Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148756) > Сторінка 1273 з 2480
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPD075N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2429 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD082N10N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPD090N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Power dissipation: 42W Drain current: 30A Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2144 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD122N10N3GATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 100V Polarisation: unipolar Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2427 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD12CN10NGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 1656 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD135N03LGATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 782 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPD350N06LGBTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 20A Pulsed drain current: 116A Power dissipation: 68W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1722 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD50N06S4L12ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 36A Power dissipation: 50W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 12mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD50P04P4L11ATMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors |
на замовлення 2356 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD60R280P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD60R280P7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1855 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD60R600P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2181 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD60R650CEAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD70R1K4P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD70R360P7SAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD70R360P7S SMD N channel transistors |
на замовлення 1429 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD80R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 2399 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2448 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPD80R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1462 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPD80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.9A Power dissipation: 45W Case: PG-TO252-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2478 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPD90N04S404ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Case: PG-TO252-3-313 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.1mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Power dissipation: 71W Drain current: 81A Pulsed drain current: 360A Technology: OptiMOS™ T2 Gate charge: 20nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2294 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPD95R450P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPD95R450P7 SMD N channel transistors |
на замовлення 1320 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPDD60R125G7XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPI040N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPI040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 237 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPI076N12N3GAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPI086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 126 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPI180N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 461 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPI60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPI80N06S407AKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 58A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 79W Case: PG-TO262-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 27nC Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS® -T2 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 398 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPI90R800C3XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 284 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPL65R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors |
на замовлення 6 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPN50R800CE SMD N channel transistors |
на замовлення 2896 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPN50R950CE SMD N channel transistors |
на замовлення 2299 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP014N06NF2SAKMA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP014N06NF2SAKMA2 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP015N04NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP015N04NF2SAKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP015N04NGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP016N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP020N03LF2SAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP020N03LF2SAKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 200 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP020N08N5AKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP023N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP023N10N5AKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 429 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP023NE7N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 490 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Technology: OptiMOS™ 3 Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A On-state resistance: 2.4mΩ Power dissipation: 250W Gate-source voltage: ±20V Case: PG-TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP026N10NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP029N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 88 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP030N06NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP030N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors |
на замовлення 110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP030N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IPP030N10N5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: TO220-3 On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Gate charge: 112nC Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 49 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP032N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP032N06N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP034NE7N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 100A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 22 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP037N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 177 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP039N04LGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP039N04LGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 39 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP040N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPP040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 350 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP040N06NXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 181 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP042N03LGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 5 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP045N10N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IPP048N12N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3 Case: PG-TO220-3 Mounting: THT Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Polarisation: unipolar On-state resistance: 4.8mΩ Gate-source voltage: ±20V Drain current: 120A Power dissipation: 300W Drain-source voltage: 120V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 54 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IPP051N15N5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP051N15N5XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IPP052N06L3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 37 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IPD075N03LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
IPD075N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 35.78 грн |
| 47+ | 25.11 грн |
| 100+ | 24.03 грн |
| 129+ | 23.73 грн |
| IPD082N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
IPD082N10N3GATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 156.53 грн |
| 18+ | 65.26 грн |
| 50+ | 61.30 грн |
| IPD090N03LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 30A; 42W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 42W
Drain current: 30A
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 39.84 грн |
| 10+ | 36.58 грн |
| 50+ | 31.94 грн |
| 100+ | 31.15 грн |
| IPD122N10N3GATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.22 грн |
| 5+ | 82.76 грн |
| 10+ | 73.56 грн |
| 20+ | 68.03 грн |
| 50+ | 61.70 грн |
| 100+ | 57.74 грн |
| 200+ | 54.28 грн |
| IPD12CN10NGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
IPD12CN10NGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 1656 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 177.83 грн |
| 14+ | 88.99 грн |
| 37+ | 85.03 грн |
| 200+ | 84.20 грн |
| IPD135N03LGATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
IPD135N03LGATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 782 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 41.74 грн |
| 38+ | 31.15 грн |
| 104+ | 29.47 грн |
| IPD350N06LGBTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 116A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 116A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1722 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.12 грн |
| 10+ | 51.03 грн |
| 100+ | 32.23 грн |
| 500+ | 30.95 грн |
| IPD50N06S4L12ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 96.90 грн |
| 5+ | 63.25 грн |
| 25+ | 54.58 грн |
| 100+ | 51.61 грн |
| IPD50P04P4L11ATMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
IPD50P04P4L11ATMA2 SMD P channel transistors
на замовлення 2356 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 139.49 грн |
| 12+ | 102.83 грн |
| 32+ | 97.89 грн |
| IPD60R280P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R280P7 SMD N channel transistors
IPD60R280P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1855 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 171.44 грн |
| 12+ | 100.85 грн |
| 32+ | 94.92 грн |
| IPD60R600P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
IPD60R600P7SAUMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 90.51 грн |
| 37+ | 31.74 грн |
| 102+ | 30.06 грн |
| IPD60R650CEAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
IPD60R650CEAUMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.34 грн |
| 22+ | 53.39 грн |
| 61+ | 50.43 грн |
| IPD70R1K4P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
IPD70R1K4P7S SMD N channel transistors
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 52.71 грн |
| 42+ | 28.48 грн |
| 113+ | 26.99 грн |
| IPD70R360P7SAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD70R360P7S SMD N channel transistors
IPD70R360P7S SMD N channel transistors
на замовлення 1429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.47 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| IPD80R1K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
IPD80R1K0CEATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 2399 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 60.69 грн |
| 40+ | 29.47 грн |
| 110+ | 27.88 грн |
| IPD80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
IPD80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.68 грн |
| 27+ | 43.41 грн |
| 75+ | 41.03 грн |
| IPD80R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
IPD80R2K0P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 109.14 грн |
| 25+ | 48.35 грн |
| 67+ | 45.78 грн |
| 500+ | 45.69 грн |
| IPD80R900P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; PG-TO252-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 132.04 грн |
| 10+ | 83.48 грн |
| 25+ | 70.20 грн |
| 100+ | 56.95 грн |
| 500+ | 49.34 грн |
| IPD90N04S404ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 71W
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Technology: OptiMOS™ T2
Gate charge: 20nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 105.42 грн |
| 5+ | 85.22 грн |
| 10+ | 72.18 грн |
| 25+ | 67.24 грн |
| IPD95R450P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
IPD95R450P7 SMD N channel transistors
на замовлення 1320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 199.12 грн |
| 8+ | 151.28 грн |
| 22+ | 143.37 грн |
| IPDD60R125G7XTMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
IPDD60R125G7XTMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 287.50 грн |
| 12+ | 274.88 грн |
| IPI040N06N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPI040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 237 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.00 грн |
| 17+ | 69.21 грн |
| 47+ | 65.26 грн |
| IPI076N12N3GAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 362.04 грн |
| 10+ | 121.62 грн |
| 27+ | 115.69 грн |
| IPI086N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPI086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 126 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.54 грн |
| 18+ | 66.25 грн |
| 49+ | 62.29 грн |
| IPI180N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPI180N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 461 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 125.65 грн |
| 18+ | 68.22 грн |
| 48+ | 64.27 грн |
| IPI60R190C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
IPI60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 368.43 грн |
| 6+ | 211.60 грн |
| 16+ | 199.73 грн |
| IPI80N06S407AKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 183.15 грн |
| 3+ | 159.15 грн |
| 10+ | 134.47 грн |
| 50+ | 123.60 грн |
| IPI90R800C3XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 284 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 66.02 грн |
| 19+ | 64.27 грн |
| 50+ | 60.58 грн |
| 51+ | 60.31 грн |
| IPL65R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 124.58 грн |
| 15+ | 79.10 грн |
| 41+ | 75.15 грн |
| 100+ | 74.96 грн |
| IPN50R800CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R800CE SMD N channel transistors
IPN50R800CE SMD N channel transistors
на замовлення 2896 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 56.97 грн |
| 27+ | 43.41 грн |
| 75+ | 41.03 грн |
| 500+ | 40.97 грн |
| IPN50R950CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R950CE SMD N channel transistors
IPN50R950CE SMD N channel transistors
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 38.01 грн |
| 50+ | 23.63 грн |
| 137+ | 22.25 грн |
| IPN80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
IPN80R1K4P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.49 грн |
| 34+ | 35.30 грн |
| 92+ | 33.42 грн |
| IPN80R4K5P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
IPN80R4K5P7 SMD N channel transistors
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 81.35 грн |
| 30+ | 40.34 грн |
| 80+ | 38.17 грн |
| IPP014N06NF2SAKMA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP014N06NF2SAKMA2 THT N channel transistors
IPP014N06NF2SAKMA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.00 грн |
| 8+ | 163.15 грн |
| 20+ | 154.25 грн |
| IPP015N04NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP015N04NF2SAKMA1 THT N channel transistors
IPP015N04NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 142.69 грн |
| 15+ | 81.08 грн |
| 40+ | 77.12 грн |
| IPP015N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP015N04NGXKSA1 THT N channel transistors
IPP015N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 499.40 грн |
| 5+ | 268.94 грн |
| 12+ | 254.11 грн |
| IPP016N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
IPP016N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.09 грн |
| 14+ | 84.04 грн |
| 39+ | 79.10 грн |
| IPP019N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
IPP019N08NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.33 грн |
| 9+ | 137.44 грн |
| 24+ | 129.53 грн |
| IPP020N03LF2SAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP020N03LF2SAKSA1 THT N channel transistors
IPP020N03LF2SAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 200 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.56 грн |
| 19+ | 63.28 грн |
| 51+ | 60.31 грн |
| IPP020N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP020N08N5AKSA1 THT N channel transistors
IPP020N08N5AKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 545.19 грн |
| 4+ | 331.24 грн |
| 10+ | 312.45 грн |
| IPP023N10N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N10N5AKSA1 THT N channel transistors
IPP023N10N5AKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 429 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 420.61 грн |
| 5+ | 255.10 грн |
| 13+ | 241.26 грн |
| IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 490 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 214.03 грн |
| 8+ | 157.21 грн |
| 21+ | 149.30 грн |
| IPP024N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Technology: OptiMOS™ 3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 250W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 464.26 грн |
| 3+ | 385.05 грн |
| 10+ | 297.62 грн |
| 50+ | 258.07 грн |
| 250+ | 253.12 грн |
| IPP026N10NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors
IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 247.04 грн |
| 7+ | 174.02 грн |
| 19+ | 164.13 грн |
| IPP029N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors
IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 88 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 184.21 грн |
| 14+ | 88.99 грн |
| 37+ | 85.03 грн |
| IPP030N06NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP030N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
IPP030N06NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 102.22 грн |
| 24+ | 50.23 грн |
| 65+ | 47.46 грн |
| IPP030N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 317.32 грн |
| 10+ | 245.40 грн |
| 50+ | 213.57 грн |
| 100+ | 203.69 грн |
| IPP030N10N5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: TO220-3
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 49 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 384.40 грн |
| 10+ | 333.71 грн |
| 50+ | 296.63 грн |
| 100+ | 283.78 грн |
| 250+ | 255.10 грн |
| 500+ | 241.26 грн |
| IPP032N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP032N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP032N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 235.33 грн |
| 16+ | 75.15 грн |
| 44+ | 71.19 грн |
| IPP034NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 321.58 грн |
| 2+ | 225.89 грн |
| 3+ | 205.66 грн |
| 10+ | 185.89 грн |
| IPP037N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 177 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 267.27 грн |
| 14+ | 88.00 грн |
| 37+ | 83.06 грн |
| IPP039N04LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP039N04LGXKSA1 THT N channel transistors
IPP039N04LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.94 грн |
| 18+ | 65.26 грн |
| 50+ | 61.30 грн |
| IPP040N06N3GXKSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP040N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 350 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.75 грн |
| 13+ | 94.92 грн |
| 34+ | 89.98 грн |
| IPP040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP040N06NXKSA1 THT N channel transistors
IPP040N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 115.00 грн |
| 16+ | 73.17 грн |
| 44+ | 69.21 грн |
| IPP041N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 143.75 грн |
| 26+ | 45.38 грн |
| 72+ | 42.81 грн |
| IPP042N03LGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 106.48 грн |
| 20+ | 59.33 грн |
| 55+ | 56.36 грн |
| IPP045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP045N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP045N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.89 грн |
| 11+ | 108.76 грн |
| 30+ | 102.83 грн |
| IPP048N12N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Drain-source voltage: 120V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 332.22 грн |
| 10+ | 281.34 грн |
| 50+ | 187.87 грн |
| 100+ | 168.09 грн |
| IPP051N15N5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP051N15N5XKSA1 THT N channel transistors
IPP051N15N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 468.52 грн |
| 6+ | 228.40 грн |
| 15+ | 215.55 грн |
| IPP052N06L3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 189.54 грн |
| 15+ | 80.09 грн |
| 41+ | 76.13 грн |





