Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149397) > Сторінка 1273 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPS70R1K4P7SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1 IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
11+29.36 грн
77+15.25 грн
211+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 IPS80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
5+61.32 грн
25+51.07 грн
75+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K0CEBKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+53.73 грн
29+41.04 грн
79+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 IPU80R1K2P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
6+58.29 грн
7+50.69 грн
25+43.30 грн
75+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+129.29 грн
31+37.89 грн
85+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
8+42.81 грн
43+27.75 грн
116+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1 IPU80R600P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBB67430780143&compId=IPU80R600P7.pdf?ci_sign=19e7459be59c0ddcb6e46cc60462c940e1a39fcf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 60W; IPAK; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+169.56 грн
25+155.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 IPU80R900P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+99.62 грн
10+79.30 грн
75+62.98 грн
150+58.26 грн
375+52.75 грн
750+48.02 грн
1500+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipu95r2k0p7-datasheet-en.pdf IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+73.34 грн
37+31.69 грн
102+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipu95r750p7-datasheet-en.pdf IPU95R750P7 THT N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+136.71 грн
14+87.58 грн
37+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8 IPW60R017C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1277.32 грн
3+1207.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 IPW60R031CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+979.23 грн
3+871.70 грн
10+783.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 IPW60R037P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+654.94 грн
2+591.69 грн
5+483.18 грн
10+480.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 IPW60R041C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59527FBD16DF1BF&compId=IPW60R041C6-DTE.pdf?ci_sign=6837f4b5c1cab04482cc6edd814da7b3dad60443 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+859.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 IPW60R045CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1732.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+451.46 грн
90+392.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 48A; 164W; TO247-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+368.80 грн
120+319.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070C6FKSA1 IPW60R070C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E708A74B71BF&compId=IPW60R070C6-DTE.pdf?ci_sign=a76dc45b803a2fd0375610b9d1330af0e3b06965 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW60R099CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee4b902f59fe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 31A; 255W; TO247-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
30+568.04 грн
90+492.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 IPW60R099CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF89F811F98A4020D6&compId=IPW60R099CP.pdf?ci_sign=fa5ac79b9c1d4d8e8023ad58506c7e9aba5240a7 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+528.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1 IPW60R099P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595451D559B31BF&compId=IPW60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=64f61ef499400e8d208bb826aca30234098f363e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+432.39 грн
2+394.46 грн
30+276.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf IPW60R120P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.83 грн
6+202.72 грн
16+191.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 IPW60R125CPFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E1B2AF78D1BF&compId=IPW60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=538fed47957f97bf4916397747f0a9fe7c4f3e94 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+578.63 грн
10+394.46 грн
30+371.98 грн
60+346.39 грн
150+310.97 грн
240+300.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 IPW60R190C6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+278.72 грн
3+237.09 грн
10+205.67 грн
30+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 IPW60R190P6FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+432.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDFKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1 IPW65R110CFDFKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+556.38 грн
4+338.52 грн
10+319.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R420CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW65R420CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+245.87 грн
3+213.58 грн
10+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc IPW80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+311.57 грн
5+286.36 грн
10+275.92 грн
12+271.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPW90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3a02810087 IPW90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+458.88 грн
5+278.49 грн
12+263.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPZ60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c9376864008 IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1256.66 грн
3+1187.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Power: 625mW
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+186.52 грн
5+152.27 грн
10+132.85 грн
25+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF IR2010PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Case: DIP14
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.6W
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+526.70 грн
3+456.80 грн
10+388.71 грн
25+349.34 грн
100+325.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF IR2010STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+256.46 грн
10+192.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663 description IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+108.10 грн
11+107.26 грн
30+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2101.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+257.52 грн
5+212.56 грн
10+187.96 грн
25+167.29 грн
50+155.48 грн
100+146.63 грн
250+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2101SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.04 грн
10+75.62 грн
25+65.93 грн
50+62.00 грн
100+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IR2102STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
10+115.48 грн
50+93.49 грн
100+84.63 грн
250+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF IR2103STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+80.54 грн
5+63.96 грн
10+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.82 грн
10+192.12 грн
25+172.21 грн
50+163.36 грн
100+155.48 грн
250+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2104.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.32 грн
5+134.89 грн
10+117.10 грн
25+102.34 грн
50+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2104PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+107.04 грн
10+75.11 грн
25+65.93 грн
50+61.90 грн
100+58.55 грн
250+54.81 грн
500+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF IR2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+240.57 грн
5+208.47 грн
25+175.16 грн
95+148.59 грн
190+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF IR2106STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.44 грн
5+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF IR21094SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+170.62 грн
3+144.09 грн
10+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+142.01 грн
10+103.21 грн
25+92.50 грн
50+86.60 грн
100+82.66 грн
250+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR2109PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+262.82 грн
10+190.08 грн
25+172.21 грн
50+162.37 грн
100+153.51 грн
250+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF IR2109STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21094SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.44 грн
5+79.71 грн
10+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF IR2110PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.60 грн
10+181.07 грн
25+170.24 грн
50+163.36 грн
100+155.48 грн
250+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF IR2110STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2110STRPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+207.45 грн
10+164.34 грн
25+151.55 грн
50+143.67 грн
100+136.79 грн
250+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF IR2111PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2111.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.91 грн
10+168.62 грн
25+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF IR2111SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2111SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+109.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF IR2112PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+333.83 грн
10+244.24 грн
25+218.46 грн
50+208.62 грн
100+199.77 грн
500+196.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF IR2112SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2112.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.54 грн
45+192.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2112STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+214.07 грн
10+153.29 грн
25+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+206.43 грн
10+173.20 грн
25+163.36 грн
100+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+348.66 грн
3+305.55 грн
10+250.94 грн
25+223.38 грн
35+216.50 грн
45+210.59 грн
225+205.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.77 грн
5+184.97 грн
10+168.28 грн
25+154.50 грн
50+144.66 грн
100+136.79 грн
125+134.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2114SSPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SSOP24
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+636.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF IR2117PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.14 грн
10+165.32 грн
20+159.42 грн
50+151.55 грн
250+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF IR2117SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2117.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Mounting: SMD
Case: SO8
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Operating temperature: -40...125°C
Topology: single transistor
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+135.65 грн
5+103.21 грн
10+93.49 грн
25+87.58 грн
50+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4P7SAKMA1 Infineon-IPS70R1K4P7S-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158cf89d1e10db1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPS70R1K4P7S THT N channel transistors
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
11+29.36 грн
77+15.25 грн
211+14.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IPS80R900P7AKMA1 Infineon-IPS80R900P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625b3ca4ec015b4764f6817039
IPS80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK SL; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
5+61.32 грн
25+51.07 грн
75+47.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K0CEBKMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K0CEBKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 854 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+53.73 грн
29+41.04 грн
79+38.77 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K2P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBB8B84A4D56143&compId=IPU80R1K2P7.pdf?ci_sign=d3eea91f58a62d4babd0dbac4aad2c4ad81ff66c
IPU80R1K2P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; IPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+58.29 грн
7+50.69 грн
25+43.30 грн
75+39.36 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R1K4P7AKMA1 INFN-S-A0002786355-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R1K4P7 THT N channel transistors
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+129.29 грн
31+37.89 грн
85+35.82 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R4K5P7AKMA1 Infineon-IPU80R4K5P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e8ec5bf3073e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU80R4K5P7AKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.81 грн
43+27.75 грн
116+26.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R600P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBB67430780143&compId=IPU80R600P7.pdf?ci_sign=19e7459be59c0ddcb6e46cc60462c940e1a39fcf
IPU80R600P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 60W; IPAK; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 0.6Ω
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 60W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+169.56 грн
25+155.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPU80R900P7AKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBBDDABCB60143&compId=IPU80R900P7.pdf?ci_sign=3a807cce8c544f1ff3fcc5744c8985b6833e01c9
IPU80R900P7AKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 45W; IPAK; ESD
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 0.9Ω
Drain current: 3.9A
Power dissipation: 45W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 800V
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Case: IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+99.62 грн
10+79.30 грн
75+62.98 грн
150+58.26 грн
375+52.75 грн
750+48.02 грн
1500+46.05 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R2K0P7AKMA1 infineon-ipu95r2k0p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R2K0P7 THT N channel transistors
на замовлення 1221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+73.34 грн
37+31.69 грн
102+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPU95R750P7AKMA1 infineon-ipu95r750p7-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPU95R750P7 THT N channel transistors
на замовлення 147 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.71 грн
14+87.58 грн
37+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R017C7XKSA1 Infineon-IPW60R017C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253a864fe0153cc8319e77eb8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R017C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1277.32 грн
3+1207.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R031CFD7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7AABA7D78568F074A&compId=IPW60R031CFD7.pdf?ci_sign=c11ed890a1b18706da62222855c2df1e6b231937
IPW60R031CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 40A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 40A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 141nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+979.23 грн
3+871.70 грн
10+783.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R037P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBBD7BE2A1DA143&compId=IPW60R037P7.pdf?ci_sign=a0965196f457b612a877e2bb887906e08fdd6397
IPW60R037P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 48A; 255W; PG-TO247-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 121nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+654.94 грн
2+591.69 грн
5+483.18 грн
10+480.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R041C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59527FBD16DF1BF&compId=IPW60R041C6-DTE.pdf?ci_sign=6837f4b5c1cab04482cc6edd814da7b3dad60443
IPW60R041C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 77.5A; 481W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 77.5A
Power dissipation: 481W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+859.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R045CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E4C7AF9B31BF&compId=IPW60R045CP-DTE.pdf?ci_sign=5e3f47fef8e1cb1491e58f40da372d83d84901cd
IPW60R045CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 60A; 431W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 60A
Power dissipation: 431W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1732.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060C7XKSA1 Infineon-IPW60R060C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151a130041f2b80
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+451.46 грн
90+392.42 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R060P7XKSA1 Infineon-IPW60R060P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625acbae4c015acce82ba2022c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 48A; 164W; TO247-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 48A
Power dissipation: 164W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+368.80 грн
120+319.86 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R070C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E708A74B71BF&compId=IPW60R070C6-DTE.pdf?ci_sign=a76dc45b803a2fd0375610b9d1330af0e3b06965
IPW60R070C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 53A
Power dissipation: 391W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPAFKSA1 Infineon-IPW60R099CPA-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c0128ee4b902f59fe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 31A; 255W; TO247-3; SMT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 80nC
Kind of channel: enhancement
Electrical mounting: SMT
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
30+568.04 грн
90+492.56 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF89F811F98A4020D6&compId=IPW60R099CP.pdf?ci_sign=fa5ac79b9c1d4d8e8023ad58506c7e9aba5240a7
IPW60R099CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R099P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595451D559B31BF&compId=IPW60R099P6-DTE.pdf?ci_sign=64f61ef499400e8d208bb826aca30234098f363e
IPW60R099P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.39 грн
2+394.46 грн
30+276.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R120P7XKSA1 infineon-ipw60r120p7-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW60R120P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.83 грн
6+202.72 грн
16+191.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R125CPFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594E1B2AF78D1BF&compId=IPW60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=538fed47957f97bf4916397747f0a9fe7c4f3e94
IPW60R125CPFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.63 грн
10+394.46 грн
30+371.98 грн
60+346.39 грн
150+310.97 грн
240+300.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190C6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594DAE69A9FB1BF&compId=IPW60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=aa3804d3e7bddb28ab47507aa621ef2f4dd6706c
IPW60R190C6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 168 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+278.72 грн
3+237.09 грн
10+205.67 грн
30+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW60R190P6FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B595309EB6B3D1BF&compId=IPW60R190P6-DTE.pdf?ci_sign=e714726303f0dd874f335ad607e36d2dccd82619
IPW60R190P6FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+432.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R110CFDFKSA2 Infineon-IPX65R110CFD-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433004641301306abd8e2041b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW65R110CFDFKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.38 грн
4+338.52 грн
10+319.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPW65R420CFDFKSA1 IPW65R420CFD-DTE.pdf
IPW65R420CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8.7A; 83.3W; PG-TO247-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.42Ω
Drain current: 8.7A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 83.3W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.87 грн
3+213.58 грн
10+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW80R280P7XKSA1 Infineon-IPW80R280P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e96482cb07dc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW80R280P7 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.57 грн
5+286.36 грн
10+275.92 грн
12+271.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R340C3XKSA1 Infineon-IPW90R340C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043183a955501183c3a02810087
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPW90R340C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+458.88 грн
5+278.49 грн
12+263.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPZ60R040C7XKSA1 Infineon-IPZ60R040C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4624cb7f111014d4c9376864008
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPZ60R040C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1256.66 грн
3+1187.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR11672ASTRPBF ir11672aspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c455561653
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -7...2A
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 11.4...18V DC
Power: 625mW
Voltage class: 200V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.52 грн
5+152.27 грн
10+132.85 грн
25+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Mounting: THT
Case: DIP14
Kind of package: tube
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.6W
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+526.70 грн
3+456.80 грн
10+388.71 грн
25+349.34 грн
100+325.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2010STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA93E4F97CE2DB20C4&compId=IR2010SPBF.pdf?ci_sign=7f2358c95a7abe46aba0e75f703e0870e922928f
IR2010STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -3...3A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SO16
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 200V
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 65ns
Turn-on time: 95ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 975 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.46 грн
10+192.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2011SPBF description ir2011.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c49b831663
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IR2011SPBF MOSFET/IGBT drivers
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+108.10 грн
11+107.26 грн
30+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description ir2101.pdf
IR2101PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+257.52 грн
5+212.56 грн
10+187.96 грн
25+167.29 грн
50+155.48 грн
100+146.63 грн
250+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description IR2101SPBF.pdf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2149 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.04 грн
10+75.62 грн
25+65.93 грн
50+62.00 грн
100+60.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2102STRPBF IRSDS17613-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2102STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
10+115.48 грн
50+93.49 грн
100+84.63 грн
250+83.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2103STRPBF description ir2103.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7b54b166f
IR2103STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+80.54 грн
5+63.96 грн
10+62.00 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description IR2104PBF.pdf
IR2104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
10+192.12 грн
25+172.21 грн
50+163.36 грн
100+155.48 грн
250+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description ir2104.pdf
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.32 грн
5+134.89 грн
10+117.10 грн
25+102.34 грн
50+99.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description IR2104PBF.pdf
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 680ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SO8
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -270...130mA
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+107.04 грн
10+75.11 грн
25+65.93 грн
50+61.90 грн
100+58.55 грн
250+54.81 грн
500+54.62 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106SPBF ir2106.pdf
IR2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.57 грн
5+208.47 грн
25+175.16 грн
95+148.59 грн
190+147.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2106STRPBF description ir2106.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c7cfc51673
IR2106STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -0.35...0.2A
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 644 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.44 грн
5+90.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094SPBF IR21094SPBF.pdf
IR21094SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.62 грн
3+144.09 грн
10+109.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21094STRPBF IR21094SPBF.pdf
IR21094STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+142.01 грн
10+103.21 грн
25+92.50 грн
50+86.60 грн
100+82.66 грн
250+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109PBF IR21094SPBF.pdf
IR2109PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+262.82 грн
10+190.08 грн
25+172.21 грн
50+162.37 грн
100+153.51 грн
250+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2109STRPBF IR21094SPBF.pdf
IR2109STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -250...120mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.44 грн
5+79.71 грн
10+71.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110PBF ir2110_2113.pdf
IR2110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP14
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.60 грн
10+181.07 грн
25+170.24 грн
50+163.36 грн
100+155.48 грн
250+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2110STRPBF description IR2110STRPBF.pdf
IR2110STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 111ns
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO16-W
Voltage class: 500V
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 145ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.45 грн
10+164.34 грн
25+151.55 грн
50+143.67 грн
100+136.79 грн
250+128.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111PBF description ir2111.pdf
IR2111PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 1W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
10+168.62 грн
25+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2111SPBF description IR2111SPBF.pdf
IR2111SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 190ns
Turn-on time: 830ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+109.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112PBF description ir2112.pdf
IR2112PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+333.83 грн
10+244.24 грн
25+218.46 грн
50+208.62 грн
100+199.77 грн
500+196.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112SPBF description ir2112.pdf
IR2112SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.54 грн
45+192.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2112STRPBF IR2112STRPBF.pdf
IR2112STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 145ns
Turn-on time: 205ns
Power: 1.25W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 747 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.07 грн
10+153.29 грн
25+142.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Power: 1.6W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+206.43 грн
10+173.20 грн
25+163.36 грн
100+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 69 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.66 грн
3+305.55 грн
10+250.94 грн
25+223.38 грн
35+216.50 грн
45+210.59 грн
225+205.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 725 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.77 грн
5+184.97 грн
10+168.28 грн
25+154.50 грн
50+144.66 грн
100+136.79 грн
125+134.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2114SSPBF IR2114SSPBF.pdf
IR2114SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge; high-/low-side,gate driver; SSOP24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -1.5...1A
Power: 1.5W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.4...20V DC
Turn-off time: 440ns
Topology: IGBT half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SSOP24
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 440ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+636.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117PBF ir2117.pdf
IR2117PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 1W
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 231 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.14 грн
10+165.32 грн
20+159.42 грн
50+151.55 грн
250+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2117SPBF description ir2117.pdf
IR2117SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Mounting: SMD
Case: SO8
Turn-on time: 125ns
Turn-off time: 105ns
Operating temperature: -40...125°C
Topology: single transistor
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 221 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.65 грн
5+103.21 грн
10+93.49 грн
25+87.58 грн
50+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1278 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]