Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (148774) > Сторінка 2460 з 2480

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2480  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IRFP4668PBF IRFP4668PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp4668pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 SPP24N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPP24N60C3.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF IRF3710LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF IRF3710PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+135.19 грн
10+90.02 грн
50+75.90 грн
100+69.95 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF IRF3710STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF IRF3710ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+130.74 грн
5+87.54 грн
10+68.38 грн
20+62.85 грн
50+56.41 грн
100+52.03 грн
200+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF IRF3710ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL AUIRF3710ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf3710z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF IRFP250MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+186.78 грн
10+115.62 грн
25+94.98 грн
50+83.41 грн
100+75.16 грн
125+72.68 грн
250+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF IRFP250NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp250n.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+185.89 грн
10+113.15 грн
25+102.41 грн
50+94.98 грн
100+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF IRFP260MPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260mpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.24 грн
5+127.19 грн
10+117.28 грн
25+104.89 грн
50+95.80 грн
100+87.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF IRFP260NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp260n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.93 грн
10+154.44 грн
25+140.40 грн
50+130.49 грн
100+119.75 грн
250+109.02 грн
400+103.24 грн
500+99.93 грн
800+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF IRFP2907PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfp2907.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+265.04 грн
25+170.13 грн
100+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF IRF1407PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1407pbf.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.54 грн
10+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP08N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 SPA08N80C3 INFINEON TECHNOLOGIES INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+113.84 грн
10+97.45 грн
50+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB15N65S5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 26ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB15N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 172ns
Turn-on time: 33ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP15N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES SPW20N60C3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.22 грн
10+142.88 грн
30+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 SPP20N60C3 INFINEON TECHNOLOGIES spp20n60c3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+176.10 грн
10+107.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BSS169H6327XTSA1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+32.02 грн
20+21.06 грн
50+15.44 грн
100+13.46 грн
250+11.23 грн
500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327 BC850CWH6327 INFINEON TECHNOLOGIES Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
39+11.56 грн
54+7.76 грн
100+5.15 грн
250+4.39 грн
500+3.91 грн
1000+3.48 грн
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF IR2113SPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113SPBF.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+219.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IR2113STRPBF.pdf Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+187.67 грн
5+153.61 грн
10+142.05 грн
25+128.01 грн
50+118.93 грн
100+112.32 грн
125+110.67 грн
250+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF IRF5305PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+95.17 грн
10+76.97 грн
25+62.11 грн
50+46.50 грн
100+32.62 грн
500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF IRF5305STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5305spbf.pdf description Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+140.53 грн
10+89.03 грн
50+65.00 грн
100+56.82 грн
500+42.29 грн
800+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF IRF530NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+46.25 грн
12+34.60 грн
25+31.55 грн
50+29.15 грн
100+26.92 грн
500+22.22 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.95 грн
10+62.77 грн
100+44.52 грн
250+37.41 грн
500+31.88 грн
800+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF IRLR120NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr120npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+52.48 грн
10+42.53 грн
50+35.43 грн
100+32.46 грн
250+29.07 грн
500+26.76 грн
1000+24.61 грн
2000+22.79 грн
4000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G INFINEON TECHNOLOGIES ICE2QS03G.pdf Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+141.42 грн
10+85.07 грн
25+77.63 грн
100+67.72 грн
250+61.94 грн
500+56.99 грн
1000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF IRF1010EPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010e.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+55.14 грн
50+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF IRF1010ESTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+110.29 грн
10+91.67 грн
50+77.63 грн
100+71.03 грн
250+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF IRF1010EZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1010ez.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+67.60 грн
10+44.35 грн
50+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452 INFINEON TECHNOLOGIES BSP452.pdf Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.81 грн
10+150.31 грн
100+118.10 грн
250+106.54 грн
500+96.63 грн
1000+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA IGCM15F60GA INFINEON TECHNOLOGIES IGCM15F60GA.pdf Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 29W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+900.08 грн
10+687.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF IRFB4110PBF INFINEON TECHNOLOGIES irfb4110pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.55 грн
10+78.46 грн
25+71.85 грн
50+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF IRS2153DPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+211.68 грн
10+156.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF IRS2153DSPBF INFINEON TECHNOLOGIES irs2153d.pdf description Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+127.19 грн
5+114.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP10N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+128.08 грн
5+88.37 грн
10+74.33 грн
50+56.16 грн
100+53.68 грн
250+51.20 грн
500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP30N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.77 грн
10+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF IRF1404LPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.59 грн
10+170.96 грн
25+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF IRF1404PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF IRF1404STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+182.33 грн
10+113.97 грн
20+104.89 грн
50+94.15 грн
100+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF IRF1404STRRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF IRF1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf1404z.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+70.26 грн
10+51.20 грн
25+47.24 грн
50+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRF1404ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+152.98 грн
10+105.71 грн
50+81.76 грн
100+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL AUIRF1404STRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404s.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL AUIRF1404ZSTRL INFINEON TECHNOLOGIES auirf1404z.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF IRL1404ZPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404zpbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+178.77 грн
10+143.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF IRL1404ZSTRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl1404xxPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+96.95 грн
10+73.50 грн
50+63.59 грн
100+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF IRF520NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf520n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF IRF540NPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf540n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+58.70 грн
10+41.54 грн
25+38.07 грн
50+35.93 грн
100+34.03 грн
200+32.46 грн
250+31.88 грн
500+30.56 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65F5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+207.23 грн
25+137.10 грн
50+109.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP20N65H5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65F5.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP4668PBF irfp4668pbf.pdf
IRFP4668PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 130A; 520W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 130A
Power dissipation: 520W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 9.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 161nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPD04N60C3ATMA1 Infineon-SPD_U04N60C3-DS-v02_06-en.pdf?fileId=db3a30433f12d084013f1a0318e31921
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2.8A; Idm: 13.5A; 50W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 13.5A
Power dissipation: 50W
Case: PG-TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.95Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPP24N60C3 description SPP24N60C3.pdf
SPP24N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15.4A; 240W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15.4A
Power dissipation: 240W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: CoolMOS™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710LPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO262
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710PBF irf3710.pdf
IRF3710PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 86.7nC
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+135.19 грн
10+90.02 грн
50+75.90 грн
100+69.95 грн
250+62.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710STRRPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZPBF irf3710z.pdf
IRF3710ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+130.74 грн
5+87.54 грн
10+68.38 грн
20+62.85 грн
50+56.41 грн
100+52.03 грн
200+48.07 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF3710ZSTRLPBF irf3710zpbf.pdf
IRF3710ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF3710ZSTRL auirf3710z.pdf
AUIRF3710ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 59A; 160W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 59A
Power dissipation: 160W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250MPBF irfp250mpbf.pdf
IRFP250MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AD
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 123nC
Technology: HEXFET®
Kind of package: tube
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+186.78 грн
10+115.62 грн
25+94.98 грн
50+83.41 грн
100+75.16 грн
125+72.68 грн
250+70.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP250NPBF description irfp250n.pdf
IRFP250NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 214W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Power dissipation: 214W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.89 грн
10+113.15 грн
25+102.41 грн
50+94.98 грн
100+88.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260MPBF irfp260mpbf.pdf
IRFP260MPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+223.24 грн
5+127.19 грн
10+117.28 грн
25+104.89 грн
50+95.80 грн
100+87.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP260NPBF irfp260n.pdf
IRFP260NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 35A; 300W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 35A
Power dissipation: 300W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 234nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.93 грн
10+154.44 грн
25+140.40 грн
50+130.49 грн
100+119.75 грн
250+109.02 грн
400+103.24 грн
500+99.93 грн
800+94.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRFP2907PBF irfp2907.pdf
IRFP2907PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 209A; 330W; TO247AC
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 209A
Power dissipation: 330W
Case: TO247AC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 410nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+265.04 грн
25+170.13 грн
100+160.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407PBF description irf1407pbf.pdf
IRF1407PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 130A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 130A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
Gate charge: 160nC
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+156.54 грн
10+81.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1407STRLPBF infineon-irf1407spbf-ds-en.pdf
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 70A; Idm: 520A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 70A
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP08N65H5XKSA1 IKP08N65H5-DTE.pdf
IKP08N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 70W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 70W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 22nC
Kind of package: tube
Collector current: 18A
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 24A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPA08N80C3 INFN-S-A0004583436-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SPA08N80C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; 40W; PG-TO220-3-FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 40W
Case: PG-TO220-3-FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 9A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: T6
Gate charge: 27nC
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.84 грн
10+97.45 грн
50+93.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGB15N65S5ATMA1 IGB15N65S5.pdf
IGB15N65S5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 23A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 147ns
Turn-on time: 26ns
Collector current: 23A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5.pdf
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 18A; 52.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 52.5W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Gate charge: 38nC
Kind of package: reel; tape
Turn-off time: 172ns
Turn-on time: 33ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP15N65H5XKSA1 IKP15N65H5-DTE.pdf
IKP15N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 15A; 105W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 105W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Manufacturer series: H5
Collector current: 15A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 45A
Collector-emitter voltage: 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SPW20N60C3 SPW20N60C3.pdf
SPW20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13.1A; 208W; PG-TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13.1A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+160.22 грн
10+142.88 грн
30+132.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SPP20N60C3 spp20n60c3.pdf
SPP20N60C3
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.7A; 208W; PG-TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.7A
Power dissipation: 208W
Case: PG-TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.10 грн
10+107.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
BSS169H6327XTSA1 BSS169H6327XTSA1.pdf
BSS169H6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.17A; 0.36W; SOT23
Case: SOT23
Mounting: SMD
Technology: SIPMOS™
Polarisation: unipolar
Drain current: 0.17A
Power dissipation: 0.36W
On-state resistance: 12Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 100V
Kind of channel: depletion
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+32.02 грн
20+21.06 грн
50+15.44 грн
100+13.46 грн
250+11.23 грн
500+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
BC850CWH6327
BC850CWH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Power dissipation: 0.33W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 45V
Frequency: 250MHz
на замовлення 3993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+11.56 грн
54+7.76 грн
100+5.15 грн
250+4.39 грн
500+3.91 грн
1000+3.48 грн
3000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113SPBF description IR2113SPBF.pdf
IR2113SPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+219.68 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IR2113STRPBF IR2113STRPBF.pdf
IR2113STRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; Ch: 2
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO16-W
Output current: -2...2A
Power: 1.25W
Number of channels: 2
Supply voltage: 10...20V DC
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: reel; tape
Voltage class: 600V
Turn-on time: 145ns
Turn-off time: 111ns
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+187.67 грн
5+153.61 грн
10+142.05 грн
25+128.01 грн
50+118.93 грн
100+112.32 грн
125+110.67 грн
250+105.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305PBF irf5305.pdf
IRF5305PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1572 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+95.17 грн
10+76.97 грн
25+62.11 грн
50+46.50 грн
100+32.62 грн
500+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF5305STRLPBF description irf5305spbf.pdf
IRF5305STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -31A; 110W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -31A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 3292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+140.53 грн
10+89.03 грн
50+65.00 грн
100+56.82 грн
500+42.29 грн
800+40.30 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NPBF irf530n.pdf
IRF530NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 79W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 79W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 24.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+46.25 грн
12+34.60 грн
25+31.55 грн
50+29.15 грн
100+26.92 грн
500+22.22 грн
1000+20.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
IRF530NSTRLPBF description irf530nspbf.pdf
IRF530NSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.95 грн
10+62.77 грн
100+44.52 грн
250+37.41 грн
500+31.88 грн
800+30.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRLR120NTRPBF description irlr120npbf.pdf
IRLR120NTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 11A; 39W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 11A
Power dissipation: 39W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 13325 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+52.48 грн
10+42.53 грн
50+35.43 грн
100+32.46 грн
250+29.07 грн
500+26.76 грн
1000+24.61 грн
2000+22.79 грн
4000+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ICE2QS03G ICE2QS03G.pdf
ICE2QS03G
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Voltage regulators - PWM circuits
Description: IC: PMIC; PWM controller; 39÷65kHz; Ch: 1; PG-DSO-8; flyback; 0÷50%
Type of integrated circuit: PMIC
Kind of integrated circuit: PWM controller
Frequency: 39...65kHz
Number of channels: 1
Case: PG-DSO-8
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...130°C
Topology: flyback
Input voltage: 80...265V
Breakdown voltage: 500V
Duty cycle factor: 0...50%
Application: SMPS
Operating voltage: 10.5...25V DC
на замовлення 2362 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+141.42 грн
10+85.07 грн
25+77.63 грн
100+67.72 грн
250+61.94 грн
500+56.99 грн
1000+56.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EPBF description irf1010e.pdf
IRF1010EPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 81A; 170W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 81A
Power dissipation: 170W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 86.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.14 грн
50+40.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010ESTRLPBF Infineon-IRF1010ES-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46258fc0bc10158fee35a00063b
IRF1010ESTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 59A; Idm: 330A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 59A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 330A
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+110.29 грн
10+91.67 грн
50+77.63 грн
100+71.03 грн
250+62.77 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1010EZPBF description irf1010ez.pdf
IRF1010EZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 84A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 84A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+67.60 грн
10+44.35 грн
50+41.46 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
BSP452 BSP452.pdf
BSP452
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Power switches - integrated circuits
Description: IC: power switch; high-side; 0.7A; Ch: 1; N-Channel; SMD; SOT223-3
Type of integrated circuit: power switch
Kind of integrated circuit: high-side
Output current: 0.7A
Number of channels: 1
Kind of output: N-Channel
Mounting: SMD
Case: SOT223-3
On-state resistance: 0.16Ω
Technology: Classic PROFET
Output voltage: 40V
на замовлення 2229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.81 грн
10+150.31 грн
100+118.10 грн
250+106.54 грн
500+96.63 грн
1000+89.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IGCM15F60GA IGCM15F60GA.pdf
IGCM15F60GA
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Motor and PWM drivers
Description: IC: driver; IGBT three-phase bridge,thermistor; PG-MDIP24; 20kHz
Type of integrated circuit: driver
Topology: IGBT three-phase bridge; thermistor
Kind of integrated circuit: 3-phase motor controller; IPM
Technology: ClPOS™ Mini; TRENCHSTOP™
Case: PG-MDIP24
Output current: -15...15A
Integrated circuit features: integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Operating voltage: 13.5...18.5/0...400V DC
Frequency: 20kHz
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Protection: anti-overload OPP; undervoltage UVP
Power dissipation: 29W
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+900.08 грн
10+687.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB4110PBF irfb4110pbf.pdf
IRFB4110PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+172.55 грн
10+78.46 грн
25+71.85 грн
50+69.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; DIP8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: DIP8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: THT
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 1W
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+211.68 грн
10+156.92 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2153DSPBF description irs2153d.pdf
IRS2153DSPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: MOSFET/IGBT drivers
Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8
Type of integrated circuit: driver
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side
Case: SO8
Output current: -260...180mA
Number of channels: 2
Supply voltage: 10.1...16.8V DC
Integrated circuit features: dead time; front end oscillator; integrated bootstrap functionality
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Kind of package: tube
Voltage class: 600V
Turn-off time: 50ns
Turn-on time: 0.12µs
Power: 625mW
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+127.19 грн
5+114.80 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IKP10N60TXKSA1 IKP10N60T.pdf
IKP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; TO220AB
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 110W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Collector-emitter voltage: 600V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 62nC
Collector current: 10A
на замовлення 527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+128.08 грн
5+88.37 грн
10+74.33 грн
50+56.16 грн
100+53.68 грн
250+51.20 грн
500+48.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IGP30N60H3XKSA1 IGP30N60H3-DTE.pdf
IGP30N60H3XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 30A; 187W; TO220-3; H3
Type of transistor: IGBT
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 30A
Gate-emitter voltage: ±20V
Power dissipation: 187W
Collector-emitter voltage: 600V
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Manufacturer series: H3
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.77 грн
10+128.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404LPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404LPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Mounting: THT
Case: TO262
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.59 грн
10+170.96 грн
25+123.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404PBF irf1404.pdf
IRF1404PBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Gate charge: 160nC
On-state resistance: 4mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRLPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+182.33 грн
10+113.97 грн
20+104.89 грн
50+94.15 грн
100+86.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404STRRPBF irf1404spbf.pdf
IRF1404STRRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZPBF irf1404z.pdf
IRF1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.7mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+70.26 грн
10+51.20 грн
25+47.24 грн
50+46.50 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF1404ZSTRLPBF IRF1404ZSTRLPBF.pdf
IRF1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+152.98 грн
10+105.71 грн
50+81.76 грн
100+73.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404STRL auirf1404s.pdf
AUIRF1404STRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 162A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRF1404ZSTRL auirf1404z.pdf
AUIRF1404ZSTRL
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 200W; D2PAK
Mounting: SMD
Case: D2PAK
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 180A
Power dissipation: 200W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZPBF irl1404zpbf.pdf
IRL1404ZPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+178.77 грн
10+143.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IRL1404ZSTRLPBF irl1404xxPBF.pdf
IRL1404ZSTRLPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; Idm: 790A; 230W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 230W
Gate-source voltage: ±16V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Pulsed drain current: 790A
Features of semiconductor devices: logic level
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Gate charge: 75nC
On-state resistance: 3.1mΩ
на замовлення 1018 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+96.95 грн
10+73.50 грн
50+63.59 грн
100+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
IRF520NPBF irf520n.pdf
IRF520NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 9.7A; 48W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 9.7A
Power dissipation: 48W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 16.7nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+63.15 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
IRF540NPBF irf540n.pdf
IRF540NPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 33A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 33A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 44mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 47.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.70 грн
10+41.54 грн
25+38.07 грн
50+35.93 грн
100+34.03 грн
200+32.46 грн
250+31.88 грн
500+30.56 грн
1000+29.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65F5XKSA1 IGP20N65F5-DTE.pdf
IGP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 42A; 125W; TO220-3; F5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 42A
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: F5
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+207.23 грн
25+137.10 грн
50+109.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
IGP20N65H5XKSA1 IGP20N65H5.pdf
IGP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Manufacturer series: H5
Turn-on time: 26ns
Turn-off time: 169ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5.pdf
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 21A; 63W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Power dissipation: 63W
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Collector current: 21A
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Collector-emitter voltage: 650V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Turn-on time: 21ns
Gate charge: 48nC
Turn-off time: 200ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 248 496 744 992 1240 1488 1736 1984 2232 2455 2456 2457 2458 2459 2460 2461 2462 2463 2464 2465 2480  [ Наступна Сторінка >> ]