Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149612) > Сторінка 2461 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BCR116SH6327 BCR116SH6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
65+6.31 грн
100+5.09 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 BAS16UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7E23E4A19C469&compId=BAS16SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a904eb5d3264ef100a93b9fe2e434293d824a621 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
46+8.90 грн
50+8.25 грн
100+7.93 грн
250+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 BAV70UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450 Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
298+1.46 грн
300+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99UE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAV99SH6327XTSA1.pdf Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
49+9.06 грн
100+6.79 грн
500+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 BAS4004E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
54+7.60 грн
68+5.98 грн
125+3.24 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 BAS4005E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
42+9.70 грн
46+8.90 грн
58+7.04 грн
100+6.24 грн
250+5.22 грн
500+4.46 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 BAS4007E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05 Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
24+18.29 грн
37+11.08 грн
50+8.81 грн
100+7.93 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT1503WE6327HTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+40.93 грн
15+27.74 грн
20+24.26 грн
40+21.03 грн
50+20.06 грн
100+17.55 грн
500+13.26 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 SMBTA42E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD738071820F5EA&compId=SMBTA42.pdf?ci_sign=9899fa88d5c056e78cf168f4e052d2705dc28676 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.90 грн
29+14.39 грн
50+9.46 грн
100+7.83 грн
500+5.34 грн
1000+4.70 грн
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327 INFINEON TECHNOLOGIES BC856UE6327.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
41+10.62 грн
53+7.76 грн
250+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 BFR106E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
26+15.85 грн
100+12.13 грн
500+9.54 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 BFR92PE6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
42+10.45 грн
48+8.57 грн
55+7.44 грн
64+6.34 грн
72+5.69 грн
100+5.13 грн
250+4.63 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSR302NL6327HTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 BFP193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C8DDA3C7E11C&compId=BFP193E6327-dte.pdf?ci_sign=adbef814c2b08bb11ceda7a75b0baf42f93db9f7 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.42 грн
30+13.59 грн
100+10.35 грн
250+9.22 грн
500+8.49 грн
1000+7.76 грн
3000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 BCR133E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
77+5.26 грн
86+4.72 грн
93+4.35 грн
102+4.00 грн
250+3.59 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 BCR158E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C588C2D3EF2469&compId=BCR158.pdf?ci_sign=0e18e7a6b0bfae444245180d93ab4961cabe1251 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
105+4.18 грн
120+3.37 грн
250+2.98 грн
1000+2.59 грн
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 BAR6403WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
34+13.06 грн
62+6.55 грн
67+6.07 грн
70+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 BAR6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.90 грн
32+12.94 грн
41+10.00 грн
100+6.70 грн
500+4.51 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 BAR66E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
32+13.93 грн
40+10.35 грн
45+9.14 грн
50+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BA592E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAx92-DTE.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.50 грн
45+9.46 грн
100+8.41 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 BAR6303WE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.32 грн
52+7.93 грн
58+7.04 грн
67+6.07 грн
100+4.93 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BC817UPNE6327.pdf Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+28.74 грн
26+15.69 грн
35+11.81 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 BAS3007ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB81B27E263A469&compId=BAS3007ARPPE6327.pdf?ci_sign=b5ed67fdce37abb4658c35aaf90648a7216714d2 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 0.9A
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
20+21.03 грн
21+19.73 грн
100+15.85 грн
250+14.31 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 BAS4002ARPPE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB820F651F00469&compId=BAS4002ARPPE6327.pdf?ci_sign=129a63ea239a763a7e4e19d6fcee10919cb6da76 Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Load current: 0.2A
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
22+20.03 грн
28+14.48 грн
100+11.64 грн
200+10.84 грн
250+10.67 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 BB640E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9999C75489C9E27&compId=BB640E-DTE.pdf?ci_sign=d61173df73327382dcb8cc40fc10b50674b2bb14 Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.8...76pF
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+21.77 грн
31+13.42 грн
75+9.22 грн
100+8.81 грн
500+6.79 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF IRLML9303TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7SAUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPD70R360P7S.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+60.09 грн
9+46.26 грн
25+40.60 грн
100+36.31 грн
500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF IR1161LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF IR11688STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF IR1169STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1070AZXKLA1
+2
 		ICE5QR1070AZXKLA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124 Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Operating voltage: 10...25.5V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Output current: 0.4A
Power: 58/32W
Number of channels: 1
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 700V
Frequency: 20kHz
Case: DIP7
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.35 грн
50+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB BTS50055-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698831673540469&compId=BTS50055-1TMB.pdf?ci_sign=51035787213271d893d95d4f122fa627c7b33776 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 4.4mΩ
Output current: 55A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Case: PG-TO220-7-11
Technology: High Current PROFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+571.30 грн
10+383.31 грн
50+335.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB BTS50080-1TMB INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869888DFBE586469&compId=BTS50080-1TMB.pdf?ci_sign=dd4acc5f8af1b9f7b8a62d693a1b9e6c2f5af730 Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: PG-TO220-7-12
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Output current: 9.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.02 грн
10+308.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 BFR182WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
72+5.66 грн
86+4.76 грн
91+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BCP5616H6327XTSA1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+18.46 грн
30+15.45 грн
100+13.75 грн
250+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 BCX53H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C52B239147E469&compId=BCX53.pdf?ci_sign=06038f92536883fb5f048a4ed3d4e9113ac14b8b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
27+16.20 грн
31+13.18 грн
100+11.56 грн
250+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 BCX5610H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+18.46 грн
30+15.04 грн
100+13.42 грн
250+12.13 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 BCX56H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.87 грн
22+19.25 грн
25+16.25 грн
100+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF IRLMS2002TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CF15C848FF1A303005056AB0C4F&compId=irlms2002pbf.pdf?ci_sign=582d4397a97dbf01cfb70f72bdc441e378316d1a description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.16 грн
14+28.95 грн
100+20.86 грн
250+18.36 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF IR2132JPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2132JPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+388.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF IR2135JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+877.85 грн
3+735.09 грн
10+646.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF IR2233JPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF IRFB7434PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+192.46 грн
10+156.07 грн
25+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF IR2181SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+188.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 SPW20N60S5 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60S5.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+330.06 грн
5+275.76 грн
30+243.41 грн
120+219.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF IRLZ34NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF IRFP3006PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+201.17 грн
25+164.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF IRFP3415PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+181.14 грн
10+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF IRFP3703PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 BSP129H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+41.80 грн
12+33.80 грн
50+26.85 грн
100+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304SPBF IRS2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2304spbf.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+165.47 грн
5+112.41 грн
10+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB85702VH7902XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BB837_BB857.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Type of diode: varicap
Capacitance: 0.45...7.2pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Case: SC79
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 BAR6302VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89 Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
25+17.42 грн
31+13.18 грн
39+10.48 грн
100+6.52 грн
250+4.92 грн
500+4.10 грн
1000+3.64 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 BSC123N08NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+47.90 грн
12+36.31 грн
25+33.16 грн
50+31.05 грн
100+29.11 грн
250+27.09 грн
500+25.88 грн
1000+24.91 грн
2500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 BSC160N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAF9708D3411C&compId=BSC160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=40b99f03d0385a774315a98299c6b275c55d6333 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 BSC190N15NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+121.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+15.15 грн
50+8.41 грн
100+7.68 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
BCR116SH6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A855CB83C469&compId=BCR116.pdf?ci_sign=a78e489564578293eaf65f4f39e0f0f381214f35
BCR116SH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; SOT363; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Kind of transistor: BRT
Mounting: SMD
Case: SOT363
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Frequency: 150MHz
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
65+6.31 грн
100+5.09 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BAS16UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB7E23E4A19C469&compId=BAS16SH6327XTSA1.pdf?ci_sign=a904eb5d3264ef100a93b9fe2e434293d824a621
BAS16UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 4.5A
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: triple independent
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Max. forward impulse current: 4.5A
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 4430 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
46+8.90 грн
50+8.25 грн
100+7.93 грн
250+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BAV70UE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58DB8091CB2022469&compId=BAV70E6327HTSA1.pdf?ci_sign=9b9bfc3341cea4517c5662670f21967f8db07450
BAV70UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: common cathode; double x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 5659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
298+1.46 грн
300+1.35 грн
Мінімальне замовлення: 298
В кошику  од. на суму  грн.
BAV99UE6327HTSA1 BAV99SH6327XTSA1.pdf
BAV99UE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 85V; 0.2A; 4ns; SC74; Ufmax: 1.25V; 250mW
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 85V
Load current: 0.2A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: double series x2
Case: SC74
Max. forward voltage: 1.25V
Power dissipation: 0.25W
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
49+9.06 грн
100+6.79 грн
500+5.98 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4004E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4004E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Case: SOT23
Semiconductor structure: double series
Type of diode: Schottky switching
Mounting: SMD
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
на замовлення 6235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
54+7.60 грн
68+5.98 грн
125+3.24 грн
3000+3.08 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4005E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4005E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.12A
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
42+9.70 грн
46+8.90 грн
58+7.04 грн
100+6.24 грн
250+5.22 грн
500+4.46 грн
1000+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4007E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE589DFA3CF24748469&compId=BAS4004E6327HTSA1.pdf?ci_sign=d782cfe89d20da9b5e3c43b192c42b1b8d2f6a05
BAS4007E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT143; SMD; 40V; 0.12A; 250mW
Case: SOT143
Mounting: SMD
Type of diode: Schottky switching
Load current: 0.12A
Max. forward impulse current: 0.2A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1V
Max. off-state voltage: 40V
Semiconductor structure: double independent
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+18.29 грн
37+11.08 грн
50+8.81 грн
100+7.93 грн
500+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
BAT1503WE6327HTSA1 BAT1503WE6327HTSA1.pdf
BAT1503WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOD323; SMD; 4V; 0.11A; 100mW
Type of diode: Schottky switching
Max. off-state voltage: 4V
Load current: 0.11A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.41V
Power dissipation: 0.1W
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+40.93 грн
15+27.74 грн
20+24.26 грн
40+21.03 грн
50+20.06 грн
100+17.55 грн
500+13.26 грн
1000+12.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SMBTA42E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD738071820F5EA&compId=SMBTA42.pdf?ci_sign=9899fa88d5c056e78cf168f4e052d2705dc28676
SMBTA42E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 300V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 300V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 70MHz
на замовлення 3078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
29+14.39 грн
50+9.46 грн
100+7.83 грн
500+5.34 грн
1000+4.70 грн
3000+4.15 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327 BC856UE6327.pdf
BC856UE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 65V; 0.1A; 0.25W; SC74
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
41+10.62 грн
53+7.76 грн
250+6.87 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
BFR106E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C71BCCE2211C&compId=BFR106E6327-dte.pdf?ci_sign=41a49cfb5261526e3a9fbc63bc4a5f9d07c0e4e0
BFR106E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 16V; 0.21A; 0.7W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 16V
Collector current: 0.21A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 1593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
26+15.85 грн
100+12.13 грн
500+9.54 грн
1000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BFR92PE6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B1C4B05EE2F92A15&compId=BFR92p.pdf?ci_sign=0796988a38b6bbbde893f563c65ac9fb4f19a8d9
BFR92PE6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 45mA; 0.28W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 45mA
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 5GHz
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
42+10.45 грн
48+8.57 грн
55+7.44 грн
64+6.34 грн
72+5.69 грн
100+5.13 грн
250+4.63 грн
500+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
BSR302NL6327HTSA1 BSR302NL6327HTSA1.pdf
BSR302NL6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.7A; 0.5W; SC59
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 2
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 36mΩ
Power dissipation: 0.5W
Drain current: 3.7A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Case: SC59
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BFP193E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A191C8DDA3C7E11C&compId=BFP193E6327-dte.pdf?ci_sign=adbef814c2b08bb11ceda7a75b0baf42f93db9f7
BFP193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 80mA; 0.58W; SOT143
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT143
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Current gain: 70...140
на замовлення 3752 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.42 грн
30+13.59 грн
100+10.35 грн
250+9.22 грн
500+8.49 грн
1000+7.76 грн
3000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCR133E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C5A08E45B8E469&compId=BCR133.pdf?ci_sign=f326d205106dded54591a302ba389bcff56e3c4a
BCR133E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 130MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
на замовлення 2165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
77+5.26 грн
86+4.72 грн
93+4.35 грн
102+4.00 грн
250+3.59 грн
500+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
BCR158E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C588C2D3EF2469&compId=BCR158.pdf?ci_sign=0e18e7a6b0bfae444245180d93ab4961cabe1251
BCR158E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 200MHz
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 6733 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
105+4.18 грн
120+3.37 грн
250+2.98 грн
1000+2.59 грн
3000+2.54 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6403WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE257368F11B3D7&compId=BAR64xx_Ser.pdf?ci_sign=5ddb896d59e4449eeed45a0a4e6ecd73b8aafbe4
BAR6403WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Case: SOD323
Mounting: SMD
Type of diode: switching
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
34+13.06 грн
62+6.55 грн
67+6.07 грн
70+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6404E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED998A24E9F32E65820&compId=BAR64-04.pdf?ci_sign=f8b366674ccb5015c2234e8f26366cf079c3def1
BAR6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.1A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.1V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 1473 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
32+12.94 грн
41+10.00 грн
100+6.70 грн
500+4.51 грн
1000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
BAR66E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED99E9452B4A9E4B820&compId=bar66series.pdf?ci_sign=0c78a33a6f68947f2201c382aa99c2ec4e873f38
BAR66E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 200mA; 250mW; SOT23; double series
Max. off-state voltage: 150V
Load current: 0.2A
Max. forward impulse current: 12A
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: double series
Features of semiconductor devices: PIN
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 4485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
32+13.93 грн
40+10.35 грн
45+9.14 грн
50+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 32
В кошику  од. на суму  грн.
BA592E6327HTSA1 BAx92-DTE.pdf
BA592E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 35V; 100mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: switching
Max. off-state voltage: 35V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 20nA
Capacitance: 0.6...1.4pF
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
40+11.50 грн
45+9.46 грн
100+8.41 грн
500+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6303WE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6303WE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SOD323; single diode
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SOD323
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 2144 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.32 грн
52+7.93 грн
58+7.04 грн
67+6.07 грн
100+4.93 грн
250+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
BC817UPNE6327HTSA1 BC817UPNE6327.pdf
BC817UPNE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Complementary transistors
Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; complementary pair; 45V; 0.5A
Type of transistor: NPN / PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.33W
Case: SC74
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 7003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+28.74 грн
26+15.69 грн
35+11.81 грн
100+9.14 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS3007ARPPE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB81B27E263A469&compId=BAS3007ARPPE6327.pdf?ci_sign=b5ed67fdce37abb4658c35aaf90648a7216714d2
BAS3007ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 30V; If: 0.9A; Ifsm: 5A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Electrical mounting: SMT
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Load current: 0.9A
Max. forward impulse current: 5A
Max. off-state voltage: 30V
на замовлення 3185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.13 грн
20+21.03 грн
21+19.73 грн
100+15.85 грн
250+14.31 грн
500+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAS4002ARPPE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58EB820F651F00469&compId=BAS4002ARPPE6327.pdf?ci_sign=129a63ea239a763a7e4e19d6fcee10919cb6da76
BAS4002ARPPE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD/THT sing. phase diode bridge rectif.
Description: Bridge rectifier: single-phase; 40V; If: 0.2A; Ifsm: 2A; SOT143; SMT
Case: SOT143
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 2A
Max. off-state voltage: 40V
Features of semiconductor devices: Schottky
Type of bridge rectifier: single-phase
Electrical mounting: SMT
Load current: 0.2A
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
22+20.03 грн
28+14.48 грн
100+11.64 грн
200+10.84 грн
250+10.67 грн
500+10.35 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A9999C75489C9E27&compId=BB640E-DTE.pdf?ci_sign=d61173df73327382dcb8cc40fc10b50674b2bb14
BB640E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SOD323; single diode; reel,tape
Type of diode: varicap
Max. off-state voltage: 30V
Load current: 20mA
Case: SOD323
Mounting: SMD
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: RF
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 0.2µA
Capacitance: 2.8...76pF
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+21.77 грн
31+13.42 грн
75+9.22 грн
100+8.81 грн
500+6.79 грн
1000+6.23 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9303TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227C9FCDCD65F1A303005056AB0C4F&compId=irlml9303pbf.pdf?ci_sign=25ae6857484c7ee0d56fb5294320af01faa2769b
IRLML9303TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2.3A; 1.25W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 1.25W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R360P7SAUMA1 IPD70R360P7S.pdf
IPD70R360P7SAUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 7.5A; 59.5W; PG-TO252-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 7.5A
Power dissipation: 59.5W
Case: PG-TO252-3
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+60.09 грн
9+46.26 грн
25+40.60 грн
100+36.31 грн
500+34.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IR1161LTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF5A857158259&compId=IR1161LTRPBF.pdf?ci_sign=9552f004c7f1bcc1886ae1975d8eecd6d4d90f75
IR1161LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SOT23-5
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2.5...1A
Power: 590mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR11688STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED780FAF7AC44F86259&compId=IR11688STRPBF.pdf?ci_sign=ee780d8bdb01f8fa87dd259f66e77f18d4356584
IR11688STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Case: SO8
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 4.75...18V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Application: SMPS
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR1169STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDBF87D0F3BF5EA&compId=IR1169STRPBF.pdf?ci_sign=f2290a7105ab761b1e20b2c47711f7541b33ac9d
IR1169STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; flyback,push-pull,resonant LLC; gate driver; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Topology: flyback; push-pull; resonant LLC
Kind of integrated circuit: gate driver
Application: SMPS
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -4...1A
Power: 625mW
Supply voltage: 11...19V DC
Voltage class: 200V
Type of integrated circuit: driver
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR1070AZXKLA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99492CD9B7C85D8BF&compId=ICE5QRxxxxAx.pdf?ci_sign=396f75f590acef529cc8d5ba1e6e2424b54e0124
ICE5QR1070AZXKLA1
+2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 400mA; 20kHz; Ch: 1; DIP7; flyback; 0÷80%
Operating voltage: 10...25.5V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...150°C
Topology: flyback
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Application: SMPS
Duty cycle factor: 0...80%
Output current: 0.4A
Power: 58/32W
Number of channels: 1
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 700V
Frequency: 20kHz
Case: DIP7
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.35 грн
50+53.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50055-1TMB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58698831673540469&compId=BTS50055-1TMB.pdf?ci_sign=51035787213271d893d95d4f122fa627c7b33776
BTS50055-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 55A; Ch: 1; N-Channel; THT
Mounting: THT
Kind of integrated circuit: high-side
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
On-state resistance: 4.4mΩ
Output current: 55A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5...34V DC
Case: PG-TO220-7-11
Technology: High Current PROFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.30 грн
10+383.31 грн
50+335.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BTS50080-1TMB pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869888DFBE586469&compId=BTS50080-1TMB.pdf?ci_sign=dd4acc5f8af1b9f7b8a62d693a1b9e6c2f5af730
BTS50080-1TMB
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 9.5A; Ch: 1; N-Channel; THT
Technology: High Current PROFET
Kind of integrated circuit: high-side
Case: PG-TO220-7-12
Kind of output: N-Channel
Type of integrated circuit: power switch
Mounting: THT
On-state resistance: 7mΩ
Output current: 9.5A
Number of channels: 1
Supply voltage: 5.5...38V DC
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+445.02 грн
10+308.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BFR182WH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC24251A45713D7&compId=BFR182WH6327.pdf?ci_sign=fc912695d8434b60527e392bdece0c30bc9f5025
BFR182WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 12V; 35mA; 0.25W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 35mA
Collector-emitter voltage: 12V
Frequency: 8GHz
Kind of transistor: RF
Kind of package: reel; tape
на замовлення 847 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
72+5.66 грн
86+4.76 грн
91+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
BCP5616H6327XTSA1 BCP5616H6327XTSA1.pdf
BCP5616H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 525 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.46 грн
30+15.45 грн
100+13.75 грн
250+11.81 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX53H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587C52B239147E469&compId=BCX53.pdf?ci_sign=06038f92536883fb5f048a4ed3d4e9113ac14b8b
BCX53H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 125MHz
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
27+16.20 грн
31+13.18 грн
100+11.56 грн
250+10.27 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BCX5610H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4
BCX5610H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
на замовлення 1485 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+18.46 грн
30+15.04 грн
100+13.42 грн
250+12.13 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BCX56H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE587FE96FEC45A6469&compId=BCX56H6327XTSA1.pdf?ci_sign=52af526ba3cf213dc7c315370759944bc823dfb4
BCX56H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1A; 2W; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 1A
Power dissipation: 2W
Case: SOT89
Mounting: SMD
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5802TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6
IRF5802TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
16+27.87 грн
22+19.25 грн
25+16.25 грн
100+11.64 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
IRLMS2002TRPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227CF15C848FF1A303005056AB0C4F&compId=irlms2002pbf.pdf?ci_sign=582d4397a97dbf01cfb70f72bdc441e378316d1a
IRLMS2002TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 6.5A; 2W; TSOP6
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.5A
Power dissipation: 2W
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1-DTE.pdf
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -6A; 2W; PG-TSOP-6
Case: PG-TSOP-6
Mounting: SMD
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ P
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: -6A
Drain-source voltage: -20V
On-state resistance: 41mΩ
Power dissipation: 2W
на замовлення 2835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.16 грн
14+28.95 грн
100+20.86 грн
250+18.36 грн
500+17.06 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132JPBF description IR2132JPBF.pdf
IR2132JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 2W
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+388.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2135JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2135JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 0.6/1.2kV
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+877.85 грн
3+735.09 грн
10+646.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2233JPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC1F15FD0B15EA&compId=IR2133JPBF.pdf?ci_sign=16765b07bef0b845644718364f02f14030fe2b29
IR2233JPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: PLCC44
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 1.2kV
Integrated circuit features: charge pump; dead time; integrated bootstrap functionality
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 700ns
Turn-on time: 750ns
Power: 2W
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+566.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7434PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCA7DC604355EA&compId=IRFB7434PBF.pdf?ci_sign=de22a06d3fea89ee22bebabfc0e049a455f48e14
IRFB7434PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 317A; 294W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 317A
Power dissipation: 294W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 216nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Trade name: StrongIRFET
Technology: HEXFET®
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+192.46 грн
10+156.07 грн
25+127.77 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2181SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD34A5F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2181.pdf?ci_sign=c5a6339eac545a9ba06e6dda4e6c0792928b2542
IR2181SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -2.3...1.9A
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
Protection: undervoltage UVP
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+188.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60S5 description SPW20N60S5.pdf
SPW20N60S5
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.06 грн
5+275.76 грн
30+243.41 грн
120+219.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NPBF description irlz34n.pdf
IRLZ34NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 27A; 56W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 27A
Power dissipation: 56W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: logic level
Gate charge: 16.7nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLZ34NSTRLPBF irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3006PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDCE5E61C9395EA&compId=IRFP3006PBF.pdf?ci_sign=3f9de887d18eac973e5482dc6f05ce8c2ff62630
IRFP3006PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 195A; 375W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 195A
Power dissipation: 375W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.1mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+201.17 грн
25+164.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3415PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAF0F1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3415.pdf?ci_sign=7dce4703a8017664ea463bf6fafd149e008ced7d
IRFP3415PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO247AC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO247AC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 43A
Gate charge: 133.3nC
On-state resistance: 42mΩ
Power dissipation: 200W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+181.14 грн
10+137.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP3703PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E653ACAFEF1A6F5005056AB5A8F&compId=irfp3703.pdf?ci_sign=bc68c2fbece183b5370d800cc11ba437ce67f660
IRFP3703PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 210A; 230W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 210A
Power dissipation: 230W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 209nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
BSP129H6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A78558D0C55E5E27&compId=BSP129H6327-DTE.pdf?ci_sign=fdfeb4a848e9de3029b705fc4ac90ccf3288a56b
BSP129H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 240V; 0.05A; 1.8W; SOT223
Case: SOT223
Technology: SIPMOS™
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 240V
Drain current: 50mA
On-state resistance: 6.5Ω
Power dissipation: 1.8W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.80 грн
12+33.80 грн
50+26.85 грн
100+25.31 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2304SPBF irs2304spbf.pdf
IRS2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 185ns
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+165.47 грн
5+112.41 грн
10+86.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BB85702VH7902XTSA1 BB837_BB857.pdf
BB85702VH7902XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: varicap; 30V; 20mA; SC79; single diode; reel,tape; Ir: 200nA
Semiconductor structure: single diode
Mounting: SMD
Type of diode: varicap
Capacitance: 0.45...7.2pF
Leakage current: 0.2µA
Load current: 20mA
Max. off-state voltage: 30V
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: RF
Case: SC79
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+57.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6302VH6327XTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89AE253C84036F3D7&compId=BAR63xx_ser.pdf?ci_sign=ce0958481adbf0cb48c9a0e6e33719e686dc0f89
BAR6302VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 50V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; Ufmax: 1.2V
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.1A
Case: SC79
Kind of package: reel; tape
Max. forward voltage: 1.2V
Power dissipation: 0.25W
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Mounting: SMD
Type of diode: switching
на замовлення 5985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+17.42 грн
31+13.18 грн
39+10.48 грн
100+6.52 грн
250+4.92 грн
500+4.10 грн
1000+3.64 грн
3000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
BSC123N08NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DA543505C011C&compId=BSC123N08NS3G-DTE.pdf?ci_sign=1d5e204586f07d92fb2c8f8a1f997c1b7905496e
BSC123N08NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 55A; 66W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 12.3mΩ
Drain current: 55A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 66W
Drain-source voltage: 80V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 3339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.90 грн
12+36.31 грн
25+33.16 грн
50+31.05 грн
100+29.11 грн
250+27.09 грн
500+25.88 грн
1000+24.91 грн
2500+23.86 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSC160N10NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A38DAF9708D3411C&compId=BSC160N10NS3G-DTE.pdf?ci_sign=40b99f03d0385a774315a98299c6b275c55d6333
BSC160N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 60W; PG-TDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 16mΩ
Drain current: 42A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 60W
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TDSON-8
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC190N15NS3GATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A4BC604BDBE8C11C&compId=BSC190N15NS3G-DTE.pdf?ci_sign=198571536f486da766f745ce415f44d0d9f21d86
BSC190N15NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 50A; 125W; PG-TSDSON-8
Mounting: SMD
On-state resistance: 19mΩ
Drain current: 50A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 125W
Drain-source voltage: 150V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Case: PG-TSDSON-8
Polarisation: unipolar
на замовлення 1688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+121.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
30+15.15 грн
50+8.41 грн
100+7.68 грн
500+6.71 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2466 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]