Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (123001) > Сторінка 350 з 2051

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
SAF-TC1165-192F80HLAA Infineon Technologies Description: RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32 B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.5MB (1.5M x 8)
RAM Size: 100K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 36x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: CANbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-2
Number of I/O: 81
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+1139.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327HTSA1 BC856UE6327HTSA1 Infineon Technologies bc856s_bc856u_bc857s.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca38901154200fdcd16ef Description: TRANS 2PNP 65V 100MA PG-SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 30999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1982+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 1982 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA IHW20N135R5XKSA Infineon Technologies INFN-S-A0001300633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: REVERSE CONDUCTING IGBT
Power - Max: 288 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 170 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R3 IHW20N135R3 Infineon Technologies INFN-S-A0004848099-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Power - Max: 310 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBF-INF IRL2203NPBF-INF Infineon Technologies Description: HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-04TE6327 BAS70-04TE6327 Infineon Technologies INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7059+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7059 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E7907 BB640E7907 Infineon Technologies INFNS15423-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C25
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 16.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB640 BB640 Infineon Technologies INFNS16374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKW15N60 SKW15N60 Infineon Technologies INFNS27342-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 300µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR25602SPBF-INF IR25602SPBF-INF Infineon Technologies Description: IR25602 - HALF-BRIDGE DRIVER
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Supplier Device Package: 8-SO
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-60B5000 BAS40-60B5000 Infineon Technologies Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817 Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 9459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.34 грн
10+72.76 грн
100+48.69 грн
500+36.02 грн
1000+32.90 грн
2000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+37.34 грн
10000+33.76 грн
15000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 BSC065N06LS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39 Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 28731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.81 грн
10+87.23 грн
100+58.88 грн
500+43.84 грн
1000+40.17 грн
2000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06LG IPB065N06LG Infineon Technologies INFNS16294-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40B5000 BC817-40B5000 Infineon Technologies INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: BIPOLAR TRANSISTOR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49681KXTSA1 TLE49681KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4968_1K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b6013977a3fb29541c Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR SC59
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 25mA
Sensing Range: 2.25mT Trip, -2.25mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Function: Bipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49681KXTSA1 TLE49681KXTSA1 Infineon Technologies Infineon-TLE4968_1K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b6013977a3fb29541c Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR SC59
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Function: Bipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 25mA
Sensing Range: 2.25mT Trip, -2.25mT Release
Technology: Hall Effect
на замовлення 8777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+57.61 грн
25+46.06 грн
100+39.63 грн
500+33.33 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HSFKSA1 SGW50N60HSFKSA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: IGBT NPT 600V 100A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+242.47 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC8899N03MS BSC8899N03MS Infineon Technologies INFNS15760-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1039+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGD02N60 SGD02N60 Infineon Technologies INFNS10941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 28µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
465+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC27T120T8LX1SA2 Infineon Technologies Infineon-IGC27T120T8L_L7643V-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013832779de34b60 Description: IGBT 1200V 25A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1 IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IGT60R070D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016686028dd56526 Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21571PBF IR21571PBF Infineon Technologies ir21571.pdf Description: IC BALLAST CNTRL 50.5KHZ 16DIP
Current - Supply: 5.5 mA
Part Status: Obsolete
Dimming: No
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Supply: 10.5V ~ 16.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Ballast Controller
Frequency: 45.5kHz ~ 50.5kHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 157341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+156.87 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMB7720HV1.458PCC Infineon Technologies Description: PMB7720HV DECT IC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2236N-40F80LAA SAK-XC2236N-40F80LAA Infineon Technologies INFNS15642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
RAM Size: 42K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2236N-40F80L AA Infineon Technologies INFNS15642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
Number of I/O: 38
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x10b
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC2236N-40F66L AB SAF-XC2236N-40F66L AB Infineon Technologies XC223xN_V1.5_2-7-13.pdf Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
Number of I/O: 38
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x10b
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 66MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2236N40F66LAAFXUMA1 XC2236N40F66LAAFXUMA1 Infineon Technologies XC223xN_V1.5_2-7-13.pdf Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
Number of I/O: 38
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x10b
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 66MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGP20N60XKSA1 SGP20N60XKSA1 Infineon Technologies SGx20N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 40A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/225ns
Switching Energy: 440µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 179 W
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+136.52 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V29F040B-150JC Infineon Technologies Description: IC MEMORY NOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR2270AZXKLA1-ND Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxxxxAx-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4af1eaab111c Description: IC OFFLINE SWITCH QUASI RESONANT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-6
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Control Features: Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
Power (Watts): 41 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BGXUMA1 ICE5QR4780BGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 28 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BGXUMA1 ICE5QR4780BGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 28 W
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+95.29 грн
25+86.71 грн
100+72.51 грн
250+68.28 грн
500+65.72 грн
1000+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680BGXUMA1 ICE5QR0680BGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 77 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680BGXUMA1 ICE5QR0680BGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 77 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QSBGXUMA1 ICE5QSBGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QSBG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fecf213b3 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
Power (Watts): 109 W
Part Status: Active
Voltage - Start Up: 16 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QSBGXUMA1 ICE5QSBGXUMA1 Infineon Technologies Infineon-ICE5QSBG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fecf213b3 Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
Internal Switch(s): No
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 109 W
Part Status: Active
Voltage - Start Up: 16 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.54 грн
10+66.11 грн
25+59.91 грн
100+49.79 грн
250+46.73 грн
500+44.88 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67BE6327 BCW67BE6327 Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5495+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67BE6327HTSA1 BCW67BE6327HTSA1 Infineon Technologies bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 388951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4508+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 4508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67C BCW67C Infineon Technologies INFNS17213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 176800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8510+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67AE6327 BCW67AE6327 Infineon Technologies INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8510+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88-5C45M STK14C88-5C45M Infineon Technologies DS_428_STK14C88.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 32CDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-CDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+133941.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8523RXUMA1 2EDN8523RXUMA1 Infineon Technologies Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727 Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164CM-16F40FBA SAF-XC164CM-16F40FBA Infineon Technologies INFNS10522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: LEGACY 16 BIT FLASH MICROCONTROL
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 47
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Peripherals: PWM, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 14x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 8K x 8
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
Speed: 40MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1 IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7071GTRPBF Infineon Technologies IPS7071GPbF_6-24-07.pdf Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7121R AUIPS7121R Infineon Technologies auips7121.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7d1721328 Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 24mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW 79D E6327 BAW 79D E6327 Infineon Technologies INFNS10746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SWITCHING AND RECTIFIER DIODES
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PG-SOT89
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2597+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2026T-PV1.1 Infineon Technologies Description: ISDN HIGH VOLTAGE POWER CONTROLL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+430.35 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR AUIRFR5305TR Infineon Technologies auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494 Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.57 грн
10+168.12 грн
100+117.54 грн
500+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935LE6433HAXA1 Infineon Technologies Description: TLE4935L - HALL EFFECT SWITCHE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S2L11AKSA2 IPI80N06S2L11AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-11.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
214+92.01 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2LH5ATMA4 IPB80N06S2LH5ATMA4 Infineon Technologies IPB%2CIPP80N06S2L-H5.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S2L05AKSA2 IPI80N06S2L05AKSA2 Infineon Technologies IPx80N06S2L-05.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
138+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+73.91 грн
2000+66.29 грн
3000+63.80 грн
5000+57.25 грн
7000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 IPB17N25S3100ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+219.30 грн
10+137.38 грн
100+95.06 грн
500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSG Infineon Technologies INFNS16215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-TC1165-192F80HLAA
Виробник: Infineon Technologies
Description: RISC FLASH MICROCONTROLLER, 32 B
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 176-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 1.5MB (1.5M x 8)
RAM Size: 100K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: External
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: TriCore™
Data Converters: A/D 36x12b
Core Size: 32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.42V ~ 1.58V
Connectivity: CANbus, SPI, UART/USART
Peripherals: DMA, POR, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-176-2
Number of I/O: 81
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+1139.21 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856UE6327HTSA1 bc856s_bc856u_bc857s.pdf?folderId=db3a304314dca389011541d30fa21656&fileId=db3a304314dca38901154200fdcd16ef
BC856UE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 2PNP 65V 100MA PG-SC74-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: PG-SC74-6
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 30999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1982+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 1982 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R5XKSA INFN-S-A0001300633-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IHW20N135R5XKSA
Виробник: Infineon Technologies
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT
Power - Max: 288 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 170 nC
Test Condition: 600V, 20A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 950µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/235ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IHW20N135R3 INFN-S-A0004848099-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IHW20N135R3
Виробник: Infineon Technologies
Description: REVERSE CONDUCTING IGBT W/MONOLT
Power - Max: 310 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Part Status: Active
Gate Charge: 195 nC
Test Condition: 600V, 20A, 15Ohm, 15V
Switching Energy: -, 1.3mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: -/335ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRL2203NPBF-INF
IRL2203NPBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: HEXFET POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3290 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 60A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 116A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS70-04TE6327 INFNS11040-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAS70-04TE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: DIODE SCHOTTKY
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7059+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 7059 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BB640E7907 INFNS15423-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB640E7907
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Capacitance @ Vr, F: 3.3pF @ 28V, 1MHz
Capacitance Ratio Condition: C2/C25
Supplier Device Package: PG-SOD323-2-1
Part Status: Active
Voltage - Peak Reverse (Max): 30 V
Capacitance Ratio: 16.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BB640 INFNS16374-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BB640
Виробник: Infineon Technologies
Description: VARIABLE CAPACITANCE DIODE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SKW15N60 INFNS27342-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SKW15N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 31A I(C), 600V V(BR)CES, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 279 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-21
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 32ns/234ns
Switching Energy: 300µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 21Ohm, 15V
Gate Charge: 76 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 62 A
Power - Max: 139 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR25602SPBF-INF
IR25602SPBF-INF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IR25602 - HALF-BRIDGE DRIVER
DigiKey Programmable: Not Verified
Part Status: Active
Current - Peak Output (Source, Sink): 210mA, 360mA
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 3V
Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET
Number of Drivers: 1
Driven Configuration: Half-Bridge
Channel Type: Synchronous
Rise / Fall Time (Typ): 100ns, 50ns
Supplier Device Package: 8-SO
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40-60B5000
BAS40-60B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817
BSZ065N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+30.38 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ065N06LS5ATMA1 Infineon-BSZ065N06LS5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156e55f60164817
BSZ065N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-FL
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 9459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.34 грн
10+72.76 грн
100+48.69 грн
500+36.02 грн
1000+32.90 грн
2000+30.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39
BSC065N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5000+37.34 грн
10000+33.76 грн
15000+33.31 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC065N06LS5ATMA1 Infineon-BSC065N06LS5-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d4625c54d85b015cc5a9ad087b39
BSC065N06LS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 64A 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 30 V
на замовлення 28731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.81 грн
10+87.23 грн
100+58.88 грн
500+43.84 грн
1000+40.17 грн
2000+38.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB065N06LG INFNS16294-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IPB065N06LG
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 157 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC817-40B5000 INFNS12118-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BC817-40B5000
Виробник: Infineon Technologies
Description: BIPOLAR TRANSISTOR TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49681KXTSA1 Infineon-TLE4968_1K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b6013977a3fb29541c
TLE49681KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR SC59
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Tape & Reel (TR)
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 25mA
Sensing Range: 2.25mT Trip, -2.25mT Release
Technology: Hall Effect
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Function: Bipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE49681KXTSA1 Infineon-TLE4968_1K-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a3043397219b6013977a3fb29541c
TLE49681KXTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MAGNETIC SWITCH BIPOLAR SC59
Voltage - Supply: 3V ~ 32V
Operating Temperature: -40°C ~ 170°C (TJ)
Function: Bipolar Switch
Mounting Type: Surface Mount
Polarization: North Pole, South Pole
Output Type: Open Drain
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Features: Temperature Compensated
Packaging: Cut Tape (CT)
Test Condition: 25°C
Supplier Device Package: PG-SC59-3
Current - Supply (Max): 2.5mA
Current - Output (Max): 25mA
Sensing Range: 2.25mT Trip, -2.25mT Release
Technology: Hall Effect
на замовлення 8777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+57.61 грн
25+46.06 грн
100+39.63 грн
500+33.33 грн
1000+29.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGW50N60HSFKSA1 fundamentals-of-power-semiconductors
SGW50N60HSFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 100A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
84+242.47 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC8899N03MS INFNS15760-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BSC8899N03MS
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Bulk
на замовлення 4952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1039+21.31 грн
Мінімальне замовлення: 1039 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SGD02N60 INFNS10941-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SGD02N60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT, 6A, 600V, N-CHANNEL
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
Power - Max: 30 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Part Status: Active
Gate Charge: 14 nC
Test Condition: 400V, 2A, 118Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 28µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/259ns
IGBT Type: NPT
Supplier Device Package: PG-TO252-3-11
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 2A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
465+45.92 грн
Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IGC27T120T8LX1SA2 Infineon-IGC27T120T8L_L7643V-DS-v01_01-en.pdf?fileId=db3a3043382e8373013832779de34b60
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 25A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IGT60R070D1ATMA1 Infineon-IGT60R070D1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46265f064ff016686028dd56526
IGT60R070D1ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-HSOF-8-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 400 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): -10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR21571PBF ir21571.pdf
IR21571PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC BALLAST CNTRL 50.5KHZ 16DIP
Current - Supply: 5.5 mA
Part Status: Obsolete
Dimming: No
Supplier Device Package: 16-DIP
Voltage - Supply: 10.5V ~ 16.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Type: Ballast Controller
Frequency: 45.5kHz ~ 50.5kHz
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 16-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Bulk
на замовлення 157341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
127+156.87 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMB7720HV1.458PCC
Виробник: Infineon Technologies
Description: PMB7720HV DECT IC
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2236N-40F80LAA INFNS15642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAK-XC2236N-40F80LAA
Виробник: Infineon Technologies
Description: 16-BIT C166 MMC - XC2200 FAMILY
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 80MHz
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
RAM Size: 42K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: C166SV2
Data Converters: A/D 9x10b
Core Size: 16/32-Bit
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Part Status: Active
Number of I/O: 38
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAK-XC2236N-40F80L AA INFNS15642-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
Number of I/O: 38
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x10b
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 80MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Bulk
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC2236N-40F66L AB XC223xN_V1.5_2-7-13.pdf
SAF-XC2236N-40F66L AB
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
Number of I/O: 38
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Peripherals: I²S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I²C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x10b
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 66MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XC2236N40F66LAAFXUMA1 XC223xN_V1.5_2-7-13.pdf
XC2236N40F66LAAFXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MCU 16/32B 320KB FLASH 64LQFP
Number of I/O: 38
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-6
Peripherals: I2S, POR, PWM, WDT
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, I2C, LINbus, SPI, SSC, UART/USART, USI
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 3V ~ 5.5V
Core Size: 16/32-Bit
Data Converters: A/D 9x10b
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 42K x 8
Program Memory Size: 320KB (320K x 8)
Speed: 66MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SGP20N60XKSA1 SGx20N60.pdf
SGP20N60XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 40A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 36ns/225ns
Switching Energy: 440µJ (on), 330µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 16Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 179 W
на замовлення 5130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
149+136.52 грн
Мінімальне замовлення: 149 шт
В кошику  од. на суму  грн.
V29F040B-150JC
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC MEMORY NOR
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR2270AZXKLA1-ND Infineon-ICE5QRxxxxAx-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4af1eaab111c
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH QUASI RESONANT
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm), 7 Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 700V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DIP-7-6
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Control Features: Frequency Control, Soft Start
Part Status: Active
Power (Watts): 41 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BGXUMA1 Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad
ICE5QR4780BGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 28 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR4780BGXUMA1 Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad
ICE5QR4780BGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 28 W
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+95.29 грн
25+86.71 грн
100+72.51 грн
250+68.28 грн
500+65.72 грн
1000+62.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680BGXUMA1 Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad
ICE5QR0680BGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 77 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QR0680BGXUMA1 Infineon-ICE5QRxx80BG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fe42513ad
ICE5QR0680BGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 12DSO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.154", 3.90mm Width), 12 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): Yes
Voltage - Breakdown: 800V
Output Isolation: Isolated
Topology: Flyback
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Supplier Device Package: PG-DSO-12-21
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Voltage - Start Up: 16 V
Part Status: Active
Power (Watts): 77 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QSBGXUMA1 Infineon-ICE5QSBG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fecf213b3
ICE5QSBGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
Power (Watts): 109 W
Part Status: Active
Voltage - Start Up: 16 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
Internal Switch(s): No
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ICE5QSBGXUMA1 Infineon-ICE5QSBG-DataSheet-v02_10-EN.pdf?fileId=5546d462700c0ae601707f2fecf213b3
ICE5QSBGXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC OFFLINE SWITCH FLYBACK 8DSO
Internal Switch(s): No
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Power (Watts): 109 W
Part Status: Active
Voltage - Start Up: 16 V
Fault Protection: Current Limiting, Open Loop, Over Load, Over Temperature, Over Voltage
Supplier Device Package: PG-DSO-8
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 10V ~ 27V
Topology: Flyback
Output Isolation: Isolated
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.54 грн
10+66.11 грн
25+59.91 грн
100+49.79 грн
250+46.73 грн
500+44.88 грн
1000+42.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67BE6327 INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW67BE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5495+3.87 грн
Мінімальне замовлення: 5495 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67BE6327HTSA1 bcw67_bcw68.pdf?folderId=db3a304314dca38901155ffc06d51dc7&fileId=db3a3043156fd573011589ad64a2033e
BCW67BE6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 32V 0.8A PG-SOT23
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: PG-SOT23
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 388951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4508+5.00 грн
Мінімальне замовлення: 4508 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67C INFNS17213-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW67C
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
на замовлення 176800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8510+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCW67AE6327 INFNS11571-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BCW67AE6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS 32V 0.8A PG-SOT23-3-1
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Bulk
Power - Max: 330 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8510+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8510 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STK14C88-5C45M DS_428_STK14C88.pdf
STK14C88-5C45M
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 32CDIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-CDIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 32-CDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 45ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 45 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+133941.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2EDN8523RXUMA1 Infineon-2EDN752x-2EDN852x-DS--DS-v02_03-EN.pdf?fileId=5546d462525dbac40152abcc7dbb1727
2EDN8523RXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR LOW-SIDE 8TSSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 20V
Input Type: Inverting
Supplier Device Package: PG-TSSOP-8
Rise / Fall Time (Typ): 5.3ns, 4.5ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.2V, 1.9V
Current - Peak Output (Source, Sink): 5A, 5A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SAF-XC164CM-16F40FBA INFNS10522-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
SAF-XC164CM-16F40FBA
Виробник: Infineon Technologies
Description: LEGACY 16 BIT FLASH MICROCONTROL
DigiKey Programmable: Not Verified
Number of I/O: 47
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-LQFP-64-4
Peripherals: PWM, WDT
Connectivity: ASC, CANbus, SPI, SSC, UART/USART
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 5.5V
Core Size: 16-Bit
Data Converters: A/D 14x8/10b SAR
Core Processor: C166SV2
Program Memory Type: FLASH
Oscillator Type: External, Internal
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
RAM Size: 8K x 8
Program Memory Size: 128KB (128K x 8)
Speed: 40MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 64-LQFP
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R1K4CEAKMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
IPS70R1K4CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPS7071GTRPBF IPS7071GPbF_6-24-07.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1:1 8SO
Features: Auto Restart
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 80mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 35V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 1.5A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: 8-SOIC
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Open Load Detect, Over Temperature
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIPS7121R auips7121.pdf?fileId=5546d462533600a4015355a7d1721328
AUIPS7121R
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Output Type: N-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Interface: On/Off
Switch Type: General Purpose
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Output Configuration: High Side
Rds On (Typ): 24mOhm
Input Type: Non-Inverting
Voltage - Load: 6V ~ 60V
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): Not Required
Current - Output (Max): 3.8A
Ratio - Input:Output: 1:1
Supplier Device Package: PG-TO252-5
Fault Protection: Current Limiting (Fixed), Over Temperature
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAW 79D E6327 INFNS10746-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BAW 79D E6327
Виробник: Infineon Technologies
Description: SWITCHING AND RECTIFIER DIODES
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 1 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Supplier Device Package: PG-SOT89
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 1A (DC)
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 1 µs
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2597+9.30 грн
Мінімальне замовлення: 2597 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PEF2026T-PV1.1
Виробник: Infineon Technologies
Description: ISDN HIGH VOLTAGE POWER CONTROLL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
47+430.35 грн
Мінімальне замовлення: 47 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AUIRFR5305TR auirfr5305.pdf?fileId=5546d462533600a4015355b5cb911494
AUIRFR5305TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.57 грн
10+168.12 грн
100+117.54 грн
500+90.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TLE4935LE6433HAXA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: TLE4935L - HALL EFFECT SWITCHE
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S2L11AKSA2 IPx80N06S2L-11.pdf
IPI80N06S2L11AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.7mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 93µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2075 pF @ 25 V
на замовлення 40500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
214+92.01 грн
Мінімальне замовлення: 214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB80N06S2LH5ATMA4 IPB%2CIPP80N06S2L-H5.pdf
IPB80N06S2LH5ATMA4
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
157+125.52 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPI80N06S2L05AKSA2 IPx80N06S2L-05.pdf
IPI80N06S2L05AKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 25 V
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
138+142.61 грн
Мінімальне замовлення: 138 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPB17N25S3100ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+73.91 грн
2000+66.29 грн
3000+63.80 грн
5000+57.25 грн
7000+57.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB17N25S3100ATMA1 Infineon-IPP_B17N25S3_100-DS-v01_01-EN.pdf?fileId=db3a30433b92f0e8013b937c398a014b
IPB17N25S3100ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 17A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 54µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+219.30 грн
10+137.38 грн
100+95.06 грн
500+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSG INFNS16215-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon Technologies
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-6
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 205 345 346 347 348 349 350 351 352 353 354 355 410 615 820 1025 1230 1435 1640 1845 2050 2051  [ Наступна Сторінка >> ]