Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126651) > Сторінка 2061 з 2111

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2066 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
TT215N22KOF TT215N22KOF INFINEON TECHNOLOGIES TT215N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 215A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 7kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8366EVXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE8366-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2def641fa Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT260N22KOFHOSA1 TT260N22KOFHOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TT260N22KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 260A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 260A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD90N04S404.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.35 грн
6+72.12 грн
10+62.90 грн
25+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 IPD90N04S4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 71W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207GBTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPD50N03S207G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Power dissipation: 136W
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+39.58 грн
25+37.57 грн
100+36.23 грн
500+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD050N03LG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+97.54 грн
10+44.11 грн
100+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 IPD50N03S4L06ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 IPP050N03LF2SAKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ050N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS44273LTRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOT23-5
Output current: -1.5...1.5A
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+45.16 грн
12+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 IPF016N10NF2SATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 IMZ120R030M1HXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-imz120r030m1h-datasheet-en.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1700.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 475ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+528.35 грн
10+387.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP IRFS31N20DTRLP INFINEON TECHNOLOGIES irfb31n20dpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF IRFP4332PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4332pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+149.02 грн
5+93.09 грн
10+85.54 грн
50+70.45 грн
75+67.09 грн
150+60.38 грн
450+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF IR21834STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; Ch: 2; MOSFET; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ir2183-datasheet-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50SXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+667.44 грн
50+557.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW40N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+361.26 грн
10+305.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CT2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+428.10 грн
5+374.88 грн
10+359.78 грн
30+325.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKQ40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 56A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CH3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKY40N120CS6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FP40R12KT3BOSA1.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS740S2 BTS740S2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS740S2.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5÷8.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5...34V DC
Output current: 5.5...8.5A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO20-W
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+603.31 грн
10+400.87 грн
100+331.27 грн
250+306.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 IPD70N03S4L04ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 68W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-G FM24C16B-G INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-GTR FM24C16B-GTR INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6327 BAS7007E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BAS7004E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZXCT INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G INFINEON TECHNOLOGIES BTS640S2G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+455.19 грн
10+311.14 грн
100+251.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF IRF2804PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf2804pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+205.02 грн
10+120.77 грн
50+100.64 грн
100+93.09 грн
250+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF IRFTS9342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfts9342pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF IRLTS2242TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts2242pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.89 грн
16+26.75 грн
100+16.94 грн
500+12.50 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF IRLTS6342TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlts6342pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 8.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+33.42 грн
19+23.06 грн
25+19.46 грн
50+17.02 грн
100+15.18 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.96 грн
12+35.89 грн
14+31.03 грн
50+21.13 грн
100+17.95 грн
500+12.92 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5802pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.64 грн
16+27.51 грн
100+16.69 грн
250+13.92 грн
500+12.24 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD034N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+158.05 грн
5+116.57 грн
10+103.15 грн
50+77.16 грн
100+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB014N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+275.08 грн
10+215.53 грн
20+188.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 IPP014N06NF2SAKMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.31 грн
10+186.18 грн
20+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC014N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB054N06N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC034N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar66series.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; SOT23; double series; Ifsm: 12A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 12A
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SOD323; single diode; Ufmax: 1.2V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
72+5.87 грн
76+5.54 грн
83+5.07 грн
100+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64-04.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.93 грн
56+7.55 грн
61+6.96 грн
67+6.27 грн
100+5.36 грн
250+4.76 грн
500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
30+15.72 грн
50+8.72 грн
100+7.97 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR63xx_ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.68 грн
34+12.58 грн
100+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.5pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TT215N22KOF TT215N22KOF.pdf
TT215N22KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 215A; BG-PB50-1; Ifsm: 7kA
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 215A
Case: BG-PB50-1
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 7kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE8366EVXUMA1 Infineon-TLE8366-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc1015969d2def641fa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - DC/DC circuits
Description: IC: PMIC
Type of integrated circuit: PMIC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TT260N22KOFHOSA1 TT260N22KOF.pdf
TT260N22KOFHOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; double series; 2.2kV; 260A; BG-PB50AT-1; screw
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: double series
Max. off-state voltage: 2.2kV
Load current: 260A
Case: BG-PB50AT-1
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 8kA
Gate current: 200mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S404ATMA1 IPD90N04S404.pdf
IPD90N04S404ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 81A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 81A
Pulsed drain current: 360A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-313
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+99.35 грн
6+72.12 грн
10+62.90 грн
25+57.03 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon-IPD90N04S4L_04-DS-v01_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b42b75b74520&fileId=db3a304328c6bd5c01291cab92685eaa&ack=t
IPD90N04S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 90A; 71W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 90A
Power dissipation: 71W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD50N03S207GBTMA1 SPD50N03S207G-DTE.pdf
SPD50N03S207GBTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 136W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.3mΩ
Power dissipation: 136W
на замовлення 1328 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+39.58 грн
25+37.57 грн
100+36.23 грн
500+34.72 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD050N03LGATMA1 IPD050N03LG-DTE.pdf
IPD050N03LGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 68W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 50A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
на замовлення 1173 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+97.54 грн
10+44.11 грн
100+33.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N03S4L06ATMA1 INFNS15258-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPD50N03S4L06ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 50A; 56W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 50A
Power dissipation: 56W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 4.9mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03LSGATMA1 BSC050N03LSG-DTE.pdf
BSC050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 66A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 66A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03LSGATMA1 BSZ050N03LSG-DTE.pdf
BSZ050N03LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP050N03LF2SAKSA1 Infineon-IPP050N03LF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c901008d101902fdfcd342466
IPP050N03LF2SAKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 53A; 65W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 53A
Power dissipation: 65W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4.95mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC050N03MSGATMA1 BSC050N03MSG-DTE.pdf
BSC050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 72A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 72A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ050N03MSGATMA1 BSZ050N03MSG-DTE.pdf
BSZ050N03MSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 48W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF.pdf
IRS44273LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SOT23-5
Output current: -1.5...1.5A
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+45.16 грн
12+36.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPF016N10NF2SATMA1 Infineon-IPF016N10NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c83cd30810183f3f130b05e8a
IPF016N10NF2SATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 274A; 300W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 274A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK-7
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 161nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMZ120R030M1HXKSA1 infineon-imz120r030m1h-datasheet-en.pdf
IMZ120R030M1HXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 45A; Idm: 150A; 114W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolSiC™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 45A
Pulsed drain current: 150A
Power dissipation: 114W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -7...23V
On-state resistance: 57mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1700.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
Turn-off time: 475ns
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+528.35 грн
10+387.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JTRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; PLCC44; 200mA; Ch: 6; MOSFET; 10÷20V
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: PLCC44
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: 0.2A
Number of channels: 6
Input voltage: 10...20V
Integrated circuit features: MOSFET
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132STRPBF ir2130.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c8757d169a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Operating temperature: -40...125°C
Case: SO28-W
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Mounting: SMD
Output current: -420...200mA
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
Supply voltage: 10...20V DC
Number of channels: 6
Voltage class: 600V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS31N20DTRLP irfb31n20dpbf.pdf
IRFS31N20DTRLP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 31A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 31A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4332PBF description irfp4332pbf.pdf
IRFP4332PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 57A; 360W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 57A
Power dissipation: 360W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF.pdf
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 143W
Technology: HEXFET®
на замовлення 905 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+149.02 грн
5+93.09 грн
10+85.54 грн
50+70.45 грн
75+67.09 грн
150+60.38 грн
450+57.87 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834STRPBF ir2183.pdf?fileId=5546d462533600a4015355c9490e16d1
IR21834STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC14; Ch: 2; MOSFET; Uin: 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC14
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Voltage class: 600V
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IR2183STRPBF infineon-ir2183-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side,low-side; SOIC8; 1.9A; Ch: 2; MOSFET; 10÷20V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side; low-side
Case: SOIC8
Output current: 1.9A
Number of channels: 2
Integrated circuit features: MOSFET
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Input voltage: 10...20V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRG4PH50SXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+667.44 грн
50+557.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N120H3FKSA1 IGW40N120H3-DTE.pdf
IGW40N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 483W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 483W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 248 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+361.26 грн
10+305.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS6XKSA1 IKW40N120CS6.pdf
IKW40N120CS6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CT2XKSA1 IKQ40N120CT2.pdf
IKQ40N120CT2XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 133W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 2
Power dissipation: 133W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 75ns
Turn-off time: 379ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 179 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+428.10 грн
5+374.88 грн
10+359.78 грн
30+325.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKQ40N120CH3XKSA1 IKQ40N120CH3.pdf
IKQ40N120CH3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 136W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 40A
Turn-on time: 76ns
Turn-off time: 331ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N120CS7XKSA1 Infineon-IKW40N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97d952805a0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 56A; 179W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 179W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 230nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 120A
Turn-on time: 45ns
Turn-off time: 0.5µs
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 56A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CH3XKSA1 IKY40N120CH3.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 136W; TO247PLUS-4; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 136W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 0.19µC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 59ns
Turn-off time: 306ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Manufacturer series: H3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKY40N120CS6XKSA1 IKY40N120CS6.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 250W; TO247PLUS-4
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 250W
Case: TO247PLUS-4
Mounting: THT
Gate charge: 285nC
Kind of package: tube
Pulsed collector current: 160A
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 342ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 40A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FP40R12KT3BOSA1 FP40R12KT3BOSA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 40A
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Case: AG-ECONO2-5
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Power dissipation: 210W
Technology: EconoPIM™ 2
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS740S2 description BTS740S2.pdf
BTS740S2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5÷8.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO20-W
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: SMD
Supply voltage: 5...34V DC
Output current: 5.5...8.5A
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Case: SO20-W
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
на замовлення 786 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+603.31 грн
10+400.87 грн
100+331.27 грн
250+306.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70N03S4L04ATMA1 Infineon-IPD70N03S4L_04-DS-v02_00-en.pdf?folderId=db3a304412b407950112b426f7da3b27&fileId=db3a304412b407950112b4271cfb3b9f&ack=t
IPD70N03S4L04ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 70A; 68W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 70A
Power dissipation: 68W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 3.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-G Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C16B-G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2910 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM24C16B-GTR Infineon-FM24C16B_16-Kbit_(2_K_8)_Serial_(I2C)_F-RAM-DataSheet-v14_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec98bd541dd&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
FM24C16B-GTR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 16kbFRAM; I2C; 2kx8bit; 4.5÷5.5VDC; 1MHz; SO8
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 16kb FRAM
Interface: I2C
Memory organisation: 2kx8bit
Clock frequency: 1MHz
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of interface: serial
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAS7007E6327 BAS7004E6327HTSA1.pdf
BAS7007E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 70V; 70mA; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT143
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 70V
Load current: 70mA
Semiconductor structure: double independent
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1312KV18-250BZXCT download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 18MbSRAM; 1Mx18bit; FBGA165; parallel; 0÷70°C
Type of integrated circuit: SRAM memory
Mounting: SMD
Case: FBGA165
Operating temperature: 0...70°C
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Kind of interface: parallel
Kind of memory: SRAM
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Memory: 18Mb SRAM
Memory organisation: 1Mx18bit
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS640S2G BTS640S2G.pdf
BTS640S2G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-7
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-7
On-state resistance: 27mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 210 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+455.19 грн
10+311.14 грн
100+251.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804PBF irf2804pbf.pdf
IRF2804PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 280A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 2.3mΩ
Gate charge: 160nC
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 414 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+205.02 грн
10+120.77 грн
50+100.64 грн
100+93.09 грн
250+83.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFTS9342TRPBF irfts9342pbf.pdf
IRFTS9342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -5.8A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: -5.8A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -30V
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS2242TRPBF irlts2242pbf.pdf
IRLTS2242TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: -6.9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 2904 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+43.89 грн
16+26.75 грн
100+16.94 грн
500+12.50 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLTS6342TRPBF irlts6342pbf.pdf
IRLTS6342TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 8.3A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 8.3A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 30V
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+33.42 грн
19+23.06 грн
25+19.46 грн
50+17.02 грн
100+15.18 грн
500+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5801TRPBF irf5801pbf.pdf
IRF5801TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+46.96 грн
12+35.89 грн
14+31.03 грн
50+21.13 грн
100+17.95 грн
500+12.92 грн
1000+12.16 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF irf5802pbf.pdf
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+40.64 грн
16+27.51 грн
100+16.69 грн
250+13.92 грн
500+12.24 грн
1000+11.82 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD034N06N3GATMA1 IPD034N06N3G-DTE.pdf
IPD034N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; PG-TO252-3
Case: PG-TO252-3
Mounting: SMD
Power dissipation: 167W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 60V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
на замовлення 564 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+158.05 грн
5+116.57 грн
10+103.15 грн
50+77.16 грн
100+76.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB014N06NATMA1 IPB014N06N-DTE.pdf
IPB014N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 180A; 214W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 180A
Power dissipation: 214W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 27 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+275.08 грн
10+215.53 грн
20+188.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP014N06NF2SAKMA2 Infineon-IPP014N06NF2S-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80f4d3290180fd60965a3c7a
IPP014N06NF2SAKMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 198A; 300W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 198A
Power dissipation: 300W
Case: TO220-3
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 203nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 38 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.31 грн
10+186.18 грн
20+171.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC014N06NSATMA1 BSC014N06NS-DTE.pdf
BSC014N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 156W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 156W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB054N06N3GATMA1 IPB054N06N3G-DTE.pdf
IPB054N06N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 115W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 115W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NS-DTE.pdf
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB034N06N3GATMA2 Infineon-IPB034N06N3%20G-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f56e2d130d41
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 167W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 167W
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 bar66series.pdf
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; SOT23; double series; Ifsm: 12A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward impulse current: 12A
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SOD323; single diode; Ufmax: 1.2V
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 658 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
72+5.87 грн
76+5.54 грн
83+5.07 грн
100+4.61 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR64-04.pdf
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SOT23; double series; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.93 грн
56+7.55 грн
61+6.96 грн
67+6.27 грн
100+5.36 грн
250+4.76 грн
500+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+15.72 грн
50+8.72 грн
100+7.97 грн
500+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR63xx_ser.pdf
BAR6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.2V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1.1V
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
21+21.68 грн
34+12.58 грн
100+7.55 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6502VH6327XTSA1 bar65series.pdf?folderId=db3a304314dca3890114fea780a30a91&fileId=db3a304314dca3890114ff1c81b50af0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 100mA; SC79; single diode; Ufmax: 1V; reel,tape
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 20nA
Case: SC79
Capacitance: 0.5pF
Type of diode: varicap
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1V
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.1A
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 211 422 633 844 1055 1266 1477 1688 1899 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2066 2110 2111  [ Наступна Сторінка >> ]