf?ci_sign=bdf83814bed85f72f3cd88c4059bcf2266d07f53 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+34.49 грн
14+22.98 грн
50+16.59 грн
100+14.65 грн
500+10.97 грн
1000+9.61 грн
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF IRLML2030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2030pbf.pdf?ci_sign=a1998ead6eaa1089a0ac43972a6165773eca35a9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.13 грн
16+19.75 грн
19+16.11 грн
22+13.39 грн
100+8.77 грн
500+6.40 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF IRLML2060TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.31 грн
15+20.46 грн
50+13.49 грн
100+11.45 грн
500+7.96 грн
1000+6.79 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
20+15.52 грн
22+13.49 грн
100+10.00 грн
500+8.15 грн
1000+7.47 грн
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF IRLML2246TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BA0DC5F07F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2246pbf.pdf?ci_sign=9676557545f801f7a2f3db0a86594d388331cd8f Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
18+17.77 грн
23+13.71 грн
25+11.64 грн
100+7.96 грн
500+6.11 грн
1000+5.53 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML2502TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.40 грн
14+22.47 грн
50+14.75 грн
100+12.52 грн
250+10.29 грн
500+9.02 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
16+19.86 грн
20+15.72 грн
22+13.39 грн
100+8.81 грн
250+7.57 грн
500+6.80 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF IRLML5103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.13 грн
18+17.74 грн
50+13.10 грн
100+11.64 грн
500+8.93 грн
1000+7.96 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
16+19.55 грн
50+13.78 грн
100+12.03 грн
250+10.19 грн
500+8.93 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF IRLML6244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BEF25F70EF1A303005056AB0C4F&compId=irlml6244pbf.pdf?ci_sign=9e9a5be7e3521f0951b398d6655e0c43901db19e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.40 грн
15+20.15 грн
20+16.01 грн
50+12.32 грн
100+10.29 грн
500+7.08 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF IRLML6344TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6344pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+26.13 грн
16+19.05 грн
50+14.27 грн
100+13.00 грн
200+11.74 грн
500+10.38 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.26 грн
17+18.84 грн
50+12.03 грн
100+10.19 грн
250+8.35 грн
500+7.47 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml6401.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+28.22 грн
16+18.95 грн
50+12.67 грн
100+10.85 грн
500+7.88 грн
1000+7.00 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLML6402TRPBF.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+30.31 грн
16+19.95 грн
50+13.20 грн
100+11.26 грн
500+8.05 грн
1000+7.08 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.17 грн
17+18.84 грн
50+12.71 грн
100+10.97 грн
500+8.15 грн
1000+7.28 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBF IRLP3034PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58261FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlp3034pbf.pdf?ci_sign=9128909fc18795a56482a4b00afac011ad104a23 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+386.67 грн
10+220.69 грн
25+196.02 грн
100+188.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF IRLR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
7+50.16 грн
10+33.66 грн
50+26.20 грн
100+23.97 грн
500+19.70 грн
1000+18.24 грн
2000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+61.66 грн
10+51.90 грн
50+41.63 грн
100+38.14 грн
250+34.16 грн
500+31.44 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF IRLR2705TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E605A45B0F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2705pbf.pdf?ci_sign=b6baeb06276ab86ae10757cd8e517e59dd6be110 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+68.97 грн
10+51.50 грн
50+37.65 грн
100+33.29 грн
500+25.23 грн
1000+22.42 грн
2000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF IRLR2905TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr2905pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
10+88.38 грн
20+73.56 грн
50+60.84 грн
100+53.37 грн
500+41.15 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR2905ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.51 грн
10+60.97 грн
20+52.79 грн
50+45.80 грн
100+41.24 грн
500+33.29 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.51 грн
10+77.60 грн
25+64.05 грн
50+56.28 грн
100+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+37.29 грн
25+33.48 грн
50+31.64 грн
100+29.79 грн
500+26.10 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+118.09 грн
10+100.67 грн
25+84.62 грн
50+73.95 грн
100+64.44 грн
250+55.41 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3705ZTRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.76 грн
10+105.81 грн
50+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+85.69 грн
10+55.32 грн
50+45.32 грн
100+42.02 грн
250+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR7843TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF IRLR8726TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+33.44 грн
11+27.91 грн
50+23.78 грн
100+22.42 грн
250+20.48 грн
500+19.12 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF IRLR8743TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2228120F8A1E7F1A303005056AB0C4F&compId=irlr8743pbf.pdf?ci_sign=13caac950d62003a7670c9a3bc787dc6b4dae60e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2000+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP IRLS3036TRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 380W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.42 грн
10+201.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222822B4201F0F1A303005056AB0C4F&compId=irlts2242pbf.pdf?ci_sign=67037f13a19603e6ce309fb4330f48931a8be6de Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+43.89 грн
10+31.14 грн
50+20.57 грн
100+17.47 грн
500+12.42 грн
1000+11.06 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22282476BD4DAF1A303005056AB0C4F&compId=irlts6342pbf.pdf?ci_sign=e247a54c761d43482cdc3c03bb2b306196ea7d84 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+24.04 грн
18+17.23 грн
25+14.65 грн
50+13.20 грн
100+12.03 грн
500+10.09 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF IRLU024NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr024npbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
11+29.63 грн
25+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.51 грн
10+45.95 грн
37+31.34 грн
100+29.60 грн
10050+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBF IRLU3110ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.21 грн
10+90.70 грн
75+81.51 грн
150+78.60 грн
300+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF IRLZ44NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz44n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.24 грн
10+49.58 грн
25+45.51 грн
50+43.96 грн
100+42.41 грн
500+38.82 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF IRS20752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BCEF05BD07A745&compId=IRS20752ltrpbf.pdf?ci_sign=ef2d046c3868bd8f5a439bd44dd071464cf6744b Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+62.70 грн
10+54.42 грн
25+48.91 грн
100+46.29 грн
250+41.92 грн
500+39.30 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL530NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275DBBD2C88F1A303005056AB0C4F&compId=irl530nspbf.pdf?ci_sign=4b011cbadfca1f27978a0c2fa18b673b18bbb418
IRL530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.8W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.59 грн
10+85.86 грн
50+67.25 грн
100+60.65 грн
250+52.31 грн
500+46.00 грн
800+41.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NPBF irl540n.pdf
IRL540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 140W; TO220AB
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Gate charge: 49.3nC
On-state resistance: 44mΩ
Power dissipation: 140W
Gate-source voltage: ±16V
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3424 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+73.26 грн
25+62.69 грн
50+57.45 грн
100+52.60 грн
250+46.77 грн
500+42.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 118 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
10+118.91 грн
25+103.83 грн
50+96.07 грн
100+86.37 грн
250+72.78 грн
500+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6342TRPBF irl6342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565ffb7a2577
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6342TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 3628 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+49.85 грн
61+18.83 грн
168+17.76 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRL6372TRPBF Multi channel transistors
на замовлення 3959 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.78 грн
38+30.67 грн
100+30.03 грн
103+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3036PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582577F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3036pbf.pdf?ci_sign=fb0a0d81cd0373dfbb1fe542694c88309414bd06
IRLB3036PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 91nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB3813PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58257EF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb3813pbf.pdf?ci_sign=b8af6369f50e2b78444ab244deef2c85b9ccbb1a
IRLB3813PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 260A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.95mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 57nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 573 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
4+97.75 грн
10+90.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4030PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582585F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb4030pbf.pdf?ci_sign=9c1dd0d165f7be0768858b97ea06809eb52e6a97
IRLB4030PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 87nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 342 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.95 грн
10+191.17 грн
20+167.88 грн
50+142.65 грн
100+126.15 грн
200+120.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB4132PBF IRLB4132PbF.pdf
IRLB4132PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 620A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 620A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 806 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
10+78.00 грн
50+47.65 грн
100+41.63 грн
200+37.55 грн
250+36.78 грн
500+34.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8314PBF irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f
IRLB8314PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 839 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.69 грн
10+54.32 грн
50+45.22 грн
100+42.31 грн
250+38.43 грн
500+35.61 грн
1000+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF irlb8743pbf.pdf
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
17+18.44 грн
19+15.72 грн
50+13.88 грн
250+13.20 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8748PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58259AF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8748pbf.pdf?ci_sign=2d8572277f7342dea88e1d211ba84d481801601d
IRLB8748PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 92A; 75W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 92A
Power dissipation: 75W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 15nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.46 грн
5+78.60 грн
10+66.09 грн
25+54.93 грн
50+47.94 грн
100+42.12 грн
500+32.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS2242TRPBF irlhs2242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356639e1c25a7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS2242TRPBF SMD P channel transistors
на замовлення 3890 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.29 грн
50+17.64 грн
79+14.65 грн
215+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHS6376TRPBF infineon-irlhs6376-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRLHS6376TRPBF SMD N channel transistors
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.10 грн
61+18.83 грн
167+17.86 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL014NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AD7F1FDCDF1A303005056AB0C4F&compId=irll014npbf.pdf?ci_sign=1d1f9f334532dd3711cbf8c73e9f89d36ccd8d49
IRLL014NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7475 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.85 грн
11+28.22 грн
100+20.96 грн
250+18.73 грн
500+17.18 грн
1000+15.72 грн
2500+13.88 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825B6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irll024n.pdf?ci_sign=a7f9a48b2cd1b39663d6bdd21504bf6984076499
IRLL024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4.4A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10.4nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3641 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
8+40.11 грн
10+35.13 грн
25+30.76 грн
50+27.85 грн
100+25.23 грн
500+19.80 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL024ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227AFB9D7DF4F1A303005056AB0C4F&compId=irll024zpbf.pdf?ci_sign=0b4e180c4fd58d02cd536dccae36d45fc3c30fc0
IRLL024ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2029 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.62 грн
50+34.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRLL2705TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B31DD76B8F1A303005056AB0C4F&compId=irll2705pbf.pdf?ci_sign=b59a3ae6b96ab89ac72517290e013616f2a9d6b3
IRLL2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 3.8A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 3.8A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1056 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.47 грн
10+49.78 грн
50+36.20 грн
100+32.31 грн
200+28.82 грн
500+27.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF irlml0030pbf.pdf
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10252 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.31 грн
14+21.77 грн
18+17.08 грн
22+13.78 грн
100+9.12 грн
200+8.25 грн
500+7.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0040TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B695F4D11F1A303005056AB0C4F&compId=irlml0040pbf.pdf?ci_sign=5d1842c3e30491551ce56d3423793e0f8c415056
IRLML0040TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39246 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
14+22.88 грн
50+15.33 грн
100+13.10 грн
500+9.22 грн
1000+8.15 грн
3000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0060TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0060pbf.pdf?ci_sign=a3bbe00dfbb4fe089d07e90242d3a3d58078067c
IRLML0060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.7A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0100TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0100pbf.pdf?ci_sign=bdf83814bed85f72f3cd88c4059bcf2266d07f53
IRLML0100TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9354 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+34.49 грн
14+22.98 грн
50+16.59 грн
100+14.65 грн
500+10.97 грн
1000+9.61 грн
3000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2030TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825E7F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2030pbf.pdf?ci_sign=a1998ead6eaa1089a0ac43972a6165773eca35a9
IRLML2030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6792 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.13 грн
16+19.75 грн
19+16.11 грн
22+13.39 грн
100+8.77 грн
500+6.40 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2060TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825EEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2060pbf.pdf?ci_sign=8f6b20a635982558b5faa81751781baa759c75d9
IRLML2060TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.31 грн
15+20.46 грн
50+13.49 грн
100+11.45 грн
500+7.96 грн
1000+6.79 грн
3000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
20+15.52 грн
22+13.49 грн
100+10.00 грн
500+8.15 грн
1000+7.47 грн
3000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2246TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BA0DC5F07F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2246pbf.pdf?ci_sign=9676557545f801f7a2f3db0a86594d388331cd8f
IRLML2246TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 779 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
18+17.77 грн
23+13.71 грн
25+11.64 грн
100+7.96 грн
500+6.11 грн
1000+5.53 грн
3000+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2502TRPBF IRLML2502TRPBF.pdf
IRLML2502TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 4.2A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6664 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
14+22.47 грн
50+14.75 грн
100+12.52 грн
250+10.29 грн
500+9.02 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2803TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582603F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml2803.pdf?ci_sign=068837b0a7fb98cbe47bd8f4ee1d75009a4dd519
IRLML2803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.2A; 0.4W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.4W
Case: SOT23
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
16+19.86 грн
20+15.72 грн
22+13.39 грн
100+8.81 грн
250+7.57 грн
500+6.80 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BBBCDDD51F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5103pbf.pdf?ci_sign=d05fc47b1999adccea3e17a03d7050a4a06178d1
IRLML5103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.61A; 0.54W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -0.61A
Power dissipation: 0.54W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.13 грн
18+17.74 грн
50+13.10 грн
100+11.64 грн
500+8.93 грн
1000+7.96 грн
3000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9895 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
16+19.55 грн
50+13.78 грн
100+12.03 грн
250+10.19 грн
500+8.93 грн
1000+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BEF25F70EF1A303005056AB0C4F&compId=irlml6244pbf.pdf?ci_sign=9e9a5be7e3521f0951b398d6655e0c43901db19e
IRLML6244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 21mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5266 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+32.40 грн
15+20.15 грн
20+16.01 грн
50+12.32 грн
100+10.29 грн
500+7.08 грн
1000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6344TRPBF irlml6344pbf.pdf
IRLML6344TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 38031 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.13 грн
16+19.05 грн
50+14.27 грн
100+13.00 грн
200+11.74 грн
500+10.38 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6346TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C53954049F1A303005056AB0C4F&compId=irlml6346pbf.pdf?ci_sign=f015b0982e28988fc6ffca7b5cd078a776e1cb3e
IRLML6346TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 2.7A; Idm: 17A; 0.8W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.9nC
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5207 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.26 грн
17+18.84 грн
50+12.03 грн
100+10.19 грн
250+8.35 грн
500+7.47 грн
1000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF irlml6401.pdf
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12821 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+28.22 грн
16+18.95 грн
50+12.67 грн
100+10.85 грн
500+7.88 грн
1000+7.00 грн
3000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6402TRPBF IRLML6402TRPBF.pdf
IRLML6402TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.2A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.2A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18116 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.31 грн
16+19.95 грн
50+13.20 грн
100+11.26 грн
500+8.05 грн
1000+7.08 грн
3000+6.02 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.17 грн
17+18.84 грн
50+12.71 грн
100+10.97 грн
500+8.15 грн
1000+7.28 грн
3000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLP3034PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F58261FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irlp3034pbf.pdf?ci_sign=9128909fc18795a56482a4b00afac011ad104a23
IRLP3034PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 327A; 341W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 327A
Power dissipation: 341W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 108nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+386.67 грн
10+220.69 грн
25+196.02 грн
100+188.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR024NTRPBF description irlr024npbf.pdf
IRLR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3132 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.16 грн
10+33.66 грн
50+26.20 грн
100+23.97 грн
500+19.70 грн
1000+18.24 грн
2000+16.89 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1802 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.66 грн
10+51.90 грн
50+41.63 грн
100+38.14 грн
250+34.16 грн
500+31.44 грн
1000+28.92 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2705TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227E605A45B0F1A303005056AB0C4F&compId=irlr2705pbf.pdf?ci_sign=b6baeb06276ab86ae10757cd8e517e59dd6be110
IRLR2705TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 28A; 68W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 28A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+68.97 грн
10+51.50 грн
50+37.65 грн
100+33.29 грн
500+25.23 грн
1000+22.42 грн
2000+20.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905TRPBF description irlr2905pbf.pdf
IRLR2905TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 30A; Idm: 160A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 27mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
10+88.38 грн
20+73.56 грн
50+60.84 грн
100+53.37 грн
500+41.15 грн
1000+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR2905ZTRPBF IRLR2905ZTRPBF.pdf
IRLR2905ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 43A; Idm: 240A; 110W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 43A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 110W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 13.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 35nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2085 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.51 грн
10+60.97 грн
20+52.79 грн
50+45.80 грн
100+41.24 грн
500+33.29 грн
1000+30.76 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRPBF irlr3110zpbf.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3692 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.51 грн
10+77.60 грн
25+64.05 грн
50+56.28 грн
100+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+37.29 грн
25+33.48 грн
50+31.64 грн
100+29.79 грн
500+26.10 грн
1000+24.75 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+118.09 грн
10+100.67 грн
25+84.62 грн
50+73.95 грн
100+64.44 грн
250+55.41 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3705ZTRPBF IRLR3705ZTRPBF.pdf
IRLR3705ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 982 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.76 грн
10+105.81 грн
50+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222805218164EF1A303005056AB0C4F&compId=irlr6225pbf.pdf?ci_sign=c90e685b7210caa8a81bba363c2cbb3e203cae67
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+85.69 грн
10+55.32 грн
50+45.32 грн
100+42.02 грн
250+37.65 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7843TRPBF IRLR7843TRPBF.pdf
IRLR7843TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 161A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8726TRPBF irlr8726pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567181dd26f7
IRLR8726TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 340A; 75W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 61A
Pulsed drain current: 340A
Power dissipation: 75W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.44 грн
11+27.91 грн
50+23.78 грн
100+22.42 грн
250+20.48 грн
500+19.12 грн
1000+18.24 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8743TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2228120F8A1E7F1A303005056AB0C4F&compId=irlr8743pbf.pdf?ci_sign=13caac950d62003a7670c9a3bc787dc6b4dae60e
IRLR8743TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 160A; 135W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 160A
Power dissipation: 135W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+76.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
IRLS3036TRL7PP irls3036-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671c05a270b
IRLS3036TRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 210A; Idm: 1kA; 380W; D2PAK-7
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
On-state resistance: 1.9mΩ
Drain current: 210A
Pulsed drain current: 1kA
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 380W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 371 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.42 грн
10+201.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222822B4201F0F1A303005056AB0C4F&compId=irlts2242pbf.pdf?ci_sign=67037f13a19603e6ce309fb4330f48931a8be6de
IRLTS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -6.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2227 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.89 грн
10+31.14 грн
50+20.57 грн
100+17.47 грн
500+12.42 грн
1000+11.06 грн
3000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22282476BD4DAF1A303005056AB0C4F&compId=irlts6342pbf.pdf?ci_sign=e247a54c761d43482cdc3c03bb2b306196ea7d84
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.3A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.04 грн
18+17.23 грн
25+14.65 грн
50+13.20 грн
100+12.03 грн
500+10.09 грн
1000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU024NPBF description irlr024npbf.pdf
IRLU024NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 17A; 38W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 17A
Power dissipation: 38W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1693 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
11+29.63 грн
25+26.69 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU120NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227DC6E36566F1A303005056AB0C4F&compId=irlr120npbf.pdf?ci_sign=86901e93310b5239412647addcb5f48867ee4e34
IRLU120NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 48W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 0.185Ω
Gate-source voltage: ±16V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.51 грн
10+45.95 грн
37+31.34 грн
100+29.60 грн
10050+28.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLU3110ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E95506BE0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlr3110zpbf.pdf?ci_sign=345190505f871965a8ce7cc3f8e02af74e6a3a8f
IRLU3110ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
Gate charge: 34nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.21 грн
10+90.70 грн
75+81.51 грн
150+78.60 грн
300+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ44NPBF description irlz44n.pdf
IRLZ44NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Kind of package: tube
Gate-source voltage: ±16V
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 22mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.24 грн
10+49.58 грн
25+45.51 грн
50+43.96 грн
100+42.41 грн
500+38.82 грн
1000+37.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRS20752LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE790BCEF05BD07A745&compId=IRS20752ltrpbf.pdf?ci_sign=ef2d046c3868bd8f5a439bd44dd071464cf6744b
IRS20752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Case: SOT23-6
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Voltage class: 200V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Kind of package: reel; tape
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -240...160mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+62.70 грн
10+54.42 грн
25+48.91 грн
100+46.29 грн
250+41.92 грн
500+39.30 грн
1000+38.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1279 1280 1281 1494 1743 1992 2241 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]