Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 2063 з 2080

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2066 2067 2068 2080  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY7C1021D-10VXI INFINEON TECHNOLOGIES download description Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ44; 400mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: SOJ44
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
IC width: 400mils
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.40 грн
17+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr9343pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF IRLR8103VTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr8103vpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+30.36 грн
22+18.99 грн
50+13.18 грн
100+11.28 грн
250+9.20 грн
500+7.96 грн
1000+6.96 грн
3000+5.64 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF IRS2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2117pbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side; SOIC8; 290mA; Ch: 1; MOSFET; Iout max: 290mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SOIC8
Output current: 0.29A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 0.625W
Pulse fall time: 35ns
Impulse rise time: 75ns
Integrated circuit features: MOSFET
Maximum output current: 290mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70121EPAXUMA1 BTS70121EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7012-1EPA-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fb67008c2 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 21.5mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70061EPPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70061EPP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 12.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 12.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 6.6mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70401EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70401EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70021EPPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS7002-1EPP_v1.03_4-29-19.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 21A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 21A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 2.6mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7080-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e941bf21e2dbe Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 39.6mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7040-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e9412cf6e2dbb Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS72002EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 0.12Ω
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 0.15ms
Turn-on time: 170µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72004EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7200-4EPA-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6ea220985 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 4; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 66.5mΩ
Supply voltage: 6...18V DC
Technology: PROFET™+2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70122EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7012-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f1062883c6ca5 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 21.5mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7020-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f10627dfb6ca3 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 23.7mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70082EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTS7008-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590212356876b1 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 7.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 7.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 9mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Integrated circuit features: thermal protection
Application: automotive industry
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70081EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 16.4mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPPXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70081EPP.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 8.8mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70102EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS70102EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 19.5mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS71202EPAXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS71202EPA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712N1XUMA1 BTS712N1XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS712N1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D4810N28TVFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-D4810N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08cde54047 Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VLEXUMA1 TLE9251VLEXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES TLE9251V.pdf Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-TSON-8; -40÷150°C
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-TSON-8
Integrated circuit features: WUP
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP083N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON TECHNOLOGIES IRL60HS118.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120 INFINEON TECHNOLOGIES IRL80HS120.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 4.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
On-state resistance: 32mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D1481N65TVFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES D1481N.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW78DH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES baw78_baw79series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c4ed9df0449&fileId=db3a30431400ef6801141c5037ac044a Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 1us; Ufmax: 1.6V; Ir: 1uA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.6V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF IRS10752LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS10752ltrpbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3050TEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BTF3050TE-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a892c37d7023f Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Mounting: SMD
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 40V
Case: TO252-5
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 40mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500601LUAAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTH500601LUAAUMA1.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 15.9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 14mΩ
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 15.9A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1315A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 216nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-iaut300n08s5n011-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1505A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 231nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT60R022S7XTMA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ S7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPT029N08N5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 32A; 158W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 83mΩ
Power dissipation: 158W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+285.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 143A; 250W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 143A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 69nC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+143.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 333A; 278W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 333A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1mΩ
Power dissipation: 278W
Gate charge: 158nC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+393.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 61A; Idm: 122A; 263W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 122A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 41nC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2000+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+71.43 грн
10+45.52 грн
100+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 IAUZ40N10S5N130ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD231B1W0201E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-ESD231-B1-W0201-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb0150854d4bac4c9d Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD2311ELXUMA1 TLD2311ELXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; PG-SSOP-14-EP; 40V; Ch: 3; PWM; Uin: 5.5÷40V; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Case: PG-SSOP-14-EP
Number of channels: 3
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Input voltage: 5.5...40V
Maximum output current: 120mA
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Output voltage: 40V
Topology: boost
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06TXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863a4b431538d Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 9mΩ
Pulsed drain current: 168A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 SPP08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.19 грн
10+143.44 грн
50+135.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 SPA08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+192.87 грн
10+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 SPD02N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES fundamentals-of-power-semiconductors Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.7Ω
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB200N15N3G-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 45A; 78W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 45A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 IAUC24N10S5L300ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI000 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: in-tray
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI001 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI100 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: in-tray
Case: SOIC8
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1021D-10VXI description download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 1MbSRAM; 64kx16bit; 4.5÷5.5V; 10ns; SOJ44; 400mils
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 1Mb SRAM
Memory organisation: 64kx16bit
Access time: 10ns
Case: SOJ44
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating voltage: 4.5...5.5V
IC width: 400mils
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+163.40 грн
17+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF irlr9343pbf.pdf
IRLR9343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR8103VTRPBF irlr8103vpbf.pdf
IRLR8103VTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 89W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
Power dissipation: 89W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1-DTE.pdf
BSS308PEH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: OptiMOS™ P3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15846 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
15+30.36 грн
22+18.99 грн
50+13.18 грн
100+11.28 грн
250+9.20 грн
500+7.96 грн
1000+6.96 грн
3000+5.64 грн
6000+4.97 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2113MTRPBF irs2113mpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567676a227b7
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF irs2117pbf.pdf
IRS2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.2µs
Turn-off time: 140ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 95 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; high-side; SOIC8; 290mA; Ch: 1; MOSFET; Iout max: 290mA
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: high-side
Case: SOIC8
Output current: 0.29A
Number of channels: 1
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Power dissipation: 0.625W
Pulse fall time: 35ns
Impulse rise time: 75ns
Integrated circuit features: MOSFET
Maximum output current: 290mA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70121EPAXUMA1 Infineon-BTS7012-1EPA-DataSheet-v01_03-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb0163fe8fb67008c2
BTS70121EPAXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 8.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 8.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 21.5mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70061EPPXUMA1 BTS70061EPP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 12.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 12.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 6.6mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70401EPAXUMA1 BTS70401EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 4.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 4.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70021EPPXUMA1 BTS7002-1EPP_v1.03_4-29-19.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 21A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 21A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 2.6mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70802EPAXUMA1 Infineon-BTS7080-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e941bf21e2dbe
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 39.6mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70402EPAXUMA1 Infineon-BTS7040-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625e763904015e9412cf6e2dbb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 3.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 3.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 36mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72002EPAXUMA1 BTS72002EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 0.12Ω
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Turn-off time: 0.15ms
Turn-on time: 170µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS72004EPAXUMA1 Infineon-BTS7200-4EPA-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46270c4f93e0170e8a6ea220985
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1A; Ch: 4; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 66.5mΩ
Supply voltage: 6...18V DC
Technology: PROFET™+2
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70122EPAXUMA1 Infineon-BTS7012-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f1062883c6ca5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 21.5mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70202EPAXUMA1 Infineon-BTS7020-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625ee5d4cd015f10627dfb6ca3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 23.7mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70082EPAXUMA1 Infineon-BTS7008-2EPA-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc101590212356876b1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 7.5A; Ch: 2; N-Channel; SMD; -40÷150°C
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 7.5A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 9mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Integrated circuit features: thermal protection
Application: automotive industry
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPAXUMA1 BTS70081EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 10A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 10A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 16.4mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70081EPPXUMA1 BTS70081EPP.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 11A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 11A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 8.8mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: High Current PROFET
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS70102EPAXUMA1 BTS70102EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 6.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD; reel,tape
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 6.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 19.5mΩ
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS71202EPAXUMA1 BTS71202EPA.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 2; N-Channel; SMD; PG-TSDSO-14
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2A
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSO-14
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 4.1...28V DC
Technology: PROFET™+2
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS712N1XUMA1 BTS712N1.pdf
BTS712N1XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.9...4.4A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 50mΩ
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D4810N28TVFXPSA1 Infineon-D4810N-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627112d9d501712b08cde54047
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE9251VLEXUMA1 TLE9251V.pdf
TLE9251VLEXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: CAN interfaces - integrated circuits
Description: IC: CAN transceiver; 3÷5.5VDC,4.5÷5.5VDC; PG-TSON-8; -40÷150°C
Type of integrated circuit: CAN transceiver
Supply voltage: 3...5.5V DC; 4.5...5.5V DC
Case: PG-TSON-8
Integrated circuit features: WUP
Interface: CAN-FD
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...150°C
Number of receivers: 1
Number of transmitters: 1
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 60mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP083N10N5AKSA1 IPP083N10N5-DTE.pdf
IPP083N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 100W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 73A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 8.3mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL60HS118 IRL60HS118.pdf
IRL60HS118
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+91.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRL80HS120 IRL80HS120.pdf
IRL80HS120
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 9A; 5.8W; PQFN2X2
Case: PQFN2X2
Mounting: SMD
Power dissipation: 5.8W
Gate charge: 4.7nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Drain current: 9A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel
On-state resistance: 32mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
D1481N65TVFXPSA1 D1481N.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAW78DH6327XTSA1 baw78_baw79series.pdf?folderId=db3a30431400ef6801141c4ed9df0449&fileId=db3a30431400ef6801141c5037ac044a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 1us; Ufmax: 1.6V; Ir: 1uA
Mounting: SMD
Max. forward voltage: 1.6V
Application: automotive industry
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 1A
Semiconductor structure: single diode
Leakage current: 1µA
Type of diode: rectifying
Reverse recovery time: 1µs
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS10752LTRPBF IRS10752ltrpbf.pdf
IRS10752LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SOT23-6
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Case: SOT23-6
Output current: -240...160mA
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 100V
Turn-on time: 225ns
Turn-off time: 255ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTF3050TEATMA1 Infineon-BTF3050TE-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4625a888733015a892c37d7023f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Mounting: SMD
Output current: 3A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 40V
Case: TO252-5
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 40mΩ
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTH500601LUAAUMA1 BTH500601LUAAUMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 15.9A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-HSOF-8
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...150°C
Technology: PROFET™
Kind of integrated circuit: high-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 14mΩ
Supply voltage: 12...54V DC
Output current: 15.9A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N10S5N014ATMA1 Infineon-IAUT300N10S5N014-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46277921c32017795c1685a4680
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 46A; Idm: 1315A; 375W
Drain current: 46A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1315A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 216nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUT300N08S5N011ATMA1 infineon-iaut300n08s5n011-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 52A; Idm: 1505A; 375W
Drain current: 52A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: PG-HSOF-8
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1505A
Power dissipation: 375W
Gate charge: 231nC
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT60R022S7XTMA1 IPT60R022S7XTMA1.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; CoolMOS™ S7; unipolar; 600V; 23A; Idm: 375A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 23A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™ S7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 22mΩ
Pulsed drain current: 375A
Power dissipation: 390W
Gate charge: 31nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT029N08N5ATMA1 IPT029N08N5.pdf
IPT029N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; Idm: 676A; 167W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.9mΩ
Pulsed drain current: 676A
Power dissipation: 167W
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R083M1HXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 32A; 158W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 32A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 83mΩ
Power dissipation: 158W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+285.73 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT054N15N5ATMA1 Infineon-IPT054N15N5-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7c9758f2017ccb227ed66c9c
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 150V; 143A; 250W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 143A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 250W
Gate charge: 69nC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+143.76 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPT013N08NM5LFATMA1 Infineon-IPT013N08NM5LF-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7ba0a117017ba1e0a29d018f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 80V; 333A; 278W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 333A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 1mΩ
Power dissipation: 278W
Gate charge: 158nC
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+393.77 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IMT65R039M1HXUMA1 Infineon-IMT65R039M1H-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c872bd8d601876f4b481471c1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 650V; 61A; Idm: 122A; 263W; PG-HSOF-8
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 61A
Case: PG-HSOF-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
Gate-source voltage: 23V
On-state resistance: 39mΩ
Pulsed drain current: 122A
Power dissipation: 263W
Gate charge: 41nC
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2000+207.15 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 5867 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+71.43 грн
10+45.52 грн
100+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
IAUZ40N10S5N130ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104.pdf
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+80.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ESD231B1W0201E6327XTSA1 Infineon-ESD231-B1-W0201-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462503812bb0150854d4bac4c9d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS
Type of diode: TVS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLD2311ELXUMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
TLD2311ELXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: LED drivers
Description: IC: driver; boost; PG-SSOP-14-EP; 40V; Ch: 3; PWM; Uin: 5.5÷40V; 120mA
Type of integrated circuit: driver
Case: PG-SSOP-14-EP
Number of channels: 3
Integrated circuit features: PWM
Mounting: SMD
Input voltage: 5.5...40V
Maximum output current: 120mA
Operating temperature: -40...150°C
Application: automotive industry
Output voltage: 40V
Topology: boost
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
D2450N06TXPSA1 Infineon-D2450N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863a4b431538d
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Diode: hockey-puck rectifying
Type of diode: hockey-puck rectifying
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
IAUC60N06S5N074ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 52W
Gate charge: 20nC
Technology: OptiMOS™ 5
On-state resistance: 9mΩ
Pulsed drain current: 168A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3 Infineon-SPP08N80C3-DS-v02_91-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 409 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+159.19 грн
10+143.44 грн
50+135.15 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+192.87 грн
10+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPD02N80C3ATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SPD02N80C3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2A; 42W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Power dissipation: 42W
Gate charge: 12nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 800V
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.7Ω
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SPP08N80C3XKSA1 SPP08N80C3_rev2[1].9.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a30432313ff5e0123a905a6005c8a
SPP08N80C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 104W
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.56Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 60nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7303TRPBFXTMA1 Infineon-IRF7303-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f1c70a1afc
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB200N15N3GATMA1 IPB200N15N3G-dte.pdf
IPB200N15N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 45A; 78W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 45A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC24N10S5L300ATMA1 Infineon-IAUC24N10S5L300-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a6284a70dcf
IAUC24N10S5L300ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 16A; Idm: 96A; 38W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 96A
Power dissipation: 38W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI000 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: in-tray
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI001 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC16
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: tube
Case: SOIC16
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 705 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S25FL127SABMFI100 Infineon-S25FL127S_128-Mb_(16_MB)_3.0_V_SPI_Flash_Memory-DataSheet-v11_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecfa58c49f7&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 128MbFLASH; QUAD SPI; 108MHz; 2.7÷3.6V; SOIC8
Operating temperature: -40...85°C
Memory: 128Mb FLASH
Operating frequency: 108MHz
Kind of interface: serial
Kind of package: in-tray
Case: SOIC8
Interface: QUAD SPI
Operating voltage: 2.7...3.6V
Kind of memory: NOR
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: FLASH memory
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2058 2059 2060 2061 2062 2063 2064 2065 2066 2067 2068 2080  [ Наступна Сторінка >> ]