Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149644) > Сторінка 1272 з 2495

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1494 1743 1992 2241 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IR2127SPBF IR2127SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2127spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+219.46 грн
10+161.24 грн
95+132.95 грн
285+122.27 грн
570+115.48 грн
1045+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF IR2128SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+192.29 грн
10+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF IR2130SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130_2132.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+524.62 грн
10+408.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+466.10 грн
27+391.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+539.25 грн
10+416.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IR2133SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+702.28 грн
3+609.68 грн
10+518.20 грн
25+492.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+1053.42 грн
3+916.03 грн
10+775.36 грн
27+707.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+525.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF IR2153SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2153.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+130.63 грн
10+110.85 грн
25+98.98 грн
95+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+225.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF IR21834SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF IR2183SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF IR21844SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.01 грн
10+283.17 грн
50+240.66 грн
55+239.69 грн
110+225.14 грн
275+205.73 грн
550+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR2184PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.87 грн
10+177.36 грн
25+160.12 грн
50+153.33 грн
100+146.53 грн
500+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF IR2184SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+251.86 грн
3+228.76 грн
10+193.11 грн
25+170.79 грн
50+168.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR2184STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR21844SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+204.83 грн
3+178.37 грн
10+159.15 грн
25+152.35 грн
100+135.86 грн
250+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF IR2214SSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -1.5...1A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+490.13 грн
10+399.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+679.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+150.49 грн
10+110.85 грн
25+96.07 грн
50+90.25 грн
95+85.40 грн
190+83.46 грн
1900+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2302SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+308.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+133.77 грн
5+110.85 грн
10+95.10 грн
25+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF IR4427PBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.93 грн
10+138.06 грн
25+123.24 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR4427PBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+117.05 грн
10+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100B201 INFINEON TECHNOLOGIES IRF100x201.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.53 грн
10+124.96 грн
50+105.77 грн
100+99.95 грн
250+89.28 грн
500+83.46 грн
1000+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 IRF100B202 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+152.58 грн
10+90.70 грн
100+77.63 грн
500+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+81.51 грн
10+73.56 грн
50+59.20 грн
100+53.08 грн
200+47.65 грн
250+46.19 грн
500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+126.45 грн
10+103.80 грн
50+84.43 грн
100+78.60 грн
250+71.81 грн
500+66.96 грн
800+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+79.42 грн
10+54.12 грн
50+48.71 грн
500+43.57 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF IRF1010NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+96.15 грн
10+77.60 грн
25+69.87 грн
100+62.11 грн
200+60.17 грн
250+58.22 грн
500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF IRF1018EPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+114.96 грн
5+73.16 грн
10+64.44 грн
50+53.57 грн
100+49.49 грн
250+44.74 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF IRF1018ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+123.32 грн
5+99.77 грн
10+86.37 грн
50+70.84 грн
100+67.93 грн
800+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.06 грн
250+82.63 грн
500+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1310npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daa903189e IRF1310NPBF THT N channel transistors
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+164.07 грн
20+59.20 грн
54+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7 IRF1324PBF THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+213.19 грн
9+130.04 грн
25+123.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 IRF135B203 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 91A
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Pulsed drain current: 512A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+236.18 грн
10+191.47 грн
50+160.12 грн
100+151.38 грн
250+137.80 грн
500+127.12 грн
1000+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+287.39 грн
10+208.60 грн
25+145.56 грн
250+102.86 грн
1000+101.89 грн
2000+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+160.94 грн
10+128.99 грн
25+98.01 грн
50+77.63 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
10+120.93 грн
20+109.66 грн
50+100.92 грн
100+94.13 грн
200+87.34 грн
500+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+74.98 грн
25+66.86 грн
50+63.17 грн
100+59.78 грн
250+55.60 грн
500+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
10+121.94 грн
50+93.16 грн
100+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+155.71 грн
10+128.99 грн
25+98.98 грн
50+75.69 грн
100+61.14 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.93 грн
10+99.77 грн
25+88.31 грн
50+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF IRF2204PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2204pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+228.87 грн
5+168.29 грн
10+135.86 грн
25+107.72 грн
50+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF250P225-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb65c8c7c71 IRF250P225 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+594.64 грн
3+418.25 грн
8+395.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+165.12 грн
10+121.94 грн
50+101.89 грн
100+96.07 грн
250+88.31 грн
500+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF2804STRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+202.55 грн
10+160.12 грн
20+145.56 грн
50+125.18 грн
100+110.63 грн
200+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF IRF2805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF IRF2807PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+151.53 грн
10+126.97 грн
25+103.83 грн
50+89.28 грн
100+74.72 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF IRF2807STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+195.43 грн
10+122.34 грн
50+95.68 грн
100+86.27 грн
200+76.86 грн
250+74.33 грн
500+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF IRF2807ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+199.61 грн
5+135.04 грн
10+114.51 грн
50+92.19 грн
100+86.37 грн
250+81.51 грн
500+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF IRF2907ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2907zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+104.51 грн
10+86.87 грн
25+72.20 грн
50+63.27 грн
100+55.90 грн
250+49.39 грн
500+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+177.66 грн
10+112.66 грн
50+84.81 грн
100+76.47 грн
250+66.76 грн
500+60.26 грн
800+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3205zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.78 грн
10+83.34 грн
50+70.84 грн
100+66.57 грн
250+61.52 грн
500+57.25 грн
800+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF IRF3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3415.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+313.52 грн
10+190.46 грн
25+154.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+121.23 грн
10+102.69 грн
50+80.25 грн
100+72.20 грн
250+62.79 грн
500+56.58 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+158.85 грн
10+109.84 грн
50+89.18 грн
100+82.19 грн
250+72.97 грн
500+66.18 грн
800+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+106.82 грн
10+80.35 грн
20+73.85 грн
50+66.28 грн
100+61.14 грн
200+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF IRF3805PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+254.99 грн
10+163.25 грн
50+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2127SPBF ir2127spbf.pdf
IR2127SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 224 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+219.46 грн
10+161.24 грн
95+132.95 грн
285+122.27 грн
570+115.48 грн
1045+109.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2128SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD883EAC75EF5EA&compId=IR21271SPBF.pdf?ci_sign=0b961bfea082ea9ac0361090db99f96308795fe3
IR2128SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,gate driver; SO8; -420÷200mA; 625mW; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 12...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+192.29 грн
10+146.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF description ir2130_2132.pdf
IR2130SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.62 грн
10+408.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+466.10 грн
27+391.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4
IR2132SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+539.25 грн
10+416.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2133SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.28 грн
3+609.68 грн
10+518.20 грн
25+492.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1053.42 грн
3+916.03 грн
10+775.36 грн
27+707.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+525.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2153SPBF description ir2153.pdf
IR2153SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Power: 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 40ns
Turn-on time: 80ns
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...15.6V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Voltage class: 600V
Case: SO8
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 681 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.63 грн
10+110.85 грн
25+98.98 грн
95+98.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR21834SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR2183SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR21844SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR21844SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.01 грн
10+283.17 грн
50+240.66 грн
55+239.69 грн
110+225.14 грн
275+205.73 грн
550+191.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184PBF IR21844SPBF.pdf
IR2184PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.87 грн
10+177.36 грн
25+160.12 грн
50+153.33 грн
100+146.53 грн
500+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184SPBF description IR21844SPBF.pdf
IR2184SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.86 грн
3+228.76 грн
10+193.11 грн
25+170.79 грн
50+168.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2184STRPBF IR21844SPBF.pdf
IR2184STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 270ns
Protection: short circuit protection SCP; undervoltage UVP
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.83 грн
3+178.37 грн
10+159.15 грн
25+152.35 грн
100+135.86 грн
250+127.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA33D55348713D7&compId=IR2114SSPBF.pdf?ci_sign=76268fd6f1521786ea6d8559b91e974700f61597
IR2214SSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.5W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Output current: -1.5...1A
Number of channels: 2
Mounting: SMD
Case: SSOP24
Supply voltage: 10.4...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Topology: MOSFET half-bridge
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 440ns
Turn-on time: 440ns
Power: 1.5W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.13 грн
10+399.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+150.49 грн
10+110.85 грн
25+96.07 грн
50+90.25 грн
95+85.40 грн
190+83.46 грн
1900+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2302SPBF IR2302SPBF.pdf
IR2302SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 750ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+308.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.77 грн
5+110.85 грн
10+95.10 грн
25+85.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427PBF description IR4427PBF.pdf
IR4427PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; DIP8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: DIP8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 86 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.93 грн
10+138.06 грн
25+123.24 грн
50+121.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR4427STRPBF IR4427PBF.pdf
IR4427STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT half-bridge,MOSFET half-bridge; SO8; -1.5÷1.5A
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT half-bridge; MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -1.5...1.5A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+117.05 грн
10+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B201 IRF100x201.pdf
IRF100B201
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 136A; Idm: 690A; 441W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 136A
Pulsed drain current: 690A
Power dissipation: 441W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 255nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.53 грн
10+124.96 грн
50+105.77 грн
100+99.95 грн
250+89.28 грн
500+83.46 грн
1000+76.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF100B202 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EBD7E4834504143&compId=IRF100B202.pdf?ci_sign=dc0c1d246a2fcd1cfdff23f0c329ab2539115b09
IRF100B202
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 68A; 221W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 68A
Power dissipation: 221W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.58 грн
10+90.70 грн
100+77.63 грн
500+70.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 151 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+81.51 грн
10+73.56 грн
50+59.20 грн
100+53.08 грн
200+47.65 грн
250+46.19 грн
500+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.45 грн
10+103.80 грн
50+84.43 грн
100+78.60 грн
250+71.81 грн
500+66.96 грн
800+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 222 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+79.42 грн
10+54.12 грн
50+48.71 грн
500+43.57 грн
2000+40.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010NSTRLPBF irf1010nspbf.pdf
IRF1010NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 60A; 180W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 60A
Power dissipation: 180W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 765 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.15 грн
10+77.60 грн
25+69.87 грн
100+62.11 грн
200+60.17 грн
250+58.22 грн
500+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018EPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A72F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1018epbf.pdf?ci_sign=9421567cb65140505372d9bbe28ae392c50f1431
IRF1018EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 79A; 110W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 79A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 46nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+114.96 грн
5+73.16 грн
10+64.44 грн
50+53.57 грн
100+49.49 грн
250+44.74 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1018ESTRLPBF infineon-irf1018e-datasheet-en.pdf
IRF1018ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 56A; Idm: 315A; 110W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 315A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 110W
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+123.32 грн
5+99.77 грн
10+86.37 грн
50+70.84 грн
100+67.93 грн
800+63.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E34F57A87F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf1104.pdf?ci_sign=a8b80656af041888259f2e24ae234f5b866c90ce
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.06 грн
250+82.63 грн
500+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1310NPBF irf1310npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355daa903189e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1310NPBF THT N channel transistors
на замовлення 305 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+164.07 грн
20+59.20 грн
54+55.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF irf1324pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dac93318a7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF1324PBF THT N channel transistors
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.19 грн
9+130.04 грн
25+123.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF135B203 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8A1883DA1C219E143&compId=irf135b203.pdf?ci_sign=447bf209f2421944bd8c23f1b6b7cb8ed05b6797
IRF135B203
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 135V; 91A; Idm: 512A; 441W; TO220AB
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.27µC
On-state resistance: 8.4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain current: 91A
Drain-source voltage: 135V
Power dissipation: 441W
Pulsed drain current: 512A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.18 грн
10+191.47 грн
50+160.12 грн
100+151.38 грн
250+137.80 грн
500+127.12 грн
1000+122.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.39 грн
10+208.60 грн
25+145.56 грн
250+102.86 грн
1000+101.89 грн
2000+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 362 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.94 грн
10+128.99 грн
25+98.01 грн
50+77.63 грн
100+66.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 178 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
10+120.93 грн
20+109.66 грн
50+100.92 грн
100+94.13 грн
200+87.34 грн
500+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+74.98 грн
25+66.86 грн
50+63.17 грн
100+59.78 грн
250+55.60 грн
500+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 587 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
10+121.94 грн
50+93.16 грн
100+86.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 964 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.71 грн
10+128.99 грн
25+98.98 грн
50+75.69 грн
100+61.14 грн
500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.93 грн
10+99.77 грн
25+88.31 грн
50+83.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2204PBF description irf2204pbf.pdf
IRF2204PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 210A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 210A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.87 грн
5+168.29 грн
10+135.86 грн
25+107.72 грн
50+100.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF250P225 Infineon-IRF250P225-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a8bb65c8c7c71
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IRF250P225 THT N channel transistors
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.64 грн
3+418.25 грн
8+395.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.12 грн
10+121.94 грн
50+101.89 грн
100+96.07 грн
250+88.31 грн
500+87.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRLPBF IRF2804STRLPBF.pdf
IRF2804STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 735 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+202.55 грн
10+160.12 грн
20+145.56 грн
50+125.18 грн
100+110.63 грн
200+101.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2805PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABA8F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2805.pdf?ci_sign=75f46d0371246f527250018376170da7c42dbc3a
IRF2805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 175A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 175A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
On-state resistance: 4.7mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABB6F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807.pdf?ci_sign=c4365dc6896733f25b90727d104b25bdc69a3b88
IRF2807PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 106.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.53 грн
10+126.97 грн
25+103.83 грн
50+89.28 грн
100+74.72 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5FB4B34E28F1A303005056AB0C4F&compId=irf2807spbf.pdf?ci_sign=1081ba06bde1009271e5798be8423f83ccc6acf8
IRF2807STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+195.43 грн
10+122.34 грн
50+95.68 грн
100+86.27 грн
200+76.86 грн
250+74.33 грн
500+64.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2807ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABC4F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf2807z.pdf?ci_sign=f84c3cab78883006c4b1662defbed8d4661697b0
IRF2807ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 89A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 89A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 41 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.61 грн
5+135.04 грн
10+114.51 грн
50+92.19 грн
100+86.37 грн
250+81.51 грн
500+77.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2907ZPBF irf2907zpbf.pdf
IRF2907ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; TO220AB
Polarisation: unipolar
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF irf3205.pdf
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 219 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+104.51 грн
10+86.87 грн
25+72.20 грн
50+63.27 грн
100+55.90 грн
250+49.39 грн
500+46.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF irf3205spbf.pdf
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+177.66 грн
10+112.66 грн
50+84.81 грн
100+76.47 грн
250+66.76 грн
500+60.26 грн
800+56.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF irf3205zpbf.pdf
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 407 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.78 грн
10+83.34 грн
50+70.84 грн
100+66.57 грн
250+61.52 грн
500+57.25 грн
800+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3415PBF irf3415.pdf
IRF3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F60B7C9FAF0F1A303005056AB0C4F&compId=irf3703pbf.pdf?ci_sign=09e7d33b780a65393a9f6976e90f8401411e90b8
IRF3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 230W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+313.52 грн
10+190.46 грн
25+154.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 678 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+121.23 грн
10+102.69 грн
50+80.25 грн
100+72.20 грн
250+62.79 грн
500+56.58 грн
1000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+158.85 грн
10+109.84 грн
50+89.18 грн
100+82.19 грн
250+72.97 грн
500+66.18 грн
800+61.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 494 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+106.82 грн
10+80.35 грн
20+73.85 грн
50+66.28 грн
100+61.14 грн
200+56.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3805PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7ADAF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3805.pdf?ci_sign=b1f89a3f622ec38eb379399dfb2e700a67186d8d
IRF3805PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 220A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 220A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 0.19µC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.99 грн
10+163.25 грн
50+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1494 1743 1992 2241 2490 2495  [ Наступна Сторінка >> ]