Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149623) > Сторінка 2447 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L TLE4945L INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Mounting: THT
Kind of sensor: bipolar
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 3.8...24V DC
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Case: P-SSO-3-2
Type of sensor: Hall
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.72 грн
10+91.05 грн
16+59.38 грн
25+56.21 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.02 грн
10+148.84 грн
11+91.05 грн
29+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+100.61 грн
10+71.25 грн
15+64.13 грн
40+60.17 грн
250+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.07 грн
15+27.79 грн
25+25.10 грн
41+22.80 грн
50+22.72 грн
100+22.25 грн
113+21.53 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.54 грн
10+42.99 грн
25+39.43 грн
36+26.44 грн
98+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+209.74 грн
9+115.59 грн
23+109.26 грн
50+108.46 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6A74C625D2A18&compId=IGP20N65H5.pdf?ci_sign=ec7766d73b28b459eeb33e2bffc09b2de180154f Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+231.06 грн
8+124.30 грн
21+117.97 грн
50+116.38 грн
100+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD SPP20N60CFD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 SPP20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.66 грн
3+232.76 грн
6+179.72 грн
15+170.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 SPP20N65C3 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.15 грн
3+381.61 грн
4+292.14 грн
9+276.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF IRF3205PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+92.08 грн
10+73.71 грн
25+63.57 грн
30+31.83 грн
81+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.03 грн
10+95.48 грн
22+43.54 грн
59+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF IRF3205STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF IRF3205ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF IRF3205ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+97.20 грн
10+70.70 грн
20+47.90 грн
54+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z AUIRF3205Z INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 2N7002DWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5913ED425910B&compId=2N7002DWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=89a4943aa43a9bcafe826a0a4bdeeb500cbf18f8 Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+19.61 грн
32+12.67 грн
37+10.85 грн
52+7.68 грн
100+6.64 грн
343+2.72 грн
943+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP IRF2804STRL7PP INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F78AD2110F1A303005056AB0C4F&compId=irf2804s-7ppbf.pdf?ci_sign=09784608006e188b3599386abd39e68fc9475216 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 SPW47N65C3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 BCR135E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E23AC7DD19DD45F1A303005056AB0C4F&compId=bcr135.pdf?ci_sign=f190940651e503aa918cf5d2d095221b489a28f9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Frequency: 150MHz
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
96+4.47 грн
107+3.72 грн
326+2.85 грн
896+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 BAT6202VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20mA
Power dissipation: 0.1W
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+28.99 грн
19+21.53 грн
22+18.21 грн
28+14.25 грн
50+11.88 грн
94+9.98 грн
257+9.50 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF IRLML2244TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+17.90 грн
31+13.14 грн
34+11.88 грн
100+8.79 грн
195+4.83 грн
535+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 BAV70E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.49 грн
41+9.66 грн
49+8.23 грн
70+5.73 грн
100+4.86 грн
250+3.88 грн
356+2.62 грн
979+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF IRF4905LPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db description Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.33 грн
5+99.76 грн
10+94.21 грн
11+92.63 грн
25+86.30 грн
50+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF IRF4905PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+133.01 грн
10+102.13 грн
17+57.00 грн
46+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF IRF4905STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288 description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+226.80 грн
10+139.34 грн
12+80.75 грн
32+76.00 грн
1600+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+315.47 грн
4+243.06 грн
11+229.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+283.92 грн
7+148.05 грн
18+140.13 грн
60+136.97 грн
120+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+396.47 грн
4+277.89 грн
10+262.85 грн
30+260.47 грн
60+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF IRF9530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+73.32 грн
10+44.02 грн
25+40.46 грн
30+31.35 грн
82+29.61 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 IKW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF287E64D629820&compId=IKW40N60H3.pdf?ci_sign=7eaa1a7e97c5e16ffdf06cda79c87b11811d0c7c Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.14 грн
4+247.02 грн
10+233.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 BSS138NH6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 14446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+14.49 грн
38+10.45 грн
46+8.71 грн
71+5.61 грн
100+4.73 грн
364+2.57 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 BSS138NH6433XTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Pulsed drain current: 0.92A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 BSC032N04LSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+91.23 грн
6+70.46 грн
10+62.55 грн
18+54.63 грн
48+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 BSC034N06NSATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 IGW40N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF477EE7390B1CC&compId=IGW40N60H3-DTE.pdf?ci_sign=336b04d4c8823ae5f751d2a7838f04774799fd92 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+254.93 грн
5+209.01 грн
13+197.93 грн
30+190.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 IHW40N60RFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N60DH3EXKSA1 IKFW40N60DH3EXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9AAD001B273D1&compId=IKFW40N60DH3E.pdf?ci_sign=d3d3fa4018878730715399a693c9252b7a658397 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 IGP15N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+145.80 грн
10+74.42 грн
15+63.34 грн
41+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF IRL540NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+118.51 грн
10+100.55 грн
18+52.25 грн
50+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF IRFB3206GPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+206.33 грн
10+128.26 грн
13+73.63 грн
35+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF IRFB3206PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.69 грн
10+96.59 грн
18+54.63 грн
48+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF IRLMS6802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D6FF78EF1F1A303005056AB0C4F&compId=irlms6802pbf.pdf?ci_sign=b1d046298cbd8012bab5b087e26b2481180c634e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF IRLB8743PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 IKW15N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.47 грн
4+255.72 грн
10+240.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF IRLML6401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 50mΩ
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+24.73 грн
25+16.07 грн
50+11.16 грн
100+9.56 грн
206+4.54 грн
567+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 BC847CE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
41+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF IRFB3607PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=98d0685c947b09aa259e1947e7ed20d67c6bfc89 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+105.72 грн
10+54.15 грн
26+36.89 грн
70+34.91 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6327 BC857CE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5DB91A48C6469&compId=BC857SH6327.pdf?ci_sign=9ded2294cfab738e617f38d70595187449824bf3 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+11.94 грн
49+8.15 грн
100+5.28 грн
250+4.45 грн
318+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6433HTMA1 BC847BE6433HTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.86 грн
100+5.23 грн
368+2.54 грн
1013+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 BAT5406WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0035FBA164469&compId=BAT5404E6327HTSA1.pdf?ci_sign=59c3f9435ae2eef0d74f82fc49616073dce28d16 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 IKD03N60RFATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD8E80508A9820&compId=IKD03N60RF.pdf?ci_sign=68d6aad35e656a07d48ac99a74b3916ffc4e27e4 Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60C3BKMA1 SPU03N60C3BKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BB1C7255147820&compId=SP_03N60C3.pdf?ci_sign=b87a58535ff6673a5514a471e700d088e6931a7b Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF IR2101PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 1W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.27 грн
5+173.39 грн
8+125.88 грн
21+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF IR2101STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD859AC4CE1F5EA&compId=IR2101SPBF.pdf?ci_sign=cf114e828503fc9421e769ef0cc9eb118ca9e5cf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+90.38 грн
10+61.75 грн
18+53.04 грн
49+49.88 грн
250+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBF IRF7401TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A19C0486F2F1A303005056AB0C4F&compId=irf7401pbf.pdf?ci_sign=b61442b4f91f387c9ca967f7e1a87d0aceca607f description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C0458231F489F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf1404z.pdf?ci_sign=bdad385dd08203d21d10327b64eadac28bff59af
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4945L pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E235614E8CC399F1A303005056AB0C4F&compId=TLE49x5L.PDF?ci_sign=5944ef1bb79c45f45003bec140a25aecf3323769
TLE4945L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; bipolar; P-SSO-3-2; -10÷10mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Mounting: THT
Kind of sensor: bipolar
Operating temperature: -40...150°C
Supply voltage: 3.8...24V DC
Range of detectable magnetic field: -10...10mT
Case: P-SSO-3-2
Type of sensor: Hall
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.72 грн
10+91.05 грн
16+59.38 грн
25+56.21 грн
250+54.63 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E895D7D79F1A6F5005056AB5A8F&compId=irl1404zpbf.pdf?ci_sign=edc0e4bb9b850a1e899b852b194f112cd23b55d1
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 75nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.02 грн
10+148.84 грн
11+91.05 грн
29+86.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDA859C69DF273100C4&compId=irl1404xxPBF.pdf?ci_sign=18f5f4bec18706c45b01495803018381f7f1f0b5
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 790A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 3.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 75nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+100.61 грн
10+71.25 грн
15+64.13 грн
40+60.17 грн
250+58.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B19F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf520n.pdf?ci_sign=27f17da5f6252371d050c61b0c74a57453d4cc02
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.07 грн
15+27.79 грн
25+25.10 грн
41+22.80 грн
50+22.72 грн
100+22.25 грн
113+21.53 грн
500+20.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B5FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf540n.pdf?ci_sign=6bd2f4a7599aa796dc9a9207cfafe3b19eaba366
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.54 грн
10+42.99 грн
25+39.43 грн
36+26.44 грн
98+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF45CC1373491CC&compId=IGP20N65F5-DTE.pdf?ci_sign=3da43c893a5e6f0f6715adc8e1d051dfed694190
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+209.74 грн
9+115.59 грн
23+109.26 грн
50+108.46 грн
100+105.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C6A74C625D2A18&compId=IGP20N65H5.pdf?ci_sign=ec7766d73b28b459eeb33e2bffc09b2de180154f
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDE433C2FF47820&compId=IKP20N65F5.pdf?ci_sign=ec4db0b62088189ec6e7ddc9bfbe473303a75170
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65H5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED685BDAAE5E773D1BF&compId=IKP20N65H5-DTE.pdf?ci_sign=9c146109ea4cb9ffb436b016c05098b7ecfc6718
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 48nC
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.06 грн
8+124.30 грн
21+117.97 грн
50+116.38 грн
100+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60CFD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C783B4EE1074A&compId=SPP20N60CFD.pdf?ci_sign=dbc3ea2fe752e41c1a3dd10f077750ec4af484ca
SPP20N60CFD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.22Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60S5 description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD74979E4DF15EA&compId=SPP20N60S5.pdf?ci_sign=9517e223f8c071928c7215f494b987c9464a9602
SPP20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+279.66 грн
3+232.76 грн
6+179.72 грн
15+170.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N65C3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7A58C667B060CA74A&compId=SPx20N65C3.pdf?ci_sign=4a5fd5b6aca8081747d29cb9f65df2e1aa25839d
SPP20N65C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 13.1A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+456.15 грн
3+381.61 грн
4+292.14 грн
9+276.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E3AF9ABF5F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf3205.pdf?ci_sign=47570d76e897d5d20bac8221ca20a2599f881f32
IRF3205PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 80A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 146nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+92.08 грн
10+73.71 грн
25+63.57 грн
30+31.83 грн
81+30.09 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.03 грн
10+95.48 грн
22+43.54 грн
59+41.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205STRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F603405EE4BF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205spbf.pdf?ci_sign=403ab712a856c36dde085f251b4ee0f27d29894f
IRF3205STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3205ZSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F605277FBEBF1A303005056AB0C4F&compId=irf3205zpbf.pdf?ci_sign=571559e2d0197b44694031e8ec3e2002d2681e72
IRF3205ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 78A; Idm: 440A; 170W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 78A
Pulsed drain current: 440A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+97.20 грн
10+70.70 грн
20+47.90 грн
54+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3205Z pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C045883D51E5F1A6F5005056AB5A8F&compId=auirf3205z.pdf?ci_sign=6431428c43b5d157d009b20bbef0fa76b9c2dd96
AUIRF3205Z
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002DWH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A5913ED425910B&compId=2N7002DWH6327XTSA1.pdf?ci_sign=89a4943aa43a9bcafe826a0a4bdeeb500cbf18f8
2N7002DWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT-363
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT-363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 12076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+19.61 грн
32+12.67 грн
37+10.85 грн
52+7.68 грн
100+6.64 грн
343+2.72 грн
943+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
IRF2804STRL7PP pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F5F78AD2110F1A303005056AB0C4F&compId=irf2804s-7ppbf.pdf?ci_sign=09784608006e188b3599386abd39e68fc9475216
IRF2804STRL7PP
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 320A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK-7
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N65C3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED89EC09871AF5B4143&compId=SPW47N65C3F.pdf?ci_sign=bc8251f17fe0e05522c4493877177400dbf45573
SPW47N65C3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCR135E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E23AC7DD19DD45F1A303005056AB0C4F&compId=bcr135.pdf?ci_sign=f190940651e503aa918cf5d2d095221b489a28f9
BCR135E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of transistor: BRT
Frequency: 150MHz
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Case: SOT23
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 2373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
96+4.47 грн
107+3.72 грн
326+2.85 грн
896+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6202VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0121C5D1FE469&compId=BAT62E6327HTSA1.pdf?ci_sign=ae9af7365eb6533f6d698a4341944e1ebfabda6e
BAT6202VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 20mA; 100mW
Mounting: SMD
Case: SC79
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 20mA
Power dissipation: 0.1W
Max. off-state voltage: 40V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+28.99 грн
19+21.53 грн
22+18.21 грн
28+14.25 грн
50+11.88 грн
94+9.98 грн
257+9.50 грн
500+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML2244TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227B83056410F1A303005056AB0C4F&compId=irlml2244pbf.pdf?ci_sign=27aeb15a81d1a043cfbc8e1e86a44ff07507c574
IRLML2244TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+17.90 грн
31+13.14 грн
34+11.88 грн
100+8.79 грн
195+4.83 грн
535+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; SOT23; 250mW; reel,tape
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Semiconductor structure: common cathode; double
Case: SOT23
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
41+9.66 грн
49+8.23 грн
70+5.73 грн
100+4.86 грн
250+3.88 грн
356+2.62 грн
979+2.48 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905LPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B04F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905spbf.pdf?ci_sign=9a6c480e353ea839f17bfdaedc69d66476e5a1db
IRF4905LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO262
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.33 грн
5+99.76 грн
10+94.21 грн
11+92.63 грн
25+86.30 грн
50+83.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E40FB7B0BF1A6F5005056AB5A8F&compId=irf4905.pdf?ci_sign=aa97229e0217852a76ac6df2ebf6f3210501e211
IRF4905PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
на замовлення 3591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+133.01 грн
10+102.13 грн
17+57.00 грн
46+53.84 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRLPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC6D8EB4ED95EA&compId=IRF4905STRLPBF.pdf?ci_sign=4664d9a3eb8030f7aaecb27cb22427bfba328288
IRF4905STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -74A; 200W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -74A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel
на замовлення 2364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+226.80 грн
10+139.34 грн
12+80.75 грн
32+76.00 грн
1600+72.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4905STRRPBF irf4905spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e331c41980
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -44A; Idm: -280A; 170W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -44A
Pulsed drain current: -280A
Power dissipation: 170W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 20mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW25N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ACF65219119111BF&compId=IGW25N120H3-DTE.pdf?ci_sign=9258e69204c2cff897bd1a4684199a4b9a1e5ab7
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Manufacturer series: H3
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.47 грн
4+243.06 грн
11+229.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW25N120E1XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDC709B02919820&compId=IHW25N120E1.pdf?ci_sign=044805b42bcb3062c7f87ce990fa46fd76a11e9d
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 25A; 92.4W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 92.4W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Mounting: THT
Gate charge: 147nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Turn-off time: 2004ns
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.92 грн
7+148.05 грн
18+140.13 грн
60+136.97 грн
120+134.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25N120T2FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586B445A567FCC469&compId=IKW25N120T2.pdf?ci_sign=f5d440dc422e32eecd5cb390c0ed98526ec247c5
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+396.47 грн
4+277.89 грн
10+262.85 грн
30+260.47 грн
60+252.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9530NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E531D85A9F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9530n.pdf?ci_sign=2c38ddd36f45d6a026a2c2caf41a7917df1e373c
IRF9530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -14A; 79W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -14A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.32 грн
10+44.02 грн
25+40.46 грн
30+31.35 грн
82+29.61 грн
1000+28.50 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IKW40N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EF287E64D629820&compId=IKW40N60H3.pdf?ci_sign=7eaa1a7e97c5e16ffdf06cda79c87b11811d0c7c
IKW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 153W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 153W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 160A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 218ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
на замовлення 156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.14 грн
4+247.02 грн
10+233.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6327XTSA2 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE595A7B9DF2438310B&compId=BSS138NH6327XTSA2.pdf?ci_sign=a42913079dacaab5a72dc2c46a1681e16ed9290d
BSS138NH6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.23A; 0.36W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.23A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
на замовлення 14446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+14.49 грн
38+10.45 грн
46+8.71 грн
71+5.61 грн
100+4.73 грн
364+2.57 грн
1000+2.43 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BSS138NH6433XTMA1 Infineon-BSS138N-DS-v02_86-en.pdf?fileId=db3a304330f68606013104d944d53efb
BSS138NH6433XTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SIPMOS®; unipolar; 60V; 180mA; Idm: 0.92A
Kind of channel: enhancement
Technology: SIPMOS®
Polarisation: unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Mounting: SMD
Drain current: 0.18A
Power dissipation: 0.36W
Pulsed drain current: 0.92A
On-state resistance: 3.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC032N04LSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2A633B5E8211C&compId=BSC032N04LS-DTE.pdf?ci_sign=35844659b186770f8aee1366db4c3cb3c76cf2ed
BSC032N04LSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 83A; 52W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 3.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Power dissipation: 52W
Drain current: 83A
Case: PG-TDSON-8
на замовлення 1164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+91.23 грн
6+70.46 грн
10+62.55 грн
18+54.63 грн
48+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC034N06NSATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2BC83A04D211C&compId=BSC034N06NS-DTE.pdf?ci_sign=deea794976e163886639f6f5a7407e4daef5c7e1
BSC034N06NSATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 74W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Power dissipation: 74W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGW40N60H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF477EE7390B1CC&compId=IGW40N60H3-DTE.pdf?ci_sign=336b04d4c8823ae5f751d2a7838f04774799fd92
IGW40N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 306W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 306W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+254.93 грн
5+209.01 грн
13+197.93 грн
30+190.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IHW40N60RFKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDCBDE92FDCF820&compId=IHW40N60RF.pdf?ci_sign=82767ed05928b8e96282a1f045c5bab220a23d94
IHW40N60RFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 40A; 152W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 152W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 223nC
Kind of package: tube
Collector current: 40A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 217ns
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKFW40N60DH3EXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE889B9AAD001B273D1&compId=IKFW40N60DH3E.pdf?ci_sign=d3d3fa4018878730715399a693c9252b7a658397
IKFW40N60DH3EXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 28A; 81W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Power dissipation: 81W
Case: PG-TO247-3-AI
Mounting: THT
Gate charge: 107nC
Kind of package: tube
Collector current: 28A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Collector-emitter voltage: 600V
Turn-off time: 160ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 52ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGP15N60TXKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE692B31AA1D1190FA8&compId=IGP15N60T-DTE.pdf?ci_sign=b502c581e8e6900b8d531fa069e2da1bfc4e2779
IGP15N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 23A; 130W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.80 грн
10+74.42 грн
15+63.34 грн
41+60.17 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL540NSTRLPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22275F284EE03F1A303005056AB0C4F&compId=irl540nspbf.pdf?ci_sign=b0faffc4f671cf875c1a91bbe77a35e72b967102
IRL540NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 36A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Technology: HEXFET®
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+118.51 грн
10+100.55 грн
18+52.25 грн
50+49.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF irfb3206gpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561550971df5
IRFB3206GPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+206.33 грн
10+128.26 грн
13+73.63 грн
35+69.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6BFF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3206pbf.pdf?ci_sign=1b9ab7ab5a0e7f7a29be1ba6c0d0457a333e87b2
IRFB3206PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.69 грн
10+96.59 грн
18+54.63 грн
48+51.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS6802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227D6FF78EF1F1A303005056AB0C4F&compId=irlms6802pbf.pdf?ci_sign=b1d046298cbd8012bab5b087e26b2481180c634e
IRLMS6802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.6A; 2W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -5.6A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLB8743PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582593F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlb8743pbf.pdf?ci_sign=9b6b0d7ca245064fadba2c5da0c0447974a20e86
IRLB8743PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 150A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 150A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKW15N120H3FKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5ABF4ADAB9D8E51CC&compId=IKW15N120H3-DTE.pdf?ci_sign=5e67717d8537695a7facaef0bb16de80cf14fc4a
IKW15N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Case: TO247-3
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Kind of package: tube
Gate charge: 75nC
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 217W
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 1.2kV
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+260.47 грн
4+255.72 грн
10+240.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML6401TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E8F582611F1A6F5005056AB5A8F&compId=irlml6401.pdf?ci_sign=8bedbc854eb7229a844e3beb3076098fb21ec847
IRLML6401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -4.3A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -4.3A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
On-state resistance: 50mΩ
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+24.73 грн
25+16.07 грн
50+11.16 грн
100+9.56 грн
206+4.54 грн
567+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BC847CE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC847CE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3607PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B6F0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfs3607pbf.pdf?ci_sign=98d0685c947b09aa259e1947e7ed20d67c6bfc89
IRFB3607PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 80A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 80A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 56nC
Kind of package: tube
на замовлення 528 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.72 грн
10+54.15 грн
26+36.89 грн
70+34.91 грн
500+33.65 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BC857CE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5DB91A48C6469&compId=BC857SH6327.pdf?ci_sign=9ded2294cfab738e617f38d70595187449824bf3
BC857CE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+11.94 грн
49+8.15 грн
100+5.28 грн
250+4.45 грн
318+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
BC847BE6433HTMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8BEA7413E6EFAA143&compId=bc847_8_9_bc850.pdf?ci_sign=b0fb0482c1eec59c20a1d7a11dd6cbe46edf41df
BC847BE6433HTMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 9660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.86 грн
100+5.23 грн
368+2.54 грн
1013+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BAT5406WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589E0035FBA164469&compId=BAT5404E6327HTSA1.pdf?ci_sign=59c3f9435ae2eef0d74f82fc49616073dce28d16
BAT5406WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 30V; 0.2A; 230mW
Power dissipation: 0.23W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 0.6A
Max. off-state voltage: 30V
Semiconductor structure: common anode; double
Type of diode: Schottky rectifying
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IKD03N60RFATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99EDD8E80508A9820&compId=IKD03N60RF.pdf?ci_sign=68d6aad35e656a07d48ac99a74b3916ffc4e27e4
IKD03N60RFATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 600V; 6A; 53.6W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 53.6W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Gate charge: 17.1nC
Kind of package: reel; tape
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 7.5A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 17ns
Turn-off time: 265ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPU03N60C3BKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998BB1C7255147820&compId=SP_03N60C3.pdf?ci_sign=b87a58535ff6673a5514a471e700d088e6931a7b
SPU03N60C3BKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 9.6A; 38W; TO251
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 9.6A
Power dissipation: 38W
Case: TO251
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101PBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F559F216DB0F1A303005056AB0C4F&compId=ir2101.pdf?ci_sign=7868ce006c430385a00b1b6ef276ca5826838e52
IR2101PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 1W
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+218.27 грн
5+173.39 грн
8+125.88 грн
21+118.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2101STRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD859AC4CE1F5EA&compId=IR2101SPBF.pdf?ci_sign=cf114e828503fc9421e769ef0cc9eb118ca9e5cf
IR2101STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -270...130mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-off time: 150ns
Turn-on time: 160ns
Power: 625mW
на замовлення 2885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+90.38 грн
10+61.75 грн
18+53.04 грн
49+49.88 грн
250+48.29 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7401TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A19C0486F2F1A303005056AB0C4F&compId=irf7401pbf.pdf?ci_sign=b61442b4f91f387c9ca967f7e1a87d0aceca607f
IRF7401TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 8.7A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 8.7A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]