Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149639) > Сторінка 2445 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IMBG40R015M2HXTMA1 Infineon Technologies infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon Technologies Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843 BSB165N15NZ3GXUMA2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY5677 CY5677 Infineon Technologies quickstartguide_0.pdf CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672VU20FW1523XTMA1 SLB9672VU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672AU20FW1610XTMA1 SLB9672AU20FW1610XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon Technologies Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432 TPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672XU20FW1613XTMA1 SLB9672XU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672AU20FW1612XTMA1 Infineon Technologies SP005750322
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672AU20FW1613XTMA1 SLB9672AU20FW1613XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672VU20FW1522XTMA1 Infineon Technologies infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021 IPTC025N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 Infineon Technologies infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9 ISC055N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018 ISC044N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046 IPF026N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1 Infineon Technologies IPP089N15NM6AKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3401N33TOFS20XPSA1 Infineon Technologies SP000091136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215C H6327 Infineon Technologies 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 IGB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.32 грн
5+117.97 грн
10+104.51 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 IGP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.79 грн
10+138.55 грн
11+90.26 грн
29+85.51 грн
50+83.13 грн
100+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.09 грн
3+166.26 грн
8+125.09 грн
21+117.97 грн
30+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD4BEE48ED3820&compId=IKB20N60H3.pdf?ci_sign=6e59697a1b11c9314964694537e7c76c6542e9f8 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD52D9F6417820&compId=IKB20N60T.pdf?ci_sign=c235205cf7eddca1fd52b37a7c3b186c20f8ddcc Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 IKP20N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF6E42879FE51BF&compId=IKP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=81822baaae1c458e541be05689ce6b6972ffcdff Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.53 грн
8+124.30 грн
21+117.97 грн
50+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+202.92 грн
10+174.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 299ns
Turn-on time: 36ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.73 грн
5+166.26 грн
9+113.22 грн
23+106.88 грн
120+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 SPA20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.19 грн
5+212.18 грн
13+200.30 грн
25+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 SPA20N60CFDXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC030A66F7A8143&compId=SPA20N60CFD.pdf?ci_sign=ba37c191af9a9c354ab1361f3a3d77038999c3fd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3 SPB20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.72 грн
5+190.01 грн
14+179.72 грн
250+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 SPB20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CD214FC83874A&compId=SPB20N60S5.pdf?ci_sign=c10e80218ee233c1423c180589fd11a6a8f52b71 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0030pbf.pdf?ci_sign=0967246e14c499dac7fba1009378f5d12f33bab0 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+25.58 грн
23+17.89 грн
28+14.49 грн
35+11.64 грн
100+7.76 грн
162+5.78 грн
444+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF IRFR220NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Case: DPAK
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+78.44 грн
7+58.43 грн
10+51.07 грн
45+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 BAS1602VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7CC646E270469&compId=BAS1602VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9415141bb43cbdd448b57243d992c4e3a4580712 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.82 грн
81+4.91 грн
90+4.43 грн
107+3.72 грн
250+3.35 грн
306+3.05 грн
841+2.88 грн
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 BAS1603WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
45+10.40 грн
90+4.43 грн
100+3.98 грн
285+3.31 грн
780+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 BAS16E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 12782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
78+5.49 грн
90+4.43 грн
109+3.64 грн
122+3.27 грн
250+3.03 грн
350+2.67 грн
961+2.53 грн
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF IRFZ48NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF IRFZ48NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF IRFB7545PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A1ACCC4AE1EC&compId=irfb7545pbf.pdf?ci_sign=9c5379c9bead593a424c708dc2ae499c899ed378 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF IRLML5203TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 17065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.87 грн
24+16.63 грн
50+12.11 грн
100+10.61 грн
193+4.83 грн
529+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 BC857AE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783DF60124ED30259&compId=BC857B-DTE.pdf?ci_sign=ba25cefced3e9fb3bec3567afbe372972cd47a0a Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
145+2.96 грн
179+2.22 грн
209+1.90 грн
232+1.71 грн
250+1.58 грн
500+1.50 грн
703+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF IRF9Z34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81 description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+75.03 грн
38+25.02 грн
50+24.70 грн
103+23.67 грн
250+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 IKP15N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6BF0AC93A8A18&compId=IKP15N65F5.pdf?ci_sign=813dd2687d113f2ce86cd4f9b1d438357d641c10 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF IR2104PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.39 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF IR2104SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33E1F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2104.pdf?ci_sign=4359ee0159dafd1f6920f459f6db4eb8bb7e1e9d description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+139.83 грн
5+110.84 грн
10+98.96 грн
11+88.67 грн
25+87.09 грн
30+83.92 грн
50+82.34 грн
95+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF IR2104STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.38 грн
10+61.44 грн
20+47.98 грн
54+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 IGB50N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31590A7878FA8&compId=IGB50N60T-DTE.pdf?ci_sign=60db27e8dc1b6cad47cbf90a3606a38d6dfebaed Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 IGP50N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B359F284B34FA8&compId=IGP50N60T-DTE.pdf?ci_sign=2b05383ced2cbae508f7c97aac42cd7ba476fbe1 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 IGW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+214.86 грн
7+149.63 грн
18+141.72 грн
30+136.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 IGW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+311.20 грн
4+234.35 грн
10+222.47 грн
11+221.68 грн
30+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 IKW50N60DTPXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 233ns
Turn-on time: 50ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+193.54 грн
8+124.30 грн
21+117.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 IKW50N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+340.19 грн
5+217.72 грн
12+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 IKW50N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+437.39 грн
4+279.48 грн
10+264.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 AIKW50N60CTXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 IKFW50N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.08 грн
4+288.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE1A560ED2F820&compId=IKFW50N60ET.pdf?ci_sign=1dc63477d7ea1d12e4dda3141dab1803566a6fe8 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 IPD50N06S4L12ATMA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.59 грн
9+48.77 грн
21+45.13 грн
25+43.70 грн
57+42.75 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IMBG40R015M2HXTMA1 infineon-imbg40r015m2h-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Cool SiC G2 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA3 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Виробник: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSB165N15NZ3GXUMA2 Infineon-BSB165N15NZ3-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30432e779412012e7b04a1353843
Виробник: Infineon Technologies
BSB165N15NZ3GXUMA2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CY5677 quickstartguide_0.pdf
CY5677
Виробник: Infineon Technologies
CYBL11573-56LQX Bluetooth Development Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672VU20FW1523XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672VU20FW1523XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672AU20FW1610XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw15-datasheet-v01_20-en.pdf
SLB9672AU20FW1610XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 16bit OPTIGA™ TPM CISC 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672XU20FW1523XTMA1 Infineon-OPTIGA%20TPM%20SLB%209672%20FW15-DataSheet-v01_20-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7f2a768a017f89965f764432
Виробник: Infineon Technologies
TPM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672XU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672XU20FW1613XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672AU20FW1612XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
SP005750322
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672AU20FW1613XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
SLB9672AU20FW1613XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SLB9672VU20FW1522XTMA1 infineon-optigatpmslb9672fw16-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Secure MCU 32bit OPTIGA™ TPM RISC 51KB Flash 1.8V/3.3V 32-Pin UQFN EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPTC025N15NM6ATMA1 Infineon-IPTC025N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907740b75c7021
Виробник: Infineon Technologies
IPTC025N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPT025N15NM6ATMA1 infineon-ipt025n15nm6-datasheet-v02_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 26A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC055N15NM6ATMA1 Infineon-ISC055N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190772508436ff9
Виробник: Infineon Technologies
ISC055N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ISC044N15NM6ATMA1 Infineon-ISC044N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a0190774086997018
Виробник: Infineon Technologies
ISC044N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPF026N15NM6ATMA1 Infineon-IPF026N15NM6-DataSheet-v02_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c90530b3a01907752f9db7046
Виробник: Infineon Technologies
IPF026N15NM6ATMA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPP089N15NM6AKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IPP089N15NM6AKSA1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
T3401N33TOFS20XPSA1
Виробник: Infineon Technologies
SP000091136
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215C H6327 4040bsl215c_rev2.2.pdffolderiddb3a30431add1d95011aed428f2d0285fileidd.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.5A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B312B277740FA8&compId=IGB20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=0f3733d7448ee4dd198f33ca4df5522dc9423f33
IGB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.32 грн
5+117.97 грн
10+104.51 грн
13+75.21 грн
35+71.25 грн
100+68.09 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31E4E0579CFA8&compId=IGP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=5ea793c44841df8daddabd0123666b394a69457b
IGP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 170W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+174.79 грн
10+138.55 грн
11+90.26 грн
29+85.51 грн
50+83.13 грн
100+82.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B364F1E8194FA8&compId=IGW20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=029fb8913da8355d7db4e94074a1077f0f592f1f
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+225.09 грн
3+166.26 грн
8+125.09 грн
21+117.97 грн
30+116.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60H3ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD4BEE48ED3820&compId=IKB20N60H3.pdf?ci_sign=6e59697a1b11c9314964694537e7c76c6542e9f8
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB20N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD52D9F6417820&compId=IKB20N60T.pdf?ci_sign=c235205cf7eddca1fd52b37a7c3b186c20f8ddcc
IKB20N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 166W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 32ns
Turn-off time: 241ns
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60H3XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF6E42879FE51BF&compId=IKP20N60H3-DTE.pdf?ci_sign=81822baaae1c458e541be05689ce6b6972ffcdff
IKP20N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 85W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Collector-emitter voltage: 600V
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 31ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 241ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D07DB193BFE74A&compId=IKP20N60T.pdf?ci_sign=7c0e65ea17092b5cb44f595a48490fa898091448
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 36ns
Gate charge: 0.12µC
Turn-off time: 299ns
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.53 грн
8+124.30 грн
21+117.97 грн
50+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE6F66D4F3B820&compId=IKW20N60H3.pdf?ci_sign=17f202bc94e3ffba54d73940142cc54f9595779a
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 0.12µC
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+202.92 грн
10+174.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW20N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A8D06C564238274A&compId=IKW20N60T.pdf?ci_sign=446b88dff3d758d9a2f7512499a17ea6b9e28d8b
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 299ns
Turn-on time: 36ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+238.73 грн
5+166.26 грн
9+113.22 грн
23+106.88 грн
120+102.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C058D08A5F9CF1A6F5005056AB5A8F&compId=spp20n60c3.pdf?ci_sign=e6782b5ab7a5620fbda75de79daa9ea3abc07fdf
SPA20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 34.5W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 34.5W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.19 грн
5+212.18 грн
13+200.30 грн
25+194.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPA20N60CFDXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC030A66F7A8143&compId=SPA20N60CFD.pdf?ci_sign=ba37c191af9a9c354ab1361f3a3d77038999c3fd
SPA20N60CFDXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 35W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 35W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60C3
SPB20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20.7A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+267.72 грн
5+190.01 грн
14+179.72 грн
250+177.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPB20N60S5 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58CD214FC83874A&compId=SPB20N60S5.pdf?ci_sign=c10e80218ee233c1423c180589fd11a6a8f52b71
SPB20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO263-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO263-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML0030TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F5825D2F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml0030pbf.pdf?ci_sign=0967246e14c499dac7fba1009378f5d12f33bab0
IRLML0030TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 5.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 5.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 4677 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+25.58 грн
23+17.89 грн
28+14.49 грн
35+11.64 грн
100+7.76 грн
162+5.78 грн
444+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR220NTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221C119302F95F1A303005056AB0C4F&compId=irfr220npbf.pdf?ci_sign=c9508836b8df0e5004441533b4bc289849090945
IRFR220NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 43W; DPAK
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Drain current: 5A
Power dissipation: 43W
Drain-source voltage: 200V
Case: DPAK
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.44 грн
7+58.43 грн
10+51.07 грн
45+20.90 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1602VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7CC646E270469&compId=BAS1602VH6327XTSA1.pdf?ci_sign=9415141bb43cbdd448b57243d992c4e3a4580712
BAS1602VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC79; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 2.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SC79
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 2.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 3271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.82 грн
81+4.91 грн
90+4.43 грн
107+3.72 грн
250+3.35 грн
306+3.05 грн
841+2.88 грн
3000+2.77 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAS1603WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884
BAS1603WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOD323; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD323
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
45+10.40 грн
90+4.43 грн
100+3.98 грн
285+3.31 грн
780+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7D630FF0A8469&compId=BAS1603WE6327HTSA1.pdf?ci_sign=501120ed8e0387d0f68781981619815a428c2884
BAS16E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.25A; 4ns; SOT23; Ufmax: 1.25V; 370mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.25A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOT23
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.37W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 12782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
78+5.49 грн
90+4.43 грн
109+3.64 грн
122+3.27 грн
250+3.03 грн
350+2.67 грн
961+2.53 грн
3000+2.49 грн
Мінімальне замовлення: 78
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E7D505604F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfz48n.pdf?ci_sign=0785d6983816823690d6245fa8826bf83d081d69
IRFZ48NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 94W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 94W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221CB291B1DFEF1A303005056AB0C4F&compId=irfz48nspbf.pdf?ci_sign=1d8f5a5fcf7cd5af31a38e0f4a5d2613bced05ee
IRFZ48NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 64A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 64A
Power dissipation: 140W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7545PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED3B1A6A1ACCC4AE1EC&compId=irfb7545pbf.pdf?ci_sign=9c5379c9bead593a424c708dc2ae499c899ed378
IRFB7545PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 95A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 95A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Trade name: StrongIRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML5203TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227BD7369177F1A303005056AB0C4F&compId=irlml5203pbf.pdf?ci_sign=82ead9814132c2f6db5f76bc74feab6bb4ea01e5
IRLML5203TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 17065 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.87 грн
24+16.63 грн
50+12.11 грн
100+10.61 грн
193+4.83 грн
529+4.59 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC857AE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED783DF60124ED30259&compId=BC857B-DTE.pdf?ci_sign=ba25cefced3e9fb3bec3567afbe372972cd47a0a
BC857AE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 1557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
145+2.96 грн
179+2.22 грн
209+1.90 грн
232+1.71 грн
250+1.58 грн
500+1.50 грн
703+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 145
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z34NPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B680F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z34n.pdf?ci_sign=d4acb9fe5df062d3e293b8568a174e680d014d81
IRF9Z34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -19A; 68W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -19A
Power dissipation: 68W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+75.03 грн
38+25.02 грн
50+24.70 грн
103+23.67 грн
250+22.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6BF0AC93A8A18&compId=IKP15N65F5.pdf?ci_sign=813dd2687d113f2ce86cd4f9b1d438357d641c10
IKP15N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Turn-off time: 166ns
Turn-on time: 24ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1
IR2104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.39 грн
8+130.63 грн
20+123.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD33E1F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2104.pdf?ci_sign=4359ee0159dafd1f6920f459f6db4eb8bb7e1e9d
IR2104SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 190 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.83 грн
5+110.84 грн
10+98.96 грн
11+88.67 грн
25+87.09 грн
30+83.92 грн
50+82.34 грн
95+79.96 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2104STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD865162496F5EA&compId=IR2104PBF.pdf?ci_sign=c171abf43ff720e30432806290c08be689b8dee1
IR2104STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 680ns
Turn-off time: 150ns
на замовлення 445 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.38 грн
10+61.44 грн
20+47.98 грн
54+45.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IGB50N60TATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31590A7878FA8&compId=IGB50N60T-DTE.pdf?ci_sign=60db27e8dc1b6cad47cbf90a3606a38d6dfebaed
IGB50N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP50N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B359F284B34FA8&compId=IGP50N60T-DTE.pdf?ci_sign=2b05383ced2cbae508f7c97aac42cd7ba476fbe1
IGP50N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 333W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE69DD2658122D64FA8&compId=IGW50N60H3-DTE.pdf?ci_sign=897e7d7b1107c9d184468cce9d50b26eda5e5dbb
IGW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Manufacturer series: H3
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 200A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+214.86 грн
7+149.63 грн
18+141.72 грн
30+136.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B37718FAED8FA8&compId=IGW50N60T-DTE.pdf?ci_sign=8e9d2e131bdbda93bfe3ca4fb8f78e7815e61628
IGW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 64A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 64A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+311.20 грн
4+234.35 грн
10+222.47 грн
11+221.68 грн
30+212.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60DTPXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC5CCBF5761D3D7&compId=IKW50N60DTP.pdf?ci_sign=94fc3287d74be6840256ba5010a252d8c5963f49
IKW50N60DTPXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 61A; 159.6W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 61A
Power dissipation: 159.6W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 249nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-off time: 233ns
Turn-on time: 50ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+193.54 грн
8+124.30 грн
21+117.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78EE0CEE5938C0745&compId=IKW50N60H3.pdf?ci_sign=d334792eef4676a4984a2ca8adefbaef89e3863e
IKW50N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 167W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 50A
Power dissipation: 167W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 200A
Mounting: THT
Gate charge: 315nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Turn-on time: 54ns
Turn-off time: 297ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+340.19 грн
5+217.72 грн
12+205.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW50N60TFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5B597008ABEE131BF&compId=IKW50N60T-dte.pdf?ci_sign=4bece27f1d2991d109d3770530589bb18075b091
IKW50N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+437.39 грн
4+279.48 грн
10+264.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AIKW50N60CTXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDA9B2D8CF93820&compId=AIKW50N60CT.pdf?ci_sign=b92086039af5d2b2a4bca0bef06f9bcd896bfdc7
AIKW50N60CTXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 50A; 333W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 333W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 310nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 55ns
Turn-off time: 328ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 50A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9E65EA81B13D1&compId=IKFW50N60DH3E.pdf?ci_sign=9aec02af7ba15dd5f0fcbd322c4880e0cd8ecdd5
IKFW50N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 37A; 95W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 95W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 60ns
Turn-off time: 192ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 37A
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+335.08 грн
4+288.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW50N60ETXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE1A560ED2F820&compId=IKFW50N60ET.pdf?ci_sign=1dc63477d7ea1d12e4dda3141dab1803566a6fe8
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 59A
Pulsed collector current: 150A
Collector-emitter voltage: 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S409ATMA2 INFNS13307-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L08ATMA2 INFNS14103-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T2; unipolar; 60V; 47A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS® -T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 47A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 71W
Case: PG-TO252-3-11
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50N06S4L12ATMA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EA46AFD6105A143&compId=IPD50N06S4L12.pdf?ci_sign=c6c9560e346518f86140ea30fd599c19ca15cdc8
IPD50N06S4L12ATMA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 60V; 36A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.59 грн
9+48.77 грн
21+45.13 грн
25+43.70 грн
57+42.75 грн
100+41.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2440 2441 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]