Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148388) > Сторінка 2447 з 2474

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BFP196WH6327 BFP196WH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP196WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.17 грн
20+19.49 грн
100+12.08 грн
154+5.81 грн
424+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR181WH6327.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
26+14.83 грн
38+10.17 грн
50+8.79 грн
100+7.57 грн
154+5.81 грн
424+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP04N80C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+104.73 грн
10+90.21 грн
28+85.62 грн
250+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF IRFB7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.08 грн
10+97.85 грн
14+69.57 грн
37+65.75 грн
100+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF IRFP7530PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp7530pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+246.17 грн
5+186.54 грн
10+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL316CH6327XTSA1.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+32.11 грн
19+20.41 грн
50+16.05 грн
60+15.60 грн
91+9.86 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS209PW.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+12.35 грн
50+7.80 грн
58+6.62 грн
100+5.18 грн
250+3.58 грн
500+3.57 грн
687+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+65.86 грн
10+40.75 грн
25+28.44 грн
47+19.42 грн
100+17.81 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7440PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.03 грн
10+62.69 грн
18+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFR4104TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.45 грн
10+68.04 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
500+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Case: SC79
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
на замовлення 13908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.05 грн
27+14.68 грн
31+12.46 грн
100+7.64 грн
198+4.51 грн
544+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 TLE4906KHTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642 Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Case: SC59
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: unipolar
Type of sensor: Hall
Mounting: SMT
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+71.63 грн
10+56.88 грн
32+29.05 грн
86+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935L TLE4935L INFINEON TECHNOLOGIES TLE49x5L.PDF Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: latch
Mounting: THT
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+101.27 грн
17+55.04 грн
46+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS816NWH6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+14.82 грн
41+9.40 грн
100+6.86 грн
283+3.15 грн
776+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4426SPBF IRS4426SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -3.3...2.3A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+26.67 грн
24+16.36 грн
50+12.61 грн
100+11.39 грн
129+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP405.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Case: SOT343
Frequency: 25GHz
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...130
Collector current: 25mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF IRFS4227TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4227pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF IRFS4229TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4229pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS4321TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.23 грн
9+107.79 грн
23+102.44 грн
250+99.38 грн
500+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25T120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Collector current: 50A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+398.48 грн
3+338.67 грн
4+265.28 грн
10+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF PVT322PBF INFINEON TECHNOLOGIES pvt322.pdf Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFU4510PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+93.86 грн
10+68.04 грн
16+58.10 грн
43+55.04 грн
150+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF IRFHM830TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfhm830pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+18.11 грн
40+9.79 грн
46+8.41 грн
52+7.42 грн
100+6.50 грн
224+3.98 грн
614+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF IRFS4310TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4310pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF IRFS4615TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfs4615pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFS7437TRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+162.84 грн
8+113.91 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP126N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.51 грн
10+70.33 грн
15+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFGATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC252N10NSFG-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF IRLR6225TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr6225pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+77.39 грн
10+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327 BFP650H6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFP650H6327-DTE.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+54.34 грн
11+36.54 грн
25+32.26 грн
32+27.98 грн
88+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+356.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7410pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7446PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.21 грн
10+60.39 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
250+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFH7440TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.33 грн
10+84.86 грн
13+73.39 грн
35+69.57 грн
500+68.80 грн
1000+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3GXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP147N12N3G-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.21 грн
5+86.39 грн
10+78.74 грн
12+75.68 грн
33+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF IRF7832TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7832pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.27 грн
10+67.20 грн
21+44.11 грн
56+41.74 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+18.94 грн
31+12.61 грн
50+8.64 грн
100+7.34 грн
156+5.86 грн
428+5.53 грн
500+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSP135H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.85 грн
10+67.28 грн
28+32.80 грн
76+31.04 грн
1000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF IRS2101SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2101pbf.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1705WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1704E6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
84+4.94 грн
100+4.53 грн
250+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF IRLMS5703TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlms5703pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2168DSTRPBF IRS2168DSTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2168d.pdf?fileId=5546d462533600a401535676b78127d0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -260÷180mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side; PFC controller
Case: SO16
Output current: -260...180mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 11.5...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10E6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BGSX22G2A10.pdf Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+69.98 грн
7+57.34 грн
18+51.99 грн
25+51.22 грн
48+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5AKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPP030N10N5-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6405WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+16.47 грн
41+9.40 грн
53+7.34 грн
100+6.57 грн
189+4.74 грн
518+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSIATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSC0902NSI-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.45 грн
8+52.14 грн
23+40.44 грн
63+38.22 грн
100+38.00 грн
250+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4104.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF IRL1004PBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1004pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+124.32 грн
10+100.15 грн
14+66.51 грн
37+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12F2XUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES 1ED020I12-F2.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.39 грн
5+201.06 грн
13+189.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-1ED020I12FA2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344d078be4cdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 INFINEON TECHNOLOGIES 1ED020I12-F_Ver2.3_May2011.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 BFP640H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.22 грн
15+26.37 грн
50+21.02 грн
57+15.76 грн
156+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFP760.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+27.99 грн
18+21.79 грн
25+19.57 грн
55+16.44 грн
150+15.52 грн
500+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSO211PHXUMA1-dte.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+23.88 грн
19+20.18 грн
25+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
BFP196WH6327 BFP196WH6327-dte.pdf
BFP196WH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 0.15A; 0.7W; SOT343
Frequency: 5GHz
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.15A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.7W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT343
на замовлення 5753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.17 грн
20+19.49 грн
100+12.08 грн
154+5.81 грн
424+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFR181WH6327XTSA1 BFR181WH6327.pdf
BFR181WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 20mA; 0.175W; SOT323
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 20mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.175W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
Case: SOT323
Frequency: 8GHz
на замовлення 2625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
26+14.83 грн
38+10.17 грн
50+8.79 грн
100+7.57 грн
154+5.81 грн
424+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N80C3ATMA1 Infineon-SPD04N80C3-DS-v02_92-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a316bac1952
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 2.5A; Idm: 12A; 63W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 2.5A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP04N80C3 SPP04N80C3.pdf
SPP04N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 63W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 4A
Power dissipation: 63W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 407 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+104.73 грн
10+90.21 грн
28+85.62 грн
250+82.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7530PBF irfs7530pbf.pdf
IRFB7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 295A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 295A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 274nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.08 грн
10+97.85 грн
14+69.57 грн
37+65.75 грн
100+63.45 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP7530PBF irfp7530pbf.pdf
IRFP7530PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 281A; 341W; TO247AC
Case: TO247AC
Mounting: THT
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 281A
On-state resistance: 2mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 341W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 274nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+246.17 грн
5+186.54 грн
10+168.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
BSL316CH6327XTSA1 BSL316CH6327XTSA1.pdf
BSL316CH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 1.4/-1.5A; 0.5W
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 1.4/-1.5A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-TSOP-6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.191/0.177Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 2
на замовлення 2032 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+32.11 грн
19+20.41 грн
50+16.05 грн
60+15.60 грн
91+9.86 грн
250+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
IPA030N10N3GXKSA1 IPA030N10N3G-DTE.pdf
IPA030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 79A; 41W; TO220FP
Mounting: THT
Case: TO220FP
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 79A
On-state resistance: 3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 41W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS209PWH6327XTSA1 BSS209PW.pdf
BSS209PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.63A; 0.3W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -630mA
On-state resistance: 0.55Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.3W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 4604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+12.35 грн
50+7.80 грн
58+6.62 грн
100+5.18 грн
250+3.58 грн
500+3.57 грн
687+3.38 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BSP171PH6327XTSA1 BSP171PH6327XTSA1-dte.pdf
BSP171PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -1.9A; 1.8W; PG-SOT223
Drain current: -1.9A
On-state resistance: 0.3Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT223
Drain-source voltage: -60V
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.86 грн
10+40.75 грн
25+28.44 грн
47+19.42 грн
100+17.81 грн
500+17.66 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7440PBF IRFB7440PBF.pdf
IRFB7440PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 208A
On-state resistance: 2.5mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 90nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.03 грн
10+62.69 грн
18+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR4104TRPBF IRFR4104TRPBF.pdf
IRFR4104TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 119A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 119A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.45 грн
10+68.04 грн
17+53.51 грн
46+50.46 грн
500+48.93 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6402VH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SC79; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Case: SC79
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
на замовлення 13908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.05 грн
27+14.68 грн
31+12.46 грн
100+7.64 грн
198+4.51 грн
544+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4906KHTSA1 Infineon-TLE4906L-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=db3a304316f66ee8011754425fe50642
TLE4906KHTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; unipolar; SC59; 5÷13.5mT; Usup: 2.7÷18VDC; SMT
Supply voltage: 2.7...18V DC
Case: SC59
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: unipolar
Type of sensor: Hall
Mounting: SMT
Range of detectable magnetic field: 5...13.5mT
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+71.63 грн
10+56.88 грн
32+29.05 грн
86+27.52 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935L TLE49x5L.PDF
TLE4935L
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Hall Sensors
Description: Sensor: Hall; latch; P-SSO-3-2; -20÷20mT; Usup: 3.8÷24VDC; THT
Type of sensor: Hall
Case: P-SSO-3-2
Range of detectable magnetic field: -20...20mT
Supply voltage: 3.8...24V DC
Operating temperature: -40...150°C
Kind of sensor: latch
Mounting: THT
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+101.27 грн
17+55.04 грн
46+51.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSS816NWH6327XTSA1 BSS816NWH6327XTSA1.pdf
BSS816NWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 1.4A; 0.5W; SOT323
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 1.4A
On-state resistance: 0.24Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.5W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ 2
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±8V
Mounting: SMD
Case: SOT323
на замовлення 3929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+14.82 грн
41+9.40 грн
100+6.86 грн
283+3.15 грн
776+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IRS4426SPBF IRSDS11546-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRS4426SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; low-side,gate driver; SO8; 625mW
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Case: SO8
Output current: -3.3...2.3A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 6...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1704WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1704WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: double series
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+26.67 грн
24+16.36 грн
50+12.61 грн
100+11.39 грн
129+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BFP405H6327XTSA1 BFP405.pdf
BFP405H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SIEGET™; bipolar; RF; 4.5V; 25mA; 0.075W; SOT343
Case: SOT343
Frequency: 25GHz
Collector-emitter voltage: 4.5V
Current gain: 90...130
Collector current: 25mA
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 75mW
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Technology: SIEGET™
Kind of transistor: RF
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4227TRLPBF irfs4227pbf.pdf
IRFS4227TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 62A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 62A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4229TRLPBF irfs4229pbf.pdf
IRFS4229TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 45A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 45A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4321TRLPBF IRFS4321TRLPBF.pdf
IRFS4321TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; D2PAK
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 83A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 330W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: D2PAK
на замовлення 1129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+227.23 грн
9+107.79 грн
23+102.44 грн
250+99.38 грн
500+97.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IKW25T120FKSA1 IKW25T120.pdf
IKW25T120FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 190W; TO247-3
Collector current: 50A
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 75A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 190W
Kind of package: tube
Gate charge: 155nC
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+398.48 грн
3+338.67 грн
4+265.28 грн
10+250.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PVT322PBF pvt322.pdf
PVT322PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; DPST-NO; Icntrl: 2÷25mA; 500mA; 0÷250VAC; 10Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: DPST-NO
Control current: 2...25mA
Max. operating current: 0.5A
Switched voltage: 0...250V AC; 0...250V DC
Manufacturer series: PVT322PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Case: DIP8
Operating temperature: -40...85°C
Operate time: 3ms
Release time: 0.5ms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFU4510PBF IRFU4510PBF.pdf
IRFU4510PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 143W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 143W
Polarisation: unipolar
Case: IPAK
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+93.86 грн
10+68.04 грн
16+58.10 грн
43+55.04 грн
150+53.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRFHM830TRPBF irfhm830pbf.pdf
IRFHM830TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 21A; 2.7W; PQFN3.3X3.3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 21A
Power dissipation: 2.7W
Case: PQFN3.3X3.3
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS223PWH6327XTSA1 BSS223PWH6327XTSA1-dte.pdf
BSS223PWH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-323
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.39A
On-state resistance: 1.2Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™ P
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±12V
Mounting: SMD
Case: PG-SOT-323
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+18.11 грн
40+9.79 грн
46+8.41 грн
52+7.42 грн
100+6.50 грн
224+3.98 грн
614+3.75 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4310TRLPBF irfs4310pbf.pdf
IRFS4310TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4510TRLPBF IRSDS13318-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; Idm: 250A; 140W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 250A
Drain current: 43A
On-state resistance: 13.9mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS4615TRLPBF irfs4615pbf.pdf
IRFS4615TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 33A; 144W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 33A
Power dissipation: 144W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7437TRLPBF IRFS7437TRLPBF.pdf
IRFS7437TRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 230W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+162.84 грн
8+113.91 грн
22+107.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPP126N10N3GXKSA1 IPP126N10N3G-DTE.pdf
IPP126N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 58A; 94W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 58A
On-state resistance: 12.6mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 94W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+79.51 грн
10+70.33 грн
15+61.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSC252N10NSFGATMA1 BSC252N10NSFG-DTE.pdf
BSC252N10NSFGATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; 78W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Power dissipation: 78W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 25.2mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR6225TRPBF irlr6225pbf.pdf
IRLR6225TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 100A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 100A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+77.39 грн
10+48.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BFP650H6327 BFP650H6327-DTE.pdf
BFP650H6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 13V; 0.15A; 0.5W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 0.15A
Power dissipation: 0.5W
Case: SOT343
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+54.34 грн
11+36.54 грн
25+32.26 грн
32+27.98 грн
88+26.45 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N3GXKSA1 IPP030N10N3G-DTE.pdf
IPP030N10N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 300W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 300W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+356.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -12V; -16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -12V
Drain current: -16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7446PBF IRFB7446PBF.pdf
IRFB7446PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 123A
On-state resistance: 3.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 99W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 62nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 461 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.21 грн
10+60.39 грн
19+47.40 грн
52+45.10 грн
250+42.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH7440TRPBF IRFH7440TRPBF.pdf
IRFH7440TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 85A; 104W; PQFN5X6
Case: PQFN5X6
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 85A
On-state resistance: 2.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 104W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Gate charge: 92nC
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Trade name: StrongIRFET
Mounting: SMD
на замовлення 3477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.33 грн
10+84.86 грн
13+73.39 грн
35+69.57 грн
500+68.80 грн
1000+67.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IPP147N12N3GXKSA1 IPP147N12N3G-DTE.pdf
IPP147N12N3GXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 56A; 107W; PG-TO220-3
Mounting: THT
Case: PG-TO220-3
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 56A
On-state resistance: 14.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 107W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Technology: OptiMOS™ 3
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+106.21 грн
5+86.39 грн
10+78.74 грн
12+75.68 грн
33+71.10 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7832TRPBF description irf7832pbf.pdf
IRF7832TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 20A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 20A
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 624 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+87.27 грн
10+67.20 грн
21+44.11 грн
56+41.74 грн
500+41.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1-DTE.pdf
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -0.39A; 0.25W; PG-SOT-363
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-SOT-363
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -390mA
On-state resistance: 1.2Ω
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+18.94 грн
31+12.61 грн
50+8.64 грн
100+7.34 грн
156+5.86 грн
428+5.53 грн
500+5.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BSP135H6327XTSA1 BSP135H6327XTSA1.pdf
BSP135H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.12A; 1.8W; SOT223
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.12A
On-state resistance: 60Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 1.8W
Polarisation: unipolar
Technology: SIPMOS™
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: SOT223
на замовлення 1109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.85 грн
10+67.28 грн
28+32.80 грн
76+31.04 грн
1000+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N08S5N100ATMA1 Infineon-IAUZ40N08S5N100-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626f1cf1c5016f1e6c94a801de
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 40A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 14.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 24.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2101SPBF description irs2101pbf.pdf
IRS2101SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 230ns
Turn-off time: 185ns
Part status: Not recommended for new designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1705WH6327XTSA1 BAT1704E6327HTSA1.pdf
BAT1705WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT323; SMD; 4V; 0.13A; 150mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT323
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.13A
Semiconductor structure: common cathode; double
Power dissipation: 0.15W
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
84+4.94 грн
100+4.53 грн
250+4.26 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS5703TRPBF irlms5703pbf.pdf
IRLMS5703TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.7W; TSOP6
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.7W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2168DSTRPBF irs2168d.pdf?fileId=5546d462533600a401535676b78127d0
IRS2168DSTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; SO16; -260÷180mA; 1.4W; Ch: 2; 600V
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: ballast controller; gate driver; high-/low-side; PFC controller
Case: SO16
Output current: -260...180mA
Power: 1.4W
Number of channels: 2
Supply voltage: 11.5...16.6V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.12µs
Turn-off time: 50ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSX22G2A10E6327XTSA1 BGSX22G2A10.pdf
BGSX22G2A10E6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Analog multiplexers and switches
Description: IC: RF switch; DPDT; Ch: 2; ATSLP-10-2; 1.65÷3.4VDC; 0.1÷6GHz
Output configuration: DPDT
Supply voltage: 1.65...3.4V DC
Type of integrated circuit: RF switch
Number of channels: 2
Bandwidth: 0.1...6GHz
Application: telecommunication
Mounting: SMD
Case: ATSLP-10-2
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+69.98 грн
7+57.34 грн
18+51.99 грн
25+51.22 грн
48+49.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IPP030N10N5AKSA1 IPP030N10N5-DTE.pdf
IPP030N10N5AKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 250W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 250W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6405WH6327XTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6405WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SOT323; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Case: SOT323
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: common cathode; double
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+16.47 грн
41+9.40 грн
53+7.34 грн
100+6.57 грн
189+4.74 грн
518+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC0902NSIATMA1 BSC0902NSI-DTE.pdf
BSC0902NSIATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 89A; 48W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
Case: PG-TDSON-8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 89A
On-state resistance: 2.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 48W
Polarisation: unipolar
Technology: OptiMOS™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 4597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+86.45 грн
8+52.14 грн
23+40.44 грн
63+38.22 грн
100+38.00 грн
250+36.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF4104PBF description irf4104.pdf
IRF4104PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 68nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1004PBF irl1004pbf.pdf
IRL1004PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+124.32 грн
10+100.15 грн
14+66.51 грн
37+62.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12F2XUMA1 1ED020I12-F2.pdf
1ED020I12F2XUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.39 грн
5+201.06 грн
13+189.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FA2XUMA2 Infineon-1ED020I12FA2-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304333227b5e013344d078be4cdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,IGBT gate driver; -2÷2A
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: high-side; IGBT gate driver
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-20
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12FXUMA2 1ED020I12-F_Ver2.3_May2011.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; -2÷2A; Ch: 1
Type of integrated circuit: driver
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Technology: EiceDRIVER™
Case: PG-DSO-16-15
Output current: -2...2A
Number of channels: 1
Integrated circuit features: active Miller clamp; galvanically isolated
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Supply voltage: 0...28V; 4.5...5.5V
Voltage class: 0.6/1.2kV
Protection: undervoltage UVP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP640H6327XTSA1 Infineon-BFP640-DS-v03_00-EN.pdf
BFP640H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; RF; 4.1V; 50mA; 0.2W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 4.1V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT343
Current gain: 110...270
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 42GHz
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.22 грн
15+26.37 грн
50+21.02 грн
57+15.76 грн
156+14.90 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
BFP760H6327XTSA1 BFP760.pdf
BFP760H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; SiGe: C; bipolar; HBT,RF; 13V; 70mA; 0.24W; SOT343
Type of transistor: NPN
Technology: SiGe:C
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: HBT; RF
Collector-emitter voltage: 13V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.24W
Case: SOT343
Current gain: 160...400
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 45GHz
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
15+27.99 грн
18+21.79 грн
25+19.57 грн
55+16.44 грн
150+15.52 грн
500+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
BSO211PHXUMA1 BSO211PHXUMA1-dte.pdf
BSO211PHXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -4.6A; 1.6W; PG-DSO-8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.6A
On-state resistance: 67mΩ
Power dissipation: 1.6W
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+23.88 грн
19+20.18 грн
25+19.65 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 247 494 741 988 1235 1482 1729 1976 2223 2442 2443 2444 2445 2446 2447 2448 2449 2450 2451 2452 2470 2474  [ Наступна Сторінка >> ]