Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (126522) > Сторінка 2081 з 2109

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2076 2077 2078 2079 2080 2081 2082 2083 2084 2085 2086 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
CY8C24123A-24SXIT INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC052N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Gate charge: 111nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Case: TSON8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL202SNH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSL202SN-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e191d41f68 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXIT INFINEON TECHNOLOGIES CYPRS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020D-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES download Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP034N08N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080TF BTS3080TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3080TF.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050TF BTS3050TF INFINEON TECHNOLOGIES BTS3050TF.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: HITFET®
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Turn-off time: 210µs
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R350CPXKSA1 IPI50R350CPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI50R350CP-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 89W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP048N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+292.62 грн
10+237.34 грн
50+159.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP114N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 11.4mΩ
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+137.28 грн
10+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP041N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 IKW08N120CS7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 52nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Power dissipation: 53W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+232.31 грн
10+176.96 грн
20+157.67 грн
30+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB024N08N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 IPP024N08NF2SAKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP024N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70288ae1698 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28569031b5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
240+334.17 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S5-5R8 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S55R8.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L-5R5 INFINEON TECHNOLOGIES IPC50N04S5L5R5.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES InfineonIAUA250N04S6N006DataSheetv0100EN.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF IRF7807ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7807zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 IPP90R800C3XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.9A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6.9A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Gate charge: 42nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.38 грн
10+127.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CEATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN50R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.77 грн
12+36.06 грн
25+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.32 грн
10+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD%2CIPA60R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD60R800CEAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD%2CIPA60R800CE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+133.67 грн
5+90.57 грн
10+82.19 грн
25+71.29 грн
50+64.58 грн
100+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405E6327HTSA1 BAT6405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.74 грн
50+8.55 грн
55+7.72 грн
100+5.73 грн
500+5.03 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES IPD26N06S2L35.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06NATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB026N06N-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3116-LQXI CY8CMBR3116-LQXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN24
Case: QFN24
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW785XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6 Category: Unclassified
Description: SLB9670VQ20FW785XTMA1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5000+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3354NSPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS10619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PVA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 150mA
Manufacturer series: PVA
On-state resistance: 24Ω
Mounting: SMT
Case: SMD8
Body dimensions: 9.39x6.47x3.93mm
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+540.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHV040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHI020 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHB023 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 INFINEON TECHNOLOGIES download Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHI040 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHI043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHV043 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4880R ITS4880R INFINEON TECHNOLOGIES ITS4880R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.625A; Ch: 8; N-Channel; SMD; BSSOP36
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Number of channels: 8
Case: BSSOP36
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Output current: 0.625A
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC059N04LSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 62A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC016N06NS-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3405G BTS3405G INFINEON TECHNOLOGIES BTS3405G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET®
Output current: 0.35A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 10V
Case: PG-DSO-8-25
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+170.70 грн
10+101.48 грн
25+90.57 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013SXI-400 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: CY8C4013SXI-400
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
97+106.57 грн
388+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856 Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Number of channels: 2
Case: TSNP6
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF IRFR4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr4615pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD750S65K3NOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Category: Diodes - others
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSGXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO110N03MSG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+51.48 грн
12+35.06 грн
100+27.84 грн
500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXI INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-CY7C53150_CY7C53120_Neuron_Chip_Network_Processor-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eca599a4309&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files Category: Ethernet interfaces -integrated circuits
Description: CY7C53150-20AXI
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
70+2027.60 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZ240N36KOF TZ240N36KOF INFINEON TECHNOLOGIES TZ240N36KOF.pdf Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 3.6kV; 240A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 3.6kV
Load current: 240A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 3.43V
Max. forward impulse current: 6.1kA
Gate current: 300mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 BCR148SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR148.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
45+11.20 грн
55+7.63 грн
100+6.79 грн
500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C24123A-24SXIT Infineon-CY8C24123A_CY8C24223A_CY8C24423A_PSoC_Programmable_System-on-Chip-DataSheet-v24_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec6aaf93d0f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: IC: microcontroller
Type of integrated circuit: microcontroller
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD35N10S3L26ATMA1 Infineon-IPP_B_I70N10S3L_12-DS-01_02-en.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a30431a5c32f2011a9085629c594b&ack=t
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 100V; 25A; Idm: 140A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC052N08NS5ATMA1 BSC052N08NS5-DTE.pdf
BSC052N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 95A; 83W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 95A
Power dissipation: 83W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC027N10NS5ATMA1 BSC027N10NS5_Rev2.0_2018-02-28.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 214W; TSON8
Type of transistor: N-MOSFET
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Power dissipation: 214W
Gate charge: 111nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 100A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Case: TSON8
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL202SNH6327XTSA1 Infineon-BSL202SN-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a3043156fd573011622e191d41f68
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 7.5A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 7.5A
Gate charge: 8.7nC
On-state resistance: 17mΩ
Power dissipation: 2W
Application: automotive industry
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXIT CYPRS10439-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020D-10ZSXI download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 4.5...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 675 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C1020DV33-10ZSXI Infineon-CY7C1020DV33_512_K_(32_K_x_16)_Static_RAM-DataSheet-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ec2f5bf37f0&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 512kbSRAM; 32kx16bit; 10ns; TSOP44 II; parallel
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: SRAM
Memory: 512kb SRAM
Memory organisation: 32kx16bit
Access time: 10ns
Case: TSOP44 II
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray
Supply voltage: 3...3.6V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 135 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP034N08N5AKSA1 IPP034N08N5-DTE.pdf
IPP034N08N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 167W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3080TF BTS3080TF.pdf
BTS3080TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: low-side
Output current: 3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: HITFET®
Operating temperature: -40...150°C
Output voltage: 40V
Turn-on time: 115µs
Turn-off time: 210µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3050TF BTS3050TF.pdf
BTS3050TF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-TO252-3
Mounting: SMD
Output current: 4A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Operating temperature: -40...150°C
Technology: HITFET®
Turn-on time: 115µs
Output voltage: 40V
Case: PG-TO252-3
Turn-off time: 210µs
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 1
On-state resistance: 0.1Ω
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI50R350CPXKSA1 IPI50R350CP-DTE.pdf
IPI50R350CPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 10A; 89W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 10A
Power dissipation: 89W
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP048N12N3GXKSA1 IPP048N12N3G-DTE.pdf
IPP048N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.8mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 68 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+292.62 грн
10+237.34 грн
50+159.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP114N12N3GXKSA1 IPP114N12N3G-DTE.pdf
IPP114N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 3
Drain current: 75A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 120V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: PG-TO220-3
On-state resistance: 11.4mΩ
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+137.28 грн
10+110.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP041N12N3GXKSA1 IPP041N12N3G-DTE.pdf
IPP041N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.1mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW08N120CS7XKSA1 Infineon-IKW08N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97dbfdd05a9
IKW08N120CS7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 14A; 53W; TO247-3
Mounting: THT
Type of transistor: IGBT
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™
Kind of package: tube
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 52nC
Turn-off time: 0.5µs
Collector current: 14A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Power dissipation: 53W
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+232.31 грн
10+176.96 грн
20+157.67 грн
30+148.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 250W; TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 250W
Case: TO263-7
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 138nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB024N08N5ATMA1 IPB024N08N5-dte.pdf
IPB024N08N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 120A; 375W; PG-TO263-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™ 5
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 120A
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 375W
Gate-source voltage: ±20V
Case: PG-TO263-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP024N08NF2SAKMA1 Infineon-IPP024N08NF2S-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46276c4f5350176f70288ae1698
IPP024N08NF2SAKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 182A; 214W; TO220-3
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 182A
Gate charge: 89nC
On-state resistance: 2.4mΩ
Power dissipation: 214W
Case: TO220-3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IKZA50N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA50N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28569031b5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 80A; 305W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 80A
Power dissipation: 305W
Case: TO247-4
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
240+334.17 грн
Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5-5R8 IPC50N04S55R8.pdf
IPC50N04S5-5R8
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPC50N04S5L-5R5 IPC50N04S5L5R5.pdf
IPC50N04S5L-5R5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 50A; 42W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 50A
Power dissipation: 42W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 23nC
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007AUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1350A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1350A
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N007EAUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N007E-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac29beb03f29
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 55A; Idm: 1300A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 1.3kA
Power dissipation: 192W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.83Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 128nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N005AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N005-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a170d3f38
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 62A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 170nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N006AUMA1 InfineonIAUA250N04S6N006DataSheetv0100EN.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 57A; Idm: 1500A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 57A
Pulsed drain current: 1.5kA
Power dissipation: 250W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 169nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IAUA250N04S6N008AUMA1 Infineon-IAUA250N04S6N008-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017fac2a23773f3b
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ 6; unipolar; 40V; 51A; Idm: 1100A
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 51A
Pulsed drain current: 1100A
Power dissipation: 172W
Case: PG-HSOF-5
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 960µΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7807ZTRPBF irf7807zpbf.pdf
IRF7807ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 11A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 11A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPP90R800C3XKSA2 Infineon-IPP90R800C3-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30432313ff5e0123a8b1344d5c34
IPP90R800C3XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 6.9A; 104W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 6.9A
Case: TO220-3
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Gate charge: 42nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+164.38 грн
10+127.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN50R800CEATMA1 IPN50R800CE.pdf
IPN50R800CEATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 4.8A; 5W; PG-SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ CE
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 4.8A
Power dissipation: 5W
Case: PG-SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 12.4nC
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+48.77 грн
12+36.06 грн
25+33.04 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI90R800C3XKSA1 IPI90R800C3XKSA1-DTE.pdf
IPI90R800C3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO262-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Case: PG-TO262-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 104W
Technology: CoolMOS™
на замовлення 271 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+50.32 грн
10+48.64 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD%2CIPA60R800CE.pdf
IPD60R800CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPW90R800C3FKSA1 IPW90R800C3_1.0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a30431b3e89eb011b8db526a81095
IPW90R800C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 900V; 4.4A; 104W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 4.4A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD60R800CEAUMA1 IPD%2CIPA60R800CE.pdf
IPD60R800CEAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; N; 600V; 8.4A; 74W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MOSFET
Polarisation: N
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 74W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: 20V
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17.2nC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 125 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+133.67 грн
5+90.57 грн
10+82.19 грн
25+71.29 грн
50+64.58 грн
100+58.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2285 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.74 грн
50+8.55 грн
55+7.72 грн
100+5.73 грн
500+5.03 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD26N06S2L35ATMA2 IPD26N06S2L35.pdf
IPD26N06S2L35ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 22A; Idm: 120A; 68W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 22A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB026N06NATMA1 IPB026N06N-DTE.pdf
IPB026N06NATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 136W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 136W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY8CMBR3116-LQXI Infineon-CY8CMBR3002_CY8CMBR3102_CY8CMBR3106S_CY8CMBR3108_CY8CMBR3110_CY8CMBR3116-DataSheet-v18_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ebe3508318e
CY8CMBR3116-LQXI
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Interfaces others - integrated circuits
Description: IC: PSoC microcontroller; 1.71÷5.5VDC; GPIO,I2C; SMD; QFN24
Case: QFN24
Type of integrated circuit: PSoC microcontroller
Interface: GPIO; I2C
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.71...5.5V DC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 490 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9670VQ20FW785XTMA1 Infineon-SLB%209670VQ2.0-DataSheet-v01_04-EN.pdf?fileId=5546d4626fc1ce0b016fc78270350cd6
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Unclassified
Description: SLB9670VQ20FW785XTMA1
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+184.24 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PVA3354NSPBF IRSDS10619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Ucntrl: 1.2VDC; Icntrl max: 25mA; PVA
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control voltage: 1.2V DC
Control current max.: 25mA
Max. operating current: 150mA
Manufacturer series: PVA
On-state resistance: 24Ω
Mounting: SMT
Case: SMD8
Body dimensions: 9.39x6.47x3.93mm
Insulation voltage: 4kV
Kind of output: MOSFET
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+540.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHV040 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHI020 Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2562GABHB023 Infineon-S80KS2562_1.8_V_256-Mb_HyperBus_Interface_HyperRAM_(Self-Refresh_DRAM)-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7dc4255f017dd82db3d308ae
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2563GABHI020 download
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 338 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHI040 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C; in-tray
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: in-tray
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHI043 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷85°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S80KS2564GACHV043 Infineon-Data_Sheet_HYPERRAM-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c80027ecd018050aef7544588
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 200MHz; 35ns; FBGA24; -40÷105°C
Kind of memory: DRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
Case: FBGA24
Interface: HyperBus
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...105°C
Access time: 35ns
Supply voltage: 1.7...2V DC
Clock frequency: 200MHz
Memory: 256Mb DRAM
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ITS4880R ITS4880R.pdf
ITS4880R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.625A; Ch: 8; N-Channel; SMD; BSSOP36
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: SMD
Number of channels: 8
Case: BSSOP36
Kind of output: N-Channel
On-state resistance: 0.15Ω
Output current: 0.625A
Supply voltage: 11...45V DC
Technology: Industrial PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC059N04LSGATMA1 BSC059N04LSG-DTE.pdf
BSC059N04LSGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 62A; 50W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 62A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC016N06NSATMA1 BSC016N06NS-DTE.pdf
BSC016N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 139W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BTS3405G BTS3405G.pdf
BTS3405G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 0.35A; Ch: 2; N-Channel; SMD; HITFET®
Output current: 0.35A
Type of integrated circuit: power switch
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Output voltage: 10V
Case: PG-DSO-8-25
Kind of integrated circuit: low-side
Number of channels: 2
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+170.70 грн
10+101.48 грн
25+90.57 грн
100+80.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY8C4013SXI-400 Infineon-PSoC_4_PSoC_4000_Family_Programmable_System-on-Chip_(PSoC)-DataSheet-v06_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ecc2b7d45ee&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Infineon Technologies microcontrollers
Description: CY8C4013SXI-400
на замовлення 2716 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
97+106.57 грн
388+88.90 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGS12SN6E6327XTSA1 Infineon-BGS12SN6-DS-v01_02-en.pdf?fileId=db3a30433f1b26e8013f2db58bc03856
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SPDT; Ch: 2; TSNP6; 1.8÷3.5VDC; 0.1÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SPDT
Number of channels: 2
Case: TSNP6
Supply voltage: 1.8...3.5V DC
Mounting: SMD
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4615TRLPBF irfr4615pbf.pdf
IRFR4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DD750S65K3NOSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Module: diode
Type of semiconductor module: diode
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSO110N03MSGXUMA1 BSO110N03MSG-DTE.pdf
BSO110N03MSGXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 12.1A; 1.56W; PG-DSO-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 12.1A
Power dissipation: 1.56W
Case: PG-DSO-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+51.48 грн
12+35.06 грн
100+27.84 грн
500+23.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CY7C53150-20AXI Infineon-CY7C53150_CY7C53120_Neuron_Chip_Network_Processor-DataSheet-v13_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0eca599a4309&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_all_integration-files
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Ethernet interfaces -integrated circuits
Description: CY7C53150-20AXI
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+2027.60 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TZ240N36KOF TZ240N36KOF.pdf
TZ240N36KOF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Thyristor modules
Description: Module: thyristor; single thyristor; 3.6kV; 240A; BG-PB501-1
Type of semiconductor module: thyristor
Semiconductor structure: single thyristor
Max. off-state voltage: 3.6kV
Load current: 240A
Case: BG-PB501-1
Max. forward voltage: 3.43V
Max. forward impulse current: 6.1kA
Gate current: 300mA
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR148SH6327 BCR148.pdf
BCR148SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 47kΩ
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN x2
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SOT363
Frequency: 100MHz
Collector current: 0.1A
Mounting: SMD
на замовлення 2035 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
45+11.20 грн
55+7.63 грн
100+6.79 грн
500+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 210 420 630 840 1050 1260 1470 1680 1890 2076 2077 2078 2079 2080 2081 2082 2083 2084 2085 2086 2100 2109  [ Наступна Сторінка >> ]