Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149883) > Сторінка 1273 з 2499
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IMZ120R350M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IMZA120R020M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IMZA65R027M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 41A Pulsed drain current: 184A Power dissipation: 189W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 35mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 125W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 63mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IMZA65R072M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolSiC™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 18A Pulsed drain current: 69A Power dissipation: 96W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...23V On-state resistance: 94mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IMZA65R107M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W Case: TO247-4 Mounting: THT Drain-source voltage: 650V Drain current: 13A On-state resistance: 139mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 75W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Technology: CoolSiC™; SiC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -5...23V Pulsed drain current: 48A кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA028N04NM3SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA028N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA029N06NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 62A On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 348A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA029N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A On-state resistance: 2.9mΩ Power dissipation: 38W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA030N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 100V Drain current: 79A On-state resistance: 3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA032N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 60V Drain current: 84A On-state resistance: 3.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA037N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP Mounting: THT Drain-source voltage: 80V Drain current: 75A On-state resistance: 3.7mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 41W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA040N06NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 51A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 288A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 69A On-state resistance: 4mΩ Power dissipation: 36W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA040N08NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 41 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 64A Power dissipation: 39W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA050N10NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA052N08NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 46A Pulsed drain current: 256A Power dissipation: 38W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.2mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA057N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA057N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA060N06NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 40A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 224A Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 480 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA060N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220FP Drain-source voltage: 60V Drain current: 45A On-state resistance: 6mΩ Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA075N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA083N10N5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA083N10NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 471 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IPA086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
на замовлення 74 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
![]() |
IPA093N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 43A Power dissipation: 33W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.3mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA105N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP Mounting: THT Case: TO220FP Power dissipation: 40.5W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: OptiMOS™ 3 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 150V Drain current: 37A On-state resistance: 10.5mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 146 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPA126N10NM3SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA320N20NM3SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: CoolMOS™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 43 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA50R190CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 18.5A On-state resistance: 0.19Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 32W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA50R199CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; TO220FP Power dissipation: 139W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 17A On-state resistance: 0.199Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA50R250CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 13A On-state resistance: 0.25Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 194 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA50R280CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.5A On-state resistance: 0.28Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 30.4W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 468 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA50R380CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 4A On-state resistance: 0.38Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 29.2W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 477 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA50R399CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP Power dissipation: 8.3W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.3A On-state resistance: 0.399Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA50R500CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.4A On-state resistance: 0.5Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 28W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA50R520CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 7.1A On-state resistance: 0.52Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 66W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA50R800CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.6A Power dissipation: 26.4W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA50R950CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.4A On-state resistance: 0.95Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 25.7W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 113 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
IPA600N25NM3SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA60R060P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R080P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23A Power dissipation: 29W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R099C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP Power dissipation: 33W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 42nC Technology: CoolMOS™ C7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 83A Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R099P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP Power dissipation: 29W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ P7 Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A On-state resistance: 99mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA60R120C7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA60R120P7 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 16A Power dissipation: 28W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R125C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R125CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP Drain-source voltage: 600V Drain current: 25A On-state resistance: 0.125Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 35W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Technology: CoolMOS™ CP Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO220FP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA60R125P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
![]() |
IPA60R160C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ C6 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 23.8A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA60R160P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R165CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
IPA60R170CFD7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 20W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IPA60R180P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 11A Power dissipation: 26W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 53A Version: ESD кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
IPA60R190C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IMZ120R350M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZ120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors
IMZ120R350M1HXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMZA120R020M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZA120R020M1H THT N channel transistors
IMZA120R020M1H THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMZA65R027M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 41A; Idm: 184A; 189W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 184A
Power dissipation: 189W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMZA65R048M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 24A; Idm: 100A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 125W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMZA65R072M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 18A; Idm: 69A; 96W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 18A
Pulsed drain current: 69A
Power dissipation: 96W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...23V
On-state resistance: 94mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IMZA65R107M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 13A; Idm: 48A; 75W
Case: TO247-4
Mounting: THT
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13A
On-state resistance: 139mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 75W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Technology: CoolSiC™; SiC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: -5...23V
Pulsed drain current: 48A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA028N04NM3SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA028N04NM3SXKSA1 THT N channel transistors
IPA028N04NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA028N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA028N08N3G THT N channel transistors
IPA028N08N3G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA029N06NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 348A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 62A; Idm: 348A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 62A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 348A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA029N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 2.9mΩ
Power dissipation: 38W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA030N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA032N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
On-state resistance: 3.2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA037N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 75A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 75A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 302.31 грн |
3+ | 252.46 грн |
7+ | 170.63 грн |
18+ | 161.46 грн |
IPA040N06NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 51A; Idm: 288A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 51A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 288A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 69A; 36W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 69A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 36W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA040N08NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA040N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors
IPA040N08NM5SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.57 грн |
9+ | 125.68 грн |
24+ | 119.26 грн |
IPA041N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 64A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 64A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA050N10NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA050N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors
IPA050N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA052N08NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 46A; Idm: 256A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 46A
Pulsed drain current: 256A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA057N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 256.87 грн |
12+ | 93.57 грн |
32+ | 88.07 грн |
IPA057N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA057N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA057N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 224A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 224A
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 114.32 грн |
10+ | 96.33 грн |
13+ | 83.48 грн |
36+ | 78.90 грн |
IPA060N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA075N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 599.69 грн |
4+ | 333.93 грн |
9+ | 315.58 грн |
IPA083N10N5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors
IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 199.57 грн |
9+ | 131.19 грн |
23+ | 123.85 грн |
IPA083N10NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA083N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors
IPA083N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 471 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 156.10 грн |
11+ | 98.16 грн |
31+ | 92.66 грн |
IPA086N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 161.04 грн |
15+ | 71.56 грн |
42+ | 67.89 грн |
IPA093N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 43A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 43A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA105N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 40.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 37A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 37A; 40.5W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Power dissipation: 40.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 37A
On-state resistance: 10.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 432.72 грн |
3+ | 360.11 грн |
4+ | 292.65 грн |
10+ | 275.22 грн |
100+ | 265.12 грн |
IPA126N10NM3SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors
IPA126N10NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA320N20NM3SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA320N20NM3SXKSA1 THT N channel transistors
IPA320N20NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R140CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 43 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 451.50 грн |
3+ | 377.26 грн |
9+ | 343.10 грн |
100+ | 330.26 грн |
IPA50R190CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 18.5A
On-state resistance: 0.19Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 32W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R199CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; TO220FP
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 17A; 139W; TO220FP
Power dissipation: 139W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 17A
On-state resistance: 0.199Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R250CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 13A; 33W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 13A
On-state resistance: 0.25Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 229.21 грн |
8+ | 152.43 грн |
21+ | 138.53 грн |
IPA50R280CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.5A
On-state resistance: 0.28Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 30.4W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 161.04 грн |
20+ | 58.97 грн |
53+ | 53.67 грн |
1000+ | 51.65 грн |
IPA50R380CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4A; 29.2W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 29.2W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 477 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 101.76 грн |
10+ | 70.97 грн |
20+ | 54.22 грн |
55+ | 51.28 грн |
250+ | 49.36 грн |
IPA50R399CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Power dissipation: 8.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 0.399Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.3A; 8.3W; TO220FP
Power dissipation: 8.3W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.3A
On-state resistance: 0.399Ω
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R500CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.4A
On-state resistance: 0.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 28W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R520CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 7.1A
On-state resistance: 0.52Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 66W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R800CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 26.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 26.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA50R950CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 0.95Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 25.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 91.88 грн |
28+ | 41.06 грн |
76+ | 37.34 грн |
500+ | 35.87 грн |
IPA600N25NM3SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA600N25NM3SXKSA1 THT N channel transistors
IPA600N25NM3SXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R060P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R080P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23A; 29W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Power dissipation: 29W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R099C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Technology: CoolMOS™ C7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 83A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 83A; 33W; TO220FP
Power dissipation: 33W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 42nC
Technology: CoolMOS™ C7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 83A
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R099P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 29W; TO220FP
Power dissipation: 29W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
On-state resistance: 99mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R120C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R120C7XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R120C7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R120P7 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 28W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 28W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R125C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R125CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 35W; TO220FP
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.125Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Case: TO220FP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 544.36 грн |
3+ | 451.57 грн |
4+ | 302.74 грн |
10+ | 286.22 грн |
IPA60R125P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R160C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 23.8A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23.8A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R160P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R160P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R160P6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R165CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R165CPXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R165CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R170CFD7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R170CFD7XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R170CFD7XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R180P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 20W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
3+ | 141.28 грн |
10+ | 120.04 грн |
11+ | 99.08 грн |
30+ | 94.49 грн |
100+ | 91.74 грн |
250+ | 90.82 грн |
IPA60R180P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 11A; Idm: 53A; 26W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 11A
Power dissipation: 26W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 25nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 53A
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPA60R190C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R190C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.