Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148449) > Сторінка 1272 з 2475

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IPDD60R080G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R080G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R102G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R125G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+405.05 грн
5+276.94 грн
12+251.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R150G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPDD60R190G7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S408.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPG20N04S409.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Case: PG-TDSON-8-4
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI020N06NAKSA1 IPI020N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI020N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI024N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06NAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI029N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5 IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI032N06N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160 IPI032N06N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI040N06N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+102.01 грн
4+86.90 грн
10+74.49 грн
17+64.37 грн
46+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI041N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4 IPI041N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI045N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI075N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4 IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI086N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+156.47 грн
10+97.41 грн
18+62.53 грн
49+58.85 грн
1000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI111N15N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N04S402AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t IPI120N04S402 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI147N12N3GAKSA1 IPI147N12N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI147N12N3G-dte.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI180N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+110.92 грн
5+92.63 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI200N25N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971 IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI320N20N3GAKSA1 IPI320N20N3GAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI320N20N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R140CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R199CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090 IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R250CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R350CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R399CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R399CPXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI530N15N3GXKSA1 IPI530N15N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI530N15N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R099CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R125CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R125CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152843d47d12b3 IPI60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R165CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2 IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+325.82 грн
3+269.30 грн
6+193.12 грн
16+183.00 грн
100+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R250CPAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093 IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494 IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R099C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R110CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R150CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063 IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R190CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R190CFD-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R280C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R280E6XKSA1 IPI65R280E6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R280E6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R310CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R380C6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R420CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPx65R420CFD.pdf IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R600C6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60 IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPI80N06S407AKSA2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+183.21 грн
3+159.48 грн
9+130.58 грн
23+123.23 грн
50+122.31 грн
250+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4 IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
4+94.08 грн
12+91.96 грн
33+87.36 грн
50+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36 IPL60R065P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R075CFD7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
Case: PG-VSON-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R085P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f IPL60R085P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987 IPL60R104C7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39 IPL60R105P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPL60R125P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed2c195b42 IPL60R125P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPL60R180P6-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R080G7XTMA1 IPDD60R080G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 29A; Idm: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 83A
Power dissipation: 174W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 42nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R102G7XTMA1 IPDD60R102G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 66A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 139W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.102Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R125G7XTMA1 IPDD60R125G7.pdf
IPDD60R125G7XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 20A; Idm: 54A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 54A
Power dissipation: 120W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+405.05 грн
5+276.94 грн
12+251.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R150G7XTMA1 IPDD60R150G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 16A; Idm: 45A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 95W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPDD60R190G7XTMA1 IPDD60R190G7.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ G7; unipolar; 600V; 13A; Idm: 36A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ G7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 76W
Case: PG-HDSOP-10-1
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S408ATMA1 IPG20N04S408.pdf
IPG20N04S408ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 65W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 7.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 65W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S409ATMA1 IPG20N04S409.pdf
IPG20N04S409ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; 54W
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 8.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 54W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 21.7nC
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TDSON-8
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N04S4L11ATMA1 Infineon-IPG20N04S4L_11-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432ba3fa6f012bbf644b016c14
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 20A; Idm: 80A
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 20A
On-state resistance: 11.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET x2
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ T2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 80A
Case: PG-TDSON-8-4
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPG20N10S4L35ATMA1 Infineon-IPG20N10S4L_35-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043372d5cc8013750d7337e05fd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; OptiMOS™ T2; unipolar; 100V; 17A; Idm: 80A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 43W
Case: PG-TDSON-8-4
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ T2
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI020N06NAKSA1 IPI020N06N-DTE.pdf
IPI020N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI024N06N3GXKSA1 IPI024N06N3G-DTE.pdf
IPI024N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 250W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI029N06NAKSA1 IPI029N06N-DTE.pdf
IPI029N06NAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI030N10N3GXKSA1 dgdl?fileId=db3a30431ce5fb52011d1ea18a3a15b5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI030N10N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI032N06N3GAKSA1 IPP032N06N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432313ff5e01239f2567817160
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI032N06N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI040N06N3GXKSA1 IPI040N06N3G-DTE.pdf
IPI040N06N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 90A; 188W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Case: PG-TO262-3
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 90A
On-state resistance: 4mΩ
Power dissipation: 188W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 469 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+102.01 грн
4+86.90 грн
10+74.49 грн
17+64.37 грн
46+60.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI041N12N3GAKSA1 IPP_I_B041N12N3_Rev2.2.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a75b86467ca4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI041N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI045N10N3GXKSA1 IPI045N10N3G-DTE.pdf
IPI045N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI075N15N3GXKSA1 Infineon-IPP075N15N3_G-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e012399f743143bad
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI075N15N3GXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI076N12N3GAKSA1 IPP_I076N12N3+G_Rev2.3.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30432239cccd0122a77a83ab7cd4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI076N12N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI086N10N3GXKSA1 IPI086N10N3G-DTE.pdf
IPI086N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 125W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 125W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 138 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.47 грн
10+97.41 грн
18+62.53 грн
49+58.85 грн
1000+57.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI111N15N3GAKSA1 Infineon-IPP_I111N15N3_IPB108N15N3-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01254a5795541b4f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI111N15N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI120N04S402AKSA1 Infineon-IPP_B_I120N04S4_02-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291c33093d5d37&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI120N04S402 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI147N12N3GAKSA1 IPI147N12N3G-dte.pdf
IPI147N12N3GAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
Power dissipation: 107W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI180N10N3GXKSA1 IPI180N10N3G-DTE.pdf
IPI180N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 43A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 478 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+110.92 грн
5+92.63 грн
18+64.37 грн
48+60.69 грн
1000+58.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPI200N25N3GAKSA1 IPP_B_I_200N25N3+G+Rev2.4.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a3043243b5f17012496b87e9f1971
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI200N25N3GAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI320N20N3GAKSA1 IPI320N20N3G-DTE.pdf
IPI320N20N3GAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 34A; 136W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 34A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R140CPXKSA1 Infineon-IPI50R140CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e012384dfccfc657a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R140CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R199CPXKSA1 IPI50R199CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a304320896aa20120d230819e5090
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R199CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R250CPXKSA1 IPI50R250CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a304320896aa20120d244f52350be
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R250CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R350CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R350CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R399CPXKSA1 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R399CPXKSA2 Infineon-IPI50R399CP-DS-v02_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e01238500e97f659a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI50R399CPXKSA2 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI530N15N3GXKSA1 IPI530N15N3G-DTE.pdf
IPI530N15N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 68W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 53mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R099CPXKSA1 IPI60R099CP_rev1.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152853393a12bd
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R099CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R125CPXKSA1 IPI60R125CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152843d47d12b3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R125CPXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R165CPAKSA1 IPI60R165CP_rev2.0.pdf?folderId=db3a304314dca38901152838487312ae&fileId=db3a304314dca38901152841362412b2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R165CPAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R190C6XKSA1 IPI60R190C6-DTE.pdf
IPI60R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+325.82 грн
3+269.30 грн
6+193.12 грн
16+183.00 грн
100+181.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R250CPAKSA1 IPI60R250CP_rev2.1.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a304320896aa201208b4058ca0093
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R250CPAKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R280C6XKSA1 IPI60R280C6-DTE.pdf
IPI60R280C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ C6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI60R380C6XKSA1 IPI60R380C6_2_0.pdf?folderId=db3a30431ff98815012019af55de3f2c&fileId=db3a30432239cccd012297da496e4494
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI60R380C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R099C6XKSA1 IPI65R099C6-DTE.pdf
IPI65R099C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 38A; 278W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 38A
Power dissipation: 278W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 99mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R110CFDXKSA1 IPI65R110CFD-DTE.pdf
IPI65R110CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 31.2A; 277.8W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 31.2A
Power dissipation: 277.8W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R150CFDXKSA1 Infineon-IPX65R150CFD-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043338c8ac80133ace218433063
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R150CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190C6XKSA1 IPI65R190C6-DTE.pdf
IPI65R190C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.2A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R190CFDXKSA1 IPI65R190CFD-DTE.pdf
IPI65R190CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 17.5A; 151W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 17.5A
Power dissipation: 151W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R280C6XKSA1 IPI65R280C6-DTE.pdf
IPI65R280C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R280E6XKSA1 IPI65R280E6-DTE.pdf
IPI65R280E6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.8A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R310CFDXKSA1 IPP65R310CFD_2_2.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432f91014f012f9caff105741c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R310CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R380C6XKSA1 IPI65R380C6-DTE.pdf
IPI65R380C6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10.6A; 83W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10.6A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R420CFDXKSA1 IPx65R420CFD.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R420CFDXKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI65R600C6XKSA1 IPI65R600C6_2_0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011637d4bae7003b&fileId=db3a30432ac1eb91012ac744ef772c60
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI65R600C6XKSA1 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S407AKSA2 IPI80N06S407AKSA2.pdf
IPI80N06S407AKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 58A; Idm: 320A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 58A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 79W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS® -T2
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+183.21 грн
3+159.48 грн
9+130.58 грн
23+123.23 грн
50+122.31 грн
250+118.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 Infineon-IPI90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a30432313ff5e0123a887f69e5be4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPI90R800C3XKSA1 THT N channel transistors
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+94.08 грн
12+91.96 грн
33+87.36 грн
50+86.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R065P7AUMA1 Infineon-IPL60R065P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebece9815b36
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R065P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R075CFD7 IPL60R075CFD7.pdf
IPL60R075CFD7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21A; 189W; PG-VSON-4
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21A
On-state resistance: 0.149Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 189W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 67nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Technology: OptiMOS™
Case: PG-VSON-4
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R085P7AUMA1 Infineon-IPL60R085P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed1c9c5b3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R085P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R104C7AUMA1 Infineon-IPL60R104C7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462518ffd850151b46442265987
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R104C7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R105P7AUMA1 Infineon-IPL60R105P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebecfd455b39
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R105P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R125P7AUMA1 Infineon-IPL60R125P7-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015eebed2c195b42
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
IPL60R125P7 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPL60R180P6AUMA1 IPL60R180P6-DTE.pdf
IPL60R180P6AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 22.4A; 176W; PG-VSON-4
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 22.4A
Power dissipation: 176W
Case: PG-VSON-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1267 1268 1269 1270 1271 1272 1273 1274 1275 1276 1277 1482 1729 1976 2223 2470 2475  [ Наступна Сторінка >> ]