Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124748) > Сторінка 2080 з 2080

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2075 2076 2077 2078 2079 2080
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
T640N14TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T640N18TOFXPSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406E6327HTSA1 BAT6406E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
39+11.61 грн
47+8.95 грн
52+8.04 грн
100+5.51 грн
300+5.02 грн
500+4.72 грн
750+4.40 грн
1000+4.21 грн
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5405E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
46+9.82 грн
50+8.46 грн
54+7.79 грн
68+6.19 грн
100+5.66 грн
500+4.74 грн
1000+4.54 грн
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5403WE6327HTSA1 BAT5403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
25+17.86 грн
35+12.11 грн
44+9.55 грн
50+8.56 грн
500+5.51 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT5404E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.32 грн
29+14.59 грн
34+12.44 грн
100+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL7P INFINEON TECHNOLOGIES auirf2804.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8f7df1381 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF IRLHM630TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlhm630pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T640N14TOFXPSA1 Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.4kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.4kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
T640N18TOFXPSA1 Infineon-T640N-DS-v03_01-en_de.pdf?fileId=db3a3043284aacd8012863803806534a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Button thyristors
Description: Thyristor: hockey-puck; 1.8kV; Ifmax: 1.25kA; 644A; Igt: 250mA
Type of thyristor: hockey-puck
Mounting: Press-Pack
Max. forward impulse current: 9.4kA
Gate current: 250mA
Max. off-state voltage: 1.8kV
Body dimensions: Ø48/Ø30mm
Load current: 644A
Max. load current: 1.25kA
Kind of package: in-tray
Case: A-PUK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6406E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6406E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Max. forward voltage: 0.75V
Power dissipation: 0.25W
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common anode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
39+11.61 грн
47+8.95 грн
52+8.04 грн
100+5.51 грн
300+5.02 грн
500+4.72 грн
750+4.40 грн
1000+4.21 грн
3000+3.68 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5405E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5405E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 4532 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
46+9.82 грн
50+8.46 грн
54+7.79 грн
68+6.19 грн
100+5.66 грн
500+4.74 грн
1000+4.54 грн
3000+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5403WE6327HTSA1 Infineon-BAT54SERIES-DS-v01_01-en.pdf BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 1194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+17.86 грн
35+12.11 грн
44+9.55 грн
50+8.56 грн
500+5.51 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5404E6327HTSA1 BAT5404E6327HTSA1.pdf
BAT5404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. forward voltage: 0.8V
Power dissipation: 0.23W
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: double series
Case: SOT23
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
на замовлення 473 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+22.32 грн
29+14.59 грн
34+12.44 грн
100+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF2804STRL7P auirf2804.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a8f7df1381
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRLHM630TRPBF irlhm630pbf.pdf
IRLHM630TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2075 2076 2077 2078 2079 2080