Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148388) > Сторінка 2444 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DZ1070N26K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K INFINEON TECHNOLOGIES DZ1070N28K.pdf Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR AUIRF7640S2TR INFINEON TECHNOLOGIES auirf7640s2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPN80R1K4P7.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.62 грн
10+51.53 грн
34+27.45 грн
92+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N INFINEON TECHNOLOGIES BTS4142N.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+250.28 грн
9+100.15 грн
25+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N135R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 680ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.74 грн
5+186.54 грн
14+175.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14MPA9E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGS14MPA9E6327.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: ATSLP-9-3
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Interface: MIPI
Bandwidth: 0.05...6GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T INFINEON TECHNOLOGIES BSP762T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Output voltage: 40V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.19 грн
5+137.61 грн
10+95.56 грн
27+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP76E6433 BSP76E6433 INFINEON TECHNOLOGIES BSP76E6433.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Case: PG-SOT223-4
Output voltage: 42V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.72 грн
5+94.03 грн
17+56.57 грн
45+53.51 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPB027N10N5-dte.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G INFINEON TECHNOLOGIES ITS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+374.60 грн
5+180.42 грн
14+170.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D INFINEON TECHNOLOGIES BTS6163D-DTE.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+429.76 грн
5+217.11 грн
12+205.65 грн
500+198.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R INFINEON TECHNOLOGIES BSP752R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.21 грн
10+93.27 грн
11+89.45 грн
29+84.86 грн
1000+83.33 грн
2500+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG INFINEON TECHNOLOGIES BTS441RG.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.15 грн
5+214.82 грн
12+202.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L INFINEON TECHNOLOGIES BTS5210L.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: BSOP12
Supply voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.38 грн
6+161.31 грн
16+152.13 грн
250+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS716G.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Output current: 2.6...5.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.6W
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 35mΩ
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+332.61 грн
5+181.95 грн
14+172.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4175SGA BTS4175SGA INFINEON TECHNOLOGIES BTS4175SGA.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.175Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF IRFR5410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr5410pbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.85 грн
10+69.11 грн
33+27.60 грн
90+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742R BSP742R INFINEON TECHNOLOGIES BSP742R.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+195.12 грн
10+118.50 грн
13+70.33 грн
35+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RIXUMA1 BSP742RIXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW75N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.11 грн
3+420.47 грн
6+397.53 грн
30+382.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7730PBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+239.58 грн
9+103.21 грн
24+97.85 грн
500+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF IRFR3910TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr3910pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+80.68 грн
10+51.99 грн
28+32.03 грн
77+30.27 грн
1000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF IRFR120ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr120zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 BSS123NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.12 грн
36+10.86 грн
49+7.95 грн
59+6.59 грн
100+5.56 грн
294+3.05 грн
806+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF IRF5803TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5803pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+30.46 грн
19+20.49 грн
50+16.67 грн
84+10.70 грн
230+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA60R190P6-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.19 грн
4+123.08 грн
8+119.26 грн
10+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF PVDZ172NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pvdz172.pdf description Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A; 0÷60VDC; MOSFET
Case: DIP8
On-state resistance: 0.25Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 1.5A
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Control current: 5...25mA
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Switched voltage: 0...60V DC
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Mounting: THT
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+985.48 грн
3+441.87 грн
6+417.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF IRS21867STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS21867SPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+171.25 грн
5+141.43 грн
8+122.32 грн
21+115.44 грн
500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF IRFB5615PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb5615pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+123.49 грн
10+79.51 грн
17+55.81 грн
45+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05N06PFXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDL05x06xx.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Output current: -0.7...0.36A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.97 грн
5+92.50 грн
12+80.27 грн
32+75.68 грн
500+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN7524FXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 2EDN752x-DTE.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Output current: -5...5A
Supply voltage: 4.5...20V
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 20V
Number of channels: 2
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.98 грн
20+45.10 грн
55+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF IRLR7833TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr7833pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T INFINEON TECHNOLOGIES BTS462T.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.22 грн
8+116.97 грн
22+110.85 грн
500+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF IRF1104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.96 грн
10+107.79 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4 INFINEON TECHNOLOGIES FP75R12KT4.pdf Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16127.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF IRFB4229PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4229pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.87 грн
8+129.20 грн
20+122.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1504WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+35.40 грн
18+21.64 грн
61+14.75 грн
167+13.91 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 BTS711L1 INFINEON TECHNOLOGIES BTS711L1.pdf description Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 50mΩ
Output current: 1.9...4.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DSO20
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+531.03 грн
4+269.10 грн
10+254.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP80R1K2P7.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.97 грн
10+86.39 грн
13+75.68 грн
34+71.86 грн
150+71.10 грн
200+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF IRF3007PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3007.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226 INFINEON TECHNOLOGIES IRF300P226.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 53A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 191nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227 INFINEON TECHNOLOGIES IRF300P227.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF IRF3315STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3315spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF IRF3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3703pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 BSS123IXTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
55+7.03 грн
70+5.53 грн
81+4.77 грн
100+4.06 грн
360+2.48 грн
990+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS123NH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.00 грн
43+9.02 грн
50+7.80 грн
100+4.87 грн
281+3.18 грн
772+3.01 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF IRF1324PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1324pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Drain current: 353A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 24V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.59 грн
9+110.85 грн
23+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324STRL AUIRF1324STRL INFINEON TECHNOLOGIES AUIRF1324STRL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL AUIRF1324WL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1324wl.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ110N08NS5-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327 BCR133SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BCR133.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+9.22 грн
67+5.73 грн
203+4.42 грн
557+4.17 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF IR2130SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2130_2132.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+617.47 грн
3+439.58 грн
6+415.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IR2133SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.99 грн
3+441.11 грн
6+417.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF IRFB4321PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB4321PBF-DTE.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+228.88 грн
8+120.02 грн
21+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF IRFB4332PbF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4332pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+190.18 грн
8+126.14 грн
20+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N26K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.6kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.6kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DZ1070N28K DZ1070N28K.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diode modules
Description: Module: diode; single diode; 2.8kV; If: 1.07kA; BG-PB70AT-1; screw
Max. off-state voltage: 2.8kV
Max. forward voltage: 0.75V
Load current: 1.07kA
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 41kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: diode
Case: BG-PB70AT-1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF7640S2TR auirf7640s2.pdf
AUIRF7640S2TR
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 21A; 30W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 21A
Power dissipation: 30W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN80R1K4P7ATMA1 IPN80R1K4P7.pdf
IPN80R1K4P7ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.7A; 7W; PG-SOT223; ESD
Drain current: 2.7A
On-state resistance: 1.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Version: ESD
Gate charge: 10nC
Technology: CoolMOS™ P7
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: 800V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+85.62 грн
10+51.53 грн
34+27.45 грн
92+25.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4142N BTS4142N.pdf
BTS4142N
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.15Ω
Supply voltage: 12...45V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+250.28 грн
9+100.15 грн
25+94.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N135R5XKSA1 IHW30N135R5.pdf
IHW30N135R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.35kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.35kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™
Turn-off time: 680ns
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+280.74 грн
5+186.54 грн
14+175.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BGS14MPA9E6327XTSA1 BGS14MPA9E6327.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; SP4T; Ch: 4; MIPI; ATSLP-9-3; 1.65÷1.95VDC; 0.05÷6GHz
Type of integrated circuit: RF switch
Output configuration: SP4T
Number of channels: 4
Case: ATSLP-9-3
Supply voltage: 1.65...1.95V DC
Mounting: SMD
Application: telecommunication
Interface: MIPI
Bandwidth: 0.05...6GHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP762T BSP762T.pdf
BSP762T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Output current: 2A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 70mΩ
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Output voltage: 40V
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.19 грн
5+137.61 грн
10+95.56 грн
27+90.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP76E6433 BSP76E6433.pdf
BSP76E6433
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; low-side; 1.4A; Ch: 1; N-Channel; SMD; PG-SOT223-4
Case: PG-SOT223-4
Output voltage: 42V
Output current: 1.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: HITFET®
Kind of integrated circuit: low-side
Mounting: SMD
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.72 грн
5+94.03 грн
17+56.57 грн
45+53.51 грн
1000+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N3GATMA1 IPB027N10N3G-DTE.pdf
IPB027N10N3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 300W; PG-TO263-7
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPB027N10N5ATMA1 IPB027N10N5-dte.pdf
IPB027N10N5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF.pdf
IRLR3636TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+137.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
ITS716G ITS716G.pdf
ITS716G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO20
On-state resistance: 0.11Ω
Supply voltage: 5.5...40V DC
Technology: Industrial PROFET
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+374.60 грн
5+180.42 грн
14+170.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS6163D BTS6163D-DTE.pdf
BTS6163D
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 5.5A; Ch: 1; N-Channel; SMD
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 5.5A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: PG-TO252-5-11
On-state resistance: 20mΩ
Supply voltage: 5.5...62V DC
Technology: Classic PROFET
на замовлення 2120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+429.76 грн
5+217.11 грн
12+205.65 грн
500+198.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP752R BSP752R.pdf
BSP752R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Case: SO8
On-state resistance: 0.15Ω
Output voltage: 52V
Output current: 1.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
на замовлення 2679 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+103.21 грн
10+93.27 грн
11+89.45 грн
29+84.86 грн
1000+83.33 грн
2500+81.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BTS441RG BTS441RG.pdf
BTS441RG
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 17A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO263-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 17A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO263-5
On-state resistance: 15mΩ
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 4.75...43V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.15 грн
5+214.82 грн
12+202.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS5210L BTS5210L.pdf
BTS5210L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.8A; Ch: 2; N-Channel; SMD; BSOP12
Output current: 1.8A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 2
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: BSOP12
Supply voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.38 грн
6+161.31 грн
16+152.13 грн
250+146.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS716GXUMA1 BTS716G.pdf
BTS716GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.6÷5.3A; Ch: 4; N-Channel; SMD; SO20
Output current: 2.6...5.3A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Power dissipation: 3.6W
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: SO20
Supply voltage: 5.5...40V DC
On-state resistance: 35mΩ
Turn-on time: 270µs
Turn-off time: 0.25ms
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+332.61 грн
5+181.95 грн
14+172.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BTS4175SGA BTS4175SGA.pdf
BTS4175SGA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 1.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.175Ω
Supply voltage: 6...52V DC
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR5410TRPBF description irfr5410pbf.pdf
IRFR5410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; 66W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Power dissipation: 66W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.85 грн
10+69.11 грн
33+27.60 грн
90+26.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742R BSP742R.pdf
BSP742R
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 1963 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+195.12 грн
10+118.50 грн
13+70.33 грн
35+66.51 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSP742RIXUMA1 Infineon-BSP742RI-DS-v01_01-en.pdf?folderId=db3a304314dca389011537739e37155f&fileId=db3a304316f112290116f22466b271a6&ack=t
BSP742RIXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 400mA; Ch: 1; N-Channel; SMD; SO8; reel
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.4A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SO8
On-state resistance: 0.25Ω
Kind of package: reel
Technology: Classic PROFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW75N60TFKSA1 IKW75N60T.pdf
IKW75N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 75A; 428W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 428W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 470nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 75A
Pulsed collector current: 225A
Turn-on time: 69ns
Turn-off time: 401ns
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+661.11 грн
3+420.47 грн
6+397.53 грн
30+382.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRLPBF IRFS7730PBF.pdf
IRFS7730TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 174A; Idm: 984A; 375W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 174A
Pulsed drain current: 984A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 407nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+239.58 грн
9+103.21 грн
24+97.85 грн
500+94.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR3910TRPBF irfr3910pbf.pdf
IRFR3910TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.68 грн
10+51.99 грн
28+32.03 грн
77+30.27 грн
1000+29.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR120ZTRPBF irfr120zpbf.pdf
IRFR120ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 8.7A; 35W; DPAK
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 35W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 8.7A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6433XTMA1 Infineon-BSS123N-DS-v02_03-en.pdf?fileId=db3a304335f1f4b6013639adfaaa1631
BSS123NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Case: SOT23
Gate charge: 0.6nC
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.77A
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.12 грн
36+10.86 грн
49+7.95 грн
59+6.59 грн
100+5.56 грн
294+3.05 грн
806+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5803TRPBF irf5803pbf.pdf
IRF5803TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -3.4A; 1.3W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -3.4A
Power dissipation: 1.3W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+30.46 грн
19+20.49 грн
50+16.67 грн
84+10.70 грн
230+10.17 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
IPA60R190P6XKSA1 IPA60R190P6-DTE.pdf
IPA60R190P6XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P6
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Power dissipation: 34W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.19 грн
4+123.08 грн
8+119.26 грн
10+114.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PVDZ172NPBF description pvdz172.pdf
PVDZ172NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 5÷25mA; 1.5A; 0÷60VDC; MOSFET
Case: DIP8
On-state resistance: 0.25Ω
Contacts configuration: SPST-NO
Max. operating current: 1.5A
Type of relay: solid state
Relay variant: MOSFET
Control current: 5...25mA
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Switched voltage: 0...60V DC
Operating temperature: -40...85°C
Manufacturer series: PVDZ172NPbF
Mounting: THT
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+985.48 грн
3+441.87 грн
6+417.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21867STRPBF IRS21867SPBF.pdf
IRS21867STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -4...4A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 192ns
Turn-off time: 188ns
на замовлення 1778 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+171.25 грн
5+141.43 грн
8+122.32 грн
21+115.44 грн
500+110.85 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB5615PBF irfb5615pbf.pdf
IRFB5615PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 35A
Power dissipation: 144W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 39mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+123.49 грн
10+79.51 грн
17+55.81 грн
45+52.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDL05N06PFXUMA1 2EDL05x06xx.pdf
2EDL05N06PFXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; EiceDRIVER™; PG-DSO-8; -0.7÷0.36A
Output current: -0.7...0.36A
Type of integrated circuit: driver
Number of channels: 2
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Kind of package: reel; tape
Technology: EiceDRIVER™
Kind of integrated circuit: high-/low-side; MOSFET gate driver
Topology: MOSFET half-bridge
Voltage class: 600V
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Supply voltage: 10...20V
на замовлення 1291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.97 грн
5+92.50 грн
12+80.27 грн
32+75.68 грн
500+72.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN7524FXTMA1 2EDN752x-DTE.pdf
2EDN7524FXTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; PG-DSO-8
Case: PG-DSO-8
Technology: EiceDRIVER™
Kind of package: reel; tape
Output current: -5...5A
Supply voltage: 4.5...20V
Protection: undervoltage UVP
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Type of integrated circuit: driver
Voltage class: 20V
Number of channels: 2
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
20+45.10 грн
55+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR7833TRPBF irlr7833pbf.pdf
IRLR7833TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 140A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 140A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BTS462T BTS462T.pdf
BTS462T
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 2.3A; Ch: 1; N-Channel; SMD; TO252-5
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 2.3A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: TO252-5
Supply voltage: 5...34V DC
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 43V
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+255.22 грн
8+116.97 грн
22+110.85 грн
500+106.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1104PBF irf1104.pdf
IRF1104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 100A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 100A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.96 грн
10+107.79 грн
14+68.04 грн
37+64.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
FP75R12KT4 FP75R12KT4.pdf
FP75R12KT4
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; buck chopper; Urmax: 1.2kV; Ic: 75A
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: diode/transistor
Topology: buck chopper; IGBT three-phase bridge; NTC thermistor; three-phase diode bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Collector current: 75A
Case: AG-ECONO3-3
Application: Inverter
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Power dissipation: 385W
Mechanical mounting: screw
Technology: EconoPIM™ 3
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+16127.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4229PBF irfb4229pbf.pdf
IRFB4229PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 46A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 46A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 46mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 72nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.87 грн
8+129.20 грн
20+122.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1504WH6327XTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1504WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.1W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+35.40 грн
18+21.64 грн
61+14.75 грн
167+13.91 грн
1000+13.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BTS711L1 description BTS711L1.pdf
BTS711L1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 1.9÷4.4A; Ch: 4; N-Channel; SMD; DSO20
Supply voltage: 5...34V DC
On-state resistance: 50mΩ
Output current: 1.9...4.4A
Type of integrated circuit: power switch
Number of channels: 4
Kind of output: N-Channel
Technology: Classic PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Mounting: SMD
Case: DSO20
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+531.03 грн
4+269.10 грн
10+254.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPP80R1K2P7XKSA1 IPP80R1K2P7.pdf
IPP80R1K2P7XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 3.1A; 37W; PG-TO220-3; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™ P7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 37W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Gate charge: 11nC
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.97 грн
10+86.39 грн
13+75.68 грн
34+71.86 грн
150+71.10 грн
200+70.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3007PBF description irf3007.pdf
IRF3007PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P226 IRF300P226.pdf
IRF300P226
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 53A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 19mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 191nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF300P227 IRF300P227.pdf
IRF300P227
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: StrongIRFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 35A
Power dissipation: 313W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3315STRLPBF irf3315spbf.pdf
IRF3315STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 21A; 94W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 21A
Power dissipation: 94W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3703PBF irf3703pbf.pdf
IRF3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPD25N06S4L30ATMA2 Infineon-IPD25N06S4L_30-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a30431ff98815012038898f7b0caa
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 17A; Idm: 92A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17A
Pulsed drain current: 92A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123IXTSA1 Infineon-BSS123I-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46277921c320177a421ae8a1d46
BSS123IXTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.63nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
55+7.03 грн
70+5.53 грн
81+4.77 грн
100+4.06 грн
360+2.48 грн
990+2.35 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1.pdf
BSS123NH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.15A; Idm: 0.77A; 0.5W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.15A
Pulsed drain current: 0.77A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.6nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 26945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.00 грн
43+9.02 грн
50+7.80 грн
100+4.87 грн
281+3.18 грн
772+3.01 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1324PBF irf1324pbf.pdf
IRF1324PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 353A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Technology: HEXFET®
Drain current: 353A
On-state resistance: 1.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 24V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.59 грн
9+110.85 грн
23+105.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324STRL AUIRF1324STRL.pdf
AUIRF1324STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 340A; 300W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 340A
Power dissipation: 300W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1324WL auirf1324wl.pdf
AUIRF1324WL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 24V; 382A; 300W; TO262WL
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 24V
Drain current: 382A
Power dissipation: 300W
Case: TO262WL
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N06NS3GATMA1 BSZ110N06NS3_Rev2.3.pdf?folderId=db3a30431ddc9372011ebafa04517f8b&fileId=db3a30431ddc9372011ebb15d4e8001a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 20A; Idm: 80A; 50W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ110N08NS5ATMA1 BSZ110N08NS5-DTE.pdf
BSZ110N08NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
On-state resistance: 11mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 50W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 5
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Case: PG-TSDSON-8
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133SH6327 BCR133.pdf
BCR133SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT363
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 5123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+9.22 грн
67+5.73 грн
203+4.42 грн
557+4.17 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
IR2130SPBF description ir2130_2132.pdf
IR2130SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 675ns
Turn-off time: 475ns
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.47 грн
3+439.58 грн
6+415.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2133SPBF IRSDS12168-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IR2133SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 0.6/1.2kV
Turn-on time: 750ns
Turn-off time: 700ns
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+656.99 грн
3+441.11 грн
6+417.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4321PBF description IRFB4321PBF-DTE.pdf
IRFB4321PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 15mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 71nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.88 грн
8+120.02 грн
21+113.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4332PbF irfb4332pbf.pdf
IRFB4332PbF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 60A
Power dissipation: 390W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 99nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+190.18 грн
8+126.14 грн
20+119.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2439 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]