Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149612) > Сторінка 2460 з 2494

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRLR3103TRPBF IRLR3103TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EB606ADACF1A303005056AB0C4F&compId=irlr3103pbf.pdf?ci_sign=3cef654ee8f937478c9dc59895a9dc4f14faaa1c Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3105pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF IRLR3114ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F0A43EA42F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3114zpbf.pdf?ci_sign=b67d9f56423182b820e3c12a3af3a3ea7058ed1b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N160R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+349.22 грн
5+286.27 грн
10+254.73 грн
30+212.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF IR2113PBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2110_2113.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+163.35 грн
10+142.33 грн
25+134.24 грн
100+129.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF IRLML9301TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlml9301pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+22.64 грн
27+15.12 грн
50+10.59 грн
100+9.14 грн
500+6.79 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 SMBT2222AE6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7FFBA97A00469&compId=SMBT2222AE6327.pdf?ci_sign=e947f7e7ed39cabf58351392c21760d8d29d3c84 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
46+9.58 грн
49+8.41 грн
55+7.44 грн
79+5.18 грн
100+4.36 грн
500+3.10 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E7B9E48F611C&compId=BSC040N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=1afe5a86553b823be907139a75c36c5eed705e55 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3GATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSZ440N10NS3G-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+56.61 грн
10+45.29 грн
25+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF PVT412LSPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0D189AB1E21EC&compId=pvt412.pdf?ci_sign=8a606da7add791abdac6d3bf1a684622fceaac0c Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 3...25mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+394.51 грн
5+287.08 грн
10+283.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF IR2132SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+449.38 грн
10+333.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Pulsed drain current: 256A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS® -T
Case: PG-TO263-3-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 46A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22281BCD47E0AF1A303005056AB0C4F&compId=irlr9343pbf.pdf?ci_sign=75d97c5ddc279c59419ed2ddad89b8f640b34891 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF IR2136SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+438.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136STRPBF IR2136STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES 2N7002H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
50+8.71 грн
61+6.63 грн
68+5.98 грн
92+4.42 грн
106+3.84 грн
500+2.85 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD AUIRGP35B60PD INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC7325BAA9773D7&compId=AUIRGP35B60PD.pdf?ci_sign=a814561838fdc4c27889b131942746e92013c0b3 Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF IRF1405PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+129.76 грн
10+103.51 грн
25+82.48 грн
50+63.08 грн
100+50.95 грн
500+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF IRF1405STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF IRF1405ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1405zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.11 грн
25+88.15 грн
50+85.72 грн
100+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRS44273LTRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Topology: single transistor
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+50.51 грн
11+38.82 грн
12+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF IRS21064PBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2106.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.52 грн
3+212.68 грн
10+204.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF IRS2106SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E270FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2106.pdf?ci_sign=c7748131628b198807ab630ce275b6b2dc39f5d0 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF IRF7456TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3B5252434F1A303005056AB0C4F&compId=irf7456pbf.pdf?ci_sign=20eed7c0bcf4bf49fd28c8d398cd07cb3486fafc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF IRFB4115PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.80 грн
10+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 BCV47E6327 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869911BE77406469&compId=BCV27E6327.pdf?ci_sign=0b7df3e49f8a209e013846618a78af40dc82aaae Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
28+15.68 грн
38+10.76 грн
100+6.95 грн
500+5.26 грн
1000+4.75 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+782.05 грн
10+701.12 грн
30+667.97 грн
120+600.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFDFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES SPW47N60CFD.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE TLE7259-3GE INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEB0E450A8D76A14&compId=TLE7259-3.pdf?ci_sign=938ffa7d89771037b59075fcaeb1333d803a8dcf Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 5mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+79.25 грн
7+66.31 грн
25+58.22 грн
100+53.37 грн
500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF IRFR024NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfr024npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
18+25.26 грн
19+22.16 грн
50+21.27 грн
100+20.38 грн
250+19.41 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF IR2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+94.06 грн
6+77.63 грн
10+74.40 грн
25+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF IR2301SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+125.41 грн
10+88.95 грн
25+80.06 грн
50+75.21 грн
95+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF IR2304SPBF INFINEON TECHNOLOGIES ir2304.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+111.47 грн
5+88.95 грн
10+79.25 грн
25+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF IR2308SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA4CBED651ED3D7&compId=ir2308.pdf?ci_sign=88067d29a6d1af22ccd027f1b1c11127c536abc6 Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 IKCM30F60GAXKMA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5B09CEE67DE28&compId=IKCM30F60GA.pdf?ci_sign=783f1af8ac5ce8035a854959701563b15dac9467 Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 30.3W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+965.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES ICE2PCS01G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 ICE2PCS05GXUMA1 INFINEON TECHNOLOGIES INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 20...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.03 грн
10+54.99 грн
25+49.33 грн
50+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF INFINEON TECHNOLOGIES IRFB7437PBF.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.89 грн
10+63.48 грн
50+55.23 грн
100+51.92 грн
250+47.39 грн
500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF IR21834SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IHW30N120R5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.11 грн
10+161.74 грн
30+145.56 грн
120+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 IPA060N06NM5SXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06NXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IPA060N06N-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF IRF9Z24NPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
50+29.19 грн
100+27.09 грн
250+24.26 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6404E6327HTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAT6402VH6327XTSA1.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
63+6.97 грн
76+5.34 грн
80+5.09 грн
101+4.03 грн
250+3.64 грн
500+3.37 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF IRLR3410TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+36.58 грн
14+29.92 грн
25+27.90 грн
50+26.36 грн
100+24.83 грн
500+21.75 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF IRLR3410TRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2 INFINEON TECHNOLOGIES BSS127H6327XTSA2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+26.13 грн
23+17.63 грн
29+14.39 грн
50+12.21 грн
100+10.35 грн
500+7.20 грн
1000+6.23 грн
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR6402VH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BAR64xx_Ser.pdf Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+20.90 грн
34+12.13 грн
100+7.28 грн
250+5.90 грн
650+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 IHW20N120R5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.43 грн
10+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF IRF7317TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7317pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
On-state resistance: 29/58mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF IRS2110SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920764F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2110.pdf?ci_sign=d7e6b7c7a85603dbb88ebe28cd2f0be131bac1f8 description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.62 грн
10+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF IRS2118PBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF IRS2118SPBF INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3103TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227EB606ADACF1A303005056AB0C4F&compId=irlr3103pbf.pdf?ci_sign=3cef654ee8f937478c9dc59895a9dc4f14faaa1c
IRLR3103TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 46A
Power dissipation: 69W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3105TRPBF irlr3105pbf.pdf
IRLR3105TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 25A; 57W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 25A
Power dissipation: 57W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3110ZTRLPBF irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 45A; Idm: 250A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 45A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 250A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3114ZTRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F0A43EA42F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3114zpbf.pdf?ci_sign=b67d9f56423182b820e3c12a3af3a3ea7058ed1b
IRLR3114ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 130A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 130A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N160R5XKSA1 IHW30N160R5.pdf
IHW30N160R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.6kV; 39A; 131.5W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.6kV
Collector current: 39A
Power dissipation: 131.5W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 205nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 411ns
Technology: TRENCHSTOP™
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+349.22 грн
5+286.27 грн
10+254.73 грн
30+212.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113PBF description ir2110_2113.pdf
IR2113PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -2...2A
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 111ns
Turn-on time: 145ns
Power: 1.6W
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.35 грн
10+142.33 грн
25+134.24 грн
100+129.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRLML9301TRPBF irlml9301pbf.pdf
IRLML9301TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 2361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+22.64 грн
27+15.12 грн
50+10.59 грн
100+9.14 грн
500+6.79 грн
1000+6.07 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
SMBT2222AE6327HTSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE586C7FFBA97A00469&compId=SMBT2222AE6327.pdf?ci_sign=e947f7e7ed39cabf58351392c21760d8d29d3c84
SMBT2222AE6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 0.33W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 300MHz
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
46+9.58 грн
49+8.41 грн
55+7.44 грн
79+5.18 грн
100+4.36 грн
500+3.10 грн
1000+2.96 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5A2C2E7B9E48F611C&compId=BSC040N10NS5-DTE.pdf?ci_sign=1afe5a86553b823be907139a75c36c5eed705e55
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 100A; 104W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 100A
Power dissipation: 104W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ440N10NS3GATMA1 BSZ440N10NS3G-DTE.pdf
BSZ440N10NS3GATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 18A; 29W; PG-TSDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 18A
Power dissipation: 29W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5899 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+56.61 грн
10+45.29 грн
25+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5L120ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5L120-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ccd443ce0217
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9A; Idm: 160A; 62W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 62W
Case: PG-TSDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 22.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUZ40N10S5N130ATMA1 Infineon-IAUZ40N10S5N130-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4626c1f3dc3016c8a62b6cf0ddb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 35A; Idm: 160A; 68W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 68W
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™ 5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PVT412LSPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED495C0D189AB1E21EC&compId=pvt412.pdf?ci_sign=8a606da7add791abdac6d3bf1a684622fceaac0c
PVT412LSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: One Phase Solid State Relays
Description: Relay: solid state; SPST-NO; Icntrl: 3÷25mA; 200mA; 0÷400VAC; 35Ω
Type of relay: solid state
Contacts configuration: SPST-NO
Control current: 3...25mA
Max. operating current: 200mA
Switched voltage: 0...400V AC; 0...400V DC
Manufacturer series: PVT412PbF
Relay variant: MOSFET
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMT
Case: DIP6
Operate time: 2ms
Release time: 0.5ms
Operating temperature: -40...85°C
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+394.51 грн
5+287.08 грн
10+283.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon-IDWD40G120C5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462689a790c016933d56ffd548f
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 40A; TO247-2; 402W
Type of diode: Schottky rectifying
Technology: CoolSiC™ 5G; SiC
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 40A
Semiconductor structure: single diode
Case: TO247-2
Max. forward voltage: 1.65V
Max. forward impulse current: 290A
Power dissipation: 402W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2132SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FD88A67FAC295EA&compId=IR2132JPBF.pdf?ci_sign=0a80f7199067b13ee36070118f53aa88569ddda4
IR2132SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -420...200mA
Number of channels: 6
Mounting: SMD
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Turn-off time: 475ns
Turn-on time: 675ns
Power: 1.6W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+449.38 грн
10+333.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IPB64N25S320ATMA1 infineon-ipb64n25s3-20-datasheet-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS® -T; unipolar; 250V; 46A; Idm: 256A
Mounting: SMD
Power dissipation: 300W
Pulsed drain current: 256A
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 250V
Technology: OptiMOS® -T
Case: PG-TO263-3-2
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 46A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR9343TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22281BCD47E0AF1A303005056AB0C4F&compId=irlr9343pbf.pdf?ci_sign=75d97c5ddc279c59419ed2ddad89b8f640b34891
IRLR9343TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97
IR2136SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 380ns
Turn-on time: 0.4µs
Power: 1.6W
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+438.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR2136STRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FDC212A803B55EA&compId=IR2136STRPBF.pdf?ci_sign=eda5310d7e0d7b6075a828f4bc7bb92bc93e0c97
IR2136STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; MOSFET three-phase bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO28-W
Output current: -0.35...0.2A
Power: 1.6W
Number of channels: 6
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 0.4µs
Turn-off time: 380ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002H6327XTSA2 2N7002H6327XTSA2.pdf
2N7002H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.3A; 0.5W; PG-SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.5W
Case: PG-SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+8.71 грн
61+6.63 грн
68+5.98 грн
92+4.42 грн
106+3.84 грн
500+2.85 грн
1000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRGP35B60PD pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89BC7325BAA9773D7&compId=AUIRGP35B60PD.pdf?ci_sign=a814561838fdc4c27889b131942746e92013c0b3
AUIRGP35B60PD
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Trench; 600V; 34A; 123W; TO247AC
Type of transistor: IGBT
Technology: Trench
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 34A
Power dissipation: 123W
Case: TO247AC
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 240nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 34ns
Turn-off time: 142ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405PBF irf1405.pdf
IRF1405PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 133A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 133A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 170nC
On-state resistance: 5.3mΩ
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+129.76 грн
10+103.51 грн
25+82.48 грн
50+63.08 грн
100+50.95 грн
500+48.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405STRLPBF irf1405spbf.pdf
IRF1405STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 131A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 131A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1405ZPBF irf1405zpbf.pdf
IRF1405ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 150A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 150A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+161.11 грн
25+88.15 грн
50+85.72 грн
100+81.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS44273LTRPBF IRS44273LTRPBF.pdf
IRS44273LTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; low-side,gate driver; SOT23-5
Type of integrated circuit: driver
Mounting: SMD
Case: SOT23-5
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Kind of integrated circuit: gate driver; low-side
Output current: -1.5...1.5A
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 50ns
Power: 0.25W
Number of channels: 1
Supply voltage: 9.2...20V DC
Topology: single transistor
на замовлення 1433 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+50.51 грн
11+38.82 грн
12+35.42 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRS21064PBF irs2106.pdf
IRS21064PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; 1.6W
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP14
Output current: -600...290mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 1.6W
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+259.52 грн
3+212.68 грн
10+204.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2106SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E9B5E270FF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2106.pdf?ci_sign=c7748131628b198807ab630ce275b6b2dc39f5d0
IRS2106SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Mounting: SMD
Case: SO8
Kind of package: tube
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 235ns
Turn-on time: 320ns
Power: 625mW
Number of channels: 2
Voltage class: 600V
Supply voltage: 10...20V DC
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7456TRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E221A3B5252434F1A303005056AB0C4F&compId=irf7456pbf.pdf?ci_sign=20eed7c0bcf4bf49fd28c8d398cd07cb3486fafc
IRF7456TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4115PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDF92803E4748AD20D6&compId=IRFB4115.pdf?ci_sign=a357cd38840e146aca5baa544c6a049cd1055155
IRFB4115PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 74A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 74A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 77nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.80 грн
10+143.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BCV47E6327 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE5869911BE77406469&compId=BCV27E6327.pdf?ci_sign=0b7df3e49f8a209e013846618a78af40dc82aaae
BCV47E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD Darlington transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 60V; 0.5A; 0.36W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: Darlington
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.36W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Frequency: 170MHz
на замовлення 3632 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
28+15.68 грн
38+10.76 грн
100+6.95 грн
500+5.26 грн
1000+4.75 грн
3000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60C3 SPW47N60C3.pdf
SPW47N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 47A; 415W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 47A
Power dissipation: 415W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+782.05 грн
10+701.12 грн
30+667.97 грн
120+600.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SPW47N60CFDFKSA1 SPW47N60CFD.pdf
SPW47N60CFDFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 29A; 417W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 29A
Power dissipation: 417W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 83mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE7259-3GE pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEB0E450A8D76A14&compId=TLE7259-3.pdf?ci_sign=938ffa7d89771037b59075fcaeb1333d803a8dcf
TLE7259-3GE
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: ETHERNET interfaces -integrated circuits
Description: IC: interface; transceiver; LIN; PG-DSO-8; -40÷150°C; 5.5÷27VDC
Type of integrated circuit: interface
Kind of integrated circuit: transceiver
Mounting: SMD
Case: PG-DSO-8
Operating temperature: -40...150°C
Kind of package: reel; tape
DC supply current: 5mA
Number of transmitters: 1
Number of receivers: 1
Supply voltage: 5.5...27V DC
Interface: LIN
на замовлення 2381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+79.25 грн
7+66.31 грн
25+58.22 грн
100+53.37 грн
500+49.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IRFR024NTRPBF description irfr024npbf.pdf
IRFR024NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 16A; 38W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 16A
Power dissipation: 38W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
на замовлення 8326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+25.26 грн
19+22.16 грн
50+21.27 грн
100+20.38 грн
250+19.41 грн
500+19.00 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
IR2118SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E2EFD3420F1A6F5005056AB5A8F&compId=ir2117.pdf?ci_sign=047270bf8309783ecfbd92bf3abf45a491f0b645
IR2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -420...200mA
Power: 625mW
Number of channels: 1
Supply voltage: 10...20V DC
Turn-off time: 105ns
Topology: single transistor
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Voltage class: 600V
Kind of package: tube
Turn-on time: 125ns
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+94.06 грн
6+77.63 грн
10+74.40 грн
25+71.97 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IR2301SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6A8A1225C6A08FE27&compId=IR2301-DTE.pdf?ci_sign=c01e57684be53c86afb6cbf1626263184500b01c
IR2301SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 5...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Integrated circuit features: charge pump; integrated bootstrap functionality
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+125.41 грн
10+88.95 грн
25+80.06 грн
50+75.21 грн
95+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2304SPBF ir2304.pdf
IR2304SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -130...60mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 0.22µs
Turn-on time: 220ns
Power: 625mW
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+111.47 грн
5+88.95 грн
10+79.25 грн
25+71.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR2308SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA4CBED651ED3D7&compId=ir2308.pdf?ci_sign=88067d29a6d1af22ccd027f1b1c11127c536abc6
IR2308SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Case: SO8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Power: 625mW
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 600V
Output current: -0.35...0.2A
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Turn-off time: 200ns
Turn-on time: 220ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKCM30F60GAXKMA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6BCD5B09CEE67DE28&compId=IKCM30F60GA.pdf?ci_sign=783f1af8ac5ce8035a854959701563b15dac9467
IKCM30F60GAXKMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -20...20A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 30.3W
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+965.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS01GXUMA1 ICE2PCS01G.pdf
ICE2PCS01GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 50÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 50...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 80...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+74.02 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2PCS05GXUMA1 INFNS16600-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
ICE2PCS05GXUMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PFC controller; -1.5÷2A; 20÷250kHz; PG-DSO-8; boost; SMPS
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PFC controller
Output current: -1.5...2A
Frequency: 20...250kHz
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Topology: boost
Input voltage: 85...265V
Duty cycle factor: 0...98.5%
Application: SMPS
Operating voltage: 11...25V DC
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+59.03 грн
10+54.99 грн
25+49.33 грн
50+47.71 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB7437PBF IRFB7437PBF.pdf
IRFB7437PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 250A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 150nC
Trade name: StrongIRFET
на замовлення 703 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.89 грн
10+63.48 грн
50+55.23 грн
100+51.92 грн
250+47.39 грн
500+44.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IR21834SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE89DA37A807C1553D7&compId=IR2183SPBF.pdf?ci_sign=1842ad47fa85b992a3d7b9b7c6d4ee278eb4f9ff
IR21834SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO14
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO14
Output current: -2.3...1.9A
Power: 1W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 180ns
Turn-off time: 0.22µs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW30N120R5XKSA1 IHW30N120R5.pdf
IHW30N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 30A; 165W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 30A
Power dissipation: 165W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 90A
Mounting: THT
Gate charge: 235nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 363ns
Technology: TRENCHSTOP™ RC
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.11 грн
10+161.74 грн
30+145.56 грн
120+140.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5L073ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5L073-DataSheet-v01_01-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb4f9c26feb
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±16V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 22.6nC
On-state resistance: 9.8mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IAUC60N06S5N074ATMA1 Infineon-IAUC60N06S5N074-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d4627a0b0c7b017a1eb505e56fee
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 15A; Idm: 168A; 52W; PG-TDSON-8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 15A
Case: PG-TDSON-8
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 168A
Technology: OptiMOS™ 5
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 9mΩ
Power dissipation: 52W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NM5SXKSA1 Infineon-IPA060N06NM5S-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4626cb27db2016d5cebbb676e20
IPA060N06NM5SXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 40A; Idm: 224A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 40A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 224A
Technology: OptiMOS™ 3
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+135.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IPA060N06NXKSA1 IPA060N06N-DTE.pdf
IPA060N06NXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 45A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 45A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: OptiMOS™
On-state resistance: 6mΩ
Power dissipation: 33W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04E5921B672F1A6F5005056AB5A8F&compId=irf9z24n.pdf?ci_sign=86417c6f7b297148bbf68c7249788f86ad2c878e
IRF9Z24NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -12A; 45W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -12A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 12.7nC
Power dissipation: 45W
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.58 грн
50+29.19 грн
100+27.09 грн
250+24.26 грн
500+22.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRF9Z24NSTRLPBF Infineon-IRF9Z24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee376ad063e
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -8.5A; Idm: -48A; 45W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -8.5A
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 45W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.175Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT6404E6327HTSA1 BAT6402VH6327XTSA1.pdf
BAT6404E6327HTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky switching; SOT23; SMD; 40V; 0.25A; 250mW
Type of diode: Schottky switching
Case: SOT23
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 0.25A
Semiconductor structure: double series
Max. forward voltage: 0.75V
Max. forward impulse current: 0.8A
Power dissipation: 0.25W
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+6.97 грн
76+5.34 грн
80+5.09 грн
101+4.03 грн
250+3.64 грн
500+3.37 грн
1000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRPBF description irlr3410pbf.pdf
IRLR3410TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Kind of package: reel
Case: DPAK
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 52W
Drain current: 15A
Drain-source voltage: 100V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1255 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+36.58 грн
14+29.92 грн
25+27.90 грн
50+26.36 грн
100+24.83 грн
500+21.75 грн
1000+20.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR3410TRRPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a
IRLR3410TRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSS127H6327XTSA2 BSS127H6327XTSA2.pdf
BSS127H6327XTSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 0.021A; 0.5W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SIPMOS™
Drain current: 21mA
Power dissipation: 0.5W
On-state resistance: 500Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 600V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3336 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
17+26.13 грн
23+17.63 грн
29+14.39 грн
50+12.21 грн
100+10.35 грн
500+7.20 грн
1000+6.23 грн
3000+6.15 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
BAR6402VH6327XTSA1 BAR64xx_Ser.pdf
BAR6402VH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Diodes - others
Description: Diode: switching; 150V; 100mA; 250mW; SC79; single diode; reel,tape
Mounting: SMD
Features of semiconductor devices: PIN; RF
Case: SC79
Type of diode: switching
Semiconductor structure: single diode
Load current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Max. forward voltage: 1.1V
Max. off-state voltage: 150V
Kind of package: reel; tape
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+20.90 грн
34+12.13 грн
100+7.28 грн
250+5.90 грн
650+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N120R5XKSA1 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDD9BE52A653EB120D3&compId=IHW20N120R5.pdf?ci_sign=9078d3fe050273e18820feb3c35340de2d9578db
IHW20N120R5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; TRENCHSTOP™ RC; 1.2kV; 20A; 144W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ RC
Power dissipation: 144W
Case: TO247-3
Mounting: THT
Gate charge: 170nC
Kind of package: tube
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Features of semiconductor devices: reverse conducting IGBT (RC-IGBT)
Turn-off time: 440ns
Collector current: 20A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+253.43 грн
10+172.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF7317TRPBF description irf7317pbf.pdf
IRF7317TRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.6/-5.3A; 2W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 6.6/-5.3A
On-state resistance: 29/58mΩ
Power dissipation: 2W
Gate-source voltage: ±12V
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Type of transistor: N/P-MOSFET
Kind of package: reel
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2110SPBF description pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA1920764F1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2110.pdf?ci_sign=d7e6b7c7a85603dbb88ebe28cd2f0be131bac1f8
IRS2110SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO16
Case: SO16
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Topology: MOSFET half-bridge
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Output current: -2...2A
Turn-off time: 137ns
Turn-on time: 155ns
Number of channels: 2
Power: 1.25W
Supply voltage: 10...20V DC
Voltage class: 500V
Kind of package: tube
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.62 грн
10+210.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118PBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c
IRS2118PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; DIP8; 1W
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: DIP8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: THT
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 1W
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2118SPBF pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C04EA192079CF1A6F5005056AB5A8F&compId=irs2117pbf.pdf?ci_sign=7ed63ff811be98444618332c7f5c18c4514b046c
IRS2118SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; single transistor; high-side,gate driver; SO8; 625mW
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 10...20V DC
Case: SO8
Voltage class: 600V
Type of integrated circuit: driver
Kind of integrated circuit: gate driver; high-side
Topology: single transistor
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Output current: -600...290mA
Turn-off time: 140ns
Turn-on time: 0.2µs
Power: 625mW
Number of channels: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 249 498 747 996 1245 1494 1743 1992 2241 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2490 2494  [ Наступна Сторінка >> ]