Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148893) > Сторінка 1272 з 2482
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IKW30N65ES5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 29ns Turn-off time: 154ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 39.5A Pulsed collector current: 120A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW30N65H5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 94W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Manufacturer series: H5 Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 31ns Turn-off time: 209ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 35A Pulsed collector current: 90A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW30N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 5 Power dissipation: 75W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Collector-emitter voltage: 650V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 51ns Turn-off time: 376ns Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 30A Pulsed collector current: 90A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW40N120CS6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 6 Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 285nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Collector current: 40A Collector-emitter voltage: 1.2kV Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 77 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW40N120H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 80A Power dissipation: 483W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 3 Manufacturer series: H3 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 293 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW40N120T2FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 40A Power dissipation: 480W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 165A Mounting: THT Gate charge: 192nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW40N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 153W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 223nC Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 160A Collector-emitter voltage: 600V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 52ns Turn-off time: 218ns Collector current: 40A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 91 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW40N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 148 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW40N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 40A Power dissipation: 115W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 120A Mounting: THT Gate charge: 193nC Kind of package: tube Turn-on time: 60ns Turn-off time: 448ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW50N60DTPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 61A Power dissipation: 159.6W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 249nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 233ns Technology: TRENCHSTOP™ Turn-on time: 50ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 319 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW50N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ 3 Power dissipation: 167W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 315nC Kind of package: tube Turn-on time: 54ns Turn-off time: 297ns Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate-emitter voltage: ±20V Manufacturer series: H3 Collector current: 50A Pulsed collector current: 200A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 181 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW50N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 50A Power dissipation: 333W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 108 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW50N65F5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: F5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW50N65H5FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 305W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: TRENCHSTOP™ 5 Manufacturer series: H5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 97 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW50N65WR5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 50A Power dissipation: 141W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 150A Mounting: THT Gate charge: 230nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 79ns Turn-off time: 420ns Technology: TRENCHSTOP™ 5 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60H3FKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Technology: TRENCHSTOP™ Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Gate charge: 470nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-on time: 85ns Turn-off time: 332ns Collector current: 75A Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 225A Collector-emitter voltage: 600V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
|
IKW75N60TFKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 600V Collector current: 75A Power dissipation: 428W Case: TO247-3 Mounting: THT Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Turn-off time: 401ns Gate-emitter voltage: ±20V Gate charge: 470nC Pulsed collector current: 225A Turn-on time: 69ns Technology: TRENCHSTOP™ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IMW65R072M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IMZ120R030M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 28 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IMZA65R048M1HXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 220 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA037N08N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 18 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA040N06NXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA040N06NXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 86 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA041N04NGXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 115 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA045N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA045N10N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 500 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA057N06N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 38 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA075N15N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA083N10N5XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA083N10NM5SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA083N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 351 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA086N10N3GXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 336 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IPA50R140CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 23A Power dissipation: 34W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.14Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA50R250CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 162 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA50R380CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA50R380CEXKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 466 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA50R950CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 110 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R125C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R125C6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R125CPXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R125CPXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 42 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R180P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R180P7SXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 137 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R190P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R190P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 175 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R230P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 264 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 312 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R280P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IPA60R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ P7 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 6A Power dissipation: 22W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Pulsed drain current: 26A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA60R380P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 129 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R400CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 182 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R600P6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 149 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA60R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 75 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA65R1K0CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R1K0CEXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 165 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA65R280E6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R280E6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 98 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA65R380C6XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R380C6XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 448 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA65R400CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R400CEXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 127 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA65R650CEXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA65R650CEXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 53 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA70R360P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 63 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA70R600P7SXKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA70R600P7SXKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 207 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IPA80R1K0CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: CoolMOS™ CE Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 32W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.95Ω Mounting: THT Gate charge: 31nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA80R1K4CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA80R1K4CEXKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 150 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA80R280P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA80R280P7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA80R310CEXKSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA80R310CEXKSA2 THT N channel transistors |
на замовлення 50 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
| IPA80R360P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors |
на замовлення 46 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IPA80R450P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3 Case: TO220-3 Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Gate charge: 24nC On-state resistance: 0.45Ω Power dissipation: 29W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| IPA80R750P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
IPA80R750P7 THT N channel transistors |
на замовлення 468 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IPA80R900P7XKSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 4.6A Gate charge: 17nC On-state resistance: 0.75Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 27W Technology: CoolMOS™ P7 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
| IKW30N65ES5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 39.5A; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 29ns
Turn-off time: 154ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 39.5A
Pulsed collector current: 120A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.46 грн |
| 10+ | 238.22 грн |
| 20+ | 222.47 грн |
| IKW30N65H5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 35A; 94W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 94W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Turn-off time: 209ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 35A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 316.25 грн |
| 5+ | 264.91 грн |
| 10+ | 238.29 грн |
| IKW30N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 30A; 75W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 75W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 376ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 30A
Pulsed collector current: 90A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.99 грн |
| 10+ | 271.07 грн |
| 30+ | 243.24 грн |
| 120+ | 242.25 грн |
| IKW40N120CS6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 77 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 405.70 грн |
| 5+ | 326.52 грн |
| 10+ | 296.63 грн |
| IKW40N120H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 80A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 80A
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 513.24 грн |
| 5+ | 399.42 грн |
| 10+ | 347.06 грн |
| 30+ | 337.17 грн |
| IKW40N120T2FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 480W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 480W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 165A
Mounting: THT
Gate charge: 192nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 604.82 грн |
| 2+ | 534.96 грн |
| 3+ | 475.60 грн |
| 5+ | 459.78 грн |
| IKW40N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Collector current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
Turn-off time: 218ns
Collector current: 40A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 91 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.87 грн |
| 2+ | 313.17 грн |
| 10+ | 280.81 грн |
| IKW40N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 74A; 250W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.06 грн |
| 5+ | 252.59 грн |
| 10+ | 167.10 грн |
| 30+ | 157.21 грн |
| IKW40N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 40A; 115W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 40A
Power dissipation: 115W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 193nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 448ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 188.93 грн |
| 10+ | 176.00 грн |
| IKW50N60DTPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 233ns
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 233ns
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-on time: 50ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 319 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 286.44 грн |
| 10+ | 181.74 грн |
| 30+ | 145.35 грн |
| 120+ | 141.39 грн |
| IKW50N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 181 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 380.14 грн |
| 10+ | 267.99 грн |
| 30+ | 247.19 грн |
| IKW50N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 108 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 451.49 грн |
| 10+ | 287.50 грн |
| 30+ | 266.97 грн |
| IKW50N65F5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; F5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: F5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 335.42 грн |
| 2+ | 296.74 грн |
| 10+ | 176.99 грн |
| 20+ | 166.11 грн |
| IKW50N65H5FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 305W; TO247-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 352.46 грн |
| 2+ | 317.28 грн |
| 10+ | 257.08 грн |
| IKW50N65WR5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 50A; 141W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 50A
Power dissipation: 141W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 79ns
Turn-off time: 420ns
Technology: TRENCHSTOP™ 5
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 47 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 325.84 грн |
| IKW75N60H3FKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 332ns
Collector current: 75A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 225A
Collector-emitter voltage: 600V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 502.60 грн |
| 5+ | 392.24 грн |
| 10+ | 374.74 грн |
| IKW75N60TFKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 470nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 75A
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 401ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Gate charge: 470nC
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Technology: TRENCHSTOP™
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 579.26 грн |
| 5+ | 449.74 грн |
| 10+ | 406.38 грн |
| IMW65R072M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
IMW65R072M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1286.31 грн |
| 2+ | 939.33 грн |
| 4+ | 887.91 грн |
| IMZ120R030M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
IMZ120R030M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 28 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2048.72 грн |
| 2+ | 1936.99 грн |
| IMZA65R048M1HXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
IMZA65R048M1HXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 718.76 грн |
| 3+ | 546.79 грн |
| 6+ | 517.12 грн |
| IPA037N08N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA037N08N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 18 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 342.87 грн |
| 7+ | 186.88 грн |
| 18+ | 176.99 грн |
| IPA040N06NXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA040N06NXKSA1 THT N channel transistors
IPA040N06NXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 86 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 239.59 грн |
| 16+ | 77.12 грн |
| 42+ | 73.17 грн |
| IPA041N04NGXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
IPA041N04NGXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 208.71 грн |
| 23+ | 50.92 грн |
| 64+ | 48.15 грн |
| IPA045N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA045N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA045N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 221.48 грн |
| 11+ | 113.71 грн |
| 29+ | 107.78 грн |
| IPA057N06N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA057N06N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 38 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 276.85 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 96.90 грн |
| IPA075N15N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 578.20 грн |
| 4+ | 363.87 грн |
| 9+ | 344.09 грн |
| 50+ | 343.98 грн |
| IPA083N10N5XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors
IPA083N10N5XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.79 грн |
| 9+ | 141.39 грн |
| 10+ | 139.64 грн |
| 23+ | 133.48 грн |
| IPA083N10NM5SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA083N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors
IPA083N10NM5SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 351 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 168.24 грн |
| 11+ | 106.79 грн |
| 31+ | 100.85 грн |
| IPA086N10N3GXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
IPA086N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 336 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 201.25 грн |
| 16+ | 77.12 грн |
| 42+ | 73.17 грн |
| 250+ | 72.90 грн |
| IPA50R140CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 23A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 23A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 383.34 грн |
| IPA50R250CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
IPA50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 162 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.61 грн |
| 9+ | 135.46 грн |
| 24+ | 128.54 грн |
| IPA50R380CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R380CEXKSA2 THT N channel transistors
IPA50R380CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 466 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 131.51 грн |
| 21+ | 58.34 грн |
| 56+ | 55.17 грн |
| IPA50R950CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
IPA50R950CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 110 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 89.87 грн |
| 28+ | 42.81 грн |
| 76+ | 40.54 грн |
| 100+ | 40.46 грн |
| IPA60R125C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R125C6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R125C6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.22 грн |
| 5+ | 251.15 грн |
| 13+ | 237.30 грн |
| IPA60R125CPXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 42 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 617.60 грн |
| 4+ | 325.30 грн |
| 10+ | 308.49 грн |
| IPA60R180P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R180P7SXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R180P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 137 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 113.94 грн |
| 21+ | 57.15 грн |
| 57+ | 54.09 грн |
| IPA60R190P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R190P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R190P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 175 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 203.38 грн |
| 14+ | 88.99 грн |
| 37+ | 85.03 грн |
| IPA60R230P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R230P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 264 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 219.35 грн |
| 9+ | 141.39 грн |
| 23+ | 133.48 грн |
| IPA60R280E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R280E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 312 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 162.92 грн |
| 11+ | 109.75 грн |
| 30+ | 103.82 грн |
| IPA60R280P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R280P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.90 грн |
| 10+ | 151.97 грн |
| 11+ | 113.71 грн |
| 29+ | 107.78 грн |
| IPA60R360P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6A; Idm: 26A; 22W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 26A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 111 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 121.39 грн |
| 50+ | 34.40 грн |
| 500+ | 32.23 грн |
| IPA60R380P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R380P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 129 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.95 грн |
| 24+ | 48.84 грн |
| 66+ | 46.18 грн |
| IPA60R400CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 182 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.71 грн |
| 11+ | 113.71 грн |
| 29+ | 107.78 грн |
| IPA60R600P6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
IPA60R600P6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 149 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.12 грн |
| 26+ | 46.18 грн |
| 70+ | 43.60 грн |
| IPA60R650CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors
IPA60R650CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 75 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 91.57 грн |
| 10+ | 75.98 грн |
| 16+ | 75.15 грн |
| 44+ | 71.19 грн |
| IPA65R1K0CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R1K0CEXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R1K0CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 165 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 84.55 грн |
| 33+ | 36.39 грн |
| 89+ | 34.41 грн |
| IPA65R280E6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R280E6XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R280E6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 318.38 грн |
| 10+ | 123.60 грн |
| 27+ | 116.67 грн |
| IPA65R380C6XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R380C6XKSA1 THT N channel transistors
IPA65R380C6XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 448 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.50 грн |
| 12+ | 101.84 грн |
| 32+ | 95.91 грн |
| IPA65R400CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R400CEXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R400CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 127 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 129.91 грн |
| 23+ | 51.61 грн |
| 63+ | 48.75 грн |
| IPA65R650CEXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA65R650CEXKSA1 THT N channel transistors
IPA65R650CEXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 53 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 101.16 грн |
| 28+ | 42.12 грн |
| 77+ | 39.75 грн |
| IPA70R360P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
IPA70R360P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 63 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 111.81 грн |
| 19+ | 62.29 грн |
| 52+ | 59.33 грн |
| IPA70R600P7SXKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA70R600P7SXKSA1 THT N channel transistors
IPA70R600P7SXKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 207 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 64.95 грн |
| 40+ | 29.86 грн |
| 108+ | 28.18 грн |
| IPA80R1K0CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.6A; Idm: 18A; 32W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.71 грн |
| 10+ | 99.60 грн |
| 20+ | 87.01 грн |
| IPA80R1K4CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R1K4CEXKSA2 THT N channel transistors
IPA80R1K4CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 150 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 141.62 грн |
| 21+ | 57.05 грн |
| 57+ | 53.89 грн |
| IPA80R280P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R280P7XKSA1 THT N channel transistors
IPA80R280P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 299.22 грн |
| 8+ | 160.18 грн |
| 21+ | 151.28 грн |
| IPA80R310CEXKSA2 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R310CEXKSA2 THT N channel transistors
IPA80R310CEXKSA2 THT N channel transistors
на замовлення 50 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 315.19 грн |
| 9+ | 142.38 грн |
| 23+ | 134.47 грн |
| IPA80R360P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
IPA80R360P7XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 46 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 244.91 грн |
| 9+ | 130.52 грн |
| 25+ | 122.61 грн |
| IPA80R450P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 29W
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 29W; TO220-3
Case: TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Gate charge: 24nC
On-state resistance: 0.45Ω
Power dissipation: 29W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 186.34 грн |
| 10+ | 105.76 грн |
| 50+ | 89.98 грн |
| IPA80R750P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPA80R750P7 THT N channel transistors
IPA80R750P7 THT N channel transistors
на замовлення 468 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 172.50 грн |
| 16+ | 74.16 грн |
| 44+ | 70.20 грн |
| IPA80R900P7XKSA1 |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4.6A; 27W; TO220FP; ESD
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4.6A
Gate charge: 17nC
On-state resistance: 0.75Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 27W
Technology: CoolMOS™ P7
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 140.56 грн |
| 10+ | 77.01 грн |
| 30+ | 70.20 грн |




