Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 2060 з 2080

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2055 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2080  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW20N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+214.74 грн
10+176.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0504NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5080NPBF PVI5080NPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PVI5080N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff8185cd0 Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; DIP8; PVI-NPbF
Manufacturer series: PVI-NPbF
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 220µs
Turn-on time: 0.3ms
Number of channels: 1
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+396.45 грн
5+337.45 грн
25+296.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V020-SG FM28V020-SG INFINEON TECHNOLOGIES FM28V020-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V020-T28G FM28V020-T28G INFINEON TECHNOLOGIES FM28V020-DTE.pdf Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Access time: 70ns
Case: TSOP28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2DIB0400FXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-2DIBx40xF-DS-v_1_00-EN.pdf-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d60187374172573005 Category: Unclassified
Description: 2DIB0400FXUMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5 IDH08G65C5 INFINEON TECHNOLOGIES Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; 76W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 1.6µA
Power dissipation: 76W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.19 грн
50+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11DHIV10 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA90R500C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b8cd1d1b10fb6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA90R800C3XKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC INFINEON TECHNOLOGIES CY7C64225.PDF Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; USB; SSOP28; 27mA; ESD; RS232
Type of integrated circuit: interface
Interface: USB
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of channels: 1
DC supply current: 27mA
Version: ESD
Communictions protocol: RS232
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
47+247.33 грн
141+206.45 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRG7PH44K10D-EPBF.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF IRFP7537PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7537pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 172A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+175.01 грн
4+136.80 грн
10+114.42 грн
25+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 BSS127IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFIG01 S25FL128SAGMFIG01 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17 Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO16; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+322.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65217-24LTXI CY7C65217-24LTXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x7,I2C,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x7; I2C; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: in-tray; tube
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of ports: 1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65217-24LTXIT CY7C65217-24LTXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x7,I2C,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x7; I2C; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC072N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70KE6327 BCX70KE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCX70.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 48000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70JE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Current gain: 250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KE4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES FZ900R12KE4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R280CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+102.68 грн
10+58.37 грн
50+45.27 грн
100+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R950CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+81.25 грн
11+39.80 грн
25+36.48 грн
50+34.16 грн
100+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R190CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R500CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R520CPXKSA1 IPA50R520CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R520CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R800CEXKSA2 IPA50R800CEXKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPA50R800CE-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 26.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119SH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES bcr119series.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a37301144057767402f3 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SOT363; 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Case: SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 120
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPCXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS72002EPC.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 0.12Ω
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 0.15ms
Turn-on time: 170µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF IRFB38N20DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs38n20d.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+224.12 грн
5+158.36 грн
10+141.78 грн
50+110.27 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV030 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV10 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV20 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTH500301LUAAUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 22.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 7mΩ
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 22.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327HTSA1 BC858BE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 220
Mounting: SMD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 TLS202B1MBV50HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLS202B1MBV50.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SCT595; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.29V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-SCT595
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.7...18V
Tolerance: ±3%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLS203B0EJ-DS-v01_30-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72cc031f3f Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.22÷20V; 0.3A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.75V
Output voltage: 1.22...20V
Output current: 0.3A
Case: PG-DSO-8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.3...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5120-2EKA BTS5120-2EKA INFINEON TECHNOLOGIES BTS5120-2EKA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+200.01 грн
10+121.05 грн
25+110.27 грн
100+93.69 грн
250+82.08 грн
500+74.62 грн
1000+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282ZE3180AATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES BTS282Z.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Mounting: SMD
Output current: 36A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 300W
Operating temperature: -40...175°C
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Technology: TEMPFET®
Output voltage: 49V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO263-7-1
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+526.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 IPP040N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70a2eac169b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 115A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 IHW30N135R3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42994EXUMA1 TLE42994EXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE42994-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8524621f51 Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-SSOP-14-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4299GMV33XUMA2 TLE4299GMV33XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES TLE4299GMV33.pdf Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI CY8C24123A-24SXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO8; 256BSRAM,4kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Memory: 256B SRAM; 4kB FLASH
Case: SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 6
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 IPB35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 35A; 71W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC052N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 111nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL202SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL202SN-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e191d41f68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES CYPRS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020D-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5.pdf
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 440ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+214.74 грн
10+176.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0504NSIATMA1 BSC0504NSI-DTE.pdf
BSC0504NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 64A; 30W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 30W
Drain current: 64A
Case: PG-TDSON-8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVI5080NPBF Infineon-PVI5080N-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc801607b6ff8185cd0
PVI5080NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Optocouplers - others
Description: Optocoupler; THT; Ch: 1; OUT: photodiode; 4kV; DIP8; PVI-NPbF
Manufacturer series: PVI-NPbF
Case: DIP8
Mounting: THT
Type of optocoupler: optocoupler
Kind of output: photodiode
Turn-off time: 220µs
Turn-on time: 0.3ms
Number of channels: 1
Insulation voltage: 4kV
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+396.45 грн
5+337.45 грн
25+296.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V020-SG FM28V020-DTE.pdf
FM28V020-SG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Access time: 70ns
Case: SO28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FM28V020-T28G FM28V020-DTE.pdf
FM28V020-T28G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: FRAM memories - integrated circuits
Description: IC: FRAM memory; 256kbFRAM; parallel 8bit; 32kx8bit; 2÷3.6VDC
Type of integrated circuit: FRAM memory
Kind of memory: FRAM
Memory: 256kb FRAM
Interface: parallel 8bit
Memory organisation: 32kx8bit
Supply voltage: 2...3.6V DC
Access time: 70ns
Case: TSOP28
Mounting: SMD
Kind of interface: parallel
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2DIB0400FXUMA1 Infineon-2DIBx40xF-DS-v_1_00-EN.pdf-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d60187374172573005
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: 2DIB0400FXUMA1
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY62157EV30LL-45ZSXIT Infineon-CY62157EV30_MoBL_8-Mbit_(512_K_16)_Static_RAM-DataSheet-v20_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe669131ef&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files&redirId=File_4_0
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 8MbSRAM; 512kx16bit; 2.2÷3.6V; 45ns; TSOP44 II
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 8Mb SRAM
Memory organisation: 512kx16bit
Operating voltage: 2.2...3.6V
Access time: 45ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IDH08G65C5
IDH08G65C5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 650V; 8A; PG-TO220-2; 76W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 650V
Load current: 8A
Semiconductor structure: single diode
Case: PG-TO220-2
Max. forward voltage: 1.8V
Max. forward impulse current: 60A
Leakage current: 1.6µA
Power dissipation: 76W
Kind of package: tube
Heatsink thickness: 1.17...137mm
на замовлення 437 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+240.19 грн
50+208.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GS11DHIV10 infineon-s29gl01gs-s29gl512s-s29gl256s-s29gl128s-128-mb-256-mb-512-mb-1-gb-gl-s-mirrorbit-tm-flash-parallel-3-datasheet-en.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed07ac14bd5&utm_source=cypress&utm_medium
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 1GbFLASH; CFI,parallel; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 1Gb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R500C3XKSA2 Infineon-IPA90R500C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b8cd1d1b10fb6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 11A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 11A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA90R800C3XKSA1 IPA90R800C3XKSA1-DTE.pdf
IPA90R800C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C64225-28PVXC CY7C64225.PDF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: interface; USB; SSOP28; 27mA; ESD; RS232
Type of integrated circuit: interface
Interface: USB
Case: SSOP28
Integrated circuit features: bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Number of channels: 1
DC supply current: 27mA
Version: ESD
Communictions protocol: RS232
на замовлення 2565 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+247.33 грн
141+206.45 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRG7PH44K10D-EPBF IRG7PH44K10D-EPBF.pdf
IRG7PH44K10D-EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 70A; 320W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 70A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7537PBF irfp7537pbf.pdf
IRFP7537PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 172A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 172A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 142nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 46 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+175.01 грн
4+136.80 грн
10+114.42 грн
25+106.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127IXTSA1 Infineon-BSS127I-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421c5341d49
BSS127IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 21mA; 500mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
On-state resistance: 310Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.65nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL128SAGMFIG01 Infineon-S25FL128S_S25FL256S_128_Mb_(16_MB)_256_Mb_(32_MB)_3.0V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfb6a64a17
S25FL128SAGMFIG01
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; SPI; 133MHz; 2.7÷3.6V; SO16; serial
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 128Mb FLASH
Interface: SPI
Operating frequency: 133MHz
Operating voltage: 2.7...3.6V
Case: SO16
Kind of interface: serial
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+322.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65217-24LTXI Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf
CY7C65217-24LTXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x7,I2C,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x7; I2C; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: in-tray; tube
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Number of ports: 1
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C65217-24LTXIT Infineon-65210_65217_65210A_65217A.pdf
CY7C65217-24LTXIT
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: USB interfaces - integrated circuits
Description: IC: USB interface; GPIO x7,I2C,UART; USB controller; Full Speed
Type of integrated circuit: USB interface
Interface: GPIO x7; I2C; UART
Kind of integrated circuit: USB controller
USB speed: Full Speed
Data transfer rate: 12Mbps
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
Kind of package: reel; tape
Case: QFN24
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC072N08NS5ATMA1 BSC072N08NS5-DTE.pdf
BSC072N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 74A; 69W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 74A
Power dissipation: 69W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70KE6327 BCX70.pdf
BCX70KE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 48000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCX70JE6327HTSA1 BCW60%2C%20BCX70%20Rev2007.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
Current gain: 250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FZ900R12KE4HOSA1 FZ900R12KE4.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 900A; AG-62MMES
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: single transistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 900A
Case: AG-62MMES
Electrical mounting: screw
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 1.8kA
Power dissipation: 4.3kW
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R280CEXKSA2 IPA50R280CE-DTE.pdf
IPA50R280CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.5A; 30.4W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.28Ω
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 30.4W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+102.68 грн
10+58.37 грн
50+45.27 грн
100+42.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R950CEXKSA2 IPA50R950CE-DTE.pdf
IPA50R950CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.4A; 25.7W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.95Ω
Drain current: 2.4A
Power dissipation: 25.7W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
на замовлення 105 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+81.25 грн
11+39.80 грн
25+36.48 грн
50+34.16 грн
100+32.34 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R190CEXKSA2 IPA50R190CE-DTE.pdf
IPA50R190CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 18.5A; 32W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.19Ω
Drain current: 18.5A
Power dissipation: 32W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R500CEXKSA2 IPA50R500CE-DTE.pdf
IPA50R500CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.4A; 28W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 3.4A
Power dissipation: 28W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R520CPXKSA1 IPA50R520CP-DTE.pdf
IPA50R520CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 7.1A; 66W; TO220FP
Technology: CoolMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.52Ω
Drain current: 7.1A
Power dissipation: 66W
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 500V
Case: TO220FP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA50R800CEXKSA2 IPA50R800CE-DTE.pdf
IPA50R800CEXKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.6A; 26.4W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.6A
Power dissipation: 26.4W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR119SH6327XTSA1 bcr119series.pdf?folderId=db3a30431428a37301144053a52002e2&fileId=db3a30431428a37301144057767402f3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 50V; 100mA; 250mW; SOT363; 4.7kΩ
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Case: SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 120
Base resistor: 4.7kΩ
Frequency: 150MHz
Application: automotive industry
Polarisation: bipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPCXUMA1 BTS72002EPC.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 0.12Ω
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 0.15ms
Turn-on time: 170µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB38N20DPBF description irfs38n20d.pdf
IRFB38N20DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 44A; 320W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 44A
Power dissipation: 320W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 54mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.12 грн
5+158.36 грн
10+141.78 грн
50+110.27 грн
100+100.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV030 infineon-s29gl064s-64-mbit8-mbyte3-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S80TFV040 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 80ns; TSOP48; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 80ns
Case: TSOP48
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV10 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL064S90DHVV20 Infineon-S29GL064S_64-MBIT_(8_MBYTE)_3.0_V_FLASH_MEMORY-DataSheet-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ed12bd84d2d&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel FLASH memories - integ. circ.
Description: IC: FLASH memory; 64MbFLASH; CFI,parallel; 90ns; BGA64; parallel
Type of integrated circuit: FLASH memory
Kind of memory: NOR
Memory: 64Mb FLASH
Interface: CFI; parallel
Operating voltage: 2.7...3.6V
Access time: 90ns
Case: BGA64
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500301LUAAUMA1 BTH500301LUAAUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 22.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 7mΩ
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 22.5A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6327HTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
BC858BE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Current gain: 220
Mounting: SMD
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BE6433HTMA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC59
Mounting: SMD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC858BWH6327XTSA1 Infineon-BC856SERIES_BC857SERIES_BC858SERIES_BC859SERIES_BC860SERIES-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011787d183d011e9
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP
Type of transistor: PNP
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12000+3.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLS202B1MBV50HTSA1 TLS202B1MBV50.pdf
TLS202B1MBV50HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 5V; 0.15A; PG-SCT595; SMD
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Voltage drop: 0.29V
Output voltage: 5V
Output current: 0.15A
Case: PG-SCT595
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.7...18V
Tolerance: ±3%
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLS203B0EJVXUMA1 Infineon-TLS203B0EJ-DS-v01_30-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f72cc031f3f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO adjustable voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,adjustable; 1.22÷20V; 0.3A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: adjustable; LDO; linear
Voltage drop: 0.75V
Output voltage: 1.22...20V
Output current: 0.3A
Case: PG-DSO-8-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...125°C
Number of channels: 1
Input voltage: 2.3...20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5120-2EKA BTS5120-2EKA.pdf
BTS5120-2EKA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; SO14
Output current: 2A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: PROFET™+ 12V
Case: SO14
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: SMD
Supply voltage: 8...18V DC
на замовлення 1752 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+200.01 грн
10+121.05 грн
25+110.27 грн
100+93.69 грн
250+82.08 грн
500+74.62 грн
1000+71.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS282ZE3180AATMA2 BTS282Z.pdf
BTS282ZE3180AATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 36A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO263-7-1
Mounting: SMD
Output current: 36A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 300W
Operating temperature: -40...175°C
Integrated circuit features: internal temperature sensor
Technology: TEMPFET®
Output voltage: 49V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-TO263-7-1
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 6.5mΩ
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+526.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP040N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP040N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70a2eac169b
IPP040N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 115A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 115A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24223A-24PVXIT Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R3FKSA1 DS_IHW30N135R3_2_1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433a047ba0013a7314865a3a88
IHW30N135R3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 175W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 175W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 263nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 510ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISA250250N04LMDSXTMA1 Infineon-ISA250250N04LMDS-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c92bcf0b00192d33fd1666320
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET x2
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE42994EXUMA1 Infineon-TLE42994-DS-v01_20-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101595f8524621f51
TLE42994EXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; SMD; Ch: 1
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-SSOP-14-EP
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4299GMV33XUMA2 TLE4299GMV33.pdf
TLE4299GMV33XUMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LDO fixed voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,linear,fixed; 3.3V; 0.15A; PG-DSO-14
Type of integrated circuit: voltage regulator
Kind of voltage regulator: fixed; LDO; linear
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.15A
Case: PG-DSO-14
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Tolerance: ±2%
Number of channels: 1
Input voltage: 4.4...45V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXI Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
CY8C24123A-24SXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: PSoC microcontroller; 24MHz; SO8; 256BSRAM,4kBFLASH
Interface: GPIO; I2C; SPI; UART
Clock frequency: 24MHz
Integrated circuit features: watchdog
Kind of core: 8-bit
Memory: 256B SRAM; 4kB FLASH
Case: SO8
Mounting: SMD
Supply voltage: 3...5.25V DC
Number of inputs/outputs: 6
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Operating temperature: -40...85°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXIT Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPB35N10S3L_26-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a304330046413013008a994583e77
IPB35N10S3L26ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 100V; 35A; 71W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 71W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 20.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 39nC
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+81.25 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5-DTE.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 214W
Case: TSON8
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 111nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL202SNH6327XTSA1 Infineon-BSL202SN-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e191d41f68
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXIT CYPRS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020D-10ZSXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5-DTE.pdf
IPP034N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2055 2056 2057 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2080  [ Наступна Сторінка >> ]