Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148449) > Сторінка 1273 з 2475
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IPL60R185CFD7 | INFINEON TECHNOLOGIES | IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R199CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R210P6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R285P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R299CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R2K1C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R365P7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R385CPAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL60R650P6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R070C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPL65R099C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 21A Power dissipation: 128W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 99mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPL65R130C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R165CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPL65R190E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.2A Power dissipation: 151W Case: PG-VSON-4 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.19Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPL65R195C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4 Technology: CoolMOS™ Mounting: SMD Case: PG-VSON-4 Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A On-state resistance: 0.195Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPL65R1K5C6SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPL65R210CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R230C7AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R310E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R340CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R420E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R460CFDAUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPL65R660E6AUMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN50R2K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPN50R800CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain current: 4.8A On-state resistance: 0.8Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 12.4nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2903 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPN50R950CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223 Case: PG-SOT223 Mounting: SMD Drain current: 4.2A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 5W Polarisation: unipolar Gate charge: 10.5nC Technology: CoolMOS™ CE Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 500V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2803 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPN60R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN60R2K1CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN60R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 7W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN60R3K4CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN60R600P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN70R1K0CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN70R1K5CEATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN70R360P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPN70R900P7SATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 3.5A Power dissipation: 6.5W Case: PG-SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 6.8nC Kind of channel: enhancement Version: ESD кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPN80R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD Drain current: 3.1A On-state resistance: 1.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.8W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 11nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPN80R1K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD Drain current: 2.7A On-state resistance: 1.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 10nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPN80R2K4P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD Drain current: 1.7A On-state resistance: 2.4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.3W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 8nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPN80R3K3P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD Drain current: 1.3A On-state resistance: 3.3Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6.1W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 6nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPN80R4K5P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD Drain current: 1A On-state resistance: 4.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 4nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2167 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPN80R600P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD Drain current: 5.5A On-state resistance: 0.6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.4W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 20nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPN80R750P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD Drain current: 4.6A On-state resistance: 0.75Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7.2W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 17nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPN80R900P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD Drain current: 3.9A On-state resistance: 0.9Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 7W Polarisation: unipolar Kind of package: reel Version: ESD Gate charge: 15nC Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: PG-SOT223 Drain-source voltage: 800V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPN95R1K2P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN95R2K0P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPN95R3K7P7ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPP015N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPP019N08NF2SAKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W Type of transistor: N-MOSFET Technology: StrongIRFET™ 2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 147A Pulsed drain current: 764A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.9mΩ Mounting: THT Gate charge: 124nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 99 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPP020N06NAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 100A Power dissipation: 136W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPP020N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPP023N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPP023N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPP023N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 375W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPP023NE7N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPP024N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP027N08N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 120A Power dissipation: 214W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.7mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: OptiMOS™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPP029N06NAKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPP030N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 100A Power dissipation: 300W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPP030N10N5AKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 120A Power dissipation: 250W Case: PG-TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IPL60R185CFD7 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors
IPL60R185CFD7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R199CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R199CPAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL60R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R210P6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R210P6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R285P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
IPL60R285P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R299CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R299CPAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R2K1C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL60R2K1C6SATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R365P7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
IPL60R365P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R385CPAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
IPL60R385CPAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL60R650P6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL60R650P6SATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R070C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R070C7AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R099C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 21A; 128W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 21A
Power dissipation: 128W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R130C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R130C7AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R165CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R165CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R165CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R190E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R195C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; 75W; PG-VSON-4
Technology: CoolMOS™
Mounting: SMD
Case: PG-VSON-4
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 12A
On-state resistance: 0.195Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R1K5C6SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
IPL65R1K5C6SATMA1 SMD N channel transistors
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 144.59 грн |
15+ | 75.41 грн |
40+ | 71.73 грн |
IPL65R210CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R210CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R230C7AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R230C7AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R310E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R310E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R340CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R340CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R420E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R420E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R460CFDAUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R460CFDAUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPL65R660E6AUMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
IPL65R660E6AUMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN50R2K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
IPN50R2K0CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN50R800CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.8A
On-state resistance: 0.8Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.4nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 63.38 грн |
6+ | 48.89 грн |
25+ | 42.49 грн |
72+ | 40.28 грн |
100+ | 38.90 грн |
500+ | 38.72 грн |
IPN50R950CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.2A; 5W; PG-SOT223
Case: PG-SOT223
Mounting: SMD
Drain current: 4.2A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 5W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 10.5nC
Technology: CoolMOS™ CE
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2803 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
9+ | 33.67 грн |
25+ | 29.13 грн |
50+ | 22.25 грн |
137+ | 20.97 грн |
3000+ | 20.23 грн |
IPN60R1K5CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
IPN60R1K5CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R2K1CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
IPN60R2K1CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R360P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 7W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 7W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R3K4CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
IPN60R3K4CEATMA1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN60R600P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
IPN60R600P7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R1K0CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R1K0CE SMD N channel transistors
IPN70R1K0CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R1K5CEATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R1K5CE SMD N channel transistors
IPN70R1K5CE SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R360P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN70R360P7S SMD N channel transistors
IPN70R360P7S SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN70R900P7SATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 3.5A; 6.5W; PG-SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 3.5A
Power dissipation: 6.5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.8nC
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 6.8W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.1A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.8W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 11nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 103.00 грн |
10+ | 64.37 грн |
34+ | 33.01 грн |
92+ | 31.17 грн |
3000+ | 30.35 грн |
IPN80R2K4P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.7A; 6.3W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.7A
On-state resistance: 2.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 8nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R3K3P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1.3A; 6.1W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1.3A
On-state resistance: 3.3Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6.1W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 6nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R4K5P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 1A; 6W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 1A
On-state resistance: 4.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 6W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 4nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 65.36 грн |
6+ | 50.04 грн |
10+ | 40.74 грн |
30+ | 37.52 грн |
50+ | 35.13 грн |
100+ | 34.12 грн |
IPN80R600P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.5A; 7.4W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 5.5A
On-state resistance: 0.6Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 20nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R750P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 7.2W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 4.6A
On-state resistance: 0.75Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 17nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN80R900P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.9A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 3.9A
On-state resistance: 0.9Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 15nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN95R1K2P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
IPN95R1K2P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN95R2K0P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
IPN95R2K0P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPN95R3K7P7ATMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
IPN95R3K7P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP015N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 351.57 грн |
5+ | 259.75 грн |
13+ | 236.34 грн |
500+ | 228.06 грн |
IPP019N08NF2SAKMA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 147A; Idm: 764A; 250W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 147A
Pulsed drain current: 764A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 124nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 201.04 грн |
9+ | 132.74 грн |
10+ | 117.71 грн |
50+ | 115.87 грн |
IPP020N06NAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP020N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 481.31 грн |
3+ | 418.28 грн |
4+ | 308.99 грн |
10+ | 291.51 грн |
250+ | 287.84 грн |
IPP023N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
IPP023N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP023N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP023N10N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP023NE7N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP024N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 466.45 грн |
3+ | 386.76 грн |
5+ | 259.33 грн |
12+ | 244.61 грн |
250+ | 241.86 грн |
IPP027N08N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP029N06NAKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP029N06NAKSA1 THT N channel transistors
IPP029N06NAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPP030N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 428.82 грн |
5+ | 286.49 грн |
12+ | 260.25 грн |
IPP030N10N5AKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.