Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149397) > Сторінка 1272 з 2490

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP023N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+368.80 грн
10+318.84 грн
50+271.60 грн
100+244.05 грн
250+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938 IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+258.58 грн
8+157.45 грн
21+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 IPP024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+462.06 грн
3+383.22 грн
10+296.20 грн
50+256.84 грн
250+251.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipp026n10nf2s-datasheet-en.pdf IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+285.08 грн
7+173.20 грн
19+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+147.31 грн
14+89.55 грн
37+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+315.81 грн
10+244.24 грн
50+212.56 грн
100+201.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49 IPP030N10N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+434.50 грн
5+263.73 грн
13+248.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 IPP032N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+205.59 грн
5+153.29 грн
10+126.94 грн
25+104.31 грн
50+91.52 грн
100+83.65 грн
250+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+320.05 грн
2+224.82 грн
3+204.69 грн
10+185.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 IPP037N08N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+218.31 грн
10+182.92 грн
25+153.51 грн
50+135.80 грн
100+121.04 грн
250+107.26 грн
500+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132 IPP039N04LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+113.40 грн
18+64.95 грн
50+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 IPP040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+174.86 грн
10+89.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
50+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142 IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.07 грн
26+45.17 грн
72+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP(B,P)042N03LG.pdf IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+105.98 грн
20+59.04 грн
55+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+156.85 грн
10+132.85 грн
50+114.15 грн
100+104.31 грн
500+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+330.65 грн
10+280.01 грн
50+186.97 грн
100+167.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb IPP051N15N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+374.10 грн
6+227.32 грн
15+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6 IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+188.64 грн
15+79.71 грн
41+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP052NE7N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+115.48 грн
10+97.42 грн
50+83.65 грн
100+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf IPP055N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+105.02 грн
25+48.61 грн
67+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93 IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+134.59 грн
18+66.92 грн
49+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP072N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+197.12 грн
10+83.80 грн
50+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460 IPP075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+331.71 грн
10+123.01 грн
27+116.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516 IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+172.74 грн
9+141.71 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042 IPP089N15NM6AKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.26 грн
12+100.38 грн
33+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP110N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+641.16 грн
10+528.33 грн
50+450.70 грн
100+427.09 грн
500+408.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+304.15 грн
11+290.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+208.77 грн
10+168.62 грн
50+103.33 грн
100+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IPP120N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c77d8950149 IPP120N20NFDAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+603.01 грн
4+343.44 грн
10+324.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+140.95 грн
10+114.45 грн
50+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 IPP17N25S3100AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 107W
Drain current: 13.3A
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+180.16 грн
3+165.55 грн
10+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP180N10N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be IPP200N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+178.04 грн
11+108.25 грн
30+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a IPP320N20N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+229.97 грн
14+220.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP50R140CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+389.99 грн
3+338.26 грн
10+301.13 грн
50+287.35 грн
100+258.81 грн
250+245.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.24 грн
16+75.77 грн
43+71.84 грн
2000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.54 грн
8+166.31 грн
20+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+98.56 грн
10+63.15 грн
50+50.19 грн
100+46.15 грн
500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP600N25N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+231.03 грн
10+197.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 IPP60R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+461.00 грн
10+368.91 грн
50+305.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 IPP60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+477.96 грн
10+389.35 грн
25+345.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 IPP60R099P7 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+397.41 грн
3+344.39 грн
10+313.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 IPP60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+615.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 IPP60R125P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A1D5CDA931BF&compId=IPP60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=efad1efd398c54219921fe1d04530a5ad86ec065 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+191.82 грн
10+166.57 грн
50+148.59 грн
100+141.71 грн
500+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R165CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+290.38 грн
10+258.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 IPP60R180C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 IPP60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+97.50 грн
10+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 IPP60R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59453B6F1F651BF&compId=IPP60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=92d70687cb740539bf38418ae0fd651c7a6f0e05 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+302.03 грн
10+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 IPP60R299CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+168.50 грн
3+151.24 грн
10+138.75 грн
50+124.98 грн
100+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R095C7-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+313.69 грн
10+281.03 грн
50+256.84 грн
100+231.26 грн
500+219.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375 IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+246.93 грн
6+210.59 грн
16+198.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.53 грн
10+107.30 грн
15+99.39 грн
50+91.52 грн
150+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf IPP80R360P7 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+286.14 грн
6+203.70 грн
16+192.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+216.19 грн
9+132.85 грн
25+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14 IPP90R340C3XKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+396.35 грн
5+241.10 грн
14+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34 IPP90R800C3XKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+167.44 грн
12+101.36 грн
32+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CEAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPS65R1K5CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
12+27.87 грн
25+24.32 грн
75+20.76 грн
300+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023N10N5AKSA1 IPP023N10N5-DTE.pdf
IPP023N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 375W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 375W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+368.80 грн
10+318.84 грн
50+271.60 грн
100+244.05 грн
250+231.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP023NE7N3GXKSA1 Infineon-IPP023NE7N3+G-DS-v02_11-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef2014ff58007437938
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP023NE7N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.58 грн
8+157.45 грн
21+148.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A3BAC4C2806A011C&compId=IPP024N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=50db48bc36890d6860fe3ae63f8a687849e4e47e
IPP024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.06 грн
3+383.22 грн
10+296.20 грн
50+256.84 грн
250+251.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP026N10NF2SAKMA1 infineon-ipp026n10nf2s-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP026N10NF2SAKMA1 THT N channel transistors
на замовлення 34 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+285.08 грн
7+173.20 грн
19+163.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP029N06NXKSA1 Infineon-IPP029N06N-DS-v02_06-EN.pdf?fileId=db3a3043345a30bc013465bff03f62ec
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP029N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+147.31 грн
14+89.55 грн
37+84.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N06NF2SAKMA1 Infineon-IPP030N06NF2S-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60b8793c83
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+71.00 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.81 грн
10+244.24 грн
50+212.56 грн
100+201.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5XKSA1 Infineon-IPP030N10N5-DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d4624a75e5f1014ac4e0b47c1f49
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP030N10N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+434.50 грн
5+263.73 грн
13+248.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP032N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98A6C6030411C&compId=IPP032N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=34183e67dc90345bcb6807fa4748e12435f87288
IPP032N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+205.59 грн
5+153.29 грн
10+126.94 грн
25+104.31 грн
50+91.52 грн
100+83.65 грн
250+76.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034NE7N3GXKSA1 IPP034NE7N3G-DTE.pdf
IPP034NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+320.05 грн
2+224.82 грн
3+204.69 грн
10+185.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP037N08N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BB146D4A8B411C&compId=IPP037N08N3G-DTE.pdf?ci_sign=64c6c32f058f82ac6d07d999c4f316e79c242e05
IPP037N08N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.31 грн
10+182.92 грн
25+153.51 грн
50+135.80 грн
100+121.04 грн
250+107.26 грн
500+100.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP039N04LGXKSA1 IPB039N04L_rev1.2.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f14ac947132
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP039N04LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+113.40 грн
18+64.95 грн
50+61.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06N3GXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A5E98C3F13C0811C&compId=IPP040N06N3G-DTE.pdf?ci_sign=dc43bbb37c068b8d637e5688c12841b44cf9c94a
IPP040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
Power dissipation: 188W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 352 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+174.86 грн
10+89.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N06NXKSA1 Infineon-IPP040N06N-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433727a44301372bbaa5ad4942
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
50+84.78 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N04NGXKSA1 Infineon-IPB041N04N-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e01239f19fec57142
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 181 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.07 грн
26+45.17 грн
72+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP042N03LGXKSA1 IP(B,P)042N03LG.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP042N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+105.98 грн
20+59.04 грн
55+56.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP045N10N3GXKSA1 IPP045N10N3G-DTE.pdf
IPP045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 104 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.85 грн
10+132.85 грн
50+114.15 грн
100+104.31 грн
500+98.41 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 4.8mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+330.65 грн
10+280.01 грн
50+186.97 грн
100+167.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP051N15N5XKSA1 Infineon-IPP051N15N5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a0437e3754cb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP051N15N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.10 грн
6+227.32 грн
15+214.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052N06L3GXKSA1 Infineon-IPP_B052N06L3-DS-v02_04-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a32d97c125b6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP052N06L3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 67 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.64 грн
15+79.71 грн
41+75.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP052NE7N3GXKSA1 IPP052NE7N3G-DTE.pdf
IPP052NE7N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.48 грн
10+97.42 грн
50+83.65 грн
100+78.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP055N03LGXKSA1 IP%28B%2CP%29055N03LG.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP055N03LGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+105.02 грн
25+48.61 грн
67+45.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP057N06N3GXKSA1 IPP_B057N06N3_Rev2.0.pdf?folderId=db3a30431441fb5d01148ca9f1be0e77&fileId=db3a30431ddc9372011e2b439f1d4d93
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+134.59 грн
18+66.92 грн
49+62.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP072N10N3GXKSA1 IPP072N10N3G-DTE.pdf
IPP072N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 150W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 150W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 448 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+197.12 грн
10+83.80 грн
50+74.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad&redirId=133460
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.71 грн
10+123.01 грн
27+116.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP076N15N5AKSA1 Infineon-IPP076N15N5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f650570154a04c9f955516
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP076N15N5 THT N channel transistors
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.74 грн
9+141.71 грн
23+133.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon-IPP089N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752e4c67042
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP089N15NM6AKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.26 грн
12+100.38 грн
33+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP110N20N3GXKSA1 IPP110N20N3G-DTE.pdf
IPP110N20N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 88A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 88A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.16 грн
10+528.33 грн
50+450.70 грн
100+427.09 грн
500+408.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP111N15N3GXKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP111N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+304.15 грн
11+290.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 11.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 75A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 136W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+208.77 грн
10+168.62 грн
50+103.33 грн
100+101.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP120N20NFDAKSA1 DS_IPP120N20NFD_2_0.pdf?folderId=db3a304325305e6d012596c6ca7b290a&fileId=db3a3043440adf7501440c77d8950149
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP120N20NFDAKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+603.01 грн
4+343.44 грн
10+324.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO220-3
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 14.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 56A
Drain-source voltage: 120V
Power dissipation: 107W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.95 грн
10+114.45 грн
50+94.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP17N25S3100AKSA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPP17N25S3100AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T; unipolar; 250V; 13.3A; Idm: 68A
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T
Case: PG-TO220-3
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 107W
Drain current: 13.3A
Drain-source voltage: 250V
Pulsed drain current: 68A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 482 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+180.16 грн
3+165.55 грн
10+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP180N10N3GXKSA1 IPP180N10N3G-dte.pdf
IPP180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+63.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP200N15N3GXKSA1 IPD200N15N3_Rev2.02.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee7c66a02d6&fileId=db3a304319c6f18c0119cd1cc23279be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP200N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.04 грн
11+108.25 грн
30+102.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP320N20N3GXKSA1 IPP_B_I_320N20N3+G+Rev2.2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f170124967064ba184a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP320N20N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.97 грн
14+220.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R140CPXKSA1 IPP50R140CP-DTE.pdf
IPP50R140CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 192W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 192W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+389.99 грн
3+338.26 грн
10+301.13 грн
50+287.35 грн
100+258.81 грн
250+245.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R190CEXKSA1 IPx50R190CE+2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304339d29c450139d43facbe02fb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R190CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.24 грн
16+75.77 грн
43+71.84 грн
2000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R250CPXKSA1 dgdl?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238524b91c65ce
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 430 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.54 грн
8+166.31 грн
20+157.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP50R380CEXKSA1 IPx50R380CE_2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432e398416012e5273936c15b0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.9A; 73W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.9A
Power dissipation: 73W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.56 грн
10+63.15 грн
50+50.19 грн
100+46.15 грн
500+44.78 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP600N25N3GXKSA1 IPP600N25N3G-DTE.pdf
IPP600N25N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 25A; 136W; PG-TO220-3
Case: PG-TO220-3
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 60mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 25A
Power dissipation: 136W
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.03 грн
10+197.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5945C848E84F1BF&compId=IPP60R099C6-DTE.pdf?ci_sign=309580ea66cbc75322c87db6d192b428c777e9ea
IPP60R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 37.9A; 278W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 37.9A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+461.00 грн
10+368.91 грн
50+305.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59457F5CAAA71BF&compId=IPP60R099CP-DTE.pdf?ci_sign=58cf3965cfc8109487e20bd8d33b892067a49653
IPP60R099CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 255W; PG-TO220-3-1
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 31A
Power dissipation: 255W
Case: PG-TO220-3-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+477.96 грн
10+389.35 грн
25+345.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R099P7 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A1E1D8ADC57F2749&compId=IPP60R099P7.pdf?ci_sign=f712e67ed86a8f78e11410cb3eca32c304fb8895
IPP60R099P7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 117W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 117W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+397.41 грн
3+344.39 грн
10+313.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594552FBE8F91BF&compId=IPP60R125CP-DTE.pdf?ci_sign=afab661542e2620673283235d20ec3775808743a
IPP60R125CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 25A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 25A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+615.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R125P6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A1D5CDA931BF&compId=IPP60R125P6-DTE.pdf?ci_sign=efad1efd398c54219921fe1d04530a5ad86ec065
IPP60R125P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 219W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 196 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+191.82 грн
10+166.57 грн
50+148.59 грн
100+141.71 грн
500+126.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R165CPXKSA1 IPP60R165CP-DTE.pdf
IPP60R165CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 192W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™ CP
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.165Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 192W
Drain-source voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.38 грн
10+258.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R180C7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594A594EE1111BF&compId=IPP60R180C7-DTE.pdf?ci_sign=44faf0fccfdedd2c114610049948296d029df2e1
IPP60R180C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 68W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190C6XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B5944516ACCA91BF&compId=IPP60R190C6-DTE.pdf?ci_sign=656d49e416ee0ee069a2849faaa19764993ed0e3
IPP60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 52 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R190P6XKSA1 IPP60R190P6-DTE.pdf
IPP60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+97.50 грн
10+86.86 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R199CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B59453B6F1F651BF&compId=IPP60R199CP-DTE.pdf?ci_sign=92d70687cb740539bf38418ae0fd651c7a6f0e05
IPP60R199CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.03 грн
10+208.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP60R299CPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B594497E2285B1BF&compId=IPP60R299CP-DTE.pdf?ci_sign=0aa6e8461138adc0224ff0880d043028a0164f7f
IPP60R299CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 11A; 96W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CP
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 11A
Power dissipation: 96W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.299Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+168.50 грн
3+151.24 грн
10+138.75 грн
50+124.98 грн
100+118.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R095C7XKSA1 IPP65R095C7-DTE.pdf
IPP65R095C7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; 128W; PG-TO220-3
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 95mΩ
Drain current: 24A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 128W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+313.69 грн
10+281.03 грн
50+256.84 грн
100+231.26 грн
500+219.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP65R125C7XKSA1 Infineon-IPP65R125C7-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a30434208e5fd014209f7e8700375
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP65R125C7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.93 грн
6+210.59 грн
16+198.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBAEBA74EE80143&compId=IPP80R1K2P7.pdf?ci_sign=1b0708e76114029cb0c9c403ab9149266548bc6e
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 11nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 327 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.53 грн
10+107.30 грн
15+99.39 грн
50+91.52 грн
150+88.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R360P7XKSA1 infineon-ipp80r360p7-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R360P7 THT N channel transistors
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+286.14 грн
6+203.70 грн
16+192.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R450P7XKSA1 Infineon-IPP80R450P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46255dd933d0155e459bf0619fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP80R450P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+216.19 грн
9+132.85 грн
25+125.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R340C3XKSA2 Infineon-IPP90R340C3-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8a4f73e5c14
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP90R340C3XKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+396.35 грн
5+241.10 грн
14+227.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPP90R800C3XKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+167.44 грн
12+101.36 грн
32+96.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPS65R1K5CEAKMA1 IPS65R1K5CE-DTE.pdf
IPS65R1K5CEAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 3.1A; 28W; IPAK SL
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Case: IPAK SL
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 1.5Ω
Drain current: 3.1A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 28W
Drain-source voltage: 650V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 616 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
12+27.87 грн
25+24.32 грн
75+20.76 грн
300+20.47 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1494 1743 1992 2241 2490  [ Наступна Сторінка >> ]